JP2572279B2 - 長尺物用イオンプレーティング装置 - Google Patents
長尺物用イオンプレーティング装置Info
- Publication number
- JP2572279B2 JP2572279B2 JP1215005A JP21500589A JP2572279B2 JP 2572279 B2 JP2572279 B2 JP 2572279B2 JP 1215005 A JP1215005 A JP 1215005A JP 21500589 A JP21500589 A JP 21500589A JP 2572279 B2 JP2572279 B2 JP 2572279B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rotating roller
- ion plating
- bias power
- evaporation source
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、長尺鋼板等の長尺の導電性の被処理物の表
面にイオンプレーティングにより薄膜を形成するに使用
される長尺物用イオンプレーティング装置に関する。
面にイオンプレーティングにより薄膜を形成するに使用
される長尺物用イオンプレーティング装置に関する。
（従来の技術） 従来の長尺物用イオンプレーティング装置として、例
えば第１図示のように、蒸発源ａを備えた真空処理室ｂ
内へ、回転ローラーｃで長尺の導電性の被処理物ｄを搬
入し、バイアス電源ｅにより蒸発源ａに正電位を印加す
ると共に回転ローラーｃを介して被処理物ｄに負電位を
印加することにより蒸発源ａからの蒸発物をイオン化し
て該被処理物ｄの表面に膜状に付着させるようにしたも
のが知られている。該被処理物ｄに負電位を印加する手
段は、第２図に見られるようにバイアス電源ｅからの給
電ケーブルｆを回転ローラーｃのベアリング軸受ｇに取
付けて構成されており、従ってバイアス電流は被処理物
ｄ、回転ローラーｃ、ベアリング軸受ｇの順に流れる。
えば第１図示のように、蒸発源ａを備えた真空処理室ｂ
内へ、回転ローラーｃで長尺の導電性の被処理物ｄを搬
入し、バイアス電源ｅにより蒸発源ａに正電位を印加す
ると共に回転ローラーｃを介して被処理物ｄに負電位を
印加することにより蒸発源ａからの蒸発物をイオン化し
て該被処理物ｄの表面に膜状に付着させるようにしたも
のが知られている。該被処理物ｄに負電位を印加する手
段は、第２図に見られるようにバイアス電源ｅからの給
電ケーブルｆを回転ローラーｃのベアリング軸受ｇに取
付けて構成されており、従ってバイアス電流は被処理物
ｄ、回転ローラーｃ、ベアリング軸受ｇの順に流れる。
（発明が解決しようとする課題） 前記従来の装置では、バイアス回路の途中にベアリン
グ軸受ｇが介在するが、元来軸受は電流を安定して流せ
る構造にはなっておらず、回転ローラーｃの回転によっ
て回転ローラーｃと軸受ｇとの接触抵抗が変化するた
め、給電ケーブルｆから回転ローラーｃに安定してバイ
アス電圧を供給することが出来ない不都合があった。特
に高速成膜用のイオンプレーティング装置では、1000A
程度の電流が軸受ｇを介して流れるため、軸受ｇの接触
抵抗の不安定さがあると被処理物ｄに形成される薄膜の
密着性等の成膜性能が悪化して好ましくない。
グ軸受ｇが介在するが、元来軸受は電流を安定して流せ
る構造にはなっておらず、回転ローラーｃの回転によっ
て回転ローラーｃと軸受ｇとの接触抵抗が変化するた
め、給電ケーブルｆから回転ローラーｃに安定してバイ
アス電圧を供給することが出来ない不都合があった。特
に高速成膜用のイオンプレーティング装置では、1000A
程度の電流が軸受ｇを介して流れるため、軸受ｇの接触
抵抗の不安定さがあると被処理物ｄに形成される薄膜の
密着性等の成膜性能が悪化して好ましくない。
この発明は、上記のような従来のもののもつ不都合を
解決するもので、安定して長尺の被処理物に負電圧を印
加し得るイオンプレーティング装置を提供することを目
的とするものである。
解決するもので、安定して長尺の被処理物に負電圧を印
加し得るイオンプレーティング装置を提供することを目
的とするものである。
（課題を解決するための手段） 本発明では、蒸発源を備えた真空処理室と、導電性の
長尺の被処理物を該真空処理室内へ搬送する回転ローラ
ーを備え、該被処理物に回転ローラーを介してバイアス
電源から負電位を与えると共に蒸発源に該バイアス電源
から正電位を与えるようにしたイオンプレーティング装
置に於いて、該回転ローラーの回転中心軸と直交した鍔
面を有する鍔形の電極を該回転ローラーの端部に一体に
設け、その鍔面に円板又は角板状でバイアス電源と接続
したカーボンブラシをばねで押圧して接触させることに
より、前記目的を達成するようにした。
長尺の被処理物を該真空処理室内へ搬送する回転ローラ
ーを備え、該被処理物に回転ローラーを介してバイアス
電源から負電位を与えると共に蒸発源に該バイアス電源
から正電位を与えるようにしたイオンプレーティング装
置に於いて、該回転ローラーの回転中心軸と直交した鍔
面を有する鍔形の電極を該回転ローラーの端部に一体に
設け、その鍔面に円板又は角板状でバイアス電源と接続
したカーボンブラシをばねで押圧して接触させることに
より、前記目的を達成するようにした。
（作 用） 回転ローラーにより真空処理室内へ搬入される被処理
