DE2407375A1

DE2407375A1 - Halbleiter-stromteileranordnung

Info

Publication number: DE2407375A1
Application number: DE19742407375
Authority: DE
Inventors: William Folsom Davis
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1973-02-15
Filing date: 1974-02-15
Publication date: 1974-08-29
Also published as: US3858062A; IT1002886B; JPS5541441B2; FR2217811A1; JPS49115278A

Description

PATIiNTANVVAL ft

DR.-ING. HANS LEYH

Dipl. -Ing. Ernst Ilathmann

München 71, den 14. Febr. 1974 Melchlorstr. 42

Unser Zeichen: MO121P-1109

Motorola, Inc. 9401 West Grand Avenue Franklin Park, Illinois V. St. A.

Halbleiter-Stromteileranordnung

Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Stromteileranordnung aus zumindest zwei Transistoren, mit der ein bestimmtes Ver- · hältnis eines eingangsseitigen Stromes zu einem ausgangsseitigen Strom einstellbar ist.

Derartige Stromteileranordnungen sind bekannt, wobei z. B. der Kollektor eines üblichen PNP-Transistors unterteilt werden kann, so daß jeder Teil einen Anteil des Gesamtstromes aufnimmt. Dabei kann jeder Teil des Kollektorstromes in gewünschter Weise verwendet werden. Derartige Stromteiler arbeiten, jedoch nicht immer in der gewünschten Weise und bereiten Schwierigkeiten, wenn es notwendig wird, Stromunterteilungen in einem weiten Bereich vorzunehmen.

In der Autoelektrik können z. B. integrierte Schaltungen vor-Fs/ku gesehen

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gesehen sein, die eingeschaltet sind und Strom ziehen, wahrend die Zündung abgeschaltet ist. In diesem Fall ist es wünschenswert, daß der benötigte Strom sehr klein ist. Dieser Strom sollte durch einen Faktor von zehn oder mehr im Vergleich mit einem Bezugsstrom teilbar sein, bevor er von den einzelnen Geräten und Einrichtungen verbraucht wird. In diesem Fall könnten zehn oder mehr Gerate bzw. Einrichtungen erregt werden, ohne daß die Batterie unnötig belastet wird, wie dies der Fall ist, wenn eine entsprechende Vielzahl von Geräten und Einrichtungen direkt auf den Referenzstrom bezogen werden. Es ist daher wünschenswert, Halbleiter-Stromteileranordnungen zu haben, mit welchen die Nachteile der bekannten Stromteiler überwunden werden können.

Integrierte Schaltkreise können sehr vorteilhaft in der modernen Autoelektrik Verwendung finden, insbesondere z. B. für Zündsysteme oder Sicherungssysteme für den Sicherheitsgurt. Mit der Verwendung solcher integrierter Schaltkreise lassen sich im Bereich des elektrischen Systems eines Kraftfahrzeuges erhebliche Kosteneinsparungen erzielen, jedoch muß festgestellt werden, daß die Umgebungseinflüsse ganz allgemein für fialbleiteranordnungen im elektrischen System eines Kraftfahrzeuges äußerst ungünstig und hart sind. Damit ergeben sich Schwierigkeiten beim Entwurf integrierter Schaltungen für die Autoelektrik, wenn diese einen sehr zuverlässigen Betrieb gewährleisten sollen, und zwar auch unter dem Einfluß erheblicher Störsignale. Es ist bekannt, daß der Temperaturbereich, dem die integrierten Schaltungen im Kraftfahrzeug ausgesetzt sind, in einem sehr weiten Umfang schwanken kann. Ferner treten störende Signale in großem Umfang auf, die über die gesamte Verkabelung des elektrischen Systems im Kraftfahrzeug wirksam sind. So können Signale sowohl mit positiver, als auch mit negativer Polarität auftreten, die verhältnismäßig niedrigen Energieinhalt haben,

