DE2344099C3 - Integrierte Halbleiteranordnung - Google Patents
Integrierte HalbleiteranordnungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiteranordnung, bei der die Energieversorgung
der Bauelemente durch Strahlungsanregung oder durch Ladungsträgerinjektion über in Durchlaßrichtung vorgespannte
pn-Übergänge erfolgt und bei der in einem Halbleiterkörper benachbart zu mindestens einer ersten
Zone eines ersten Leitungstyps in Abstand voneinander befindliche zweite Zonen eines zweiten Leitungstyps
und benachbart zu den zweiten Zonen dritte Zonen des ersten Leitungstyps vorgesehen sind.
Es ist bereits aus der Zeitschrift »I.E.E.E Journal or
Solid-State Circuits«, Vol. SC 7, Nr. 5, OkC 1972, S.
340—351, bekanntgeworden, daß mit Licht bestrahlte Halbleiterbauelemente, beispielsweise Dioden, so wirlu
ken, als ob ihnen eine Spannungsquelle parallelgeschaltet sei. Diese Spannung schaltet den pn-übergang der
Diode in Durchlaßrichtung. Dieser Effekt ergibt sich aus einer Erhöhung der Minoritätsträgerkonzentration in
der Nachbarschaft des pn-Übergangs aufgrund von durch Lichtabsorption erzeugten Loch-Elektronenpaaren.
Wird ein Transistor mit Licht bestrahlt, so ergeben sich zwei derartige Spannungsquellen; wird der
Transistor invers betrieben, so ist die Wirkung die, daß der Basis-Emitter-pn-Übergang in Durchlaßrichtung
betrieben wird. Bei außen nicht angeschlossener Basis zieht der Kollektor dann einen Strom, welcher gleich
dem Produkt aus Basisstrom und Stromverstärkung ist.
Die gleichen Effekte werden erzielt, wenn zusätzlich 2r, pn-Übergänge vorgesehen werden, weiche die notwendigen
Ladungsträger wie im Falle der Lichtbestrahlung liefern.
Auf diese Weise können integrierte Schaltungen gebildet werden, welche ohne äußere Strom- bzw.
)o Spannungsversorgung auskommen. Integrierte Schaltungen der eingangs genannten ArI. sind ebenfalls in der
obengenannten Veröffentlichung beschrieben.
Es ist aus der genannten Zeitschrift auch bereits bekannt, neben den konventionell üblichen Isolations-ιΓ>
tcchniken für die einzelnen Bauelemente durch wannenförmige
Isolationswände in Form von pn-Übergängen auch eine Selbstisolation ohne solche Isolationswände
vorzusehen.
Bei diesen vorbekannten integrierten Schaltungen ■»>
sind jedoch Transistoren noch in konventioneller Planartechnik ausgebildet, wobei auch die elektrischen
Verbindungen — wie bisher in der integrierten Technik üblich — durch Leiterbahnen gebildet werden. Insbesondere
besitzen die Transistoren noch mindestens drei 4■>
im Halbleiterkörper liegende Zonen abwechselnd unterschiedlichen Leitungstyps.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen noch einfacheren Aufbau für Bauelemente
in einer solchen integrierten Schaltung anzugew ben, um die Packungsdichte der Bauelemente zu
erhöhen, die Herstcllungsprozcsse, beispielsweise Diffusionsprozesse zu vereinfachen und die Ausbeule zu
verbessern.
Diese Aufgabe wird bei einer integrierten Halblciterr>r>
anordnung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die /weiten Zonen durch
hochohmige Bereiche des Halbleitcrkörpers voneinander getrennt sind, und daß die dritten Zonen
voneinander getrennte zweite Zonen derart mitcinanwi
der verbinden, daß an mindestens einer Verbindungsstelle einer zweiten und einer dritten Zone ein
sperrender Kontakt vorhanden ist.
Ausgestaltungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand von Unteransprüchen.
'·'> Die Erfindung wird im folgenden anhand von
Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. I eine Ausfuhrungsform im Schnitt;
Fig.2 eine Aiisführungsform mit streifenförmig
ausgebildeten Zonen;
F i g. 3 eine dreidimensionale Ausführungsform;
F i g,4 eine weitere Ausführungsform mit streifenförmig ausgebildeten Zonen und
Fig.5 eine Ausführungsform mit einem Ladungsträgerinjizierenden
pn-übergang.
