DE1937853B2 - Integrierte Schaltung - Google Patents

Integrierte Schaltung

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Description

Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung aus einem P leitend dotierten Halbleitersubstrat, das mit einer N-leitend dotierten Kollektorschicht beschichtet ist in die ein sich über die Ausdehnung einer stark N-leitend dotierten, unmittelbar auf dem Substrat liegenden Zwischenschicht erstreckender Transistor eingelassen ist dessen N-leitend dotierter oberflächlich ohmisch kontaktierter Emitter in die P-leitend dotierte oberflächlich kontaktierte Basis eingelassen ist, die sich in der Kollektorschicht mit Abstand zwischen zwei stark N-leitend dotierten, oberflächlich ohmisch kontaktie-ten, bis an die Enden der Zwischenschicht reichenden Kollektorpfeilern erstreckt.
Bei einer aus der US-PS 33 80 153 bekannten Schaltung dieser Art ist die Basis vollständig von dem niedrig N-Ieitenden Kollektormaterial umschlossen. Das hat bei hohen Stromstärken hohe Laufzeiten zur Folge. Wenn man die Kollektordotierung erhöht, um die Laufzeiten zu verkürzen, dann ergeben sich jeaoch unerwünschte Schaltungskapazitäten, unter anderem an den Übergängen, an denen P-leitend dotierte Bezirke benachbart angeordneter Schaltungselemente oder Isolatoren an diese stark dotierte Kollektorschicht angrenzen.
Aus der britischen Patentschrift 10 47 378 ist ein Planartransistor bekannt, bei dem die Basis schüsseiförmig von einer schüsseiförmigen Kollektorschicht umgeben ist, die N-leitend stark dotiert ist. Die letztgenannte Schicht ist in eine schwächer N-leitend dotierte Schicht eindiffundiert. Bei diesem Planartransistor beeinflußt die im Interesse kurzer Laufzeiten bei großen Stromstärken wünschenswerte hohe Dotierung des Kollektors nicht etwa umliegende Schaltungskapazitäten, weil die hoch dotierte Kollektorschicht durch die niedrig dotierte Kollektorschicht umfaßt ist, aber die Kapazität am Basisemitterübergang ist bei kleinen Stromdichten groß.
Aufgabe der Erfindung ist es, bei der eingangs beschriebenen Schaltung die Laufzeit bei hohen Stromstärken zu erniedrigen, ohne dabei die bei hohen Stromstärken unvermeidliche Erhöhung der Basis-Kollektor-Kapazität auch bei niedrigen Stromstärken in Kauf nehmen zu müssen.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet daß die Basis auf ihrer ganzen Unterfläche an die Zwischenschicht angrenzt.
Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnung näher erläutert Es zeigt
F i g. 1 eine weitere bekannte integrierte Schaltung, Fig.2 bis 5 Diagramme zur Erläuterung der Betriebsweise eines Transistors aus F i g. 1,
F i g. 6 eine integrierte Schaltung nach der Erfindung in Draufsicht
F i g. 7 den Schnitt VII-VII aus F i g. 6 und
Fig.8 und 9 Diagramme zur Erläuterung der
ίο Betriebsweise eines Transistors aus der Schaltung nach Fig 6und7.
F i g. 1 zeigt die weitere bekannte integrierte Schaltung 10 mit einem Transistor 12, einem äußeren neben dem Transistor 12 angeordneten Widerstand 14 und einem Isolierbereich 16, der den Transistor 12 und den Widerstand 14 umgibt Der Transistor ist ein NPN-Transistor. Die integrierte Schaltung weist ein Substrat 18 auf, das aus verhältnismäßig gering dotiertem P-leite.idem Halbleitermaterial besteht. Über diesem Substrat erstreckt sich eine verhältnismäßig dünne Schicht aus N-Ieitendem Halbleitermaterial, die dort beispielsweise epitaktisch aufgewachsen sein kann und den Kollektor 20 bildet. Der Kollektor 20 ist in F i g. 1 zur Verdeutlichung stark verstärkt gezeichnet.
Mit 21 ist eine als Sub-Kollektor wirkende Zwischenschicht bezeichnet die aus verhältnismäßig stark dotiertem N-Ieitendem Halbleitermatei ial besteht und zwischen dem Kollektor 20 und dem Substrat 18 angeordnet ist und in diese beiden Schichten hineinragt.
