JP2553037B2 - 高出力集積回路装置 - Google Patents

高出力集積回路装置

Info

Publication number
JP2553037B2
JP2553037B2 JP60188746A JP18874685A JP2553037B2 JP 2553037 B2 JP2553037 B2 JP 2553037B2 JP 60188746 A JP60188746 A JP 60188746A JP 18874685 A JP18874685 A JP 18874685A JP 2553037 B2 JP2553037 B2 JP 2553037B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
emitter
base
collector
resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60188746A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6165468A (ja
Inventor
ベルント・ボーデイヒ
ロタール・ガーデマン
ゲルト・ヘーネ
ハルトムート・ミヘル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Publication of JPS6165468A publication Critical patent/JPS6165468A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2553037B2 publication Critical patent/JP2553037B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02P—IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
    • F02P3/00—Other installations
    • F02P3/02—Other installations having inductive energy storage, e.g. arrangements of induction coils
    • F02P3/04—Layout of circuits
    • F02P3/0407—Opening or closing the primary coil circuit with electronic switching means
    • F02P3/0435—Opening or closing the primary coil circuit with electronic switching means with semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
    • H01L27/0635—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with bipolar transistors and diodes, or resistors, or capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
    • H01L27/0823—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only including vertical bipolar transistors only
    • H01L27/0825—Combination of vertical direct transistors of the same conductivity type having different characteristics,(e.g. Darlington transistors)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、約5Aより大きい電流および約200Vより高い
電圧に対するモノリシック集積高出力段を有する高出力
集積回路装置に関し、この出力段は少なくとも１つのプ
レーナ型パワトランジスタを含んでおり、このプレーナ
型パワトランジスタのために半導体サブストレートはコ
レクタ部分を形成しかつサブストレートのキャリアと反
対の型のキャリアの複数のベースがサブストレートに拡
散されており、そのうち１つが前記パワトランジスタの
ベースを形成する。
従来の技術 この形式の高出力段として既に、自動車等の車両にお
ける点火コイルを制御するために使用することができる
ダーリントントランジスタ回路が公知である。ドイツ連
邦共和国特許公開第3227536号公報から、モノリシック
に集積された半導体デバイスとして構成されているダー
リントントランジスタ回路が公知である。この公知のト
ランジスタ回路のトランジスタは、共通のサブストレー
トにプレーナ技術を用いてモノリシックに集積されてい
る。その際サブストレートに、２つのトランジスタのコ
レクタ領域を形成する。この半導体デバイスは、２つの
トランジスタの他に１つの分圧器を有するだけのもので
あり、この分圧器によって被覆電極の電位が固定され
る。
発明が解決しようとする問題点 本発明の課題は、周辺回路素子を共通のサブストレー
トに収容することができる、一層高い集積度のモノリシ
ック集積高出力段を有する高出力集積回路装置を提供す
ることである。
問題点を解決するための手段および発明の効果 本発明によれば、点火コイルを備えかつ入力ドライバ