Gemäß Fig. 1 ist in einem Halbleiterkörper 1 eine erste hochdotierte Zone 2 vorgesehen, welche beispielsweise
n-leiterd sein kann. Diese Zone 2 ist ganzFlächig mit einer metallischen Belegung 3 versehen. Über der
hochdotierten Zone 2 befindet sich eine hochohmige Zone 4, welche praktisch eigenleitend ist. In diese Zone
4 sind zwei Zonen 5 und 6 eindiffundiert, welche gegenüber der Zone 2 von anderem Leitiingstyp, also
beispielsweise p-leitend sind.
Weiterhin sind auf der Seite der Zonen 5 und 6 oberflächennahe Zonen 7,8 und 9 vom Leitungstyp der
Zone 2 eindiffundiert, weiche die Zonen 5 und 6 in der dargestellten Weise überlappen. An den Verbindungsstellen
10,11 der Zone 7 mit der Zone 5 bzw. der Zone 8 mit der Zone 6 ist die Dotierung mit den Zonen 7 und 8
so groß, daß sich praktisch ein ohmscher Koniakt zu den darunterliegenden Zonen 5 und 6 ergibt.
Die gesamte Anordnung nach Fig. 1 wird nun mit optischer Strahlung bestrahlt, so daß die eingangs
erläuterte Ladungsträgerpaar-Erzeugung eintritt.
Die Anordnung nach F i g. 1 ist eine integrierte Halbleiteranordnung mit zwei Transistoren, deren
Emitter durch die Zone 2. deren Basen durch die Zonen
5 und 6 und deren Kollektoren durch die Zonen 8 und 9 gebildet werden. Weiterhin ist durch die sperrschichtfreie
Kontaktierung an den Stellen 10 und 11 gleichzeitig eine Verbindung vom Kollektor eines
Transistors zur Basis des anderen Transistors gegeben.
Aufgrund der Hochohmigkeit der Zone 4 übernimmt diese Zone die Isolation zwischen den Bauelementen, so
daß Isolationsdiffusionen oder Oxidisolationen nicht erforderlich sind, weil die zu isolierenden Spannungen
maximal 0,6 V betragen und weil ein beträchtlicher Teil dieser Spannung durch vorhandene Potentialbarrieren
aufgefangen wird.
Wie sich aus der Darstellung nach F i g. 1 ergibt, sind gemäß einer besonderen Ausführungsform der Erfindung
die Teile der Zonen 7, 8 und 9, welche mit den J darunterliegenden Zonen 5 und β einen sperrenden
Kontakt in Form eines pn-Übergangx bilden, gegenüber den Teilen 10 und 11. welche ohmsche Kontakte bilden,
groß ausgebildet.
Gemäß einer besonderen Ausgestaltung der Erfin- '■■
dung können die zweiten und dritten Zonen 5,6 bzw. 7,
8,9 streifenförmig ausgebildet sein und etwa orthogonal zueinander verlaufen.
Eine derartige Ausführung ist in F i g. 2 dargestellt, in der gleiche Elemente wie in Fig. 1 mit gleichen ι
Bezugszeichen versehen sind. Daraus ergibt sich der Vorteil eines besonders geringen Platzbedarfs sowie
eine unkritische Isolierung, weil nur Kreuzungen vorhanden sind.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfin- *>
dung ist vorgesehen, daß die sich durch die Folge der ersten, zweiten und dritten Zonen ergebenden Funktionselemente
im Halbleiterkörper in drei Koordinatenrichtungen wiederholt vorhanden sind, wobei insbesondere
die dritten Zonen im Halbleiterkörper in den drei · Koordinatenrichtungen verlaufen. Eine derartige Ausführungsform
ist in Fig.3 dargestellt, in der gleiche Elemente wie in Fig. 1 mit gleichen Bezugszeichen
versehen sind.