- 2 - j edoch

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jedoch Amplituden bis zu mehreren hundert Volt erreichen. Derartige Signale werden auch als Rauschsignale bezeichnet. Diese Signale treten typischerweise in der Verdrahtung auf, welche Fühlelemente mit der integrierten Schaltung verbindet. Es ist bekannt, daß derartige Rauschsignale nicht nur Fehlfunktionen bei den bekannten integrierten Schaltkreisen auslösen, sondern diese sogar zerstören könnten, was auch für diskrete Halbleiteranordnungen zutrifft, wie z. B. für Leistungstransistoren, die über die integrierten Schaltungen angesteuert werden. Das Abschalten der Hauptversorgungsleitung des elektrischen Systems im Kraftfahrzeug kann in Verbindung mit einer 12 Volt-Batterie Ausgleichsspannungen mit großem Energieinhalt auslösen. Diese Ausgleichsspannungen werden auch als abklingende Lastspannungen bezeichnet und können in der Spitze bis zu 100 Volt auf der Versorgungsleitung annehmen. Derartige abklingende Lastspannungen können bekannte integrierte Schaltkreise zerstören, wenn nicht sehr teuere externe Schutzmaßnahmen vorgesehen sind.

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, Maßnahmen zu schaffen, mit denen die erwähnten Nachteile überwunden werden können. Insbesondere soll eine Halbleiter-Stromteileranordnung geschaffen werden, die auch unter den extremen Bedingungen, wie sie bei elektrischen Systemen in Kraftfahrzeugen auftreten, voll einsatzfähig sind. Die Stromteileranordnung soll so ausgebildet sein, daß sie auf Halbleiterplättchen zusammen mit anderen Schaltungsteilen vorgesehen werden kann.

Diese Aufgabe wird ausgehend von der eingangs erwähnten Halbleiter-Stromteileranordnung erfindungsgemäß dadurch gelöst,. daß der erste.Transistor mit seinem Emitter an eine Stromquelle angeschlossen ist und mit der Emitter-Kollektor-

- 3 - Strecke

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Strecke in Serie zur Emitter-Kollektor-Strecke des zweiten Transistors liegt, daß der Kollektor des zweiten Transistors der Ausgang der Halbleiter-Schaltungsanordnung ist, und daß die Basis des ersten Transistors mit der Basis des zweiten Transistors verbunden und an eine Spannungsquelle derart angeschlossen ist, daß die Emitter-Basis-Strecke des ersten Transistors in Durchlaßrichtung vorgespannt ist.

Vielt ere Merkmale und Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von weiteren Ansprüchen.

Die Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung. Es zeigen

Fig. 1 eine geschnittene Halbleiteranordnung in perspektivischer Ansicht, die eine Ausführungsform der Erfindung darstellt;

Fig. 2 eine geschnittene Darstellung einer Halbleiteranordnung in einer Ausführungsform gemäß der Erfindung in abgewandelter Ausgestaltung;

Fig. 3 ein Schaltbild der Stromteileranordnung gemäß der Erfindung zur näheren Erläuterung.

In Fig. 1 sind zwei laterale PNP-Transistoren 10 und 11 als Teil einer integrierten Schaltung auf einem P-dotierten Substrat 12 dargestellt. Der Transistor 10 besteht aus einem Emitterbereich 13, einem Basisbereich I¹+. und einem Kollektorbereich 15. Der Transistor 11 besteht aus einem Emitterbe-· reich 16, einem Basisbereich 17 und einem Kollektorbereich 18.

- M· - Wie

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Wie es allgemein bekannt ist, kann z. B. durch Diffusion das Substrat 12 mit dem geeigneten P-leitenden Dotierungsniveau mit N+-leitenden Bereichen 19 und 21 versehen werden. Auf der Oberfläche des Substrates 12 sowie der N+-leitenden Bereiche 19 und 21 kann eine epitaxiale Schicht 22 aufgebaut werden, die das gewünschte N-leitende Dotierungsniveau hat. Nach der Ausbildung der epitaxialen Schicht 22 wex'den durch Diffusion P+-leitende Diffusionsbereiche 2 3 in der epitaxialen Schicht ausgebildet, die weit genug in die Tiefe reichen, damit sie die P+-leitenden Bereiche und das Substrat 12 erreichen und in diese übergehen. Auf diese V/eise isolieren die P+-leitenden Diffusionsbereiche 2 3 die N-leitenden epitaxialen Bereiche 14 und 17, so daß diese in Form von Inselbereichen in dem Halbleiteraufbau existieren. Die N+-leitenden Bereiche 19 und 21 stellen in dem Halbleiteraufbau vergrabene Schichten dar, die in bekannter Weise der Verringerung des Widerstandes in den Basisbereichen IH und 17 dienen, und das Einfangen der Ladungsträger durch das Substrat 12 verhindern.

