DE3324476A1 - Darlington-transistorschaltung - Google Patents

Darlington-transistorschaltung

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DE3324476A1 DE19833324476 DE3324476A DE3324476A1 DE 3324476 A1 DE3324476 A1 DE 3324476A1 DE 19833324476 DE19833324476 DE 19833324476 DE 3324476 A DE3324476 A DE 3324476A DE 3324476 A1 DE3324476 A1 DE 3324476A1
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    • H01L27/0825—Combination of vertical direct transistors of the same conductivity type having different characteristics,(e.g. Darlington transistors)
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    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
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Description

ξ. 17 313 i.?.
1.5. 1?82 7VLe
Η03ΞΗΤ 3G5CH GM3H, 7000 STUTTGAHT 1
Darlington-Transistorschaltung
Stand der Technik
Die Erfindung betrifft siae Darlington-Transistorschaltung nach der Gattung des I-iauptanspruchs . -
Eine derartige Dariington-Transistorschaltung vurde bereits in der deutschen Patentanmeldung ? 31 23 667 .^ vorgeschlagen. Durch die Anordnung der Zenerdiode und des erste: und des zveiten Widerstandes vird bei dieser Schaltungsanordnung bevirkt, daß bei Erreichen einer bestirnten Spannung an der Kathode der Zenerdiode der Treibertranistor und der leistungstransistor eingeschaltet vardea und da2 durch das ViderStandsverhältnis des ersten und des zweiten Widerstandes dia Temperaturabhängigkeit dieser Zinschaltspannung eingestellt verden kann. Durch die zusätzliche Anordnung des aus den dritten und aus dea vierten Widerstand be- ' stehenden Spannungsteilers wird darüber hinaus erreicht, da3 iie linschaltspannung, bei der der Treib'ertrans istor und ier !eistungstransistor eingeschaltet verden, über das Teiler verhältnis dieses Spannungsteilers als iIollektcr-Znitter-3egrenwUngssOannung hcchtransfcmiert vird.
BAD ORIGINAL
Parallel :ur Eaitter-Basis-Strecke des leistungstransistors ist bei dieser bereits vorgeschlagenen Schaltungsanordnung ein fünfter Widerstand im 3ereich einiger Chm vorgesehen. Dies führt zu einer Schalt Seitverkürzung und zu einer besseren Energieverteilung is Slammerbetrieb.
Diese bekannte Darlington-Transistorschaltung ha: aber den Nachteil, daß die Belastung des aus dem dritten und dea vierten Widerstand bestehenden Spannungsteilers und auch seine Verstimmung stark temperaturabhängig ist.
Vorteile der Erfindung
Die erfindungsgemäße Darlington-Transistorschaltung mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat dengegenüber den Vorteil, daß die Belastung und auch die Verstimmung des aus dem dritten und dem vierten Widerstand bestehenden Spannungsteilers bei Änderung der Temperatur verringert wird. Der Hilfstransistor beansprucht dabei nur venig Chipfläche. Der aus dem dritten und dem vierten Widerstand bestehende Spannungsteiler kann dabei entweder in -dem die' Sollektorzonen der genannten Transistoren bildenden Substrat mit integriert oder extern angeordnet sein. ■
Der ■ besondere Vorteil der erfindungsgemäSen Darlington-Transistorschaltung besteht darin, da3 der monolithisch integrierte Teil durch einen kostengünstigen einfachen Planarprozess, bei dem die integrierten Schaltungselemente in ein gemeinsames Sollektorsubstrat eindiffundiert werden, hergestellt werden kann, wobei die besonderen, für die normale Bipolar-IC-Technik charakteristischen und kostenaufwendigen Merkmale wie Epitaxie, Isolierungsdiffusion, leit-
BAD ORIGINAL
schichten und dergleichen, reraieden verden.
Zeichnung
Ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemä3en Darlington-Trans ist or schaltung , bei der der aus dem dri-ten und dea vierten Widerstand bestehende Spannungsteiler monolitisch integriert ist, ist in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher, erläutert. Es zeigen; Figur 1 das elektrische Schaltbild der mcnolitisch integrierten Darlington-Transistorschaitung, die Figuren 2 und 3 ein schematisches Ausführungsbeispiel der in Figur 1 dargestellten Schaltung in der Draufsicht, Figur J· einen Schnitt nach der Linie CC1 der Figur 3.