トランジスタとパワトランジスタとを含むダーリントン
接続トランジスタを使用しているモノリシック集積高出
力段において、前記ドライバトランジスタは前記高出力
段の入力端子に接続されているベースを有しており、一
方前記パワトランジスタのエミッタ−コレクタ間は前記
点火コイルに直列に接続されており、かつ回路はさらに
ベース、コレクタおよびエミッタを有する電流制限トラ
ンジスタと、それぞれ異なった温度係数を有する２つの
抵抗から成る分圧器とを有し、該分圧器は固定電位点と
前記ドライバトランジスタのエミッタとの間に接続され
ておりかつ前記電流制限トランジスタの制御電極に接続
されているタップを有している。電流制限トランジスタ
のコレクタおよびエミッタはドライバトランジスタを流
れるベース−エミッタ電流を調整しかつ前記分圧器のタ
ップにおける電圧に依存して働くように接続されてい
る。
本発明は、完全な出力段の製作における数多くの製造
ステップが省略されるという利点を有している。１つの
共通のサブストレートへの集積によって、全体の回路に
対して単一の温度条件が生じるようになり、その結果と
して、たとえば温度に依存する回路素子の温度補償を特
別精確に行うことができる。周辺回路素子は半導体サブ
ストレート内の付加的なバスタブ状領域に拡散形成され
る。これら周辺回路素子として能動素子および／または
受動素子を設けることができる。較正または平衡抵抗に
対して、スポットまたはストライプを合金化することに
より高抵抗の接合部を介して、ツエナーダイオード経路
を迂回し、つまり分路することができる。
したがって高出力段は、少なくとも１つのドライバト
ランジスタおよびパワトランジスタを含んでいるダーリ
ントン回路を有する点火装置の出力段として構成するこ
とができ、このダーリントン回路のコレクタは点火コイ
ルに対する電流を形成しかつ出力段はドライバトランジ
スタのベースに接続されている入力端子を介して制御可
能になっている。
分圧器の２つの抵抗は、有利にはイオン注入によって
発生されかつ異なった高さのドーピング濃度を有してお
り、その結果２つの分圧抵抗の抵抗値に対して、異なっ
た温度係数が生じる。
実施例 次に本発明を図示の実施例に基づき図面を用いて詳細
に説明する。第１図は、モノリシックに集積された半導
体デバイスの断面図を示す。この半導体ウエハは、２つ
のＰ型のバスタブ状領域１、２が拡散形成されているn-
導電型のシリコンから成る。Ｐ型のバスタブ状領域１は
高出力段の部分であり、一方Ｐ型のバスタブ状領域２
は、周囲の回路素子に対して設けられている。第１図に
おいて、パワトランジスタのエミッタおよびベース接続
端子に対する金属化部３が図示されている。図示の半導
体デバイスの残りの表面は、二酸化シリコンから成る絶
縁層４によって被覆されており、一方下面には、コレク
タＣの接続端子に対する金属化部５が設けられている。
第２図に図示の、周辺デバイスに対する実施例は、横
型バイポーラトランジスタである。このためにエミッタ
ＥおよびコレクタＣに対してn+領域がＰ型のバスタブ状
領域２に拡散されている。
第３図に図示の周辺デバイスは、ｎチャネルの横型MO
Sトランジスタを示す。このトランジスタの構成は実質
的に、制御電極の配置構成によって相異しており、この
制御電極の金属化部は薄い酸化層６上に被着されてい
る。接続端子Ｓ、Ｇ、Ｄは、ソース、ゲート、およびド
レイン接続端子である。
第４図は、ｐチャネルの横型MOSFETの断面図である。
このために２つのｐ型のバスタブ状領域２、７が設けら
れている。第５図では抵抗Ｒを実現するために、ｐ型の
バスタブ状領域８にｎ領域が拡散形成されており、この
領域は２つの接続端子ＡとＢとの間にある抵抗Ｒを示
す。この抵抗Ｒは、所属の高出力段のコレクタ電圧より
大きな電圧に適している。高出力段のコレクタ電圧より
小さな電圧に対しては、第６図に示す抵抗Ｒが形成され
る。この場合直接ｐ型のバスタブ状領域８が抵抗Ｒを形
成する。
第７図は、ｐ型のバスタブ状領域９内に設けられてい
るMOS容量の構成を示す。このためにｐ型バスタブ状領
域９にn+領域が拡散形成されておりかつ第１接続端子10
と接続されている。このコンデンサの第２接続端子は、
上記のn+領域の上方に間隔をおいて配置されている金属
化部11と接続されている。この間隔は、中間に設けられ
ている絶縁層４によって決められる。
第８図に図示の回路装置は、１つの共通の半導体サブ
ストレートに高出力段とともに集積されている複数の周
辺回路装置を有している。高出力段はたとえば約5Aの出
力電流および約200Vの出力電圧に対して設定することが
できる。しかし相当大きな電流および相当高い電圧に対
しても実現可能である。
３つのトランジスタT1、T2、T3が周辺トランジスタと
して設けられており、その際電流制限器として用いられ
るトランジスタT1は、横型のnpnトランジスタとして構
成されており、このトランジスタのエミッタおよびコレ
クタ構造は、パワトランジスタT6のエミッタと同じ工程
でｐ型バスタブ状領域に形成されている。
トランジスタT1のコレクタは、ドライバトランジスタ
T4のベースおよびベース前置抵抗R1に接続されている。
このベース前置抵抗R1にダイオードD1が並列に接続され
ている。このダイオードのアノードは、npnトランジス
タとして構成されているドライバトランジスタT4のベー
スに接続されている。点火出力段の入力端子Ｂは、ベー
ス前置抵抗R1を介してドライバトランジスタT4のベース
に接続されている。ドライバトランジスタT4は、それに
後置接続されているトランジスタT5およびT6とともにダ
