DE2614580C2 - "I↑2↑L-Schaltung" - Google Patents

"I↑2↑L-Schaltung"

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    • H01L27/0229—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L of bipolar structures
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine I2L-Schaltung entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Derartige I2L-Schaltungen sind aus der DE-OS 24 43 171 bekannt.
Die Signalverbindung enthält einen als Stromquelle dienenden Hilfstransistor zur Aktivierung des gesteuerten Transistors. Wenn der Hilfstransistor leitend ist, empfängt die Basis des gesteuerten Transistors einen Einstellstrom, so daß dieser Transistor gleichfalls leitend ist. Wenn mit Hilfe des steuernden Transistors der Strom in dem Hilfstransistor unterbrochen wird, schaltet der Hilfstransistor durch das Fehlen von Basisstrom auf den nichtleitenden Zustand um.
Bei dieser bekannten I2L-Schaltung ist es nachteilig, daß insbesondere die Umschaltung des gesteuerten Transistors auf den nichtleitenden Zustand verhältnismäßig langsam vor sich geht. Diese Umschaltzeit ist von der Zeit abhängig, die für die Beseitigung der im gesteuerten Transistor gespeicherten Ladung benötigt wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die I2L-Schaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 so weiterzubilden, daß die Umschaltzeit des gesteuerten Transistors in den nichtleitenden Zustand verkürzt wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im
kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Vorzugsweise sind mit der Basis des gesteuerten Transistors keine weiteren Stromquellen verbunden. Sofern derartige Stromquellen vorhanden sind, ist der Wert des der Basis dieses gesteuerten Transistors zuzuführenden Stroms derart gewählt, daß der gesteuerte Transistor nur leitend ist, wenn Strom aus der Signalverbindung zur Verfügung steht.
Falls von der Signalverbindung Strom geliefert wird, wird ein Teil dieses Stroms über den zweiten Hilfstransistor abgeführt, wobei die Größe dieses Teils derart gewählt ist, daß der verbleibende Teil genügt, um den gesteuerten Transistor leitend zu machen. Wenn der Stromweg über den ersten Hilfstransistor unterbrochen wird, kann die in dem gesteuerten Transistor und in den mit der Basis dieses Transistors verbundene Kapazität gespeicherte Ladung über den zweiten Hilfstransistor abgeführt werden. Bei der bekannten I2L-Schaltung kann dagegen die gespeicherte Ladung praktisch nur durch Rekombination verschwinden.
Vorzugsweise ist der zweite Hilfstransistor kontinuierlich mit seinem zugehörigen Strominjektor verbunden, so daß dieser Hilfstransistor beim Betrieb der
integrierten Schaltung eine dauernde leitende Verbindung zwischen der Basis und dem Emitter des gesteuerten Transistors bildet
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der integrierten 12L-Schaltung nach der Erfindung befindet sich der zweite Hilfstransistor in derselben Stufe wie der gesteuerte Transistor. Der zweite Hilfstransistor kann in diesem Falle zusammen mit den mit Strominjektoren versehenen Transistoren dieser Stufe und dem gesteuerten Transirtor in demselben Halbleiterkörper oder in derselben isolierten Halbleiterinsel einer integrierten Schaltung angebracht werden. Der Zusatz des zweiten Hilfstransistors macht die integrierte Schaltung nicht oder nahezu nicht verwickelter und beeinflußt ihre Zuverlässigkeit nahezu nicht
Der zu dem zweiten Hilfstransistor gehörige Strominjektor enthält drei aufeinanderfolgende Schichten, wobei die erste und die zweite Schicht durch dieselben Schichten wie die erste und die zweite Schicht des (der) zu den übrigen in derselben Stufe vorhandenen Transistoren gehörigen Strominjektors (Strominjektoren) gebildet werden.
Als zweiter Hilfstransistor kann vorteilhafterweise eine umgekehrte Transistorstruktur Anwendung finden, deren Basis und deren Emitter zugleich auch einen Teil des zugehörigen Strominjektors bilden. Umgekehrte Transistorstrukturen sind in PL-Schaltungen gebräuchlich. Der zweite Hilfstransistor braucht keinen eigenen Emitterkontakt und keinen Basiskontakt aufzuweisen und kann dadurch besonders klein sein.
Vorzugsweise wird der zweite Hilfstransistor mit seinem Strominjektor derart eingestellt, daß der Strom durch den Hilfstransistor praktisch gleich der Hälfte des im leitenden Zustand durch die Signalverbindung fließenden Stromes ist. Dann wird die Hälfte des von der Signalverbindung angebotenen Stromes / von dem zweiten Hilfstransistor aufgenommen, während die andere Hälfte als Basisstrom für den gesteuerten Transistor dient.
