DE4405815A1 - Halbleitervorrichtung mit einer Anodenschicht, die durch selektive Diffusion ausgebildete Bereiche geringerer Konzentration aufweist - Google Patents
Halbleitervorrichtung mit einer Anodenschicht, die durch selektive Diffusion ausgebildete Bereiche geringerer Konzentration aufweistInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halb
leitervorrichtung mit einer Anodenschicht, die Bereiche ge
ringer Dichte bzw. Konzentration aufweist, die durch selek
tive Diffusion gebildet werden. Die Erfindung bezieht sich
insbesondere auf eine Halbleitervorrichtung, die in der La
ge ist, akkumulierte Ladungsträger über einen Anodenan
schluß unter Verwendung von Bereichen geringer Konzentra
tion abzuziehen, wobei die Bereiche durch Diffusion von
Verunreinigungen gebildet werden, indem teilweise während
der Ausbildung einer Anode ein Kontakt gebildet wird. Diese
Halbleitervorrichtung zeichnet sich durch geringen Verlust
und die Fähigkeit schneller Umkehr-Erholung aus.
Die Fig. 4(A), 4(B), 4(C) und 4(D) sind Quer
schnittsansichten jeweiliger Diffusionsbereiche herkömmli
cher Halbleitervorrichtungen. In Fig. 4(A) ist dabei die
vertikale Struktur einer allgemeinen PN-Diode gezeigt. Die
Fig. 4(B), 4(C) und 4(D) sind Querschnittsansichten, die
eine bekannte PN-Diodenstruktur zeigen, die zur Verkürzung
der Umkehr-Erholungszeit ("recovery time") verwendet wird.
In einer Vorwärtsvorspannungs-Diode werden Ladungen ge
wöhnlich durch Überschuß-Minoritätsträger angesammelt bzw.
akkumuliert und die akkumulierten Ladungen werden propor
tional zu einem Vorwärtsrichtungs-Strom mit fester An
stiegszeit (-di/dt) in Übereinstimmung mit einer externen
Schaltung von der Vorwärtsrichtung zur Umkehr- bzw. Rück
wärtsrichtung umgeschaltet. Eine eine hohe Durchbruchspan
nung aufweisende Diode benötigt zu diesem Zeitpunkt einen
hohen Vorrichtungswiderstand bzw. inneren Widerstand, wo
durch die Umkehr-Erholungszeit (Rekombinationszeit) lang
wird. Der jeweilige Verlust nimmt daher rasch zu, wenn die
Schaltfrequenz der Diode hoch wird.
Je höher die Betriebsfrequenz ist, desto mehr nimmt der
Verlust solcher Vorrichtungen zu und es wird zusätzlich ei
ne Schaltung zur Verringerung des Verlustes benötigt. Zu
diesem Zweck wurde bereits eine Diode mit einer Schottky-
Barriere verwendet, die die Fähigkeit schneller Erholung
aufweist, jedoch an den Nachteilen eines hohen Leckstroms
und einer geringen Durchbruchspannung leidet. Um diesen
Nachteil auszuschalten, wird auf der in Fig. 4(A) gezeigten
allgemeinen Diodenstruktur eine Struktur vorgesehen, die
einen Lebensdauer-Vernichter dotiert, um die Umkehr-Erho
lungszeit zu verkürzen.
Gemäß Fig. 4(A) weist eine diesbezüglich verbesserte
Halbleitervorrichtung gewöhnlich eine Anodenelektrode 1 und
eine Kathodenelektrode 2 auf, die auf der oberen bzw. unte
ren Seite der Vorrichtung ausgebildet sind. Ein eine hohe
Konzentration aufweisendes Substrat 3 des N⁺-Typs ist auf
der Kathodenelektrode 2 ausgebildet, wobei auf dem N⁺-Typ-
Substrat 3 hoher Konzentration ein N⁻-Typ-Substrat 4 gerin
ger Konzentration aufgebracht ist. Auf beiden Seiten der
Anodenelektrode 1 sind isolierende Maskierungsschichten 5
ausgebildet, die teilweise zueinander geschichtet sind. Ei
ne P⁺-Typ-Anodenschicht 6 hoher Konzentration ist auf einem
unteren Diffusionsbereich der Anodenelektrode ausgebildet
und die Maskierungsschichten 5 sind darauf ausgebildet.