Die Basis 22 besteht aus P-leitendem Halbleitermaterial und der Emitter 24 aus N-leitendem Halbleitermaterial. Die Basis 22 ist in den Kollektor 20 von der oberen Außenseite 26 her eingelassen und bildet so einen Kollektor-Basis-Übergang 28 mit dem Kollektor 20.
3S Der Emitter 24 ist von der oberen Außenseite 30 der Basis in die Basis 22 eingelassen und bildet einen Emitter-Basis-Übergang mit der Basis 22. Basis und Emitter sind durch Diffusion erzeugt. Zum Transistor 12 gehört noch ein ohmscher Emitterkontakt 34, der an den Emitter 24 angeschlossen ist ein ohmscher Basiskontakt 36, der an die Basis 22 angeschlossen ist und ein ohmscher Kollektorkontakt 38. der an den Kollektor 20 angeschlossen ist. Mit 39 sind zwei relativ hoch dotierte N-leitende Kollektorpfeiler bezeichnet, die von der oberen Außenseite des Kollektors in den Kollektor 20 eindiffundiert sind und zur Aufnahme der Kollektorkontakte 38 dienen. Die Kollektorpfeiler 39 sind im Zuge der gleichen Diffusion wie der Emitter 24 gebildet worden. An den Emitterkontakt, den Basiskontakt und den Kollektorkontakt sind Leitungen 40, 42 und 44 angeschlossen, über die der Transistor 12 elektrisch betrieben werden kann. Der Basiskontakt 36 und der Kollektorkontakt 38 sind zweiteilig und die beiden Teils können über eine nicht dargestellte kurze Leitung miteinander verbunden werden. Zur Vorspannung de; Transistors 12 bei Betrieb sind zwei Widerstände 46,4t zwischen den Leitungen 40, 42 einerseits und der Leitungen 42,44 andererseits vorgesehen. Der Emitter-Basis-Übergang 32 wird bei Betrieb vorwärts vorge spannt, während der Kollektor-Basis-Übergang 28 be Betrieb rückwärts vorgespannt wird.
Je nach der speziellen, vorgesehenen Anwendung dei integrierten Schaltung 10 können noch weitere elektri sehe Komponenten vorgesehen sein. Der Widerstan< 14, der innerhalb des Bereichs des Transistors V. untergebracht ist, besteht aus einem P-leitendei Halbleiterelement 50, das in den Kollektor 20 von de oberen Außenseite 26 her eingesetzt ist, jedoch ohni
Berührung mit anderen Teilen des Transistors 12 Mit 52 and zwei ohmsche Kontakte bezeichnet zum äußeren Anschluß des Widerstandes 14.
Wenn in der integrierten Schaltung 10 weitere elektrische Elemente vorgesehen sind, dann empfiehlt es sich, den Transistor 12 und den Widerstand 14 zu isolieren. Solche Isolierung kann man auf verschiedene Weisen durchführen, z.B. durch einen rückwärts vorgespannten PN-Übergang, ^er die zu isolierenden Elemente umgibt Beim vorliegenden Beispiel sind der Transistor 12 und der Widerstand 14 durch einen Isolierbereich 16 isoliert, dessen Elemente oO, die aus verhältnismäßig hoch dotiertem P-leitenden Halbleitermaterial bestehen und in den Kollektor 20 von der oberen Außenseite dieses Kollektors her eingesetzt sind, sich bis an das Substrat 18 erstrecken und den Widerstand 14 und den Transistor 12 umgeben. Die PN Übergänge 62, die durch die Elemente 60 und den Kollektor gebildet werden, wirken als Isolierschichten für den Transistor 12 und den Widerstand 14 und ω verhindern, daß Leckströme von anderen elektrischen Elementen der integrierten Schaltung den Betrieb des Transistors 12 und des Widerstandes !4 stören und umgekehrt. Der PN-Übergang zwischen dem Substrat 18 und dem Kollektor 20 kann auch rückwärts vorgespannt sein und so einen Isolierschutz für den Transistor 12 und den Widerstand 14 bilden.