Die Größe des Stromes zum Abführen der in der Basis des gesteuerten Transistors gespeicherten Ladung wird insbesondere durch die Einstellung des zweiten Hilfstransistors bestimmt. Diese Einstellung kann mittels des zugehörigen Strominjektors beeinflußt werden. Die letzte Schicht dieses Strominjektors, die vorzugsweise mit der Basis des gesteuerten Transistors zusammenfällt, kann als der Kollektor eines komplementären Transistors betrachtet werden. Mit Hilfe der Basisdicke dieses komplementären Transistors, die in der Topologie oder dem »Layout« der integrierten Schaltung gewählt werden kann, kann der Einstellstrom des zweiten Hilfstransistors in bezug auf die anderen in der Schaltung angewandten Einstellströme geregelt werden. Auch kann der Einstellstrom durch die Größe der injizierenden Oberfläche des gleichrichtenden Übergangs des Strominjektors, über den Ladungsträger injiziert werden, die von der Basis des zweiten Hilfstransistors gesammelt werden und den zugeführten Einstellstrom liefern, beeinflußt werden. In praktischen Ausführungen wird die Größe der injizierenden Oberfläche meistens mit der Länge eingestellt werden können, über die der Emitter-Basis-Übergang und der Kollektor-Basis-Übergang des vorgenannten komplementären Transistors des Strominjektors an der Halbleiteroberfläche einander zugewandt sind.
Die Erfindung wird nachstehend beispielsweise an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fie. I einen Teil eines Schaltbildes eines Ausführungsbeispiels der I2L-Schaltung, und
Fig.2 schematisch einen Schnitt durch einen Teil einer integrierten I2L-Scha!tung, in der das Schaltbild nach Fi g. 1 praktisch ausgeführt ist.
Im Schaltbild nach F i g. 1 ist ein npn-Transistor 4 dargestellt, der nicht mit einem zugehörigen Strominjektor verbunden ist und mittels einer Signalverbindung 5 gesteuert wird. Der Transistor 4 und die Verbindung 5 entsprechen dem gesteuerten Transistor und der
ίο Signalverbindung nach der vorgenannten DE-OS 24 43 171. Der Einfachheit halber wird hier für die Beschreibung der Signalverbindung und der praktischen Ausführungen derselben sowie für die Ausbildung einer I2L-Schaltung mit Gruppen von mit Strominjektoren versehenen Transistoren, die als Stufen zwischen zwei Anschlüssen für eine Speisequelle in Reihe geschaltet sind, auf die DE-OS 24 43 171 verwiesen. Die nachstehende Beschreibung beschränkt sich auf denjenigen Teil der integrierten Schaltung, in dem der Zusatz des zweiten Hilfstransistors zum Erhalten der mit der vorliegenden Erfindung angestrebten Verbesserung verwirklicht ist.
Der gesteuerte Transistor 4 liegt in einer Stufe, von der die meisten Transistoren mittels eines oder mehrerer zugehörigen Strominjektoren, die schematisch durch die Diode 1 dargestellt sind, Einstellstrom empfangen. Diese Diode befindet sich zwischen den Anschlüssen 2 und 3, mit deren Hilfe diese Stufe in die Reihenschaltung von Stufen aufgenommen ist. Die Signalverbindung 5 verbindet einen in einer höheren Stufe liegenden steuernden Transistor mit dem gesteuerten Transistor 4.
Nach der Erfindung ist ein zweiter Hilfstransistor 6 vorgesehen, der vom gleichen Typ wie der gesteuerte Transistor 4 ist. Die Transistoren 4 und 6 sind also beide npn-Transistoren. per zweite Hilfstransistor 6 ist zu dem Emitter-Basis-Übergang des gesteuerten Transistors 4 dadurch parallel geschaltet, daß der Kollektor des Transistors 6 mit der Basis des Transistors 4 verbunden ist und weiter die Emitter dieser beiden Transistoren miteinander gekoppelt sind. Der Emitter des Transistors 6 kann stattdessen auch mit einem anderen niedriger liegenden Bezugspotentialpunkt in der Schaltung verbunden werden.
Der zweite Hilfstransistor 6 ist mit einem Strominjektor verbunden, der durch den komplementären Transistor 7 (also vom pnp-Typ) dargestellt ist, dessen Emitter mit dem Anschluß 2 und dessen Basis mit dem Anschluß 3 verbunden ist, während der Kollektor des Transistors 7 zu der Basis des zweiten Hilfstransistors 6 führt.