ーリントン回路として構成されている高出力段を形成す
る。
電流制限部の温度安定化のために、ドライバトランジ
スタT4のエミッタと入力端子Ｅとの間に２つの抵抗R4、
R5から成る分圧器が挿入されており、その際抵抗R5は調
整可能な抵抗として構成されている。異なった温度特性
を有する２つの抵抗R4、R5を用いることで、トランジス
タT4による電流制限の温度依存性が次の理由から低減さ
れるようにすることができる。電流調整のためにその他
に別の抵抗R8が設けられている。
電流調整のために用いられる抵抗R4、R5、R8は、集積
された、イオン注入によって生じる抵抗として形成され
ておりかつ有利には種々異なったレベルにドーピンング
されており、その結果その抵抗値に関して種々異なった
温度係数が生じる。予め回路定数を決める段階で抵抗R5
の調節が可能である。半導体構造において、たとえばド
イツ連邦共和国特許公開第3201545号公報に既に記載さ
れているように、外部から供給可能な電力によって接続
を変更できるように形成される。
抵抗R4およびR5のドーピングを異ならせることによ
り、分圧器のタップに生じる電圧は所望の温度特性をと
る。このようにして、トランジスタT1を流れる電流を、
ドライバトランジスタT4のベースに流れるベース電流、
したがって接続されている点火コイルZSを流れる電流I1
も所望の通り制限ないし調整されるように、調整するこ
とができる。
接続端子Ｂと電流制限器として用いられるトランジス
タT1のベースとの間に、過電圧時に出力段の遮断作用を
する第１のツエナーダイオードZD1が設けられている。
その際ツエナー電圧は、約20Vより大きいバッテリー電
圧においてトランジスタT1が完全に導通状態になりかつ
それにより高出力段が遮断されるように選択することが
できる。ツエナーダイオードZD1には、電流調整に対す
るバッテリー電圧の負帰還結合として用いられる抵抗R2
が並列に接続されている。この抵抗R2およびR1は、ｐ型
バスタブ状領域に設けられるｎ型材料として実現されて
いる。抵抗R1は、ベースｐ型材料内に、エミッタ拡散部
と一緒に細いｎ型ストライプとして形成することができ
る。
さらに、点火出力段の火花の生じない定常電流の遮断
に対する周辺回路素子が設けられている。このためにト
ランジスタT2、T3、別のツエナーダイオードZD2および
別の抵抗R3およびR6が設けられている。
正常作動時において点火時点で同時に、外部トランジ
スタとして設けられておりかつ抵抗RBを介してバッテリ
ー電圧および点火コイルに接続されているトランジスタ
のうちTBが遮断され、TAが導通されるものとする。定常
電流の遮断の場合トランジスタTBと同時にTAも遮断され
るようになっている。
ところでこの第８図には点火コイルZSの制御回路が示
されている。点火コイルは、１次電圧が２次電圧に変換
される変圧器である。この種の変圧器の制御は１次電圧
に作用を及ぼすので、第８図の回路において１次電圧の
みが発生する。その場合この回路の目的は、この１次電
圧に作用を及ぼすことによって２次電圧の所望の経過を
得ることである。１次電圧はこの回路において端子Ｃと
Ｅとの間に加わる。
定常電流遮断の際トランジスタTAは遮断されているの
で、トランジスタT3、T2および抵抗R3を介して流れる制
御電流は、ダイオードD1を介してアースに流れることが
できず、その結果ドライバトランジスタT4が導通制御さ
れ、ひいては高出力段が、分圧器R6によって制限され、
たとえば35Vの１次電圧において導通制御される。これ
により点火コイルZSの２次電圧は、点火火花を生ぜしめ
ない低い値にとどまる。ツエナーダイオードZD2は、ト
ランジスタT3、T2および抵抗R3を流れる電流をトランジ
スタTAが導通しかつ回路点ＣとＥの間に生じる１次電圧
≫35Vの場合制限する。
別のツエナーダイオードZD3は、通常作動における電
圧制限のために用いられる。たとえば350Vのクランプ電
圧はこの素子によって固定することができる。さらに、
ダーリントン回路の出力側に逆ダイオードD2を設けるこ
とができる。
第８図の回路の正常な作動ではトランジスタTBおよび
TAの２つの異なった切換状態が区別される。第１の作動
状態においてトランジスタTBは導通切換されかつトラン
ジスタTAは遮断される。トランジスタT1の電流制限によ
ってこの作動状態において点火コイルを流れる電流は制
限され、コイルの２次側における所望しない高電圧の発
生が妨げられる。既述したように、トランジスタTBが遮
断されかつトランジスタTAが導通制御されると、接続端
子Ｂはアースされ、したがってトランジスタT6を流れる
電流は阻止される。この場合非常に迅速な遮断であるの
で、点火コイルに点火火花を生ぜしめるのに十分である
非常に大きな２次電圧が発生する。
したがって換言すれば、点火出力段すなわちトランジ
スタT6が導通制御され、すなわち点火コイルZSを介して
電流I1が流れるときは、トランジスタTBは導通制御さ
れ、一方トランジスタTAは遮断された状態にある。それ
から点火火花の発生のためにトランジスタTBは遮断され
かつトランジスタTAは導通制御され、その際トランジス
タT4のベースからダイオードD1を介して電流がアースに
流れ出ることができ、これによって出力段、すなわちト
ランジスタT6は一層迅速に遮断されるようになる。ダイ
オードD1がなければ、たとえば100Ωの抵抗値を有する
抵抗R1が迅速な遮断を妨げるようになる。
出力トランジスタT6は、電流センサ抵抗とも称するこ
とができるアース接続された抵抗R8と接続されている。
パワトランジスタT6および抵抗R8は有利には、相応の数