Jedoch wird auch in diesem Fall der Systemwirkungsgrad
aufgrund eines hohen Spannungsabfalls und eines hohen Leck
stroms bei hoher Temperatur herabgesetzt.
Bei der in Fig. 4(B) gezeigten, die Fähigkeit einer
schnellen Umkehr-Erholung aufweisenden Struktur werden
durch selektive Bor-Diffusion tiefe P⁺-Übergänge ausgebil
det und durch Bor-Ionenimplantation flache P⁻-Schichten ge
formt. Auf diese Weise werden eine schnelle Umkehr-Erho
lungszeit und ein geringer Spannungsabfall erreicht. Bei
der in Fig. 4(C) gezeigten Halbleitervorrichtung wird demge
genüber in einem Diffusionsbereich ein universeller Kontakt
mit P⁺- und N⁺-Bereichen verschachtelt ausgebildet.
Schließlich stellt auch die in Fig. 4(D) gezeigte Struktur,
bei der im voraus P⁺-Bereiche selektiv diffundiert werden
und anschließend ein Schottkybarrieren-Kontakt ausgebildet
wird, eine bekannte Technik zum Erzielen einer schnellen
Umkehr-Erholungsfähigkeit dar.
Die vorstehend erläuterten Figuren zeigen demgemäß die
Anodenelektrode 1, die Kathodenelektrode 2, das N⁺-Typ-
Substrat 3 hoher Konzentration, das N⁻-Typ-Substrat 4 nied
riger Konzentration, die isolierende Maskierungsschicht 5,
die P⁺-Typ-Anodenschicht 6 hoher Konzentration, die P⁻-Typ-
Anodenschicht 7 niedriger Konzentration, die N⁺-Typ-Anoden
schicht 8 hoher Konzentration und den Schottkybarrieren-
Kontakt 9.
Bei den in den Fig. 4(B), 4(C) und 4(D) gezeigten
Strukturen wird zunächst der P⁺-Übergang ausgebildet, wor
auf der Diffusionsbereich, wie beispielsweise P⁺P, P⁺N⁺,
und der P⁺-Schottkykontakt ausgebildet werden, wobei eine
weitere Schicht darübergeschichtet wird. Diese bekannten
Strukturen haben daher den Nachteil, daß ihre Herstellung
komplex und schwierig ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halblei
tervorrichtung zu schaffen, die leicht herzustellen ist, so
daß der Herstellungspreis entsprechend verringert wird, und
deren System-Wirkungsgrad erhöht ist. Darüberhinaus soll
ermöglicht werden, Diffusionsbereiche in einen Vielfachkon
takt zu diffundieren, der aus verschachtelten Teilen hoher
und geringer Konzentration besteht, und daraufhin eine An
ode in einer einzigen Schicht auszubilden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im Anspruch
1 angegebenen Maßnahmen gelöst.
Die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung zeichnet
sich demgemäß durch folgende Merkmale aus: ein Silizium
substrat hoher Konzentration und ein Siliziumsubstrat nied
riger Konzentration eines ersten Leitungstyps, die in der
genannten Reihenfolge ausgebildet sind; eine Mulde geringer
Konzentration, die durch Diffusion einer den entgegenge
setzten Leitungstyp des ersten Leitungstyps aufweisenden
Verunreinigung in den oberen Teil des die geringe Konzen
tration aufweisenden Siliziumsubstrats ausgebildet ist; ei
ne eine hohe Konzentration aufweisende Mulde, die aus dem
gleichen Leitungstyp und an der gleichen Stelle wie die die
niedrige Konzentration aufweisende Mulde durch selektive
Diffusion auf einem oberen Teil der die niedrige Konzentra
tion aufweisenden Mulde ausgebildet ist; eine auf den obe
ren Teilen der die niedrige Konzentration aufweisenden
Mulde und der die hohe Konzentration aufweisenden Mulde
ausgebildeten Anodenelektrode; und eine Kathodenelektrode,
die auf einem unteren Teil des die hohe Konzentration auf
weisenden Substrats ausgebildet ist.
Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der Erfindung wird
eine bipolare Halbleitervorrichtung mit einem isolierten
Gate geschaffen, die mindestens einen Transistor und eine
lateral bzw. seitlich in einem Körper ausgebildete Diode
aufweist, wobei der Transistor aus einem Emitter-, einem
Basis- und einem Kollektorbereich in vertikaler Struktur
gebildet ist und wobei die Diode eine aus einer Kollektore
lektrode des Transistors gebildete Kathodenelektrode um
faßt; ein eine hohe Konzentration aufweisendes Substrat und
ein eine niedrige Konzentration aufweisendes Substrat sind
aus dem Kollektor des Transistors auf dem oberen Teil der
Kathodenelektrode aufeinanderfolgend ausgebildet; eine
niedrige Konzentration und eine hohe Konzentration aufwei
sende Mulden sind aus Verunreinigungen des entgegengesetz
ten Leitungstyps mit niedriger Konzentration und hoher Kon
zentration am Kollektorbereich in einer einzigen Schicht
ausgebildet; und die Anodenelektrode ist aus einer gemein
samen, mit der Basis des Transistors und der Kathode der
Diode in Verbindung stehenden Elektrode auf der Mulde aus
gebildet.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Beschreibung
von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeich
nung näher erläutert.
Die Fig. 1(A), 1(B), und 1(C) zeigen anhand von
Querschnittsansichten eine Ausführungsform der erfin
dungsgemäßen Halbleitervorrichtung, wobei
Fig. 1(A) eine Ansicht der Vertikalstruktur zur Er
läuterung der Diffusion durch einen Mehrfachkontakt
ist,
Fig. 1(B) eine Ansicht der Vertikalstruktur zeigt,
bei der Maskierungsschichten entfernt sind und Elektro
den mittels eines Diffusionsverfahrens ausgebildet wur
den, und wobei
Fig. 1(C) anhand einer Querschnittsansicht die se
lektive Diffusion von Bereichen hoher Konzentration auf
einer Kathodenschicht und die anschließende selektive
Diffusion einer Anode darstellt;
Die Fig. 2(A) und 2(C) sind Ersatzschaltbilder
weiterer Ausführungsformen der Erfindung, wobei
Fig. 2(A) ein Ersatzschaltbild eines Transistors und
einer Klemmdiode ist,
Fig. 2(B) die vertikale Struktur einer Halbleiter
vorrichtung mit einer Diode und einem gewöhnlichen
Transistor zeigt, und wobei
Fig. 2(C) ein Ersatzschaltbild einer Halbleitervor
richtung zeigt, die zum Herbeiführen eines Freilaufs
mit einem ein isoliertes Gate aufweisenden Bipolartran
sistor parallelgeschaltet ist;
Fig. 3 zeigt einen Signalverlauf zum Vergleichen und
zum Messen der Umkehr-Erholungszeit von herkömmlichen
und erfindungsgemäßen Dioden; und
Fig. 4(A), 4(B), 4(C) und 4(D) zeigen anhand von
Querschnittsansichten herkömmliche Halbleitervorrich
tungen, wobei
Fig. 4(A) die Vertikalstruktur einer gewöhnlichen
PN-Diode zeigt, und wobei
Fig. 4(B), 4(C) und 4(D) anhand von Querschnitt
sansichten herkömmliche PN-Diodenstrukturen zeigen, die
zur Verkürzung der Umkehr-Erholungszeit verwendet wer
den.
Die in Fig. 1(B) gezeigte Ausführungsform der erfin
dungsgemäßen Halbleitervorrichtung weist eine Anodenelek
trode 1 und eine Kathodenelektrode 2 auf, die auf einem
oberen bzw. unteren Teil eines Siliziumsubstrats 4 mit ge
ringer Dichte bzw. Konzentration ausgebildet sind. Auf ei
nem Teil bzw. Ende des Siliziumsubstrats 4 ist ein eine ho
he Konzentration aufweisendes Substrat 3 ausgebildet, wäh
rend auf dem anderen Teil bzw. Ende des Siliziumsubstrats
ein eine hohe Konzentration aufweisender Muldenbereich 6
(Potentialtopf, "well") und ein eine niedrige Konzentration
aufweisender Muldenbereich 10 ausgebildet sind, und zwar
durch selektive Diffusion von Verunreinigungen des entge
gengesetzten Leitungstyps. Als Ganzes liegt eine Schicht
vor, die aus Bereichen hoher Konzentration und niedriger
Konzentration komplex zusammengesetzt ist.
Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der Erfindung wird
eine Bipolar-Halbleitervorrichtung geschaffen, von der in
Fig. 2(B) eine Ausführungsform gezeigt ist und die minde
stens einen Transistor und eine lateral bzw. seitlich in
einem Körper ausgebildete Diode aufweist. Der Transistor
ist aus einem Emitter 14, einer Basis 13 und einem Kollek
torbereich in vertikaler Struktur bzw. Anordnung gebildet,
während die Diode eine Kathodenelektrode 20 umfaßt, die aus
einer Kollektorelektrode des Transistors gebildet ist; ein
eine hohe Konzentration aufweisendes Substrat 18 und ein
eine niedrige Konzentration aufweisendes Substrat 19 sind
aus dem Kollektor des Transistors auf einem oberen Teil der
Kathodenelektrode 20 aufeinanderfolgend bzw. übereinander
ausgebildet; eine Mulde 10 niedriger Konzentration und eine
Mulde 6 hoher Konzentration sind im Kollektorbereich in ei
ner einzigen Schicht aus Verunreinigungen des entgegenge
setzten Leitungstyps, die eine niedrige bzw. hohe Konzen
tration aufweisen, ausgebildet; und eine Anodenelektrode 17
ist aus einer gemeinsamen Elektrode auf der Mulde ausgebil
det und steht in Verbindung mit der Basis des Transistors
und der Kathode der Diode.
Die die niedrige Konzentration aufweisende Mulde 10 und
die die hohe Konzentration aufweisende Mulde 6 bestehen aus
mindestens zwei Mehrfach-Mulden und Diffusions-Verunreini
gungen. Gemäß Fig. 1(C) wird das die hohe Konzentration auf
weisende Substrat 11 auf bzw. in dem die niedrige Konzen
tration aufweisenden Siliziumsubstrat 12 durch selektive
Diffusion einer eine hohe Konzentration aufweisenden Verun
reinigung des gleichen Typs separat ausgebildet und besteht
aus einer großen Anzahl von gegenseitig getrennten Struk
turelementen.
Zu diesem Zeitpunkt bestehen die die niedrige Konzen
tration aufweisende Mulde 10 und die die hohe Konzentration
aufweisende Mulde 6 aus Halbleitermaterial des P⁻-Typs bzw.
des P⁺-Typs. Das die hohe Konzentration aufweisende Silizi
umsubstrat 3 und das die niedrige Konzentration aufweisende
Siliziumsubstrat 4, die den ersten Leitungstyp aufweisen,
bestehen aus Halbleitermaterial des N⁺-Typs bzw. des N⁻-
Typs.
In einer in Vorwärtsrichtung vorgespannten Diode wird
die Ladung allgemein durch Überschuß-Minoritätsträger
(Elektronen) akkumuliert und die akkumulierte Ladung wird
in Übereinstimmung mit einer externen Schaltung auf eine
feste Steigung bzw. Anstiegszeit (-di/dt) geschaltet. Zu
diesem Zeitpunkt muß die akkumulierte Ladung schnell abge
führt werden, damit die die hohe Konzentration aufweisende
Schicht 6 und die die niedrige Konzentration aufweisende
Schicht 10 jeweilige Pfade für die Löcher-Beweglichkeit
bzw. die Elektronen-Beweglichkeit sein können, wenn die An
ode durch Bor diffundiert wird.
Das heißt, wenn eine Anodenschicht wie im Stand der
Technik eine einzelne Schicht ist, ist die Bewegung der
Elektronen nicht glatt bzw. gleichförmig, wodurch die Um
kehr-Erholungszeit lang wird. Wenn die Anode hingegen ge
bildet wird, nachdem die Mulde durch Zusammensetzung aus
den die hohe Konzentration und den die niedrige Konzentra
tion aufweisenden Bereichen, die durch Mehrfachkontakt in
der einzigen Schicht diffundiert werden, gebildet worden
ist, wird die Umkehr-Erholungszeit kurz und das Schaltver
mögen kann verbessert werden.
Falls der erfindungsgemäße Halbleiter für eine diskrete
Vorrichtung verwendet wird, wie dies in den Fig. 2(A)
und 2(B) gezeigt ist, wird der Einzelchip aus dem Transi
stor und der Klemmdiode zusammengesetzt. Der Spannungsab
fall der Diode ist geringer als der des Basis/Kollektor-
Übergangs des Transistors und die Umkehr-Erholungszeit wird
verringert. Dadurch können die Sättigung und die Schaltzeit
ebenfalls verringert werden.
