DE3439366A1 - Darlington-transistorschaltung - Google Patents

Darlington-transistorschaltung

Info

Publication number
DE3439366A1
DE3439366A1 DE19843439366 DE3439366A DE3439366A1 DE 3439366 A1 DE3439366 A1 DE 3439366A1 DE 19843439366 DE19843439366 DE 19843439366 DE 3439366 A DE3439366 A DE 3439366A DE 3439366 A1 DE3439366 A1 DE 3439366A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
base
doped
darlington
voltage divider
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19843439366
Other languages
English (en)
Other versions
DE3439366C2 (de
Inventor
Peter Dipl.-Phys. Flohrs
Hartmut Dipl.-Ing. 7410 Reutlingen Michel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19843439366 priority Critical patent/DE3439366A1/de
Publication of DE3439366A1 publication Critical patent/DE3439366A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3439366C2 publication Critical patent/DE3439366C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
    • H01L27/0823—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only including vertical bipolar transistors only
    • H01L27/0825—Combination of vertical direct transistors of the same conductivity type having different characteristics,(e.g. Darlington transistors)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
    • H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
    • H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0761—Vertical bipolar transistor in combination with diodes only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/64—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors having inductive loads

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)

Description

  • Darlington-Transi stor schaltung
  • Stand der Technik Die Erfindung geht aus von einer Darlington-Transistorschaltung nach der Gattung des Hauptanspruchs. Derartige Transistorschaltungen werden als monolithisch planare Zündungsendstufen zur Ansteuerung von Transistorzündungen in Kraftfahrzeugen verwendet. Im Normalbetrieb treten am Ausgang der Zündungsendstufen zur Erzeugung der Zündfunken Spannungen von ca. 250 V bis 400 V auf, die als Primärspannungen an der jeweiligen Zündspule anliegen.
  • Aus der DE-OS 3123667 @ PCT 82/00045 ist bereits eine Darlington-Transistorschaltung dieser Art bekannt, die jedoch den Nachteil hat, daß unzulässig hohe Klammer spannungen bei der Ruhestromabschaltung auftreten. Eine sichere Abschaltfunkenunterdrückung wird mit dieser Schal tu nicht gewährleistet.
  • nicht gewährleistet. Bei der DE-OS 3324476 US-SN-511154 sind im Klammerkreis drei Transistorstufen wirksam. Damit wird, wie später erläutert wird, eine sichere Abschaltfunkenunterdrückung ermöglicht. Die hohe Stromverstärkung ergibt aber eine unerwünschte Neigung zu Schwingungen.
  • Vorteile der Erfindung Die erfindungsgemäße Darlington-Transistorschaltung mit den Merkmalen des. Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß im Normalbetrieb der Klammer kreis zweistufig ist, während ein zusätzlicher Hilfstransistor als dritte Transistorstufe nur bei der Abschaltfunkenunterdrückung wirksam ist. Im Normalbetrieb arbeiten die Transistoren des Klammerkreises praktisch mit ihrer aktiven Verstärkung, wehalb ein verhältnismäßig kleiner Strom zur Aufsteuerung des Leistungstransistors über den Treibertransistor ausreicht. Bei der Abschaltfunkenunterdrückung dagegen sind wesentlich niedrigere Ausgangsspannungen erwünscht, die zur Folge haben, daß die Verstärkung der Transistoren des Klammerkreises geringer ist. Eine entsprechende Erhöhung des Ansteuerstroms würde unerwünschte Spannungsabfälle an den zwischen der Basis des Treiber transistors und der Zündspule liegenden Widerständen verursachen und eine zu hohe Ausgangsspannung zur Folge haben. Durch den in diesem Fall wirksamen Hilfstransistor kann jedoch der Ansteuerstrom und die Ausgangsspannung der Darlington-Transistorschaltung niedrig gehalten werden.