のエミッタ前置抵抗を介して相互に安定化されている複
数の個別トランジスタの並列回路として実現することが
できる。
最後にトランジスタT2、T3について説明する。既述し
たようにいわゆる定常電流の遮断ではトランジスタTBも
トランジスタTAも阻止された状態になる。いわゆる定常
電流遮断とは、障害に基づいて発生する可能性がある
（たとえば点火が投入接続されているときの機関停止状
態）点火の不都合な作動状態である。この場合にのみ２
つのトランジスタT2、T3は出力トランジスタT4、T5、T6
のベースに対する相当な制御電流を供給する。その際既
述のように分圧抵抗６は、回路点ＣおよびＥの間に加わ
る電圧（１次電圧）が所定の値以下にとどまるように選
定される。これにより点火コイルZSが緩慢に放電しかつ
その際なお引続く点火火花が生じることが保証される。
モノリシックの集積によって、上記の特徴および機能
素子が単一の素子において実現可能である。付加素子の
数を少なくすることにより、構造上の大きさを最小に
し、高い信頼性を得、コストの点で有利な製造が可能に
なる。半導体回路はたとえば、パワトランジスタに通常
用いられるケーシングに収納することができる。電流制
限のための外部接続回路はもはや不要である。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の実施例の説明に供するもので第１図は、周
辺回路素子を収容するために少なくとも１つの付加的に
拡散形成されたバスタブ状領域を有する集積高出力段の
断面略図であり、第２図は、周辺の横型バイポーラトラ
ンジスタの領域における断面略図であり、第３図は、周
辺の横型MOSFETの領域における断面略図であり（ｎチャ
ネル）、第４図は、周辺の横型MOSFETの領域における断
面略図であり（ｐチャネル）、第５図は、高出力段のコ
レクタ電圧より大きい電圧に対する周辺抵抗の領域にお
ける断面略図であり、第６図は高出力段のコレクタ電圧
より小さい電圧に対する周辺抵抗の領域における断面略
図であり、第７図は、周辺のMOS容量の断面略図であ
り、第８図は、温度安定化された電流制限部および別の
周辺回路素子を有する高出力段の回路装置の回路略図で
ある。 ２、７、８、９……付加的なバスタブ状領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲルト・ヘーネ ドイツ連邦共和国ルートヴイヒスブル ク・ヘルダーリンシユトラーセ ６ (72)発明者 ハルトムート・ミヘル ドイツ連邦共和国ロイトリンゲン・ヘル ダーシユトラーセ 74 (56)参考文献 特開 昭57−17226（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−51077（ＪＰ，Ｕ) 「実用電子回路ハンドブック（１）」 （昭和47年９月30日初版）ＣＱ出版株式 会社Ｐ．375〜377

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】点火コイル（ZS）をスイッチング制御する
    ためのモノリシック集積高出力段を有する高出力集積回
    路装置において、該高出力段は、入力端子（Ｂ）と、エ
    ミッタ、コレクタおよびベースを有するドライバトラン
    ジスタ（T4）とエミッタ、コレクタおよびスイッチング
    制御されるエミッタ−コレクタ間並びに該エミッタ−コ
    レクタ間を制御するためのベースを有しているパワトラ
    ンジスタ（T6）とを含んでいるダーリントン接続トラン
    ジスタとを有しており、前記ドライバトランジスタ（T
    4）は前記高出力段の前記入力端子（Ｂ）に接続されて
    いるベースを有しておりかつ前記パワトランジスタ（T
    6）の前記エミッタ−コレクタ間は点火コイル（ZS）に
    直列に接続されており、前記高出力段は更に、ベース、
    コレクタおよびエミッタを有する電流制限トランジスタ
    （T1）と、相互に異なった温度係数を有する第１抵抗
    （R4）および第２抵抗（R5）から成る第１分圧器とを有
    し、該第１分圧器は固定電位点（Ｅ）と前記ドライバト
    ランジスタ（T4）のエミッタとの間に接続されておりか
    つ第１抵抗（R4）と第２抵抗（R5）との間の接続点に前
    記電流制限トランジスタ（T1）のベースに接続されてい
    るタップを有しており、前記電流制限トランジスタのコ
    レクタは前記ドライバトランジスタ（T4）のベースに接
    続されておりかつ該電流制限トランジスタのエミッタは
    前記固定電位点（Ｅ）に接続されていることを特徴とす
    る高出力集積回路装置。
  2. 【請求項２】点火コイル（ZS）をスイッチング制御する
    ためのモノリシック集積高出力段を有する高出力集積回
    路装置において、該高出力段は、入力端子（Ｂ）と、エ
    ミッタ、コレクタおよびベースを有するドライバトラン
    ジスタ（T4）とエミッタ、コレクタおよびスイッチング
    制御されるエミッタ−コレクタ間並びに該エミッタ−コ
    レクタ間を制御するためのベースを有しているパワトラ
    ンジスタ（T6）とを含んでいるダーリントン接続トラン
    ジスタとを有しており、前記ドライバトランジスタ（T
    4）は前記高出力段の前記入力端子（Ｂ）に接続されて
    いるベースを有しておりかつ前記パワトランジスタ（T
    6）の前記エミッタ−コレクタ間は点火コイル（ZS）に
    直列に接続されており、前記高出力段は更に、制御ベー
    ス電極、コレクタ電極およびエミッタ出力電極を有する