F i g. 2 zeigt ein typisches Verunreinigungsprofil des Transistors 12. Auf der vertikalen Achse ist in F i g. 2 in logarithmischem Maßstab das Dotierungsniveau und auf der horizontalen Achse ist nach Maßgabe des vorgenommenen Schnittes der Emitter, die Basis und der Kollektor räumlich hintereinander aufgefagen. Der linke Rand der F i g. 2 entspricht der oberen Außenfläche des Emitters 24, während der rechte Randbereich ,5 dem Inneren des Substrates 18 entspricht. Das durch die Kurve 70 in F i g. 2 aufgetragene Profil hat verschiedene Übergänge unter der Voraussetzung, daß Emitter 24 und Basis 22 durch Diffusion aufgebaut sind. Das Dotierun^sniveau des N-leitenden Emittermaterials fällt auf Null ab und erreicht den ist. Null in dem Emitter-Basis-Übergang 32. Das Dotierungsniveau des P-leitenden Basismaterials nimmt von Null ausgehend zunächst einen Maximalwert an und fällt dann wieder ab, bis es den Wert Null in dem Kollektor-Basis-Übergang 28 erreicht. In der epitaktischen Schicht des Kollektors 20 steigt das Dotierungsniveau in N-Richtung zunächst etwas an, behält dann las Niveau bei und steigt noch einmal im Bereich der stark dotierten Einlage 2t an und fällt dann in P-Richtung ab auf den verhältnismäßig geringen P-Wert des Substrates 18. Bedingt durch den Herstellungsprozeß ist der Dotierungsgradient bzw. die Steilheit der Kurve 70 im Basisbereich in der Nähe des Kollektor-Basis-Überganges 28 größer als im Kollektorbereich in der Nähe ss dieses Überganges 28.
Es ist bekannt, daß Löcher aus dem P-leitenden Material und Elektronen aus dem N-leitenden Material im Bereich eines Überganges zwischen P- und N-leitendem Halbleitermaterial in den jeweils anderen Bereich wandern und sich dort mit Ladungsträgern vereinigen. Positive und negative Ladungen bestehen neben diesen Übergängen und es erstreckt sich ein statisches elektrisches Feld quer zu diesen Übergänger zwischen den entgegengesetzten Grenzen der sich (^ ergebenden Raumladungszone. Solche Raumladungszonen existieren an dem Emitter-Basis-Übergang und dem Kollektor- Basis-Übergang eines Transistors.
Fig.3 zeigt die Raumladungszone 72 an dem Kollektor-Basis-Übergang eines Transistors 12, wenn dort kein oder nur geringer Strom fließt Die basisseitige Grenze der RaumladungSEone, die innerhalb der Basis 22 liegt ist mit 74 und die entsprechend gelegne kollektorseitige Grenze mit 76 bezeichnet Innernalb der zwischen dem Kollektor-Basis-Übergang 28 und der Grenze 74 bzw. 76 gelegenen Raumladungszonenteile befinden sich negative geladene Störstellen 78 bzw. positive geladene Störstellen 80, die durch eingekreiste » — « oder » + «-Zeichen in der Zeichnung eingezeichnet sind Die Lage der Grenzen 74 und 76 wird durch die Anzahl der negativen und positiven Ladungsträger 78 bzw. 80 bestimmt, die nötig sind, um Ladungsausgleich zu erzielen. Wenn kein Strom durch den Transistor 12 fließt dann ist die Anzah! der negativen und positiven Ladungsträger, die zum Ladungsausgleich erforderlich sind, gleich. Wie aus F i g, 3 ersichtlich, ist die küllektorseitige Grenze 76 weiter von dem Kollektor-Basis-Übergang 28 entfernt als die basisseitige Grenze. Dies hat seine Ursache darin, daß der Dotierungsgradient auf der Kollektorseite des Überganges 28 kleiner ist als auf der Basisseite.