  • Eine besonders. kostengünstige Realisierung der erfindungsgemäßen Darlington-Transistorschaltung kann durch eine monolithische Integration der Schaltung erhalten werden. Zusammen mit der Zündungsendstufe, die im wesentlichen aus einer dreistufigen Darlington-Transistorschaltung besteht, können der Hilfstransistor, die Zenerdiode und ein zweiter Spannungsteiler auf einem gemeinsamen Substrat integriert sein. Für den Bereich des Hilfstransistors erhält man eine besonders günstige Struktur dadurch, daß das mit dem gemeinsamen Kollektor verbundene schwach n-dotierte Grundmaterial an der Oberfläche U-förmig ein Gebiet umgibt, und daß in dem U-förmig umschlossenen Gebiet zwei im Abstand voneinander angeordnete rechteckige stark n-dotierte Zonen eindiffundiert sind. Zwischen den beiden stark n-dotierten Zonen befindet sich die Basis des Hilfstransistors und die am offenen Ende des U-förmigen Gebiets angeordnete rechteckige Zone bildet das Emittergebiet des Hilfstransistors. Diese Struktur läßt sich auf einfache Weise in einem planaren Prozeß zusammen mit den übrigen Schaltungselementen der Darlington-Transistorschaltung monolithisch integrieren.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
  • Zeichnung Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen: Figur 1 das elektrische Schaltbild der monolithisch integrierten Darlington-Transistorschaltung, Figur 2 einen Ausschnitt der monolithisch integrierten Schaltung nach Figur 1 in der Draufsicht und Figur 3 einen Schnitt nach der Linie AB der in Figur 2 dargestellten Anordnung.
  • Beschreibung des Ausführungsbeispiels Die in Figur 1 dargestellte Schaltungsanordnung dient zur Ansteuerung einer Zündspule ZS, die primärseitig mit dem Ausgang einer Zündungsendstufe verbunden ist.
  • Die Zündungsendstufe besteht aus einer dreistufigen Darlington-Transistorschaltung mit einem Vortransistor T1, einem Treibertransistor T2 und einem Leistungstransistor T3, denen drei Basis-Emitterwiderstände R1, R2 und R3 parallel zu den jeweiligen Basis-Emitterstrecken geschaltet sind. Die Zündspule ZS ist an ihrer dem Ausgang der Zündungsendstufe abgewandten Seite mit einer Klemme B+ verbunden, an der eine positive Betriebsspannung anliegt. An der Klemme B ist außerdem ein Widerstand R4 angeschlossen, der den Kollektorwiderstand eines Steuertransistors TO bildet. Der Emitter des Steuertransistors TO ist über eine an Masse angeschlossene Verbindungsleitung mit dem Emitter des Leistungstransistors T3 verbunden. Zur Ansteuerung der Zündungsendstufe ist der Kollektor des Steuertransistors TO mit der Basis des Vor transistors T1 verbunden.
  • Der Kollektor des Leistungstransistors T3 ist über einen ersten Spannungsteiler, der aus den beiden Widerständen R5 und R6 besteht, mit Masse verbunden. Zwischen dem Abgriff dieses Spannungsteilers und dem mit Masse verbundenen Widerstand R6 ist ein Schalter S eingefügt, der vorzugsweise durch die Kollektor-Emitterstrecke eines Schalttransistors realisiert wird. Der Abgriff des ersten Spannungsteilers ist mit der Kathode einer Z-Diode ZD (Zener-Diode) verbunden, deren Anode über einen zweiten Spannungsteiler mit der Basis des Treibertransistors T2 verbunden ist. Der zweite Spannungsteiler besteht aus zwei Widerständen R7 und R8, an dessen Abgriff die Basis eines Hilfstransistors T4 angeschlossen ist.
  • Der Gesamtwiderstand R7 und R8 ist dabei nicht frei wählbar, wenn man, wie in der DE-OS 3123667 beschrieben ist, den Temperaturgang der Klammer spannung k#ompensieren will. Der Kollektor des Hilfstransistors ist mit den Kollektoren der dreistufigen Darlington-Schaltung und dessen Emitter mit der Basis des Treibertransistors T2 verbunden. Sämtliche im Ausführungsbeispiel dargestellten Transistoren sind als npn-Transistoren ausgebildet.