Anordnungen von Funktionselementen in drei Koordinatenrichtungen sind an sich aus der US PS 33 23 198
bekannt,
Wie aus F i g, 3 zu ersehen ist, wird im unteren Teil dieser Anordnung eine der Anordnung nach Fig. 1
entsprechende Anordnung gebildet, so daß sich wiederum zwei miteinander verschaltete Transistoren
ergeben. Auf dieser Anordnung befindet sich eine iü zweite entsprechende Anordnung, wobei die entsprechenden
Elemente mit apostrophierten gleichen Bezugszeichen versehen sind. Im Unterschied zu der im
unteren Teil der F i g. 3 ausgebildeten Anordnung ist die hochdotierte Zone 2' jedoch durch einen Bereich der
hochohmigen Zone 4' unterbrochen, durch den zur Verbindung der Zonen 6 und 6' (Verbindung zweier
Basiszonen) ein hochdotierter Bereich 30 verläuft, dessen Dotierung so hoch ist, daß er praktisch einen
Leiter darstellt.
Bei diesen dreidimensionalen Halbleiterstrukturen wird der Vorteil der anhand der Fig. 1 bis 3
beschriebenen Strukturen besonders deutlich. Bekannte Strukturen, bei denen die Transistoren in einer
Isolationswanne angeordnet sind, können aus topologisehen Gründen in dreidimensionaler Ausführung überhaupt
nicht realisiert werden.
Der Vorteil von dreidimensionalen Strukturen ist, daß mit ihnen die Packungsdichte gegenüber zweidimensionalen
Strukturen um mehrere Zehnerpotenzen vergrö- !<> Bert werden kann und daß komplizierte Verknüpfungen
ohne Leitungskreuzungen und mit verhältnismäßig kurzen Leitungen realisierbar sind.
In den Anordnungen nach Fig. 1,2 und 3 sind an den
Stellen 10 und 11 ohmsche Kontakte vorgesehen. Die r. Herstellung dieser ohmschen Kontakte erfordert
zusätzliche Herstellungsprozesse. In Weiterbildung der Erfindung können diese ohmschen Kontakte eingespart
werden. Hierzu werden solche Materialien für die Zonen verwendet, daß die Flußspannung — bei
ίο gleichem Flußstrom — zwischen der Kollektor-Basis-Diode
kleiner als die Flußspannung der Basis-Emitter-D.ode ist. Es besteht kein grundsätzlicher Unterschied
zwischen dem Kollektor- und dem Basiskontakt. Damit trotzdem die Signalflußrichtung in der Schaltung
> eindeutig festgelegt ist, werden die Flächen gemäß F i g. 4 verschieden groß gemacht. Eine große Fläche
von Schichten 22, 23 über der Basis 5, 6 wirkt als Kollektor. Zwar wirkt auch eine kleine Fläche als
Kollektor. Wird aber die Fläche so klein gemacht, daß ο die Stromverstärkung dieses Teiltransistors kleiner als
Eins ist, so kann er den mit ihm verbundenen Transistor nicht durchschalten. Bezogen auf die Fig. 1 heißt das,
daß auch ohne die ohnschen Kontakte an den Stellen 10, 11 der linke Transistor den rechten durchschalten
■'· kann, daß aber der rechte Transistor nicht den linken Transistor durchschalten kann, wenn nur die Überlappungsfläche
der Zonen 8 und 6 genügend klein ist. Eine derartige Ausgestaltung für die Anordnung nach F i g. 1
ist in F i g. 4 dargestellt, in der gleiche Elemente wie in ι« F i g. 1 mit gleichen Bezugszeichen versehen sind. Die in
den Ausführungsbeispielen nach den F i g, 1 bis 4
dargestellten Strukturen sind natürlich nicht auf die einfachen gezeigten Verknüpfungen beschränkt. Vielmehr
können wesentlich kompliziertere Strukturen mit ■ einer Vielzahl von Transistoren realisiert werden, wobei
insbesondere auch die Transistoren jeweils mehrere Eingänge und Ausgänge besitzen können.