物に、回転ローラーを介してバイアス電源から負電位を
与えると共に、蒸発源にバイアス電源から正電位を与
え、蒸発源からの蒸発物をイオン化して該被処理物の表
面に膜状に付着させ、イオンプレーティングが行なわれ
るが、該回転ローラーには、これに設けた鍔形の電極の
鍔面にばねで押圧接触したカーボンブラシによりバイア
ス電圧を印加するので、回転ローラーとこれが搬送する
被処理物との接触面圧の変動原因となる該回転ローラー
の回転ムラを生じないように、該回転ローラーとカーボ
ンブラシの間に常に一定で安定な接触抵抗が得られ、回
転ローラーに安定したバイアスの給電を行なえ、密着性
等の成膜性能の良い薄膜を被処理物に形成することが出
来る。
物に、回転ローラーを介してバイアス電源から負電位を
与えると共に、蒸発源にバイアス電源から正電位を与
え、蒸発源からの蒸発物をイオン化して該被処理物の表
面に膜状に付着させ、イオンプレーティングが行なわれ
るが、該回転ローラーには、これに設けた鍔形の電極の
鍔面にばねで押圧接触したカーボンブラシによりバイア
ス電圧を印加するので、回転ローラーとこれが搬送する
被処理物との接触面圧の変動原因となる該回転ローラー
の回転ムラを生じないように、該回転ローラーとカーボ
ンブラシの間に常に一定で安定な接触抵抗が得られ、回
転ローラーに安定したバイアスの給電を行なえ、密着性
等の成膜性能の良い薄膜を被処理物に形成することが出
来る。
（実施例） 本発明の実施例を図面第３図及び第４図に基づき説明
すると、第３図に於いて符号（１）は真空排気された真
空処理室、（２）は該真空処理室（１）の下方に設けら
れた蒸発源、（３）は該真空処理室（１）内を通過する
ようにその前後の差圧室（４）（４）に夫々設けた回転
ローラー（５）（５）により搬送される鋼板等の長尺の
導電性の被処理物を示す。該蒸発源（２）の内部に収め
た蒸発物（６）は、電子銃（７）からの電子ビーム
（８）により溶融蒸発され、その上方の被処理物（３）
に該蒸発物（６）の薄膜が形成されるが、該蒸発源
（２）へ直流のバイアス電源（９）から与えられる正電
位と、各回転ローラー（５）（５）を介して該バイアス
電源（９）から被処理物（３）に与えた負電位とによっ
て該蒸発物（６）の蒸気がイオン化され、更に被処理物
（３）の負電位により加速されてその表面へ突入し、密
着性の強い薄膜を形成する。
すると、第３図に於いて符号（１）は真空排気された真
空処理室、（２）は該真空処理室（１）の下方に設けら
れた蒸発源、（３）は該真空処理室（１）内を通過する
ようにその前後の差圧室（４）（４）に夫々設けた回転
ローラー（５）（５）により搬送される鋼板等の長尺の
導電性の被処理物を示す。該蒸発源（２）の内部に収め
た蒸発物（６）は、電子銃（７）からの電子ビーム
（８）により溶融蒸発され、その上方の被処理物（３）
に該蒸発物（６）の薄膜が形成されるが、該蒸発源
（２）へ直流のバイアス電源（９）から与えられる正電
位と、各回転ローラー（５）（５）を介して該バイアス
電源（９）から被処理物（３）に与えた負電位とによっ
て該蒸発物（６）の蒸気がイオン化され、更に被処理物
（３）の負電位により加速されてその表面へ突入し、密
着性の強い薄膜を形成する。
バイアス電源（９）から回転ローラー（５）への給電
は、第４図示のように、バイアス電源（９）へ接続した
円板又は角板状のカーボンブラシ（10）を回転ローラー
（５）に接触させることにより行なわれ、図示の例では
真空シール（11）を介して大気圧の外部へ導出した回転
ローラー（５）の回転軸（12）に銅製の鍔形の電極（1
3）を固定し、該回転ローラー（５）と共に回転する電
極（13）の鍔面にばね（14）でカーボンブラシ（10）を
押圧するようにした。（16）はカーボンブラシ（10）を
取付けたホルダ（17）とバイアス電源（９）とを接続す
る給電ケーブル、（18）はスラストベアリング、（19）
はロックナットである。
は、第４図示のように、バイアス電源（９）へ接続した
円板又は角板状のカーボンブラシ（10）を回転ローラー
（５）に接触させることにより行なわれ、図示の例では
真空シール（11）を介して大気圧の外部へ導出した回転
ローラー（５）の回転軸（12）に銅製の鍔形の電極（1
3）を固定し、該回転ローラー（５）と共に回転する電
極（13）の鍔面にばね（14）でカーボンブラシ（10）を
押圧するようにした。（16）はカーボンブラシ（10）を
取付けたホルダ（17）とバイアス電源（９）とを接続す
る給電ケーブル、（18）はスラストベアリング、（19）
はロックナットである。
その作動を説明すると、各回転ローラー（５）が回転
され搬送される被処理物（３）へイオンプレーティング
処理を行なう場合、バイアス電源（９）から回転ローラ
ー（５）を介して被処理物（３）に負電位を与えるが、
その給電はバイアス電源（９）に給電ケーブル（16）で
接続したカーボンブラシ（10）を回転ローラー（５）と
共に回転する鍔形の電極（13）の鍔面に接触させること
により行われるので、被処理物（３）の高速搬送に伴い
高速で回転ローラー（５）が回転しても、該回転ローラ
ー（５）に回転ムラを生じることなくカーボンブラシ
（10）がその潤滑性で回転ローラー（５）と滑らかに接
触し、接触抵抗が一様になるので一様な電流を流通させ
得、密着性等の成膜性能の良好な薄膜を被処理物（３）
に形成することが出来る。
され搬送される被処理物（３）へイオンプレーティング