    第１制御トランジスタデバイス（T3）および第２制御ト
    ランジスタデバイス（T2）を有しており、第１制御トラ
    ンジスタデバイス（T3）および第２制御トランジスタデ
    バイス（T2）のコレクタは相互に接続され、かつ前記パ
    ワトランジスタ（T6）の前記コレクタに接続されてお
    り、前記第１制御トランジスタデバイス（T3）のエミッ
    タ出力電極は前記第２制御トランジスタデバイス（T2）
    の前記ベースに接続され、前記第２制御トランジスタデ
    バイス（T2）のエミッタ出力電極は前記ドライバトラン
    ジスタ（T4）のベースに接続され、前記第１トランジス
    タ（T3）のベースが制御ベース電極を形成し、前記高出
    力段は更に分圧器（R6）を有し、該分圧器は１つのタッ
    プを有し、さらに該分圧器（R6）を前記パワトランジス
    タ（T6）の前記ベース−コレクタ間に並列に配置するよ
    うに接続されている両端部を有しており、前記タップは
    前記第１制御トランジスタデバイス（T3）の制御ベース
    電極と、前記パワトランジスタ（T6）の前記エミッタに
    接続されているツエナーダイオード（ZD2）とに接続さ
    れていることを特徴とする高出力集積回路装置。
  3. 【請求項３】第２制御トランジスタデバイス（T2）のエ
    ミッタ出力電極と前記ドライバトランジスタ（T4）のベ
    ースとの間にエミッタ直列抵抗（R3）が接続されている
    特許請求の範囲第２項記載の高出力集積回路装置。
  4. 【請求項４】点火コイル（ZS）をスイッチング制御する
    ためのモノリシック集積高出力段を有する高出力集積回
    路装置において、該高出力段は、入力端子（Ｂ）と、エ
    ミッタ、コレクタおよびベースを有するドライバトラン
    ジスタ（T4）とエミッタ、コレクタおよびスイッチング
    制御されるエミッタ−コレクタ間並びに該エミッタ−コ
    レクタ間を制御するためのベースを有しているパワトラ
    ンジスタ（T6）とを含んでいるダーリントン接続トラン
    ジスタとを有しており、前記ドライバトランジスタ（T
    4）は前記高出力段の前記入力端子（Ｂ）に接続されて
    いるベースを有しておりかつ前記パワトランジスタ（T
    6）の前記エミッタ−コレクタ間は点火コイル（ZS）に
    直列に接続されており、前記高出力段は更に、ベース、
    コレクタおよびエミッタを有する電流制限トランジスタ
    （T1）と、相互に異なった温度係数を有する第１抵抗
    （R4）および第２抵抗（R5）から成る第１分圧器とを有
    し、該第１分圧器は固定電位点（Ｅ）と前記ドライバト
    ランジスタ（T4）のエミッタとの間に接続されておりか
    つ第１抵抗（R4）と第２抵抗（R5）との接続点に前記電
    流制限トランジスタ（T1）のベースに接続されているタ
    ップを有しており、前記電流制限トランジスタのコレク
    タは前記ドライバトランジスタ（T4）のベースに接続さ
    れておりかつ該電流制限トランジスタのエミッタは前記
    固定電位点（Ｅ）に接続されており、前記パワトランジ
    スタ（T6）は電流センサ抵抗として構成することのでき
    るエミッタ抵抗（R8）を介してアースに接続されてお
    り、さらに電流調整のために用いられる抵抗（R4,R5,R
    8）は、イオン注入によって形成される集積抵抗として
    構成されておりかつ異なった濃度でドーピングされてお
    り、抵抗値に関して異なった温度係数を有することを特
    徴とする高出力集積回路装置。
  5. 【請求項５】点火コイル（ZS）をスイッチング制御する
    ためのモノリシック集積高出力段を有する高出力集積回
    路装置において、該高出力段は、入力端子（Ｂ）と、エ
    ミッタ、コレクタおよびベースを有するドライバトラン
    ジスタ（T4）とエミッタ、コレクタおよびスイッチング
    制御されるエミッタ−コレクタ間並びに該エミッタ−コ
    レクタ間を制御するためのベースを有しているパワトラ
    ンジスタ（T6）とを含んでいるダーリントン接続トラン
    ジスタとを有しており、前記ドライバトランジスタ（T
    4）は前記高出力段の前記入力端子（Ｂ）にベース抵抗
    （R1）を介して接続されているベースを有しておりかつ
    前記パワトランジスタ（T6）の前記エミッタ−コレクタ
    間は点火コイル（ZS）に直列に接続されており、前記高
    出力段は更に、ベース、コレクタおよびエミッタを有す
    る電流制限トランジスタ（T1）と、相互に異なった温度
    係数を有する第１抵抗（R4）および第２抵抗（R5）から
    成る第１分圧器とを有し、該第１分圧器は固定電位点
    （Ｅ）と前記ドライバトランジスタ（T4）のエミッタと
    の間に接続されておりかつ第１抵抗（R4）と第２抵抗
    （R5）との接続点に前記電流制限トランジスタ（T1）の
    ベースに接続されているタップを有しており、前記電流
    制限トランジスタのコレクタは前記ドライバトランジス
    タ（T4）のベースに接続されておりかつ該電流制限トラ
    ンジスタのエミッタは前記固定電位点（Ｅ）に接続され
    ており、前記ベース前置抵抗（R1）に、ダイオード（D
    1）が並列接続されており、該ダイオードのアノードはn
    pnトランジスタとして構成されている前記ドライバトラ