Gemäß der Darstellung im Ersatzschaltbild der Fig. 2(C)
ist die erfindungsgemäße Diode zwischen den Emitter und den
Kollektor des Bipolartransistors mit isoliertem Gate ge
schaltet und kann zum Freilauf verwendet werden.
In dem vorstehend erwähnten Ersatzschaltbild ist die
erfindungsgemäße Ersatzschaltbild-Diode mit 21 bezeichnet,
ein Kollektoranschluß des Ersatzschaltbild-Transistors mit 22,
ein Emitteranschluß mit 23, ein Basisanschluß mit 24,
ein Gateanschluß des Bipolartransistors mit isoliertem Gate
mit 25, ein Kollektoranschluß der IGBT-Ersatzschaltung
("Bipolartransistor mit isoliertem Gate") mit 26, ein Emit
teranschluß der IGBT-Ersatzschaltung mit 27 und ein in
Reihe zwischen den Emitter und den Kollektor der IGBT-Er
satzschaltung geschalteter Anschluß mit 28. In Fig. 3 sind
mit den Bezugszeichen 29 und 30 jeweilige Kurvenformen beim
Messen der Umkehr-Erholungszeit von herkömmlichen Dioden
bzw. von erfindungsgemäßen Dioden bezeichnet.
Gemäß den vorstehend erläuterten Ausführungsbeispielen
der Erfindung werden durch Diffusion mindestens zwei Mehr
fachkontakte ausgebildet und es wird durch Diffusion eine
zusammengesetzte Einzelschicht gebildet, die aus dem Be
reich hoher Konzentration und dem Bereich niedriger Konzen
tration besteht, um die Probleme der Herstellungsschwierig
keit zu lösen, wenn tiefe P⁺-Übergänge und flache P⁻-Über
gänge zusammengesetzt werden, und um die bei Verwendung ei
nes Schottkykontakts auftretenden Probleme eines hohen
Rückwärtsstroms und geringer Spannungsfestigkeit zu lösen.
Falls ein einzelner Chip aus einem Transistor und einer Di
ode zusammengesetzt wird, wird der Transistor im Stand der
Technik beeinflußt, wenn ein Lebensdauer-Vernichter dotiert
wird, um eine schnelle Umkehr-Erholungsfähigkeit der Diode
zu erreichen. Demgegenüber kann die erfindungsgemäße Diode
eine schnelle Umkehr-Erholungsfähigkeit ohne Verschlechte
rung des Transistors aufweisen, und zwar aufgrund der
gleichzeitigen Ausbildung der Basis des Transistors und der
Diode.
Vorstehend wurde eine Halbleitervorrichtung offenbart,
mittels der ein PN-Übergang ausgebildet werden kann, indem
Verunreinigungen unterschiedlichen Typs selektiv durch eine
eine geringe Konzentration aufweisende Schicht hindurch,
die teilweise aus einem Kontakt auf einem aus Schichten ho
her und niedriger Konzentration des gleichen Typs zusammen
gesetzten Substrat ausgebildet ist, selektiv diffundiert
werden. Die Halbleitervorrichtung kann eine Mulde in einer
Einzelschicht bilden, die aufgrund selektiver Diffusion ei
ner Verunreinigung des gleichen Typs unter Ausnutzung der
Eigenschaft, daß Verunreinigungen seitlich genauso weit
diffundiert werden wie in vertikaler Tiefe, im Ganzen aus
Verunreinigungen niedriger und hoher Konzentration zusam
mengesetzt ist. Diese Halbleitervorrichtung zeichnet sich
durch einen geringen Verlust und eine schnelle Umkehr-Erho
lungsfähigkeit aus, da akkumulierte Träger über einen An
odenanschluß unter Verwendung der die geringe Konzentration
aufweisenden Schicht entfernt werden können. Falls der
Halbleiter für eine diskrete Vorrichtung verwendet wird,
wird in einer Einzelschicht durch Diffusion eine Anode aus
gebildet. Der Herstellungsvorgang ist daher einfach. Falls
ein einzelner Chip aus einem Transistor und einer Diode be
steht, ist mit der erfindungsgemäßen Diode eine schnelle
Umkehr-Erholungsfähigkeit erzielbar, ohne den Transistor zu
verschlechtern, was auf die gleichzeitige Ausbildung der
Basis und der Diode zurückzuführen ist.