  • Die am Abgriff des ersten, aus den Widerständen R5 und R6 bestehenden Spannungsteilers angeschlossene Z-Diode ZD bricht bei der ausgangsseitig an der Zündungsendstufe auftretenden Klammer spannung durch, wobei die Transistoren T2 und T3 aufgesteuert werden. Auf diese Weise wird verhindert, daß der Leistungstransistor T3 durch energiereiche Spannungsspitzen im UcEO-Durchbruch Schaden nehmen kann. Der Schalter S ist im Normalbetrieb, also auch bei Erreichen der Klammer spannung geschlossen.
  • Der durch die Z-Diode ZD fließende Strom 1Z steuert zwar den Transistor T2 auf, der Hilfstransistor T4 öffnet dabei jedoch nicht. Der Wert des Widerstandes R8 ist so gewählt, daß der Hilfstransistor T4 im Normalbetrieb gesperrt bleibt. Soll die am Kollektor des Leistungstransistors T3 auftretende Klammer spannung ungefähr 300 V betragen, so ergeben sich bei einer Durchbruchsspannung der Z-Diode ZD von ca 20 V ungefähr folgende Widerstandswerte: R2 = 15011; R5 = 2,4 kn; ~ R6 = 200Q ~ R7 = 400kl; R8 = lOOSS.
  • Für den Betriebsfall, daß bei noch eingeschalteter Zündung der Motor zum Stillstand kommt, wird über den Steuertransistor TO die Darlington-Transistorschaltung abgeschaltet. Damit in diesem Betriebszustand kein unerwünschter Zündfunke auftritt, wird zum Zwecke der Abschaltfunkenunterdrückung der Schalter S geöffnet. Als maximale Kollektor-Emitterspannung ergibt sich dann die Summe der Durchbruchspannung der Z-Diode ZD, der Basis-Emitter-Flußspannungen der Transistoren T2 und T3 und des Spannungsabfalls von 1Z an den Widerständen RS, R7 und RS. Ohne den Hilfstransistor der vorliegenden Erfindung könnte Iz wegen der gegenüber dem Normalbetrieb verminderten Verstärkung der Transistoren T2 und T3 recht hoch werden. In dem erfindungsgemäßen Beispiel bleibt 1Z auf ca. 7 mA beschränkt, weil dann der Hilfstransistor T4 geöffnet wird. Die Kollektor-Emitter- spannung läßt sich so auf ca. 40 V begrenzen. Fehlzündungen bei der Ruhestromabschaltung werden durch diese Abschaltfunkenunterdrückung sicher verhindert.
  • Der in Figur 2 dargestellte Ausschnitt einer monolithisch integrierten Schaltung zeigt die Umgebung des Hilfstransistors T4 mit der Z-Diode ZD. In den Zonen 1 und 2 tritt das schwach n-dotierte Grundmaterial der npn-Transistoranordnung an die Oberfläche. Die nicht schraffierten Gebiete sind p-dotiert. Sie werden gleichzeitig mit den Basisgebieten der Transistoren hergestellt. Die Zonen 3, 4, 5 sind stark n-dotiert. Sie sind gleichzeitig mit den Emittergebieten der Transistoren T1 bis T3 herzustellen. Die Zone 5 stellt das n-Gebiet der Z-Diode ZD dar, welches über eine Öffnung 6 im Oxid mit einer Metallelektrode verbunden ist. Die Zone 3 bildet das Emittergebiet des Hilfstransistors T4 welches über eine Metallisierung 7 mit der Basis 8 des Treibertransistors T2 verbunden ist. Die beiden Streifen zwischen den Zonen 1 und 4 bilden den Widerstand R7, die Streifen zwischen den Zonen 1 und 3 den Widerstand R8. Aus Gleichlaufgründen ist es zweckmäßig, die Widerstände R7 und R8 ebenso wie den hier nicht dargestellten Widerstand R2 gleichartig auszulegen. Die Zone 2 dient zur Verhinderung eines. parasitären npn-Lateraltransistors, der sich, wenn die Zonen 3 und 4 zu dicht benachbart sind, bei bestimmten Betriebszuständen störend auswirken könnte.
  • Das mit dem gemeinsamen Kollektor verbundene schwach n-dotierte Grundmaterial tritt in etwa U-förmig als Zone 1 an der Oberfläche hervor. Innerhalb dieser U-förmig ausgebildeten Zone 1 befindet sich das Basis-Gebiet 9 des Hilfstransistors T4 in unmittelbarer Umgebung der Zone 2.
  • Figur 3 zeigt einen Schnitt nach der Linie AB der in Figur 2 dargestellten Halbleiteranordnung. Die Bedeutung der hier eingetragenen Bezugszahlen stimmt mit denen von Figur 2 überein. Ergänzend ist in Figur 3 die in Figur 2 nicht dargestellte Oxidschicht 10 eingezeichnet.