Beschreibung des Ausführungsbeispiels
In Figur 1 ist eine dreistufige Darlington-Transistorschaltung mir. einen Leistungstransistor T^, einem Treibertransistor T und einem Vortransistor T. dargestellt. Die Sollektoren dieser Transistoren T,, T,, T^ sind aneinander angeschlossen, vährend der Emitter des Treibertransistors T? an die 3asis des Leistungs- -ransistors T_ und der Emitter des Vortransistors T, an die 3asis des Treibertransistors T o angeschlossen ist. Die 3asis 3 des Yortransistors.T, is^ durch ein Eingangssignal ans-euerbar. Die Zaitter-Basis-Strecken der Transistoren T., T?, T^ sind durch Widerstände ?.. , H0, H überbrückt. An die 3asis des Treibertransis~ors T^ ist die Reihenschaltung aus einem Widerstand R._ und einer Zenerdiode ZD angeschlossen, deren Anode mit dem Widerstand H; verbunden ist. Zwischen den Kollektor C und den Emitter E ies Leistungstransistcrs T? ist ein
BAD ORIGINAL
- ?. MS'3 ι
Spannungsteiler gelegt, der aus der Reihenschaltung der Widerstände H-, 3^, R-, besteht und mit zwei Abgriffen 15^f und * 5h versehen ist.
irfindungsgemäS ist ein Hilfstransistor T1 vorgesehen, dessen 3asis an den zwischen den Widerständen 1Rx und R_ liegenden Abgriff 15h und dessen Emitter an die Kathode der Zenerdiode ZD angeschlossen ist. Der Kollektor dieses Hilfstransistors T, ist an die zusammengeschalteten Kollektoren der Transistoren T',, T,-, T_ angeschlossen.
Wie in Figur 1 weiter angedeutet. ist-, sind die Widerstände R_, 3.r, R-, als veränderbare Widerstände ausgsp ο (
bildet.
Wenn, vie veiter unten näher beschrieben is-, die gssacte in Figur 1 dargestellte Schaltung monolitisch integriert vird, dann stellen die Widerstände R_, R^, R^ einen auf
j> ο
der Halbleiterscheibe abgleichbaren Spannungsteiler dar. Durch den Abgleich vird die gewünschte Saiitter-Kolleküor-Klasinerspannung eingestellt, bei der die Zenerdiode ZD durchbricht und die Transistoren T und T^ aufgestieuerveraen, s.o daß der Leistungstransis-or T durch energiereiche Spannungsspitzen nicht is 'J ^„-Durchsruoii Schaden nehmen kann. Durch den Widerstand R. , der izL Verhältnis insbesondere :ua Widerstand R? passend zu dimensionieren ist, kann der Teiaperaturgang der Klaisnerspannung eingestellt, insbesondere aber praktisch zum Verschwinden gebracht werden. Der kleine Hilfstransistor Γ , der in die Schaltung integriert werden kann, dient dazu, die Belastung des Spannungsteiler R1., R^, R7 und auch seine Verstimmung bei Änderung der Temperatur zu verringern.
BAD ORIGINAL
Die an der Oberfläche unter einer Siliziumdioxidschicht liegenden Basiszonen der Transistoren T, bis T. werden, vie weiter unten anhand der Figuren 2 bis U beschrieben ist, durch eine im allgemeinen gleichseitig mit der Basis- und Smitteraetallisierung aufgebrachte Metallelektrode 15? geschützt. Diese Elektrode 1?f liegt an einer Anzapfung des oOannungsteilers R_, Rr , R„ . In der Regel ist dafür ein anderes Teilerverhältnis nötig als für die Zmitter-Kollektor-Klammerung mittels Zenerdiode, so daß eine einzige Anzapfung des Widerstandes R_, Rr, R_ nicht ausreicht. Prinsipell ist es möglich, in einer Anordnung gemäß der 3rfindung die durch das Potential der Deckelektrode 15f bestimmte 3asis-Xollektcr-Durchbruchspannung getrennt von der Zmitter-Kollektor-Slammerspannung einzustellen, venn von den Widerständen R_, R^-, R^ mindestens zvei abgleichbar sind. Liegt aber die maximale Basis-Kollektor-Durchbruchspannung deutlich über der gewünschten Zmitter-Kollektor-Klammerspannung, so kann auf einen eigenen Abgleich verzichtet werden, venn von den Fertigungstoleranzen der Widerstände und der Zenerspannung her sichergestellt ist, da3 nach Abgleic von einem der Widerstände R_, R^ oder R„ die durch die