処理を行なう場合、バイアス電源（９）から回転ローラ
ー（５）を介して被処理物（３）に負電位を与えるが、
その給電はバイアス電源（９）に給電ケーブル（16）で
接続したカーボンブラシ（10）を回転ローラー（５）と
共に回転する鍔形の電極（13）の鍔面に接触させること
により行われるので、被処理物（３）の高速搬送に伴い
高速で回転ローラー（５）が回転しても、該回転ローラ
ー（５）に回転ムラを生じることなくカーボンブラシ
（10）がその潤滑性で回転ローラー（５）と滑らかに接
触し、接触抵抗が一様になるので一様な電流を流通させ
得、密着性等の成膜性能の良好な薄膜を被処理物（３）
に形成することが出来る。
（発明の効果） 以上のように本発明によるときは、回転ローラーによ
り搬送される長尺の被処理物に負電位を与えるイオンプ
レーティング装置に於いて、該回転ローラーに設けた鍔
形の電極の鍔面へバイアス電源に接続したカーボンブラ
シを接触させて給電するようにしたので、回転ローラー
の高速回転時に接触抵抗が安定し、回転ローラーに対し
て常に安定してバイアス電圧を供給出来、密着性の一様
なイオンプレーティングを行なえる等の効果がある。
り搬送される長尺の被処理物に負電位を与えるイオンプ
レーティング装置に於いて、該回転ローラーに設けた鍔
形の電極の鍔面へバイアス電源に接続したカーボンブラ
シを接触させて給電するようにしたので、回転ローラー
の高速回転時に接触抵抗が安定し、回転ローラーに対し
て常に安定してバイアス電圧を供給出来、密着性の一様
なイオンプレーティングを行なえる等の効果がある。
第１図は従来の長尺物用イオンプレーティング装置の概
略断面図、第２図は第１図の回転ローラーの給電部分の
断面図、第３図は本発明の実施例の概略断面図、第４図
は第３図の要部の断面図である。 （１）……真空処理室、（２）……蒸発源 （３）……被処理物、（５）……回転ローラー （９）……バイアス電源、（10）……カーボンブラシ （13）……電極、（14）……ばね
略断面図、第２図は第１図の回転ローラーの給電部分の
断面図、第３図は本発明の実施例の概略断面図、第４図
は第３図の要部の断面図である。 （１）……真空処理室、（２）……蒸発源 （３）……被処理物、（５）……回転ローラー （９）……バイアス電源、（10）……カーボンブラシ （13）……電極、（14）……ばね
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 夏木 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真 空技術株式会社内 (72)発明者 片島 豊久 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真 空技術株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】蒸発源を備えた真空処理室と、導電性の長
尺の被処理物を該真空処理室内へ搬送する回転ローラー
を備え、該被処理物に回転ローラーを介してバイアス電
源から負電位を与えると共に該蒸発源に該バイアス電源
から正電位を与えるようにしたイオンプレーティング装
置に於いて、該回転ローラーの回転中心軸と直交した鍔
面を有する鍔形の電極を該回転ローラーの端部に一体に
設け、その鍔面に円板又は角板状でバイアス電源と接続
したカーボンブラシをばねで押圧して接触させたことを
特徴とする長尺物用イオンプレーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1215005A JP2572279B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 長尺物用イオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1215005A JP2572279B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 長尺物用イオンプレーティング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0379764A JPH0379764A (ja) | 1991-04-04 |
| JP2572279B2 true JP2572279B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=16665134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1215005A Expired - Lifetime JP2572279B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 長尺物用イオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572279B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4601368B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2010-12-22 | 新明和工業株式会社 | イオン加工装置 |