Nach einer geeigneten Markierung und dem Vorsehen entsprechender Fenster in der Maske, können P-leitende Bereiche 13, 15, 16 und 18 in die epitaxialen Inselbereiche IU und 17 eindiffundiert werden. Diese P-leitenden Bereiche 13, 15, 16 und 18 dienen als Emitter-und Kollektorbereiche für die erwähnten Transistoren. Zwischen dem P-leitenden Emitterbereich 13 und dem N-leitenden Basisbereich 14 bildet sich der Emitter-Basis-Übergang 24 aus, wogegen zwischen dem P-leitenden Kollektorbereich 15 und dem N-leitenden Basisbereich 14 der Basis-Kollektor-Übergang 2 5 entsteht. In entsprechender Weise entsteht zwischen dem P-leitenden Emitterbereich 16 und dem N-leitenden Basisbereich 17 der Emitter-Basis-Übergang 2 6 und zwischen dem P-leitenden Kollektorbereich 18 und dem N-leitenden Basisbereich 17 der Basis-

- 5 - Kollektor-

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Kollektor-Übergang 27. Aus der Darstellung geht hervor, daß der Kollektorbereich 15 den Emitterbereich 13 umgibt, was auch für den Kollektorbereich 18 bezüglich des Emitterbereiches 16 gilt. Dieser geometrische Aufbau ist für die Wirkungsweise der Erfindung ohne Bedeutung und kann auch beliebig anders gestaltet sein.

In der fertiggestellten Halbleiteranordnung sind die Basisbereiche 14 und 17 untereinander durch einen Leiter 2 8 verbunden, der über eine Klemme 29 an eine geeignete Spannungsversorgung angeschlossen sein kann, die die Spannung V liefert. Der Kollektorbereich 15 ist mit dem Emitterbereich 16 über einen Leiter 31 verbunden, wogegen der Emitterbereich 13 über einen Leiter 32 mit einer Stromquelle 33 verbunden ist, die ihrerseits wieder an einer positiven Spannung einer Spannungsversorgung liegt. Der Kollektorbereich 18 ist mit einem Leiter 34 an eine Last bzw. an einen Verbraucher 35 angeschlossen, der andererseits an Massepotential angeschlossen sein kann.

In Fig. 3 ist das Schaltbild entsprechend dem Halbleiteraufbau gemäß Fig. 1 dargestellt, mit den Transistoren 10 und 11 und den entsprechenden Leitungsverbindungen.

Wenn während des Betriebs die Stromquelle 33 den Leiter 32 und damit den Emitterbereich 13 mit einem Bezugs- oder Eingangsstrom I beaufschlagt, werden vom Emitterbereich 13 aus Löcher über den PN-Übergang 24 in den Basisbereich in bekannter Weise injiziert, was durch entsprechende Pfeile angedeutet ist. Einige dieser injizierten Löcher erfahren eine Rekombination mit negativen Ladungsträgern im Basisbereich 14 und verlassen über den Leiter 2 8 und die Klemme 29 den Basisbereich, aufgrund der wirksamen Spannung V. Der Emittssr-Basis-Übergang 2 4 ist in Durchlaßrichtung durch die

- 6 - Widerstände

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VJiderstände 36 und 37 vorgespannt , die zwischen der positiven Versorgungsspannung und Masse liegen und über einen Abgriff 29 mit der Basis des Tx'ansistors in Verbindung stehen. Einige der positiven Ladungsträger bzw. Löcher werden von dem Kollektorbereich 15 eingefangen und tendieren dazu, das Potential dieses Kollektorbereiches 15 anzuheben, das sich bezüglich des Potentials des Basisbereiches l^Li frei einstellen kann. Der Kollektorbereich 15 ist über den Leiter 31 mit dem Emitterbereich 16 verbunden, wodurch dieser Emitterbereich ebenfalls dazu tendiert, sein Potential anzuheben, indem er nämlich immer dasselbe Potential wie der Kollektorbereich 15 annimmt.