5 ο ι
Deckelektrode bestimmte Basis—Kollektor—Durchbrach— spannung über der Zmitter-Kollektcr-Klammerspannung liegt.
BAD ORIGINAL ··
- f.
Die Figuren 2 und 3 zeigen ein scheraatisches Ausführungsbeispiel der in Figur 1 dargestellten Schaltung, Figur ^ einen Schnitt nach der Linie CC' der Figur 3. Figur 2 zeigt die Halbleiteranordnung nach dem Vorgelegen und Eintreiben der p- und η -Gebiete (n -Gebiete schraffiert.'. Die Zonen 1 1 a, '.Vo, lic und lld stellen die Basisgebiete der Transistoren T1, Tn, T_ und T, dar. Die schnalen
l ά J 4
p-leitenden Streifen 1i6a, 116b und 116c bilden die Widerstände R_, R^, H^.. Die Möglichkeiten des Abgleichs sind
J O ι
zur Verbesserung der Übersichtlichkeit in Figur 2 und Figur 3 nicht dargestellt. Die Zonen 1^-a, 1 ^b , lUc, 1 J-d bilden die Saiittergebiete der Transistoren T , T5, T„ , T1. . Die Zone 1^-e bildet zusaamen ait der Zone 11b die Zenerdiode ZD, vobei der Basis-3ahnviderstand des rechten unteren Ausläufers der Basiszone 11b des Transistors T_ den Widerstand R. bildet.
Figur 3 zeigt die gleiche Anordnung vie Figur 2, aber nach dem b'ffnen der tContaktfenster (schvarz ausgefüllt) und nach dem. Aufbringen der Metallisierung (ges^richei* } . Das Metallgebiet 15a ist im Konraktfenster 151a an die Basiszone lla des Transistors T1 angeschlossen. Das Met;allgebiet 15~o verbindet über die Xcn~aktfanswer Ip'- und 152b die Zonen Ua und 11b, das Metallgebiet 15c über iie Kontaktfenster 151c und 1p2c die Zonen "-b und 1 *c. Das Metallgebiet 15d ist über das Kontaktfenster 151d an die Emitterzone iUc des Transistors T^ angeschlossen. Das Metallgebiet 15e verbindet über die Kontaktfenster IpIs und I52e die η -leitende Emitterzone 1 j-d des Transistors Ti mit der η -leitenden Kathode 1-e der Zenerdiode ZD. Das Metallgebiet 15? stellt eine Deckelektrode dar, iie an der Stelle '5'f an den Spannungsteiler 1'ca, ",'lob, Iioc bzv. R_ , R^, ?._ angeschlossen ist.
BAD
Der Metallstreifen 15k verbindet über die Xcntaktfenster 15'k uaa 152k. das kollektorseitige Ende 20 des Spannungsteilers 1i6a, llob, 11 6c mit dem im wesentlichen auf •Collektorpctential liegenden η -Gebiet luf. Die Metallisierungsgebiete 1pg (3asis des Transistors T1 ) und 15h ,'Anzapfung des Spannungsteilers 1i6a, 1 1 6b , 1 loc) einerseits sovie die Metallisierungsgebiete 15i (esittersei*iges Inde des Spannungsteilers) und 15d (2mittermetailisierung des Transistors T) andererseits sind eigentlich zu verbinden Die Darstellung geht davon aus, daß diese Verbindungen beim Vormessen, der Scheibe am Meßautomaten zum Zvecke des Abgleichs des Teilers mittels Meßsonden kurzgeschlossen verden" und da3 die endgültige Verbindung nach dem Auflöten des Chips durch Drahtbonds geschieht. Dieses Torgehen bietet den Vorteil, daß die Sperrkennlinien der Transistoren ohne den Leckstrom des Spannungsteilers kontrolliert verden kennen. Selbstverständlich können die metallischen Verbindungen auch schon mit der übrigen Metallisierung-hergestellt werden, vobei, vie für den Fachmann leicht einzusehen ist, die Deckelektrode '~f Aussparungen erhalten muß und die Metallisierung 15^ sovie das Xontaktfenster ".52c unterbrochen werden müssen.
Die Erfindung ist nicht auf das anhand der Figuren 1 bis - beschriebene Ausführungsbeispiel beschränk-. Insbesondere ist es auch möglich, den aus den Widerständen 3_, R-, ?.„
ζ ο
b:v. "*6a, liob, 1 ice bestehenden Spannungsteiler nicht in dem Substrat 10, das die Transistoren T1, T0, T,, T-. enthält; , unterzubringen, sondern statt dessen extern in einem besonderen, en'veder diskreten oder monolithisch integrierten zweiten Bauelement unterzubringen.
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Lee rseite

