DE1299766B - Thyristor und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Thyristor und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Thyristor mit vier aufeinanderfolgenden Zonen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps
in einem Halbleiterplättchen mit Kontaktelektroden an den beiden äußeren und mit einer
Steuerelektrode an einer der beiden inneren Zonen.
Der Erfindung hegt die Aufgabe zugrunde, einen Thyristor so auszubilden, daß er nach dem z. B. aus
der Zeitschrift »Scientia Electrica«, Bd. 9 (1963), Nr. 2, S. 67 bis 91, bekannten Planarverfahren unter Ausnutzung
der Vorteile dieses Verfahrens herstellbar ist.
Die Erfindung, die diese Aufgabe löst, besteht darin, daß die beiden äußeren Zonen nebeneinander
an einer Oberflächenschicht des Halbleiterplättchens, die einen höheren spezifischen Widerstand als das
Halbleiterplättchen besitzt, und die mit der Steuerelektrode versehene innere Zone zwischen einer
der beiden äußeren Zonen und der Oberflächenschicht angeordnet sind.
Aus den ausgelegten Unterlagen des belgischen Patents 630 858 ist zwar eine ähnliche Halbleiteranordnung
bekannt. Diese ist aber eine Festkörperschaltung mit einem Transistor und einer Diode, die
nach dem Ersatzschaltbild über einen Widerstand mit einer Zone des Transistors verbunden ist und beispielsweise
in Planarbauweise nach der Zeitschrift »Scientia Electrica«, Bd. 9 (1963), Nr. 2, S. 67 bis 91, hergestellt
werden kann. Im Unterschied zu einer Halbleiteranordnung nach dem belgischen Patent besteht ein
Thyristor aus zwei Teiltransistoren, deren Kollektorzonen und Basiszonen zu den zwei inneren Zonen einer
Vierzonenfolge zusammengefaßt sind, so daß beim Anlegen einer Spannung, bei der der mittlere pn-übergang
sperrt, die beidgn äußeren Zonen als Emitter wirken und Minoritätsladungsträger in die Raumladungszone
des mittleren pn-Übergangs injizieren.
Ein Siliziumthyristor nach der Erfindung wird nun an Hand der Zeichnungen näher erläutert.
F i g. 1 stellt schematisch den Aufbau des bekannten Thyristors und seine bekannte Schaltung in einem
elektrischen Stromkreis dar;
F i g. 2 zeigt in schematjscher Form eine Abwand-, lung der Zonenanordhuhg nach F i g. 1;
F i g. 3 zeigt schematisch den Aufbau des Thyristors nach der Erfindung;
F i g. 4 stellt im Querschnitt einen Siliziumthyristor entsprechend dem Aufbau nach F i g. 3 dar, und
F i g. 5 zeigt den Querschnitt eines Siliziumthyristors, wie er in F i g. 4 dargestellt ist, jedoch mit
einer Weiterbildung zur Steuerbarkeit mit Hilfe des Feldeffekts;
Fig. 6 zeigt im Grundriß einen Siliziumthyristor des in F i g. 5 dargestellten Auf baus.
Die Funktionsweise eines als elektronischer Schalter benutzten Thyristors ist aus der Zeitschrift »Proc.
IRE«, Bd. 44 (1956), Nr, 9, S. 1174 bis 1182, bekannt. Die Bezeichnung »Thyristor« wird nun für Halbleiterbauelemente,
deren Wirkungsweise auf diesem Prinzip beruht, verwendet. .Gemäß F i g. 1 ist Ib = 0,
wenn Ie = Ic- An-den pn-übergang 2 ist eine Vorspannung
in Sperrichtung angelegt; der durch den pn-übergang 2 fließende Strom ist gegeben durch
wobei Ic0 der Reststrom des in Sperrichtung betriebenen
pn-Übergangs 2 ist. Oc1 ist der Basisschaltung-Stromverstärkungsfaktor
des npn-Teiltransistors mit den pn-Übergängen 1 und 2. k2 ist der Basisschaltung-
Stromverstärkungsfaktor des pnp-Teiltransistors mit den pn-Übergängen 2 und 3.
Die obige Gleichung kann wie folgt umgeformt werden:
Ic = Ico
0 1 — (Oc1 + oc2)
Es ist ersichtlich, daß der Thyristor aus dem im wesentüchen nichtleitenden Zustand in den leitenden
ίο Zustand umschaltet, wenn {k1 + k2) größer als 1 ist.
Der Wert von k1 kann wesentlich vergrößert werden, wenn Basisstrom Ib fließt. Da k1 durch den Basisstrom
Ib vergrößert werden kann, ist es nicht erforderlich, daß k2 groß ist.