Beim Betrieb der Schaltung führt der Transistor 7 kontinuierlich der Basis des zweiten Hilfstransistors 6 Einstellstrom zu, wodurch dieser Transistor 6 eine dauernd leitende Verbindung zwischen der Basis des gesteuerten Transistors 4 und einem geeigneten Bezugspotentialpunkt herstellt. Über diese leitende Verbindung kann ein Strom mit einer maximalen Größe h abgeführt werden, der durch den vom Transistor 7 zugeführten Basisstrom und den Stromverstärkungsfaktor β des zweiten Hilfstransistors 6 bestimmt wird.
Wenn über die Signalverbindung 5 ein logisches Signal an die dargestellte Stufe weitergeleitet werden muß, das dem leitenden Zustand des gesteuerten Transistors 4 entspricht, wird in der Signalverbindung 5 ein von dem nicht dargestellten steuernden Transistor geregelter Strom /angeboten. Ein Teil h desselben wird über den zweiten Hilfstransistor 6 abgeführt. Der verbleibende Teil (I — h muß genügend groß sein, um
den Transistor 4 in den leitenden Zustand zu bringen und in diesem Zustand zu halten. Vorzugsweise wird der Strom h auf einen Wert eingestellt, der etwa gleich der Hälfte des Stromes / ist.
Wenn sich das logische Signal ändert, wird der Strom / in der Signalverbindung 5 unterbrochen. Der zweite Hilfstransistor 6 bleibt stromführend, bis alle in dem Transistor 4 und den mit dessen Basis verbundenen Streukapazitäten gespeicherte Ladung verschwunden ist und der Transistor 4 auf den nichtleitenden Zustand umgeschaltet ist. Durch die verhältnismäßig schnelle Ableitung gespeicherter Ladung wird die für den Transistor 4 benötigte Umschaltzeit erheblich verkürzt.
Die Transistoren 4, 6 und 7 können einfach in einer I2L-Schaltung verwirklicht werden. Fig. 2 zeigt in vereinfachter Darstellung einen Teil einer integrierten Schaltung, der diese Transistoren enthält.
Die integrierte Schaltung mit mit Strominjektoren versehenen Transistoren oder die I2L-Schaltung enthält einen Halbleiterkörper mit einem Substrat 11, das aus p-leitendem Silicium bestehen kann. Auf dem Substrat 11 befindet sich eine η-leitende epitaktische Schicht 12. Der gesteuerte Transistor 4 ist ein npn-Transistor mit einem durch Dotierung erhaltenen p-leitenden Basisgebiet 15, in dem zwei Kollektoren 16 und 17 untergebracht werden können. Die Anschlüsse 22, 23 und 24 stellen die Basis- und Kollektorkontakte dieses Transistors dar.
Die epitaktische Schicht 12 ist auf übliche Weise in eine Anzahl gegeneinander isolierter Inseln (nicht dargestellt) unterteilt. F i g. 2 zeigt einen Teil einer dieser Inseln mit einer vergrabenen Schicht 26, die höher als ein verbleibender Teil der epitaktischen Schicht dotiert ist. in dem nur die ursprüngliche Dotierungskonzentration vorhanden ist. Die vergrabene Schicht 26 ist vom gleichen Leitungstyp wie die epitaktische Schicht und kann mit n+ bezeichnet werden.
Sowohl der Emitter des gesteuerten Transistors 4 als auch der Emitter des Hilfstransistors 6 werden durch die dargestellte Insel gebildet. Das Basisgebiet 15 ist noch von einem höher dotierten η + -Gebiet 25 umgeben, das u. a. zur Vergrößerung des Verstärkungsfaktors β dieses Transistors 4 dient und das verhindert, daß anderswo in die epitaktische Schicht injizierte Minoritätsladungsträger oder Löcher vom Basisgebiet 15 gesammelt werden können. Das Basisgebiet 15 ist nicht mit einem zugehörigen in derselben Stufe liegenden Strominjektor zum Zuführen von Einstellstrom verbunden.
Der zweite Hilfstransistor 6 weist ferner ein durch Dotierung erhaltenes p-leitendes Basisgebiet 14 und einen Kollektor 18 auf, der mit einem Kollektorkontakt 21 versehen ist. Neben dem Basisgebiet 14 befindet sich ein weiteres p-leitendes Gebiet 13. Die Gebiete 13, 12 und 14 bilden einen zu dem zweiten Hilfstransistor 6 gehörigen Strominjektor, der in F i g. 1 durch den pnp-Transistor 7 dargestellt ist. Das Gebiet 13 ist mit einem Anschlußkontakt 19 versehen. Das Basisgebiet 14 braucht keinen Anschlußkontakt aufzuweisen.