Wenn der Emitter-Basis-Übergang oder der Kollektor-Basis-Übergang vorwärts bzw. rückwärts vorgespannt ist, dann fließen Elektronen vom Emitter 24, die durch die Basis 22 diffundieren und als Minoritätsträger zum Kollektor 20 gelangen. Durch diese Minoritätsträger der Basis 22 wird in der Raumladungszone 72 die Anzahl der für den Ausgleich erforderlichen negativen Ladungsträger 78 reduziert während die dafür erforderliche Anzahl positiver Ladungsträger 80 sich vergrößert. Das Ergebnis ist, daß sich — wie in Fig.4 dargestellt — die Raumladungszone 72 verschiebt, indem die Grenze 74 dichter an den Kollektor-Basis-Übergang 28 heranrückt, bedingt durch die geringe Anzahl negativer Ladungsträger 78, während die kollektorseitige Grenze 76 sich von dem Kollektor-Basis-Übergang, bedingt durch die größere Anzahl positiver Ladungsträger 80, entfernt. Bedingt durch den geringeren Dotierungsgradienten auf der Kollektorseite entfernt sich die kollektorseitige Grenze 76 dabei weiter von dem Kollektor-Basis-Übergang 28 als die basisseitige Grenze 74 an den Übergang 28 heranrückt. Die Folge ist, daß sich die Raumladungszone 72 gleichzeitig mit der Verschiebung verbreitert.
In Fig. 5 ist die Verschiebung d>.r beiden Grenzen 74 und 76 in Abhängigkeit von der Stromdichte J aufgetragen. F i g. 5 zeigt, daß sich mit zunehmender Stromdichte / die basisseitige Grenze 74 über den Kollektor-Basis-Übergang 28 hinaus in den Kollektor 20 verschiebt, während gleichzeitig die kollektorseitige Grenze 76 sich zunehmend und auch in zunehmendem Maße von dem Kollektor-Basis-Übergang 28 entfernt.
Mit zunehmender Stromdichte müssen in zunehmendem Umfang Elektronen vom Emitter 24 als Minoritätsträger durch die Basis und durch die Raumladungszone 72 zum Kollektor 20 strömen. Die Laufzeit dieser Minoritätsträger ist im wesentlichen eine direkte Funktion der Breite der Raumladungszone 72 und eine Funktion des Quadrats der elektrischen Basisbreite bzw des Abstandes zwischen dem Emitter-Basis-Übergang 32 und der basisseitigen Grenze 74 der Raumladungszo ne 72. In der Praxis wird die Stromverstärkungsband breite des Transistors mit zunehmender Minoritäts trägerübergangszeit bei höherer Stromdichte kleiner Bei relativ kleinen Stromdichten ist die Minoritäts trägerübergangszeit verhältnismäßig kurz und die
Bandbreite hat eine brauchbare Größe. Dagegen wird bei relativ hohen Stromdichten die Minoritätsträgerübergangszeit verhältnismäßig lang und die Bandbreite wird dadurch verringert.
Zur Verbesserung der Stromverstärkungsbandbreite bei hohen Stromdichten macht man sich den Umstand zunutze, daß die Verschiebung der Raumladungszone 72 in den Kollektor 20 bei einer vorgegebenen Stromdichte im wesentlichen dem Niveau der Störstellen innerhalb des Kollektors 20 umgekehrt proportional ist. Der gesamte Kollektorbereich des Transistors kann zwar stärker dotiert werden. Die dadurch erzielte starke Dotierung in unmittelbarer Nähe des Kollektor-Basis-Überganges 28 bedingt dann eine hohe Konzentration der geladenen Störstellen 80, wodurch wiederum die '5 Verschiebung der Raumladungszone 72 als Folge hoher Stromdichten verringert wird. Diese Verbesserung erzielt man jedoch nur auf Kosten einer Erhöhung der Kapazität der gesamten integrierten Schaltung. Hochgradig dotiertes Material in der Nähe eines Isolierelementes 60 begünstigt stark die Randkapazitäten, die in Fig. 1 mit Ο bezeichnet sind. Die Folge ist, daß in der Praxis die Wirkung des Isolierelementes 60 abnimmt, außerdem wird durch hochgradig dotiertes Material in der Nähe des Widerstands-lsolator-Überganges 54 die Kapazität Ci dieses Überganges vergrößert.
Der Wert der Kapazität Ci an dem Kollektor-Basis-Übergang 28 ist eine Funktion des Dotierungsnieveaus des Kollektors 20 in der Nähe dieses Überganges. Man muß also einen hohen Wert von Cz in Kauf nehmen, wenn man hohen Stromdurchsatz des Transistors erzielen will, jedoch soll dieser Kapazitätswert Ci so niedrig wie möglich sein, insbesondere ist ein niedriger Kapazitätswert wünschenswert, wenn kleine Stromdichten im Transistor fließen. Diese Bedingung ist aber nicht erfüllbar, wenn der gesamte Kollektor 20 stark dotiert ist denn dann bleibt der Wert von Cl bei allen Stromdichten, also auch bei kleinen Stromdichten, groß.