Claims (7)

  1. Ansprüche Darlington-Transistorschaltung, die wenigstens dreistufig ausgebildet ist und einen Vortransistor (T1), einen Treibertransistor (T2) und einen Leistungstransistor (T3) umfaßt, und mit einem aus zwei Widerständen (R5, R6) bestehenden ersten, zwischen Kollektor und Emitter des Leistungstransistors (T3) angeordneten Spannungsteiler, an dessen Abgriff die Kathode einer Z-Diode (ZD) angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode der Z-Diode (ZD) über zwei integrierte, einen zweiten Spannungsteiler bildende Widerstände (R7, R8) mit der Basis des Treibertransistors (T2) verbunden ist; daß der Abgriff des zweiten Spannungsteilers (R7, R8) mit der Basis eines Hilfstransistors (T4) verbunden ist, dessen Emitter mit der Basis des Treibertransistors (T2) und dessen Kollektor mit den den Ausgang der Endstufe bildenden Kollektoren der Darlington-Transistorschaltung verbunden ist; und daß zwischen dem Abgriff des ersten Spannungsteilers (R5, R6) und dem mit dem Emitter des Leistungstransistors (T3) verbundenen Widerstand (R6) ein elektrischer Schalter (S) angeordnet ist.
  2. 2. Darlington-Transistorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei geschlossenem Schalter (S) die Basis-Emitterspannung am Hilfstransistor (T4) unterhalb der Basis-Emitter-Durchlaßspannung bleibt.
  3. 3. Darlington-Transistorschaltung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfstransistor (T4) bei erhöhtem Bedarf an Ansteuerstrom für die Darlington-Transistorschaltung geöffnet wird.
  4. 4. Darlington-Transistorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kollektor-Emitterstrecke den Schalter (S) bildet, der im Normalbetrieb geschlossen und zur Abschaltfunkenunterdrückung geöffnet ist.
  5. 5. Darlington-Transistorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfstransistor (T4), die Z-Diode (ZD) und der zweite Spannungsteiler (R7, R8) mit den übrigen Schaltungselementen der Darlington-Transistorschaltung auf einem gemeinsamen Substrat integriert sind.
  6. 6. Darlington-Transistorschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das mit dem gemeinsamen Kollektor verbundene schwach n-dotierte Grundmaterial (1) an der Oberfläche U-förmig ein p-Gebiet umgibt, daß in dem U-förmig umschlossenen Gebiet zwei im Abstand voneinander angeordnete rechteckige Zonen (3, 4) stark n-dotiert sind, daß zwischen diesen stark n-dotierten Zonen (3, 4) p-dotiertes Gebiet (9) die Basis des Hilfstransistors (T5) bildet, und daß sich am offenen Ende des U-förmigen Gebietes (1) das p-dotierte Basisgebiet (8) des Treibertransistors (T2) befindet.
  7. 7. Darlington-Transistorschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den stark n-dotierten rechteckigen Zonen (3, 4) in dem p-dotierten Basisgebiet (9) des Hilfstransistors (T4) ein schwach n-dotiertes Gebiet (2) belassen wird.
DE19843439366 1984-10-27 1984-10-27 Darlington-transistorschaltung Granted DE3439366A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19843439366 DE3439366A1 (de) 1984-10-27 1984-10-27 Darlington-transistorschaltung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19843439366 DE3439366A1 (de) 1984-10-27 1984-10-27 Darlington-transistorschaltung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3439366A1 true DE3439366A1 (de) 1986-04-30
DE3439366C2 DE3439366C2 (de) 1991-03-14

Family

ID=6248891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19843439366 Granted DE3439366A1 (de) 1984-10-27 1984-10-27 Darlington-transistorschaltung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3439366A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3621396A1 (de) * 1986-06-26 1988-01-14 Bosch Gmbh Robert Transistoranordnung mit einem endstufentransistor
DE4331986A1 (de) * 1993-09-21 1995-03-23 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung zum Überwachen der Betriebsspannung in einer Kfz-Zündung
DE4331874A1 (de) * 1993-09-21 1995-03-23 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Zündspannung