Unter dem Einfluß des Bezugs- oder Eingangsstromes I steigt das Potential des Kollektorbereiches 15 aufgrund der von diesem Bereich eingefangenen Löcher, womit auch der Emitterbereich 16 einen Punkt erreicht, in welchem Ladungsträger, und zwar Löcher, zurück in die Basisbereiche IH und 17 injiziert werden. Dies ereignet sich, wenn die PN-Obergänge 25 und 26 in Durchlaßrichtung vorgespannt werden, vieis für Silicium als Halbleitermaterial der Fall ist, wenn sich eine Spannung von etwa 0,7 Volt ergibt. Das Einsammeln der Löcher durch den Kqllektorbereich 15 und das Zurückinjizieren der Löcher durch die Kollektorbereiche 15 und 16 in die entsprechenden Basisbereiche 14 und 17, bewirkt, daß das Potential des Kollektorbereiches 15 auf einem Sättigungsgleichgewicht gehalten wird, und zur gleichen Zeit der Emitterbereich 16 auf dem in Durchlaßrichtung wirksamen Vorspannungspotential von etwa 0,7 Volt liegt. Einige von dem Emitterbereich 16 in den Basisbereich 17 zurückinjizierten Löcher rekombinieren mit negativen Ladungsträgern im Basisbereich 17 und treten, aus diesem Bereich als Basisstrom über den Leiter 28 aus. Die verbleibenden injizierten Ladungsträger

- 7 - werden

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werden vom Kollektorbereich 18 über den Basis-Kollektor-Übergang 27 eingesammelt und treten als, über den Verbraucher 3 5 fließender Strom über den Leiter 34 aus dem Kollektorbereich aus. Der über diesen Leiter 34 in den Verbraucher fließende Strom ist mit I /N bezeichnet, wobei N der Teilungsfaktor für den Eingangsstrom I bei einem gegebenenen Verbraucherstrom ist.

Da der Emitterbereich 16 bezüglich des Basisbereiches 17 und der Kollektorbereich 15 bezüglich des Basisbereiches 14 auf einem sich frei einstellenden Potential liegen, müssen die von dem Kollektorbereich 15 eingefangenen Ladungsträger sofort zurückinjiziert werden, da der Strom keinen anderen Weg nach Masse, als durch eine Rückinjektion findet. Die eingefangenen Ladungsträger sind über die Bereiche 15 und

16 verteilt und werden gleichzeitig vom Emitterbereich 16 und dem Kollektorbereich 15 aus, in die Basisbereiche 14 und

17 zurückinjiziert. Diese Rückinjektion ist proportional dem Bereich der Grenzschichtübergänge 2 5 und 26. Damit ist die Anzahl der durch den Emitterbereich 16 zurückinjizierten Ladungsträger kleiner, als die Anzahl der Ladungsträger, die durch den Kollektorbereich 15 proportional dem Grenzschichtübergang rückinjlziert werden. Aus Fig. 1 kann entnommen werden, daß der Emitter-Basis-Übergang 26 wesentlich kleiner als der Basis-Kollektor-Übergang 2 5 ist, so daß auch der Strom wesentlich verringert ist, der zur Ladungsträgerinjektion in den Basisbereich 17 vom Emitterbereich 16 aus zur Verfügung steht. Entsprechend wird die Anzahl der Ladungsträger verringert, die durch den Kollektorbereich 18 eingefangen werden kann, so daß auch der ausgangsseitige Strom über den Leiter 34 entsprechend kleiner ist, d. h., der Laststrom It ist um einen Faktor kleiner, als der Ein- · gangsstrom I , der proportional den relativen Querschnitts-

- 8 - bereichen

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bereichen der Grenzschichtübergange 2 5 und 26 ist. Der Ausgangsstrom I, ist dem Eingangsstro
nachfolgenden Gleichung zugeordnet

gangsstrom I, ist dem Eingangsstrom I entsprechend der

Li - O

¹^ ^A1

° = Ν Ν ——

¹L ¹² ^A2

wobei I der Bezugs- oder Eingangsstrom, I. der Ausgangsoder Last strom, N«, der Sammelwirkungsgrad des Kollektorbereiches 15, N^ der Sammelwirkungsgrad des Kollektors 18, A₁ der Bereich des Basis-Kollektor-Übergangs 2 5 und A₂ der Bereich des Emitter-Basis-Überganges 2 6 ist. Aus dieser Gleichung kann man entnehmen, daß durch eine entsprechende Auswahl des Bereiches des Emitter-Basis-Übergangs 2 6 in Relation zu dem Bereich des Basis-Kollektor-Übergangs 2 5 im wesentlichen jegliche Stromteilung zwischen dem Eingangsstrom I und dem Laststrom I, eingestellt werden kann.