Nach der vorliegenden Erfindung ist die Stromverstärkungsbandbreite des Transistors 12 auch bei hohen Stromdichten groß, ohne daß diese mit der gleichen Zunahme der Kapazitätswerte Ci, Q und Cl, wie eben beschrieben, erkauft werden muß. Gemäß F i g. 6 und 7 ist der Transistor 100 in einigen Teilen ähnlich aufgebaut wie der aus F i g. 1. Bei der Herstellung der integrierten Schaltung 10 wird jedoch eine Zwischenschicht 102 aus relativ hochdotiertem N leitendem Halbleitermaterial zwischen Substrat 18 und Kollektor 20 eingefügt. Die Zwischenschicht 102 ist Teil des Kollektors 20 des Transistors 100. Der zweite Teil 104 des Kollektors 20 besteht aus verhältnismäßig schwach dotiertem N-leitenden Halbleitermaterial und ist vorzugsweise epitaktisch aufgewachsen und umgibt die Zwischenschicht 102 und erstreckt sich über die restlichen Teile der oberen Fläche des Substrats 18. Die relative Stärke der epitaktischen Schicht 104 ist in F i g. 7 zur Verdeutlichung größer gezeichnet als in der Praxis. Die Basis 22, der Emitter 24 und der Widerstand 50 sind in diese epitaktische Schicht 104 von der oberen Oberfläche 106 aus eingesetzt m entsprechender Weise, wie das auch im Text zu Fig. I beschrieben wurde. Die Basis 22 erstreckt sich jedoch bis an die Zwischenschicht 102 und bildet dort den Haoptteil des Kouektor-Basis-Überganges 28. Wenn die Zwischenschicht 102 nicht vorhanden Ist, dann ist das Ekidiffundieren der Basis 22 schwierig, weil der Hauptteil sich dann leicht weiter als beabsichtigt nach unten erstreckt und eine unerwünsch te Stärke annimmt. Durch die Zwischenschicht 102 wird die abwärts gerichtete Diffusion der Störstellen für die Basis begrenzt, damit ist es möglich, die Basis präziser in der gewünschten Stärke herzustellen.
Mit 108 sind zwei verhältnismäßig stark dotierte N-Ieitend dotierte Kollektorpfeiler bezeichnet, die durch doppelte Diffusion gebildet sind. Diese beiden Kollektorpfeiler haben Abstand von der Basis 22 und vom Emitter 24. Die Zwischenschicht 102 überragt an beiden Enden die Basis 22 und findet Kontakt mit den Kollektorpfeilern 108. Die ohmschen Kollektorkontakte 38 sind an diese Kollektorpfeiler 108 artgeschlossen und bilden zusammen mit den Kollektorpfeilern und der Zwischenschicht 102 einen gut leitenden Strompfad. Der Hauptteil des Kollektor-Basis-Überganges 28 wird durch einen Übergang zwischen der Zwischenschicht 102 und der Basis 22 gebildet Die verbleibenden Seitenteile des Kollektor-Basis-Überganges werden durch die Grenzen 112 zwischen den Basisseiten 22 und der epitaktischen Schicht 104 gebildet.
F i g. 8 zeigt entsprechend wie F i g. 2 das Dotierungsprofil, und zwar gegenüber den gleichen Koordinaten wie in Fig.2. Die Kurve 120 entspricht der Kurve 70 aus Fig.2. Wie aus Fig.8 ersichtlich, bedingen die Teile der Zwischenschicht 102, die in der Nähe des Kollektor-Basis-Überganges 28 liegen, eine hohe Ladungsträgerkonzentration von Störstellen. Das Ausmaß der Verschiebung der Raumladungszone 72 in den Kollektor ist dadurch begrenzt und die Übergangszeit der Minoritätsträger durch die Basis 22 wird dadurch verringert.