Claims (4)
1. Halbleitervorrichtung, mit:
einem eine hohe Konzentration aufweisenden Silizium substrat (3) und einem eine niedrige Konzentration aufwei senden Siliziumsubstrat (4) mit einem ersten Leitungstyp, die in der genannten Reihenfolge ausgebildet sind;
einer eine niedrige Konzentration aufweisenden Mulde (10), die durch Diffusion von Verunreinigungen des zum er sten Leitungstyp umgekehrten Leitungstyps auf dem oberen Teil des die niedrige Konzentration aufweisenden Silizium substrats (4) ausgebildet ist;
einer eine hohe Konzentration aufweisenden Mulde (6), die aus dem gleichen Leitungstyp und an der gleichen Stelle wie die die niedrige Konzentration aufweisenden Mulde (10) durch selektive Diffusion auf dem oberen Teil der die nied rige Konzentration aufweisenden Mulde (10) ausgebildet ist;
einer Anodenelektrode (5), die auf oberen Teilen der die niedrige Konzentration aufweisenden Mulde (10) und der die hohe Konzentration aufweisenden Mulde (6) ausgebildet ist; und
einer Kathodenelektrode (2), die auf einem unteren Teil des die hohe Konzentration aufweisenden Substrats (3) ausge bildet ist.
einem eine hohe Konzentration aufweisenden Silizium substrat (3) und einem eine niedrige Konzentration aufwei senden Siliziumsubstrat (4) mit einem ersten Leitungstyp, die in der genannten Reihenfolge ausgebildet sind;
einer eine niedrige Konzentration aufweisenden Mulde (10), die durch Diffusion von Verunreinigungen des zum er sten Leitungstyp umgekehrten Leitungstyps auf dem oberen Teil des die niedrige Konzentration aufweisenden Silizium substrats (4) ausgebildet ist;
einer eine hohe Konzentration aufweisenden Mulde (6), die aus dem gleichen Leitungstyp und an der gleichen Stelle wie die die niedrige Konzentration aufweisenden Mulde (10) durch selektive Diffusion auf dem oberen Teil der die nied rige Konzentration aufweisenden Mulde (10) ausgebildet ist;
einer Anodenelektrode (5), die auf oberen Teilen der die niedrige Konzentration aufweisenden Mulde (10) und der die hohe Konzentration aufweisenden Mulde (6) ausgebildet ist; und
einer Kathodenelektrode (2), die auf einem unteren Teil des die hohe Konzentration aufweisenden Substrats (3) ausge bildet ist.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die die niedrige Konzentration und die hohe
Konzentration aufweisenden Mulden eine Vielzahl von Mehr
fach-Muldenstrukturen aufweisen.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß das auf dem die niedrige Konzentration
aufweisenden Substrat (4) befindliche Substrat (3) mit hoher
Konzentration durch selektive Diffusion einer eine hohe
Konzentration aufweisenden Verunreinigung des gleichen Typs
separat ausgebildet ist.
4. Bipolar-Halbleitervorrichtung mit mindestens einem Tran
sistor und einer lateral in einem Körper ausgebildeten Di
ode, wobei der Transistor aus einem Emitter (14), einer Ba
sis (13) und einem Kollektorbereich in vertikaler Struktur
gebildet ist und wobei die Diode eine aus einer Kollektore
lektrode des Transistors gebildete Kathodenelektrode auf
weist; wobei auf einem oberen Teil der Kathodenelektrode
aus dem Kollektor des Transistors ein eine hohe Konzentra
tion und ein eine niedrige Konzentration aufweisendes
Substrat aufeinanderfolgend ausgebildet sind; wobei am Kol
lektorbereich in einer einzigen Schicht durch eine niedrige
Konzentration und eine hohe Konzentration aufweisende Ver
unreinigungen des entgegengesetzten Leitungstyps Mulden mit
einer geringen Konzentration und einer hohen Konzentration
ausgebildet sind; und wobei eine Anodenelektrode aus einer
gemeinsamen Elektrode gebildet ist, die mit der Basis des
Transistors und der Kathode der Diode auf der Mulde in Ver
bindung steht.
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