    ンジスタ（T4）のベースに接続されていることを特徴と
    する高出力集積回路装置。
  6. 【請求項６】点火コイル（ZS）をスイッチング制御する
    ためのモノリシック集積高出力段を有する高出力集積回
    路装置において、該高出力段は、入力端子（Ｂ）と、エ
    ミッタ、コレクタおよびベースを有するドライバトラン
    ジスタ（T4）とエミッタ、コレクタおよびスイッチング
    制御されるエミッタ−コレクタ間並びに該エミッタ−コ
    レクタ間を制御するためのベースを有しているパワトラ
    ンジスタ（T6）とを含んでいるダーリントン接続トラン
    ジスタとを有しており、前記ドライバトランジスタ（T
    4）は前記高出力段の前記入力端子（Ｂ）に接続されて
    いるベースを有しておりかつ前記パワトランジスタ（T
    6）の前記エミッタ−コレクタ間は点火コイル（ZS）に
    直列に接続されており、前記高出力段は更に、ベース、
    コレクタおよびエミッタを有する電流制限トランジスタ
    （T1）と、相互に異なった温度係数を有する第１抵抗
    （R4）および第２抵抗（R5）から成る第１分圧器とを有
    し、該第１分圧器は固定電位点（Ｅ）と前記ドライバト
    ランジスタ（T4）のエミッタとの間に接続されておりか
    つ第１抵抗（R4）と第２抵抗（R5）との接続点に前記電
    流制限トランジスタ（T1）のベースに接続されているタ
    ップを有しており、前記電流制限トランジスタのコレク
    タは前記ドライバトランジスタ（T4）のベースに接続さ
    れておりかつ該電流制限トランジスタのエミッタは前記
    固定電位点（Ｅ）に接続されており、さらに前記入力端
    子（Ｂ）と前記電流制限トランジスタ（T1）のベースと
    の間にツエナーダイオード（ZD1）が設けられており、
    該ツエナーダイオードに抵抗（R2）が並列接続されてお
    りかつ前記ツエナーダイオードは、実質的にツエナー電
    圧に相応する前以って決められた電圧を上回った際に前
    記高出力段を遮断する作用を行うことを特徴とする高出
    力集積回路装置。
JP60188746A 1984-08-29 1985-08-29 高出力集積回路装置 Expired - Lifetime JP2553037B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3431676.0 1984-08-29
DE19843431676 DE3431676A1 (de) 1984-08-29 1984-08-29 Integrierte leistungsendstufe

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6165468A JPS6165468A (ja) 1986-04-04
JP2553037B2 true JP2553037B2 (ja) 1996-11-13

Family

ID=6244145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60188746A Expired - Lifetime JP2553037B2 (ja) 1984-08-29 1985-08-29 高出力集積回路装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4755694A (ja)
EP (1) EP0174473B1 (ja)
JP (1) JP2553037B2 (ja)
DE (2) DE3431676A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2228639B (en) * 1989-02-17 1992-07-15 Motorola Semiconducteurs Protected darlington transistor arrangement
US4968901A (en) * 1989-05-16 1990-11-06 Burr-Brown Corporation Integrated circuit high frequency input attenuator circuit
DE4031350A1 (de) * 1990-10-04 1992-04-09 Bosch Gmbh Robert Spannungsbegrenzung fuer eine transistorschaltung
US6544379B2 (en) * 1993-09-16 2003-04-08 Hitachi, Ltd. Method of holding substrate and substrate holding system
US5646454A (en) * 1994-09-24 1997-07-08 Robert Bosch Gmbh Electronic safety device for vehicle occupants including a memory device for storing fault conditions and associated control commands
SE513677C2 (sv) * 1996-11-08 2000-10-23 Ericsson Telefon Ab L M Anordning för att stabilisera slutsteg jämte slutsteg
KR19990072936A (ko) 1998-02-27 1999-09-27 가나이 쓰도무 아이솔레이터및그것을사용하는모뎀장치