In F i g. 9 ist im gleichen Diagramm wie in F i g. 5 die Verschiebung der Raumladungszone in Abhängigkeit von der Stromdichte J aufgetragen, und zwar für einen Transistor nach Fig.6 bzw. 7, wobei wieder davon ausgegangen ist, daß die Zwischenschicht 102 durch Diffusion gebildet wurde und das Verunreinigungsprofil der Kurve 120 gemäß F i g. 8 entspricht. Die basisseitige Grenze 74 verschiebt sich, wie aus F i g. 9 ersichtlich, bei zunehmender Stromdichte gegen den Kollektor-Basis-Übergang 28 und sogar über diesen hinaus. Die Verschiebung der basisseitigen Grenze 74 ist bei dem Transistor 100 etwas kleiner als bei dem Transistor 12 gemäß F i g. 5, bezogen auf gleiche Stromdichte. Die kollektorseitige Grenze 76 verschiebt sich bei zunehmenden Stromdichten aber in erheblich geringerem Ausmaß als die Grenze 74, so daß die Breite der Raumladungszone mit zunehmender Stromdichte abnimmt. Der Kapazitätswert Cz an dem Übergang zwischen der Basis 22 und Zwischenschicht 102 nimmt zu. Der Anteil der Kapazität Ci, der durch die Seiten 112 bedingt ist, wird wegen der geringen Dotierung der epitaktischen Schicht 104 minimal gehalten. Durch die geringere Dotierung des KoHektorbereiches in der Nähe des Isolierbereiches 10 und des Widerstandes 50 werden auch die Kapazitätswerte Ci und O gegenüber den entsprechenden Werten bei Transistoren nach Fig. !nicht erhöht
Ein Transistor 100 nach Fig.6 und 7 bietet noch weitere Vorzüge. Torschaltungskombinationen erfordern oft eine Vielzahl von Emgangstransistoren. Die Kapazität G des Kollektor-Basis-Überganges des unbetriebenen Eingangstransistors begrenzt die Schalt geschwindigkeiten durch die vorhandenen Ladungen Bei Transistoren nach F i g. 6 und 7 dagegen ist dieses Effekt weitgehend vermieden, weil unbetriebene Transi stören dieser Art praktisch keinen Koflektorstron haben und die in Frage stehenden Kapazitätsweit verhältnismäßig klein sind.
Bei Transistoren mit einem verhältnismäßig kleinen Emitter und einer verhältnismäßig hohen Emitter-Stromdichte ist der Hauptteil des gesamten Kollektorwiderstandes, bedingt durch den in der Nähe des Kollektor-Basis-Überganges gelegenen Kollektorbereich. Bei dem Transistor 100 erstreckt sich die Zwischenschicht 102 bis zum Kontakt mit der Basis 22, wodurch der Kollektorwideistand stark verringert wird. Wenn die kollektors :itige Grenze 76 der Raumladungs-
zone 72 nur in kleinerem Ausmaß bei hohen Stromdichten in den Kollektorbereich hineingeschoben wird, trifft sie dort auf eine hohe Dotierung, während die Diffusionsspannung des Kollektor-Basis-Überganges 28 angehoben wird. Durch eine hohe Diffusionsspannung wird die Tendenz des Transistors 100, bei hohen Stromdichten sich zu sättigen, verringert, weil zur Minoritätsträgerinjektion eine größere Vorspannung an dem Kollektor-Basis-Übergang 28 erforderlich ist.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
509 529/317

Claims (1)

  1. Patentanspruch -.
    Integrierte Schaltung auf einem P-leitend dotiertem Halbleitersubstrat das mit einer N-leitend dotierten Kollektorschicht beschichtet ist, in die ein sich über die Ausdehnung einer stark N-leitend dotierten, unmittelbar auf dem Substrat liegenden Zwischenschicht erstreckender Transistor eingelassen ist, dessen N-leitend dotierter oberflächlich ohmisch kontaktierter Emitter in die P-leitend dotierte oberflächlich kontaktierte Basis eingelassen ist, die sich in der Kollektorschicht mit Abstand zwischen zwei stark N-Ieitend dotierten, oberflächlich ohmisch kontaktierten, bis an die Enden der Zwischenschicht reichenden Kollektorpfeilern erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis (22) auf ihrer ganzen Unterfläche an die Zwischenschicht (102) angrenzt
DE1937853A 1968-08-13 1969-07-25 Integrierte Schaltung Expired DE1937853C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US75220768A 1968-08-13 1968-08-13

Publications (3)

Publication Number Publication Date
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