SU907085A1 - Устройство дл нанесени покрытий в вакууме - Google Patents
Устройство дл нанесени покрытий в вакууме Download PDFInfo
- Publication number
- SU907085A1 SU907085A1 SU782681776A SU2681776A SU907085A1 SU 907085 A1 SU907085 A1 SU 907085A1 SU 782681776 A SU782681776 A SU 782681776A SU 2681776 A SU2681776 A SU 2681776A SU 907085 A1 SU907085 A1 SU 907085A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- evaporator
- source
- accelerating electrode
- rings
- substrate holder
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ
В ВАКУУМЕ
I
Изобретение относитс к нанесениюпокрытий и тонких пленок в вакууме и может быть использовано в электронной , радиотехнической про{« шшенности и других област х науки и техники.
Известны устройства дл нанесени покрытий и тонких пленок с помощью резистивных испарителей i J.
Однако вследствие отсутстви зар женных частиц покрытие обладает низкими адгезионш ми свойствами.
Наиболее близким к предлагаемому вл етс устройство дл нанесени покрытий в вакууме, содержащее резистивный испаритель, подложкодержатель и ускор ющий электрод, размещенный между испарителем и подложкодержателем и соединенный с положительным полюсом источника посто нного напр жени 2 J.
Недостатком известного устройства вл етс низка степень ионизации испар емого вещества, обуславливающа невысокие адгезионные свойства получаемых покрытий, что снижает качество покрытий.
Цель изобретени - улучшение качества покрытий.
Цель достигаетс тем,что устройство дл нанесени пок1Н 1тий в вакууме , содержащее реэистивный испаритель , подпожкодержатель и ускор ющий электрод, размещенный между испарителем и подложкодержателем и соединенный с положительным полюсом источника посто нного напр жени , снабжено источником переменного напр жени , а ускор кнций электрод выполнен в виде двух полуколец, подсое;у ненных к дополнительному источнику переменного напр жени , причем резистивный испаритель снабжен экраном с отверстием, расположенным соосио полукольцам ускор ющего электрода.
На чертеже схематично изображено предлагаемое устройство.
Claims (2)
- УстроТ ство состоит из резистивного испарител 1 с испар емым мате39 риалом 2, подложкодержател 3 и ускор ющего электрода, соединенного с положительным полюсом источника 4 посто нного напр жени и выполненного в виде двух полуколец 5 и 6, подсоединенных к дополнительному источнику 7 переменного напр жени . Испаритель снабжен экраном 8 с отверстием 9, расположенным соосно полукольцам 5 и 6 ускор ющего элект рода. Устройство дл нанесени покрыти работает следующим образом. После достижени разрежейи ниже 10 Па в технологическом объеме, где размещено устройство, осуществл етс разогрев резистивного испарител 1,который вл етс источником паров наносимого материала 2 и электронов. Поток пара испар емог материала коллимируетс экраном 8, а электроны с энергией, определ емо напр жением источника 4, движутс в сторону ускор ющего электрода, состо щего из двух полуколец 5 и 6. С помощью источника переменного напр жени , подключенного к полукольцам 5 и 6, осуществл етс периодическа иониза1щ паров наносимого материала. Образующиес ионы вместе с нейтральными атомами испар|ющегос материала конденсируютс на подложкедержателе 3. Взаимодействие зар женных частиц с конденсатом оказывает сильное вли ние на процессы зарождени и роста пленок и покрытий. Сплошность пленок наступа ет при гораздо меньших толщинах, чем при термическом испарении в вакууме . Облучение потока конденсируемого пара потоком зар женных частиц, количество которых регулируетс изменением ускор ющего напр жени ,повышает адгезионные свойства покрытий и улучшает их качество. Формула изобретени Устройство дл нанесени покрытий в вакууме, содержащее резистивный испаритель, подложкодержатеЛь и ускор ющий электрод, размещенный между испарителем и подложкодержателем и соединенный с положительным полюсом источника посто нного напр жени , отличающее с тем, что, с целью улучшени качества покрытий , устройство снабжено источником переменного напр жени , а ускор ющий электрод выполнен в виде двух полуколец, подсоединенных к дополнительному источнику переменного напр жени , причем резистивный испаритель снабжен экраном с отверстием, расположенным соосно полукольцам ускор ющего электрода. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Технологи тонких пленок. Справочник . Под ред. Л.Майссела и Р.Глэнга . М., Советское радио, 1977, с. 56.
- 2. Симе Р.А. Ионное покрытие-процесс и его применение. Перевод ГПНТБ К 77/42634, 1977 (прототип.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU782681776A SU907085A1 (ru) | 1978-11-09 | 1978-11-09 | Устройство дл нанесени покрытий в вакууме |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU782681776A SU907085A1 (ru) | 1978-11-09 | 1978-11-09 | Устройство дл нанесени покрытий в вакууме |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU907085A1 true SU907085A1 (ru) | 1982-02-23 |
Family
ID=20792453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU782681776A SU907085A1 (ru) | 1978-11-09 | 1978-11-09 | Устройство дл нанесени покрытий в вакууме |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU907085A1 (ru) |
-
1978
- 1978-11-09 SU SU782681776A patent/SU907085A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1483966A (en) | Vapourized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition | |
| JPH0244769B2 (ru) | ||
| GB1532759A (en) | Production of monocrystalline layers on substrates | |
| SU907085A1 (ru) | Устройство дл нанесени покрытий в вакууме | |
| JPH0372067A (ja) | 複数の蒸発ルツボを備えたアーク放電型蒸発器 | |
| JPS6439371A (en) | Thin film forming device | |
| JPS6465254A (en) | Production of thin metallic film | |
| GB845509A (en) | Improvements in or relating to the manufacture of electron discharge devices | |
| JPS5767025A (en) | Manufacture of electrically conductive transparent film | |
| JPS6152359A (ja) | サ−マルシ−ルドの金属蒸着膜形成方法 | |
| JPS61190064A (ja) | 窒化チタン薄膜形成方法 | |
| JPS63166963A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| RU1070948C (ru) | Способ нанесени покрытий в вакууме | |
| JPS6139394B2 (ru) | ||
| JPH048506B2 (ru) | ||
| RU2055099C1 (ru) | Способ получения пленок и покрытий из легкоплавких неметаллических материалов в вакууме, преимущественно селена | |
| JPS6425972A (en) | Ion plating device | |
| JPS6318068A (ja) | 連続イオンプレ−テイング方法 | |
| JPS5620162A (en) | Vapor depositing method | |
| JPH01172563A (ja) | 高純度膜の形成方法 | |
| JPH01172564A (ja) | 高速被膜形成方法 | |
| JPS5855037A (ja) | 蒸着装置 | |
| JPH05271909A (ja) | 酸化亜鉛膜の製造方法 | |
| JPS57164942A (en) | Purifying apparatus for substance | |
| JPH05106032A (ja) | イオンプレーテイング装置 |