Eine Ausführungsform, bei der die Ladungsträger
nicht durch Lichtbestrahlung sondern durch einen Zone 2 zwei Zonen 61 und 62 vorgesehen, von denen die
injizierenden pn-Übergang geliefert werden, ist in Zone 61 im Beispiel ρ+ -dotiert und die Zone 62
Fig. 5 dargestellt, welche einen in der Zeichenebene η+ -dotiert ist. Der zwischen diesen Zonen gebildete
rechts von einer Schnittlinie 12-12 in Fig. 1 liegenden pn-Übergang liefert bei Vorspannung in Flußrichtung
Teil dieser Anordnung zeigt. Im Gegensatz zur ο die Minoritätsladungsträger, die in den Transistorbe-
Anordnung nach Fig. I sind statt der hochdotierten reich diffundieren.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (10)
1. Integrierte Halbleiteranordnung, bei der die Energieversorgung der Bauelemente durch Strahlungsanregung
oder durch Ladungsträgerinjektion über in Durchlaßrichtung vorgespannte pn-Übergänge
erfolgt und bei der in einem Halbleiterkörper benachbart zu mindestens einer ersten Zone eines
ersien Leitungstyps in Abstand voneinander befindliche zweite Zonen eines zweiten Leitungstyps und
benachbart zu den zweiten Zonen dritte Zonen des ersten Leitungstyps vorgesehen sind, dadurch
gekennzeichnet, daß die zweiten Zonen (5,6)
durch hochohmige Bereiche (4) des Halbleiterkörpers (1) voneinander getrennt sind, und daß die
dritten Zonen (7,8,9) voneinander getrennte zweite Zonen derart miteinander verbinden, daß an
mindestens einer Verbindungsstelle einer zweiten und einer dritten Zone (beispielsweise 6 und 9) ein
sperrender Kontakt vorhanden ist.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an mindestens einer Verbindungsstelle
einer zweiten und einer dritten Zone (beispielsweise 11) ein ohmscher Kontakt vorhanden
ist.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch !,dadurch
gekennzeichnet, daß eine dritte Zone (beispielsweise 8) an den Verbindungsstellen mit zweiten Zonen (5,
6) nur sperrende Kontakte bildet.
4. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis j, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kontaktbereiche mindestens einer dritten Zone (beispielsweise 8) mit mindestens zwei zweiten
Zonen (6,7) unterschiedlich grof sind.
5. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste
Zone (2) hochdotiert ist.
6. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten
und dritten Zonen (5, 6; 7, 8, 9) streifenförmig ausgebildet sind.
7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die streifenförmigen zweiten
und dritten Zonen (5, 6; 7, 8, 9) etwa orthogonal zueinander verlaufen.
8. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche I bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die sich
durch die Folge der ersten, zweiten und dritten Zonen (2; 5,6; 7,8,9) ergebenden Funktionselcmente
im Halbleiterkörper (1) in drei Koordinatenrichtungen wiederholt vorgesehen sind.
9. Halbleiteranordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die dritten Zonen (7, 8, 9) im
Halbleiterkörper(l)indendrei Koordinatenrichtungen verlaufen.
10. Halbleiteranordnung nach Anspruch I bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein injizierender
pn-Übergang großflächig auf einer Seite des Halbleiterkörpers (1) vorgesehen ist.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2641551A1 (de) * | 1976-09-15 | 1978-03-16 | Siemens Ag | Integrierter gegengekoppelter verstaerker |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2435371A1 (de) * | 1974-07-23 | 1976-02-05 | Siemens Ag | Integrierte halbleiteranordnung |
DE2641546A1 (de) * | 1974-07-23 | 1978-03-16 | Siemens Ag | Integrierte halbleiteranordnung |
FR2586327B1 (fr) * | 1985-08-14 | 1987-11-20 | Thomson Csf | Procede de fabrication d'un detecteur d'image lumineuse et detecteur lineaire d'images obtenu par ce procede |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3323198A (en) | 1965-01-27 | 1967-06-06 | Texas Instruments Inc | Electrical interconnections |
-
1973
- 1973-08-31 DE DE19732344099 patent/DE2344099C3/de not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3323198A (en) | 1965-01-27 | 1967-06-06 | Texas Instruments Inc | Electrical interconnections |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
Electronics Bd. 42, H. 15, 21. Juli 1969, S. 74-80 |
Electronics Bd. 45, H. 4, 14. Febr. 1972, S. 83-86 |
IBM Techn. Discl. Bull. Bd. 14, Nr. 4, Sept. 1971, S. 1104 |
IEEE Journal of Solid State Circuits, Bd. SC-7, Nr. 5, Okt. 1972, S. 340-351 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2641551A1 (de) * | 1976-09-15 | 1978-03-16 | Siemens Ag | Integrierter gegengekoppelter verstaerker |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2344099B2 (de) | 1978-04-27 |
DE2344099A1 (de) | 1975-03-27 |
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