Auch der Sammelwirkungsgrad der Kollektoren kann mit Hilfe in der Halbleitertechnologie bekannter Maßnahmen so eingestellt werden, daß man das gewünschte Stromteilungsverhältnis erhält, jedoch ist der Wirkungsgrad zu veränderlich, um allein diese Maßnahme vorzusehen. Wie sich aus Fig. 1 ergibt, ist der Emitterbereich 16 gegenüber dem Emitterbereich 13 verringert, und auch der Kollektorbereich 18 gegenüber dem Kollektorbereich 15 verkleinert, Die Dimensionierung dieser Bereiche wird mit Hilfe bekannter Maßnahmen den speziellen Erfordernissen der zu berücksichtigenden Umstände angepaßt. Damit wird es offensichtlich, daß jedes beliebige Teilungsverhältnis für den Strom erzielbar ist, d. h., daß man jeden beliebigen Laststrom bezüglich eines gegebenen Eingangsstromes einstellen kann.

In Fig. 1 wurde eine Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung

- 9 - mit

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mit lateralen PNP-Transistoren dargestellt, jedoch ist dieser Aufbau nur eine mögliche Form der Ausgestaltung der Erfindung. In Fig. 2 ist eine Kombination von vertikalen NPN-Transistoren dargestellt, mit denen ebenfalls ein Stromteiler gemäß der Erfindung aufgebaut ist.

Wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 1 ist auch bei der Ausführungsform gemäß Fig. 2 ein P-dotiertes Substrat 39 vorgesehen, auf welchem N+-dotierte Diffusionsschichten 41 und 42 ausgebildet sind. Auf dem P-leitenden Substrat 39 und den Diffusionsschichten 41 und 42 ist eine epitaxiale Schicht 43 mit N-leitender Dotierung ausgebildet, die eine den speziellen Wünschen entsprechende Dicke hat. Nach dem Aufwachsen der epitaxialen Schicht 4 3 werden durch Diffusion P+-leitende Bereiche 44 in dieser Schicht ausgebildet, wobei diese Diffusionsbereiche durch die ganze epitaxiale Schicht, bis zu dem Substrat 39 verlaufen.' Dadurch entstehen N-leitende Inselbereiche 45 und 46. Der Inselbereich 45 dient als Kollektor eines NPN-Transistors 47 und der Inselbereich 46 als Emitter eines NPN-Transistors 48. Durch eine P-Diffusion 49 wird im Inselbereich 4 5 der Basisbereich des Transistors 47 und durch eine N-Diffusion 51 im Basisbereich 49 der Emitterbereich des Transistors 47 ausgebildet. Ein P-dotierter Bereich 5 2 wird in den Emitterbereich 46 diffundiert und stellt den Basisbereich des Transistors 48 dar, wogegen ein in den Basisbereich 5 2 eindiffundierter N-leitender Bereich 5 3 der Kollektorbereich des Transistors wird. Die Basisbereiche 49 und 52 werden mit Hilfe eines Leiter 54 miteinander verbunden, der seinerseits über eine Klemme 55 an eine Spannungsquelle für eine positive Spannung anschließbar ist. Ferner sind der Kollektorbereich 45 und der Lmitterbereich 46 durch einen Leiter 56 miteinander verbunden.