Der zweite Hilfstransistor 6 befindet sich in derselben Stufe wie der gesteuerte Transistor 4 und beide Transistoren sind mit einer sogenannten umgekehrten Transistorstruktur ausgeführt, wobei dasselbe Halbleitergebiet als gemeinsamer Emitter für diese Transistoren dienen kann.
ίο Das Gebiet 13 bildet die erste Schicht des in diesem Beispiel aus drei Schichten bestehenden zu dem zweiten Hilfstransistor 6 gehörigen Strominjektors. Dabei kann das Gebiet 13 zugleich die erste Schicht zu anderen nicht dargestellten Transistoren derselben Stufe gehöriger Strominjektoren bilden. Den Strominjektoren ist dann nicht nur die erste Schicht, sondern auch die durch das η-leitende Gebiet 12,25,26 gebildete zweite Schicht gemeinsam.
Oft werden somit die erste und die zweite Schicht aller Strominjektoren derselben Stufe praktisch das gleiche Potential führen, wodurch auch das Niveau der Injektion von Ladungsträgern über den gleichrichtenden Übergang zwischen diesen Schichten für alle Strominjektoren praktisch gleich sein wird. Sofern für 2r) verschiedene Transistoren verschieden große Einstellströme erwünscht sind, können diese mit dem Abstand zwischen der Schicht, die die Ladungsträger, die vom betreffenden Basisgebiet gesammelt werden, injiziert (im vorliegenden Beispiel dem Gebiet 13) und dem betreffenden Basisgebiet (im vorliegenden Beispiel dem Gebiet 14) eingestellt werden. Dieser Abstand bestimmt ja die Basisdicke des komplementären Transistors 7 und beeinflußt damit den Stromverstärkungsfaktor α dieses komplementären Transistors.
Außer mit dem zugeführten Einstellstrom kann der Wert des Stromes h auch durch den Stromverstärkungsfaktor β des zweiten Hilfstransistors 6 beeinflußt werden. Auf an sich bekannte Weise kann das Verhältnis zwischen dem Strom h und dem zugeführten Einstellstrom auf einen bestimmten Wert eingestellt werden, dadurch, daß in dem Basisgebiet 14 ein zusätzlicher Kollektor mit einer geeignet gewählten Oberfläche angebracht wird, wobei dieser zusätzliche Kollektor mit dem Basisgebiet 14 kurzgeschlossen ist
Es können andere Halbleitermaterialien als Silicium, z. B. Germanium oder A'"BV-Verbindungen, verwendet werden. Auf der Halbleiteroberfläche kann eine Isolierschicht angebracht sein, auf der sich Leiterbahnen erstrecken, die die in dem Schaltbild der Fig. 1 weiter noch dargestellten elektrischen Verbindungen der integrierten Schaltung bilden.
Die im Beispiel angegebenen Leitungstypen können untereinander ausgetauscht werden, wobei die fur die Ströme / und h angegebenen Richtungen beide invertiert werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. I2L-Schaltung, bei der mehrere Basis- und Kollektorelektroden aufweisende Transistoren mit zugehörigen Strominjektoren zum Zuführen von Einstellstrom verbunden sind, wobei jeder Strominjektor mindestens eine erste, eine zweite und eine dritte Schicht aufweist, welche drei Schichten aufeinanderfolgen und durch gleichrichtende Übergänge voneinander getrennt sind, bei der ferner zwei Anschlüsse für eine Speisequelle vorgesehen sind, wobei die Transistoren mit ihren zügehörigen Strominjektoren über mehrere etwa gleiche Einstellströme benötigende Gruppen verteilt sind, die in Reihe zwischen diesen zwei Anschlüssen angeordnet sind, wobei eine erste der Gruppen, in der die erste Schicht des zugehörigen Strominjektors bzw. der zugehörigen Strominjektoren mit dem einen Anschluß verbunden ist, die höchste Stufe in der Reihenschaltung bildet, eine andere der Gruppen, in der die zweite Schicht des zugehörigen Strominjektors bzw. der zugehörigen Strominjektoren mit dem anderen Anschluß verbunden ist, die niedrigste Stufe in der Reihenschaltung bildet, und die übrigen Gruppen zwischenliegende Stufen bilden, wobei von höheren und niedrigeren Stufen die höhere Stufe in der Reihenschaltung der höchsten Stufe näher liegt als die niedrigere Stufe, wobei die zweite Schicht des Strominjektors bzw. der Strominjektoren der höchsten Stufe mit der ersten Schicht des Strominjektors bzw. der Strominjektoren der nächstniedrigeren Stufe verbunden ist, und wobei eine elektrische Signalverbindung zwischen einem Kollektor eines in einer