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19626500C1 (de) * 1996-07-02 1997-08-14 Telefunken Microelectron Leistungstransistorschaltung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2113300A1 (de) * 1971-03-19 1972-12-21 Tekade Felten & Guilleaume Elektronischer Ruhekontakt
GB2099252A (en) * 1981-05-23 1982-12-01 Bosch Gmbh Robert Circuit arrangement having an output transistor for the switching-on and switching-off of a load
DE3123667A1 (de) * 1981-06-15 1982-12-30 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart "darlington-transistorschaltung"
DE3324476A1 (de) * 1982-07-17 1984-02-02 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Darlington-transistorschaltung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2113300A1 (de) * 1971-03-19 1972-12-21 Tekade Felten & Guilleaume Elektronischer Ruhekontakt
GB2099252A (en) * 1981-05-23 1982-12-01 Bosch Gmbh Robert Circuit arrangement having an output transistor for the switching-on and switching-off of a load
DE3123667A1 (de) * 1981-06-15 1982-12-30 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart "darlington-transistorschaltung"
DE3324476A1 (de) * 1982-07-17 1984-02-02 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Darlington-transistorschaltung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3621396A1 (de) * 1986-06-26 1988-01-14 Bosch Gmbh Robert Transistoranordnung mit einem endstufentransistor
DE4331986A1 (de) * 1993-09-21 1995-03-23 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung zum Überwachen der Betriebsspannung in einer Kfz-Zündung
DE4331874A1 (de) * 1993-09-21 1995-03-23 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Zündspannung
DE4331874C2 (de) * 1993-09-21 1999-07-01 Temic Semiconductor Gmbh Zündanlage für Brennkraftmaschinen mit einer ruhenden Zündspannungsverteilung

Also Published As

Publication number Publication date
DE3439366C2 (de) 1991-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69534509T2 (de) Zweipoliges Bauteil zur Überkopfzündung mit kontrollierter Empfindlichkeit
DE3628857C2 (de)
DE2558017C2 (de) Schaltungsanordnung zur Durchführung Boolescher Verknüpfungen digitaler Signale
DE2204853C2 (de) Schaltungsanordnung zum Zünden eines steuerbaren bidirektionalen Thyristors
EP0538507A1 (de) Schutzschaltung für Anschlusskontakte von monolithisch integrierten Schaltungen
DE2610122C3 (de) Dreipolige Halbleiteranordnung
DE3631136C2 (de)
DE2718696C3 (de) Halbleiterschalterkreis
DE3422132C1 (de) Schutzschaltungsanordnung
EP0174473B1 (de) Monolitisch integrierte Leistungsendstufe
DE3838964C2 (de)
DE2640621B2 (de) Halbleiter-Schalteinrichtung
DE2643935C2 (de) Halbleiter-Schalteinrichtung
DE3439366C2 (de)
EP1128442B1 (de) Laterale Thyristorstruktur zum Schutz vor elektrostatischer Entladung
DE2631474B2 (de) Halbleiter-Schalteinrichtung
DE69004147T2 (de) Schutzeinrichtung gegen den Durchbruch bipolarer Transistoren in einem integrierten Treiber-Schaltkreis für ein Leistungsbauelement mit resonanter Ladung am Kollektor.
EP0311605B1 (de) Transistoranordnung mit einem endstufentransistor
EP0413054B1 (de) Eingangsschutzstruktur für integrierte Schaltungen
EP0521002B1 (de) Kurzschlussfeste transistorendstufe, insbesondere zündungsendstufe für kraftfahrzeuge
DE4207225C2 (de) Integrierte Schaltung mit Abgleichbauteilen
DE68912415T2 (de) Integrierte Stromspiegelschaltung mit vertikalen Transistoren.
DE2148437B2 (de) Schaltungsanordnung zur verbesserung der kurzschlussfestigkeit von schaltkreisen vom typ der langsamen stoersicheren logik
EP0414934B1 (de) Eingangsschutzstruktur für integrierte Schaltungen
EP0144977B1 (de) Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Thyristors mit Licht

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)