| JP4646066B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2011-03-09 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置 |
| JP2009046710A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体素子の連続的製造装置 |
| US20120024817A1 (en) * | 2009-04-14 | 2012-02-02 | Dawonsys Co., Ltd. | Apparatus and method for plasma surface treatment |
| CN110857464A (zh) * | 2018-08-24 | 2020-03-03 | 安徽纯源镀膜科技有限公司 | 一种新的真空镀膜设备的偏压系统 |
| CN110857466A (zh) * | 2018-08-24 | 2020-03-03 | 安徽纯源镀膜科技有限公司 | 一种真空镀膜设备的产品装夹装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278029A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気記録素子の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455375A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Nissin Electric Co Ltd | Device for projecting ion beam |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP1215005A patent/JP2572279B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278029A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気記録素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0379764A (ja) | 1991-04-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2572279B2 (ja) | 長尺物用イオンプレーティング装置 | |
| US3732158A (en) | Method and apparatus for sputtering utilizing an apertured electrode and a pulsed substrate bias | |
| EP0387904B1 (en) | Method of producing thin film | |
| US4938859A (en) | Ion bombardment device with high frequency | |
| JPS54141111A (en) | Method and apparatus for production of magnetic recording medium | |
| US4201654A (en) | Anode assisted sputter etch and deposition apparatus | |
| US3690291A (en) | Deposition apparatus | |
| JPS6324068A (ja) | 連続真空蒸着メツキ装置 | |
| JP3364692B2 (ja) | 電磁波シールド用成膜方法と装置 | |
| JPH0519328Y2 (ja) | ||
| JPH062944B2 (ja) | ダイヤモンド様カ−ボン成膜装置 | |
| JPS57101666A (en) | Apparatus for preparing vapor deposition film | |
| JPS6428366A (en) | Crucible of vacuum deposition device | |
| JPS6465261A (en) | Vapor deposition method by plasma ionization | |
| JPH03232963A (ja) | セラミックス膜被覆方法 | |
| JPH01255663A (ja) | 真空蒸着方法及び真空蒸着装置 | |
| JPH0470392B2 (ja) | ||
| JPH09190899A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| Morimoto et al. | Ion Plating Apparatus | |
| JP2939756B2 (ja) | 真空蒸着装置の蒸発源 | |
| JPH057238Y2 (ja) | ||
| SU907085A1 (ru) | Устройство дл нанесени покрытий в вакууме | |
| JPS59153882A (ja) | スパツタ−蒸着法 | |
| JPH02175871A (ja) | 蒸着装置 | |
| JPH0452274A (ja) | 工具への薄膜被覆方法 |