höheren Stufe liegenden steuernden Transistors und der Basis eines in einer niedrigeren Stufe liegenden gesteuerten Transistors vorhanden ist, welche Signalverbindung mindestens einen Hilfstransistor von i.inem zu dem des steuernden und des gesteuerten Transistors komplementären Typ enthält, wobei der Kollektor dieses komplementären Hilfstransistors mit der Basis des gesteuerten Transistors verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß in einer Stufe, die niedriger als diejenige Stufe liegt, in der sich der steuernde Transistor befindet, ein zweiter Hilfstransistor (6) vom gleichen Typ wie der steuernde und der gesteuerte Transistor (4) vorhanden ist, wobei dieser zweite Hilfstransistor (6) mit einem zugehörigen Strominjektor (7) verbunden und zu dem Emitter-Basis-Übergang des gesteuerten Transistors (4) parallel geschaltet ist, und wobei dieser zweite Hilfstransistor (6) wenigstens leitend ist während der Zeit, in der der gesteuerte Transistor (4) leitend ist, und während der Zeit, die dazu benötigt wird, diesen gesteuerten Transistor (4) in den nichtleitenden Zustand zu bringen.
2. 12L-Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Hilfstransistor (6) eine dauernde leitende Verbindung zwischen der Basis (15) und dem Emitter des gesteuerten Transistors (4) bildet.
3. PL-Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich der zweite Hilfstransistor (6) in derselben Stufe wie der gesteuerte Transistor (4) befindet.
4. I2L-Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste (14) und die zweite (12, 25,26) Schicht des zu dem zweiten Hilfstransistor (6)
gehörigen Strominjektors (7) durch dieselben Schichten gebildet werden wie die erste und die zweite Schicht des bzw. der zu den übrigen in derselben Stufe vorhandenen Transistoren gehörigen Strominjektors bzw. Strominjektoren.
5. I2L-Schaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Hilfstransistor (6) und der zugehörige Strominjektor (7) derart ausgebildet sind, daß der maximale Kollektorstrom (I2) des zweiten Hilfstransistors (6) praktisch gleich der Hälfte des Stromes (I) ist, der im leitenden Zustand durch die Signalverbindung (5) fließt
DE2614580A 1975-04-14 1976-04-05 "I↑2↑L-Schaltung" Expired DE2614580C2 (de)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2538910C3 (de) * 1975-09-02 1980-01-10 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Schaltungsanordnung zur Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit einer integrierten Schaltung
US4100431A (en) * 1976-10-07 1978-07-11 Motorola, Inc. Integrated injection logic to linear high impedance current interface
DE2949201A1 (de) * 1979-12-06 1981-06-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Aus i (pfeil hoch)2(pfeil hoch) l-zellen und weiteren schaltungsteilen bestehende monolithisch integrierte halbleiterschaltung
US4459496A (en) * 1980-04-04 1984-07-10 Matsushita Electric Industrial Company, Limited Semiconductor integrated circuit having stacked integrated injection logic circuits
FR2491276A1 (fr) * 1980-09-26 1982-04-02 Trt Telecom Radio Electr Circuits d'interface entre couches de logique a injection empilees et polarisees a differentes tensions
JPS57116430A (en) * 1981-01-13 1982-07-20 Toshiba Corp Inverted logical circuit
JPS57167671A (en) * 1981-04-08 1982-10-15 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7107040A (de) * 1971-05-22 1972-11-24
FR2244262B1 (de) * 1973-09-13 1978-09-29 Radiotechnique Compelec
US4013901A (en) * 1974-02-19 1977-03-22 Texas Instruments Incorporated Stacked logic design for I2 L watch
DE2509530C2 (de) * 1975-03-05 1985-05-23 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Halbleiteranordnung für die Grundbausteine eines hochintegrierbaren logischen Halbleiterschaltungskonzepts basierend auf Mehrfachkollektor-Umkehrtransistoren

Also Published As

Publication number Publication date
US4243896A (en) 1981-01-06
FR2308206A2 (fr) 1976-11-12
JPS51126777A (en) 1976-11-05
JPS5516536B2 (de) 1980-05-02
FR2308206B2 (de) 1982-01-22
GB1551772A (en) 1979-08-30
DE2614580A1 (de) 1976-10-28
NL7603827A (nl) 1976-10-18

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