Der Stromweg zwischen den pn-Übergängen 2 und 3 kann nun jedoch durch Vergrößern der Breite der dazwischenliegenden inneren n-Ieitenden Zone vergrößert werden. Die Impedanz der Zonenanordnung wird nicht wesentlich erhöht, wenn die Breite der ao inneren η-leitenden Zone dadurch vergrößert wird, daß eine η-leitende Zone mit niedrigem spezifischem Widerstand, die als n+-leitende Zone bezeichnet ist, wie es in F i g. 2 dargestellt ist, eingefügt wird. Diese n+-Zone wird durch die nn+-Übergänge 4 und 5 begrenzt.
Der Stromweg zwischen den pn-Übergängen 2 und 3 kann nun jedoch durch Vergrößern der Breite der dazwischenliegenden inneren n-Ieitenden Zone vergrößert werden. Die Impedanz der Zonenanordnung wird nicht wesentlich erhöht, wenn die Breite der ao inneren η-leitenden Zone dadurch vergrößert wird, daß eine η-leitende Zone mit niedrigem spezifischem Widerstand, die als n+-leitende Zone bezeichnet ist, wie es in F i g. 2 dargestellt ist, eingefügt wird. Diese n+-Zone wird durch die nn+-Übergänge 4 und 5 begrenzt.
Da es nicht erforderlich ist, die verschiedenen Zonen . in einer Reihe, wie in F i g. 2 gezeichnet, anzuordnen,
können sie so angeordnet werden, daß die zusätzlich eingefügte n+-Zone außerhalb statt innerhalb der
inneren η-leitenden Zone liegt. Eine solche Zonenanordnung ist in F i g. 3 dargestellt. Der nn+-Übergang
6 ersetzt also die beiden nn+Übergänge 4 und 5. ; Der durch den pn-übergang 2 fließende Strom tritt in
die innere η-leitende Zone 9 ein und hat dann zwei Wege, um den pn-übergang 3 zu erreichen. Der erste
Weg entspricht dem Stromzufluß der Zonenanordnung nach Fig. 2; der Strom fließt, wie durch den Pfeil7
bezeichnet, durch die innere η-leitende Zone 9 und durch die n+-leitende Zone 10, bevor er wieder in die
innere η-leitende Zone 9 eintritt und durch sie wiederum hindurchgeht, um den pn-übergang 3 zu erreichen.
Der zweite Weg, der'durch den Pfeil 8 bezeichnet ist, ist kürzer. Der Strom fließt vom pnübergang
2 zum pn-übergang 3 und bleibt dabei innerhalb der inneren η-leitenden Zone 9. Das Verhältnis
der Impedanzen der zwei verfügbaren Stromwege? und 8 hängt von dem Verhältnis der spezifischen
Widerstände der zwei Zonen 9 und 10 ab. F i g. 4 zeigt im' Querschnitt. die praktische Verwirklichung
des in Fig. 3 schematisch dargestellten Thyristorauf baus. Ein Siliziumplättchen 10 mit ^-Dotierung
hat eine η-leitende Oberflächenschicht 9, die auf einer Hauptfläche epitaktisch aufgewachsen ist.
Eine doppelt diffundierte npn-Transistoranordnung wird in der Oberflächenschicht 9 nach dem Planarverfahren
hergestellt: Die innere Zone 2 a und damit der Kollektor-Basis-pn-Übergang 2 wird dabei durch
Diffusion eines Akzeptorelementes, wie beispielsweise Bor, hergestellt, und anschließend die äußere Zone la
und damit der Emitter-Basis-pn-Übergang 1 durch Diffusion eines Donatorelementes, wie beispielsweise
Phosphor. Zusätzlich wird gleichzeitig mit der Herstellung des pn-Übergangs 2 eine weitere getrennte
p-leitende Zone 3 a hergestellt, die durch den pn-Übergang 3 begrenzt wird. Besonders geeignete spezifische
Widerstände sind für das Siliziumplättchen 10 mit n+-Dotierung 0,01 Ohmcm und für die n-leitende
epitaktische Oberflächenschicht 9 2 Ohmcm. Die Dicke
Claims (11)
1. Thyristor mit vier aufeinanderfolgenden Zonen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps in einem
Halbleiterplättchen mit Kontaktelektroden an den beiden äußeren und mit einer Steuerelektrode an
einer -der beiden inneren Zonen, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden äußeren Zonen (la, 3a) nebeneinander an einer Oberflächenschicht
(9) des Halbleiterplättchens (10), die einen höheren spezifischen Widerstand als das
Halbleiterplättchen (10) besitzt, und die mit der Steuerelektrode (12) versehene innere Zone (2 a)
zwischen einer der beiden äußeren Zonen (la, 3a) und der Oberflächenschicht (9) angeordnet sind.