US6861909B1 (en) 2002-06-17 2005-03-01 Sirenza Microdevices, Inc. High voltage-wide band amplifier
US6806778B1 (en) 2003-02-18 2004-10-19 Sirenza Microdevices, Inc. Darlington cascode
US7800428B2 (en) * 2006-11-03 2010-09-21 Infineon Technologies Ag Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3436563A (en) * 1965-12-27 1969-04-01 Bell Telephone Labor Inc Pulse driver with linear current rise
US3629623A (en) * 1968-11-01 1971-12-21 Nippon Denso Co Composite semiconductor device and semiconductor voltage regulator device for vehicles
DE2452023C2 (de) * 1974-11-02 1982-12-02 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Zündanlage für Brennkraftmaschinen
US4034395A (en) * 1976-09-29 1977-07-05 Honeywell Inc. Monolithic integrated circuit having a plurality of resistor regions electrically connected in series
DE2737860B1 (de) * 1977-08-23 1979-01-11 Braun Ag Gegen UEberlastung geschuetzte Transistorverstaerkerstufe
JPS5819850B2 (ja) * 1977-09-30 1983-04-20 株式会社日立製作所 内燃機関の無接点点火装置
GB2025180B (en) * 1978-07-06 1982-08-25 Standard Telephones Cables Ltd Transistor electronicswitching circuits
JPS5559767A (en) * 1978-10-30 1980-05-06 Hitachi Ltd Semiconductor device, method of fabricating the same and application thereof
US4546370A (en) * 1979-02-15 1985-10-08 Texas Instruments Incorporated Monolithic integration of logic, control and high voltage interface circuitry
US4412142A (en) * 1980-12-24 1983-10-25 General Electric Company Integrated circuit incorporating low voltage and high voltage semiconductor devices
DE3213503A1 (de) * 1981-04-14 1982-12-02 Fairchild Camera and Instrument Corp., 94042 Mountain View, Calif. Ingetrierter schaltkreis
DE3122249A1 (de) * 1981-06-04 1982-12-23 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart "schaltungsanordnung"
DE3123667C2 (de) * 1981-06-15 1985-04-18 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Darlington-Transistorschaltung
DE3201545A1 (de) * 1982-01-20 1983-07-28 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Planare halbleiteranordnung
DE3227536A1 (de) * 1982-01-20 1983-07-28 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Darlington-transistorschaltung
DE3210353A1 (de) * 1982-03-20 1983-09-22 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Monolithisch integrierte darlingtonschaltung
US4564771A (en) * 1982-07-17 1986-01-14 Robert Bosch Gmbh Integrated Darlington transistor combination including auxiliary transistor and Zener diode