- 10 - Der

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Der Emitbsrbereich 51 des Transistors 47 ist über einen Leiter 5 7 mit einer Stromquelle 5R verbunden, die andererseits an der negativen Seite einer Spannungsversorgung liegt. Die Stromquelle 58, welche an aen L'mittcrbereicL 51 angeschlossen ist, stellt eine Eingangsschaltung dar, die einen Strom I vom Transistor 47 nach Masse ableitet. Entsprechend ist der Kollektorbereich 5 3 des Transistors ¹18 über einen Leiter 59 mit einer Klemme 61 verbunden, die ihrerseits über einen Verbraucher 62 bzw. eine andere Last mit der positiven Stromversorgung verbunden ist. Zwischen dem Emitterbereich 51 und dem P-leitenden Baaisbereich 49 befindet sich der Emitter-Basis-Übergang 6 3., wogegen zwischen dem P-leitenden Basisbereich und dem Kollektorbereich 45 ein Basis-Kollektor-Übergang 64 besteht. Entsprechend besteht ein Emitter-Basis-Übergang 65 zwischen dem Emitterbereich 46 und dem Basisbereich 52 und ein Basis-Kollektor-C'bergang 66 zwischen dem Kollektcrbereich 5 3 und dem P-leitenden Basisbereich

Während des Betriebs bewirkt der in Durchlaßrichtung vorgespannte Emitter-Basis-Übergang 63, daß vom Emitterbereich 51 aus negative Ladungsträger in den Basisbereich 49 injiziert werden. Einige dieser Ladungsträger erfahren im Basisbereich eine Rekombination und fließen als Basisstrom über den Leiter 54 ab. Die negativen Ladungsträger, die vom Kollektorbereich 45 eingefangen werden, heben die Spannung dieses Bereiches an und gleichzeitig die des Emitterbereiches 46, da diese beiden Bereiche untereinander über den Leiter 56 verbunden sind. Dieser Spannungsanstieg dauert solange an, bis der Emitterbereich 46 gegenüber dem Basisbereich 52 eine Vorspannung von etwa 0,7 Volt bei Silicium als Halbleitermaterial hat. Beim Erreichen dieses Spannungswertes wird der Basis-Kollektor-Übergang 64 des Transistors 47 in Durchlaßrichtung vorgespannt, so daß der Transistor 47 im Sättigungszustand arbeitet. Von den Ladungsträgern, die im Kollek-

- 11 - torbereich

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torbereich 4 5 eingefangen werden, wird ein bestimmter Anteil wieder in den Basisbereich 49 über den Bfisis-Kollektor-Übergang 64 zurückinjiziert, wogegen der verbleibende Anteil dieser Ladungsträger vom Emitterbereich 46 aus über den Emitter-Basis-Übergang 65 in den Basisbereich 52 zurückinjiziert wird. Die vom Kollektorbereich 5 3 eingefangenen Ladungsträger fließen als AusgangsEtrom I /N ab.

Von den durch den Kollektorbereich 4 5 eingefangenen Ladungsträgern wird die in den Basisbereich 49 zurückinjizierte Anzahl und ebenso die in den Basisbereich 52 zurückinjizierte Anzahl durch das relative Verhältnis der Bereiche bestimmt, die der Bads-Kollektor-Übergang 64 und der Emitter-Basis-Obergang 65 einnehmen. In der dargestellten Ausführungsfora ist der Bereich des Basis-Kollektor-Übergangs 64 wesentlich größer, als der Bereich des Emitter-Basis-Übergangs 65, so daß die Anzahl der in den Basisbereich 52 zurückinjizierten Träger wesentlich kleiner als die Anzahl derjenigen Träger ist, die in den Basisbereich 49 zurückinjiziert werden. Dementsprechend ist auch der zur Verfügung stehende und über den Leiter 59 zum Verbraucher 62 fließende Strom wesentlich kleiner, als der Strom, der über den Leiter 57 fließt. Es gilt derselbe Zusammenhang, wie er durch die für die Ausführungsform gemäß Fig. 1 gegebenen Formel beschrieben wird.

- 12 - Patentansprüche

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Claims

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Patentansprüche

Kalbleiter-Stromteilerariordnung aus zumindest zwei Transistoren, mit der ein bestimmtes Verhältnis eines eingangsseitigen Stromes zu einem ausgangsseitigen Strom einstellbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (10) mit seinem Emitter (13) an eine Stromquelle (33) angeschlossen ist und mit der Emitter-Kollektor-Strecke in Serie zur Emitter-Kollektor-Strecke'des zweiten Transistors (11) liegt, daß der Kollektor des zweiten Transistors der Ausgang der Halbleiter-Schaltungsanoi^nung ist und daß die Basis des ersten Transistors mit der Basis des zweiten Transistors verbunden und an eine Spannungsquelle derart angeschlossen ist, daß die Emitter-Basis-Strecke des ersten Transistors in Durchlaßrichtung vorgespannt ist. .

2. Stromteileranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die ersten und zweiten Transistoren nebeneinander und gegeneinander isoliert auf einem gemeinsamen Träger angeordnet sind.

3. Strömteileranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß der·, gemeinsame Träger ein Siliciumsubstrat mit P-Dotierung ist und daß der erste und zweite.Basisbereich aus einer epitaxial aufgewachsenen und N-leitenden Schicht besteht.

- 13 - M^

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U. Stromteileranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß der erste Emitterbereich und der erste Kollektorbereich durch eine P-Diffusion in den ersten Basisbereich ausgebildet sind und daß der zweite L'mitterbereich und der zweite Kollektorbereich durch eine P-Diffusion in den zweiten Basisbereich ausgebildet sind.

5. Stromteileranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß das P-dotierte Substrat aus Silicium besteht und daß der erste Kollektorbereich und der zweite Emitterbereich aus auf dem Silicium aufgewachsenen N-leitenden epitaxialen Bereichen bestellt,

6. Stromteileranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß der erste Basisbereich durch eine P-Diffusion in den ersten Kollektorbereich, der erste Emitterbereich durch eine N-Diffusion in den ersten Basisbereich, der zweite Basisbereich durch eine P-Diffusion in den zweiten Emitterbereich und der zweite Kollektorbereich durch eine N-Diffusion in den zweiten Basisbereich ausgebildet sind.

7. Stromteileranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß das Verhältnis des Eingangsstromes zu dem Ausgangsstrom proportional dem Verhältnis der Bereiche der . Übergänge zwischen dem ersten Kollektorbereich und dem ersten Basisbereich sowie dem zweiten Emitterbereich und dem zweiten Basisbereich ist.

8. Stromteileranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet ,

- 14 - daß

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daß das Verhältnis des Eiiigangsstromes zum Verhältnis des Ausgangsstromes proportional dem Produkt des Sarnmelwirkungsgrades des ersten Kollektorbereiches, des Sammelwirkungsgrades des zweiten Kollektorbereiches und des Verhältnisses der Bereiche der Grenzschichtübergänge zwischen dem ersten Kollektorbereich und dem ersten Basisbereich sowie dem zweiten Urnitterbereich und dem zweiten Basisbereich ist.

9. Strömteileranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet , daß der Emitterbereich des ersten Transistors mit einer Stromquelle verbunden ist, daß der Kollektorbereich des zweiten Transistors mit einem Verbraucher verbunden ist, und daß der dem Verbraucher zufließende Strom um einen dem Stromteilerverhältnis entsprechenden Faktor verkleinert ist.

10. Stromteileranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß die N-leitenden epitaxialen Bereiche als Inselbereiche ausgebildet sind, die gegeneinander durch einen P+-dotierten Diffusionsbereich isoliert sind.

11. Stromteileranordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen dem P-dotierten Substrat und dem N-dotierten epitaxialen Inselbereich eine N+-dotierte vergrabene Schicht ausgebildet ist.

12. Stromteileranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet daß der N-dotierte epitaxiale Inselbereich des ersten

- 15 - Transistors

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Transistors den Basisbereich darstellt, in dem ein Emitter- und ein Kollektorbereich durch eine P-Diffusion ausgebildet ist und daß der Emitterbereich sowie der Kollektorbereich des zweiten Transistors durch eine entsprechende P-Diffusion in dem N-leitenden epitaxialen Basisbereich des zweiten Transistors ausgebildet ist.

13. Stromteileranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der N-dotierte epitaxiale Bereich des ersten Transistors den Kollektorbereich darstellt, daß in diesen Kollektorbereich durch P-Diffusion ein Basisbereich eindiffundiert und in den Basisbereich durch N-Diffusion ein Emitterbereich eindiffundiert ist, und daß der N-dotierte epitaxiale Bereich des zweiten Transistors der Emitterbereich ist, in den durch P-Diffusion der Basisbereich und anschließend in den Basisbereich durch N-Diffusion der Kollektorbereich eindiffundiert ist.

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