Claims (1)

  1. R. 17918 .i.P.
    30.6.1983 Fb/Le
    ROBERT BOSCH GMBH, 7OOO STUTTGART 1
    Ansprüche
    Darlington-Transistorschaltung mit einem Leistungstransistor (T ) und einem Treibertransistor .(T9), dessen Kollektor an den Kollektor des Leistungstransistors (T ) und dessen Emitter an die Basis des Leistungstransistors (T ) angeschlossen ist, und mit einem Vortransistor (T ), dessen Kollektor an den Kollektor des Leistungstransistors (T-) und dessen Emitter .an die Basis des Treibertransistors (T9) angeschlossen ist und dessen Basis durch ein Eingangssignal ansteuerbar ist, wobei an die Basis des Treibertränsistors (T ) eine Reihenschaltung angeschlossen ist, die einen ersten, mit dieser Basis verbundenen Widerstand (R^) und eine Zenerdiode (ZD) enthält, deren Anode mit dem ersten Widerstand (R, ) verbunden ist, wobei parallel zur Emitter-Basis-Strecke des Treibertransistors (T?) ein zweiter Widerstand (R9) angeordnet ist, wobei ferner die genannten Schaltungselemente (T , T , T , E1 , R , ZD) in einem gemeinsamen, die Kollektorzone der genannten Transistoren (T , T„, T) bildenden Substrat (1O) in Planartechnik monolithisch integriert sind und wobei schlie31ich die Kathode der Zenerdiode (ZD) mit dem Abgriff (15h) eines aus einem dritten (R_, R^-) und einem vierten (?.„) Wider-
    BAD ORIGINAL
    stand bestehenden Spannungsteilers (R_, R^, 3„) verbunden ist, dessen eines Ende an den Kollektor (C) des Leistungstransistors (T ) und dessen anderes Ende an den Emitter (E) des Leistungstransistors (T ) angeschlossen ist, insbesondere nach .Patentanmeldung P 31 23 667·Τ» dadurch gekennzeichnet, daß in die zwischen der Basis des Treibertransistors. (T^) und dem Abgriff (I5n) des Spannungsteilers (R1-, R/-, R) angeordnete, den ersten Widerstand (R, ) und die Zenerdiode (ZD) enthaltende Reihenschaltung die Basis-Emitter-Strecke eines in dein gemeinsamen Substrat; (10) monolithisch integrierten Hilfstransistors (T, ) in Flußrichtung eingeschaltet ist, dessen Kollektor an den Kollektor des Leistungs- ~ransistors (T ) dadurch angeschlossen ist, daß er wie die Kollektoren der anderen Transistoren (T1, T , T ) durch das gemeinsame Substrat (10) gebildet wird.
    2. Darlington-Transistorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfstransistor (T,) mit seiner Basis an den Abgriff (15h) des Spannungsteilers (Rc-, R/-, R7) und mit seinem Emitter an die Kathode der Zenerdiode (ZD) angeschlossen ist.
    3. Darlington-Transistorschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß auch der aus der:, dritten (R , H^) und dem vierten (R„) Widerstand bestehende Spannungsteiler (R^, R^, R„) in dem gemeinsamen, die Kollektorzonen der genannten Transistoren (T , T^, Γ,, T, ) bildenden Substrat (10) in Planartechnik monolithisch integriert ist.
    BAD ORIGINAL
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    ~. Darlington-Transistorschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der aus den
    dritten (R1., R^) und dem vierten (R„) Widerstand 5 ο 7
    bestehende Spannungsteiler (R1-, iv, R^.) auSerhalb dem die Kollektorzonen der genannten Transistoren (T1, T , T^, Τ, ) bildenden Substrat. (10) als diskretes Bauelement angeordnet ist.
    BAD ORIGINAL
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3416404A1 (de) * 1984-05-04 1985-11-07 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Monolithisch integrierte planare halbleiteranordnung und verfahren zu dessen herstellung
DE3431676A1 (de) * 1984-08-29 1986-03-13 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Integrierte leistungsendstufe
EP0176762A1 (de) * 1984-09-27 1986-04-09 Siemens Aktiengesellschaft Monolithisch integrierte bipolare Darlington-Schaltung
DE3439366A1 (de) * 1984-10-27 1986-04-30 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Darlington-transistorschaltung
EP0382906A2 (de) * 1989-02-17 1990-08-22 Motorola Semiconducteurs S.A. Geschützte Darlington-Transistoranordnung

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3416404A1 (de) * 1984-05-04 1985-11-07 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Monolithisch integrierte planare halbleiteranordnung und verfahren zu dessen herstellung
DE3431676A1 (de) * 1984-08-29 1986-03-13 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Integrierte leistungsendstufe
EP0176762A1 (de) * 1984-09-27 1986-04-09 Siemens Aktiengesellschaft Monolithisch integrierte bipolare Darlington-Schaltung
DE3439366A1 (de) * 1984-10-27 1986-04-30 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Darlington-transistorschaltung
EP0382906A2 (de) * 1989-02-17 1990-08-22 Motorola Semiconducteurs S.A. Geschützte Darlington-Transistoranordnung
EP0382906A3 (de) * 1989-02-17 1991-11-27 Motorola Semiconducteurs S.A. Geschützte Darlington-Transistoranordnung

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