DE3324476A1 (de) * 1982-07-17 1984-02-02 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Darlington-transistorschaltung
JPS6040219A (ja) * 1983-08-13 1985-03-02 Matsushita Electric Works Ltd 把手の製造方法
DE3416404A1 (de) * 1984-05-04 1985-11-07 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Monolithisch integrierte planare halbleiteranordnung und verfahren zu dessen herstellung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
「実用電子回路ハンドブック（１）」（昭和４７年９月３０日初版）ＣＱ出版株式会社Ｐ．３７５〜３７７

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6165468A (ja) 1986-04-04
DE3431676A1 (de) 1986-03-13
EP0174473B1 (de) 1990-02-07
EP0174473A1 (de) 1986-03-19
DE3576017D1 (de) 1990-03-15
US4755694A (en) 1988-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5631187A (en) Method for making semiconductor device having high energy sustaining capability and a temperature compensated sustaining voltage
US5717559A (en) Input/output protection device for use in semiconductor device
US6268628B1 (en) Depletion type MOS semiconductor device and MOS power IC
JP2642904B2 (ja) 入出力端子での静電気放電に対してｍｏｓ集積回路を保護する装置
US20010050374A1 (en) Diode having breakdown voltage adjustable to arbitrary value without increase of parasitic capacitance and process for fabrication thereof
US4937639A (en) Input protector device for semiconductor device
JP3146579B2 (ja) プログラマブル過電圧保護回路
JPH09507370A (ja) 保護形スイッチ
US4562454A (en) Electronic fuse for semiconductor devices
US4543593A (en) Semiconductor protective device
JP2553037B2 (ja) 高出力集積回路装置
US6504424B1 (en) Low voltage metal oxide semiconductor threshold referenced voltage regulator and method of using
US5397914A (en) Power transistor device including power transistors in darlington connection and zener diode which is coupled between collector and base of power transistors and which is formed in polysilicon film
US5903028A (en) Static and monolithic current limiter and circuit-breaker
JPH06201735A (ja) 電流検出回路
US5932898A (en) Integrated inductive load snubbing device
JP2004356622A (ja) 接合型電子部品および前記電子部品を含む集積された電力装置
EP0892436B1 (en) Electrostatic protection structure for MOS circuits
US6441463B2 (en) IGBT, control circuit, and protection circuit on same substrate
JP3320872B2 (ja) Ｃｍｏｓ集積回路装置
JP2505652B2 (ja) 低トリガ電圧ｓｃｒ保護装置及び構造
JPH0758331A (ja) 半導体装置
US5596217A (en) Semiconductor device including overvoltage protection diode
JP3390040B2 (ja) 集積回路
US5442220A (en) Constant voltage diode having a reduced leakage current and a high electrostatic breakdown voltage