2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der pn-Übergänge
(2, 3) zwischen der mit der Steuerelektrode (12) versehenen inneren Zone (2 a) und der ihr nicht
benachbarten äußeren Zone (3 a) etwa 100 μ beträgt.
3. Thyristor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht (9)
sich über die gesamte Oberflächenseite des Halbleiterplättchens (10) erstreckt.
4. Thyristor nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden äußeren
Zonen (la, 3a) und die mit der Steuerelektrode-^) versehene innere Zone in die Oberflächenschicht^)
eingesetzt sind.
5. Thyristor nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Steuerung des
Minoritätsladungsträgerstromes mit Hilfe des Feldeffektes eine weitere Zone (IIa) des zu dem der
Oberflächenschicht (9) entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps an der Oberflächenschicht (9) zwischen
der mit der Steuerelektrode (12) versehenen inneren Zone (2 a) und der an diese Zone (2 a) nicht angrenzenden
äußeren Zone (3 a) angeordnet ist.
6. Thyristor nach Anspruch 5, dadurch gekenn-
zeichnet, daß die zusätzliche Zone (IIa) mindestens eine der beiden benachbarten Zonen (2a, 3d)
vom gleichen Leitfähigkeitstyp umgibt.
7. Thyristor nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung eines
Halbleiterplättchens (10) aus Silizium die Oberfläche mindestens teilweise mit Hilfe von Siliziumdioxyd
geschützt ist.
8. Thyristor nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Befestigung des
Halbleiterplättchens (10) auf einer Unterlage die Köntaktelektroden (12 bis 15) so angebracht sind,
daß sie über die Oberfläche des 'Halbleiterplättchens (10) hinausragen.
9. Thyristor nach den Ansprüchen 1 bis 8, da-
durch gekennzeichnet, daß die Metallkontaktelektroden (12 bis 15) teilweise aus Lot bestehen.
10. Thyristor nach den Ansprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß in dem pn-übergang (1)
zwischen der mit der Steuerelektrode versehenen inneren Zone (2a) und der ihr benachbarten
äußeren Zone (la) ein punktförmiger Kurzschluß (16) erzeugt ist.
11. Verfahren zum Herstellen eines Thyristors nach den Ansprüchen 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet,
daß nach dem Piahärverfahren gleichzeitig mit der mit der Steuerelektrode (12) zu versehenen
inneren Zone (2a) die dieser Zone (2ä) nicht benachbarte äußere Zone (3 a) des Thyristors
diffundiert wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2323592A1 (de) * | 1972-06-09 | 1974-01-03 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiterbauelement |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3538401A (en) * | 1968-04-11 | 1970-11-03 | Westinghouse Electric Corp | Drift field thyristor |
GB1410726A (en) * | 1972-01-24 | 1975-10-22 | Licentia Gmbh | Thyristor with increased switching on an switching through speed |
CH543178A (de) * | 1972-03-27 | 1973-10-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Kontinuierlich steuerbares Leistungshalbleiterbauelement |
CA1145057A (en) * | 1979-12-28 | 1983-04-19 | Adrian R. Hartman | High voltage solid-state switch |
US20050121691A1 (en) * | 2003-12-05 | 2005-06-09 | Jean-Luc Morand | Active semiconductor component with a reduced surface area |
US7053404B2 (en) * | 2003-12-05 | 2006-05-30 | Stmicroelectronics S.A. | Active semiconductor component with an optimized surface area |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE630858A (de) * | 1962-04-10 | 1900-01-01 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2754431A (en) * | 1953-03-09 | 1956-07-10 | Rca Corp | Semiconductor devices |
FR1325810A (fr) * | 1962-03-22 | 1963-05-03 | Structures à semi-conducteurs à très faible gain inversé et procédé de fabrication | |
US3335340A (en) * | 1964-02-24 | 1967-08-08 | Ibm | Combined transistor and testing structures and fabrication thereof |
US3302041A (en) * | 1964-04-27 | 1967-01-31 | Melvin H Poston | Silicon control rectifier and field effect transistor pulse generator |
-
1964
- 1964-05-25 GB GB21566/64A patent/GB1039915A/en not_active Expired
-
1965
- 1965-04-28 US US451451A patent/US3411054A/en not_active Expired - Lifetime
- 1965-05-19 DE DE1965ST023844 patent/DE1299766C2/de not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE630858A (de) * | 1962-04-10 | 1900-01-01 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2323592A1 (de) * | 1972-06-09 | 1974-01-03 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiterbauelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1299766C2 (de) | 1976-03-11 |
GB1039915A (en) | 1966-08-24 |
US3411054A (en) | 1968-11-12 |
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