RU2055099C1 - Способ получения пленок и покрытий из легкоплавких неметаллических материалов в вакууме, преимущественно селена - Google Patents
Способ получения пленок и покрытий из легкоплавких неметаллических материалов в вакууме, преимущественно селена Download PDFInfo
- Publication number
- RU2055099C1 RU2055099C1 RU93009896A RU93009896A RU2055099C1 RU 2055099 C1 RU2055099 C1 RU 2055099C1 RU 93009896 A RU93009896 A RU 93009896A RU 93009896 A RU93009896 A RU 93009896A RU 2055099 C1 RU2055099 C1 RU 2055099C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- selenium
- coatings
- low
- vacuum
- melting
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
Использование: получение покрытий из селена и других легкоплавких материалов в вакууме. Сущность изобретения: нанесение пленок и покрытий осуществляется методом конденсации с ионной бомбардировкой, благодаря кинетическому и ионизационному фактору повышается прочность сцепления селенового покрытия с основой и увеличивается стабильность свойств покрытий.
Description
Изобретение относится к технологии получения тонких пленок и покрытий. До настоящего времени селеновые пленки и покрытия получали термическим осаждением на подложку в вакууме [1] Однако толщина и однородность получаемых пленок и покрытий низка.
Целью изобретения является получение однородного покрытия из селена и ускорение технологического процесса его нанесения.
Цель достигается применением метода конденсации в вакууме с ионной бомбардировкой (КИБ).
Ранее метод КИБ применялся только для нанесения покрытий и получения пленок из металлических материалов или соединений, содержащих металлы и имеющих высокие температуры плавления (Барвинок В. А. Управление напряженным состоянием и свойства плазменных покрытий. М. Машиностроение, 1990). Покрытия и пленки из селена и других неметаллических материалов, имеющих низкую температуру плавления, наносимые на подложки методом КИБ, имеют более высокую однородность. Величина адгезии наносимого материала к подложке зависит от режимов нанесения и технологии подготовки подложки перед нанесением. В качестве источника паров селена или других низкоплавких неметаллических материалов используется охлаждаемый электродуговой испаритель металлов (а.с. СССР N 349326, кл. С 23 С 14/32).
Пары осаждаемого материала содержат атомарную и ионную компоненты. Между испарителем и подложкой поддерживается разность потенциалов, необходимая для создания ионного потока. Поэтому при осаждении атомарной компоненты испаряемого материала на подложку воздействует ионный поток того же материала. Это обеспечивает повышенную однородность покрытий из селена и других низкоплавких неметаллических материалов.
Предлагаемый способ был опробован на установке типа "Булат", содержащей вакуумную камеру анод, внутри которой находится охлаждаемый электродуговой испаритель металлов, соленоид, расположенный снаружи камеры, и вакуумный насос, соединенный с камерой анодом. Материал, используемый в качестве подложки, предварительно обезжиривают и помещают в вакуумную камеру анод. Напыление производят в импульсном режиме работы электродугового испарителя металлов при остаточном давлении в камере аноде не выше 10-4 мм рт.ст. Толщина получаемой пленки зависит от времени напыления.
Предлагаемый способ позволяет наносить как селен, так и другие неметаллические материалы с низкой температурой плавления на металлические и неметаллические подложки.
Claims (1)
- СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК И ПОКРЫТИЙ ИЗ ЛЕГКОПЛАВКИХ НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО СЕЛЕНА, путем конденсации их на металлические и неметаллические подложки, отличающийся тем, что конденсацию пленок и покрытий осуществляют электродуговым методом при остаточном давлении в вакуумной камере, не превышающем 10- 4 мм рт.ст.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93009896A RU2055099C1 (ru) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Способ получения пленок и покрытий из легкоплавких неметаллических материалов в вакууме, преимущественно селена |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93009896A RU2055099C1 (ru) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Способ получения пленок и покрытий из легкоплавких неметаллических материалов в вакууме, преимущественно селена |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU93009896A RU93009896A (ru) | 1995-07-09 |
| RU2055099C1 true RU2055099C1 (ru) | 1996-02-27 |
Family
ID=20137708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU93009896A RU2055099C1 (ru) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Способ получения пленок и покрытий из легкоплавких неметаллических материалов в вакууме, преимущественно селена |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2055099C1 (ru) |
-
1993
- 1993-02-26 RU RU93009896A patent/RU2055099C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Авторское свидетельство СССР N 167731, кл. C 23C 14/02, 1984. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4415421A (en) | Process for manufacturing ornamental parts and ion plating apparatus to be used therefor | |
| Window | Recent advances in sputter deposition | |
| US4039416A (en) | Gasless ion plating | |
| US3756193A (en) | Coating apparatus | |
| JPH021230B2 (ru) | ||
| US5078847A (en) | Ion plating method and apparatus | |
| US3732158A (en) | Method and apparatus for sputtering utilizing an apertured electrode and a pulsed substrate bias | |
| JP3345009B2 (ja) | 加熱により製造された材料蒸気のイオン化方法及び該方法を実施する装置 | |
| US3492215A (en) | Sputtering of material simultaneously evaporated onto the target | |
| US6730365B2 (en) | Method of thin film deposition under reactive conditions with RF or pulsed DC plasma at the substrate holder | |
| RU2055099C1 (ru) | Способ получения пленок и покрытий из легкоплавких неметаллических материалов в вакууме, преимущественно селена | |
| US6296743B1 (en) | Apparatus for DC reactive plasma vapor deposition of an electrically insulating material using a shielded secondary anode | |
| EP0776987A1 (de) | Vakuumbeschichtungsanlage mit einem in der Vakuumkammer angeordneten Tiegel zur Aufnahme von zu verdampfendem Material | |
| RU2634101C2 (ru) | Низкотемпературное ионно-дуговое напыление | |
| Strauss et al. | Plasma diagnostic of ion and plasma PVD processes | |
| US3630871A (en) | Cathodic sputtering method | |
| RU2023742C1 (ru) | Способ нанесения защитно-декоративных и износостойких покрытий | |
| RU93018049A (ru) | Способ нанесения вакуумных металлизированных покрытий на диэлектрические подложки | |
| JPH0428861A (ja) | ホロカソード電子銃を用いた成膜装置 | |
| PLATING | THE EFFECT OF TEMPERATURES DEVELOPED DURING SPUTTER ION PLATING ON THE MICROSTRUCTURE AND MICROHARDNESS OF AISI 4340 STEEL | |
| JPH06116711A (ja) | アルミナ膜の製膜方法 | |
| RU1070948C (ru) | Способ нанесени покрытий в вакууме | |
| RU2145362C1 (ru) | Способ вакуумно-плазменного нанесения покрытий | |
| Hübner et al. | Metallization of semiconductor devices by high rate sputtering of aluminum | |
| RU49825U1 (ru) | Установка для нанесения покрытий |