DE4207225C2 - Integrierte Schaltung mit Abgleichbauteilen - Google Patents
Integrierte Schaltung mit AbgleichbauteilenInfo
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Description
Die Erfindung geht aus von einer integrierten Schaltung mit Abgleich
bauteilen nach den Oberbegriffen der Ansprüche 1 und 7, wie sie
aus der US-PS 43 99 372 bekannt ist. Es sind bereits Brenn
strecken und Zenerdioden als Abgleichelemente für integrierte Schal
tungen bekannt, bei denen aber der Abgleich auf den Chip mittels
externer Prüfnadeln erfolgt. Um über die Prüfnadeln einen Strom in
die integrierte Schaltung einzukoppeln, ist der Chip mit metallischen
Kontaktpads versehen. Da mit jeweils zwei Kontaktpads nur jeweils
eine Brennstrecke oder Zenerdiode abgeglichen wird, werden zum
Abgleich einer Schaltung eine Vielzahl von Pads benötigt. Die dafür
verwendete Fläche steht nicht mehr zur Realisierung von Schaltkreisen
zur Verfügung. Die Justierung der externen Prüfnadeln auf den Pads
ist problematisch und erfordert somit aufwendig gebaute Geräte zum
Abgleich. Weiterhin sind aus der DE 27 05 990 Thyristoren bekannt,
die von ihrem Aufbau her in integrierten Schaltungen verwendet werden
können. Diese Thyristoren sind jedoch nicht als irreversible
Abgleichbauteile ausgelegt.
Aus der US 4 399 372 ist eine Brennstrecke, die durch Ansteuern eines
Transistors durchgebrannt wird, bekannt, die in einem Siliziumchip
integriert sind. Die Ansteuerung des Transistors kann dabei durch
ebenfalls in dem Siliziumchip integrierte Komponenten erfolgen. Aus
der DE 38 13 319 A1 sind Brennstrecken und Zenerdioden im Zusammenhang
mit dem Abgleich von integrierten Schaltungen bekannt. Aus der
US 4 404 581 ist die gleichzeitige Integration eines Transistors und
eines Widerstands bekannt. Durch Ansteuerung des Transistors kann
dabei die Leitfähigkeit des Widerstands irreversibel beeinflußt
werden.
Die erfindungsgemäßen integrierten Schaltungen mit den
kennzeichnenden Merkmalen der Ansprüche 1 und 7 haben demgegenüber
den Vorteil, daß der Abgleich der Schaltung über wenige
Anschlüsse - auch nach der Verpackung - der Schaltung erfolgt. Da
keine Kontaktpads für Prüfnadeln auf der integrierten Schaltung
benötigt werden, entfällt die aufwendige Justierung der Prüfnadeln
und der Platzbedarf der Schaltung wird reduziert. Durch die
Verwendung eines Thyristors erfolgt der Abgleich zudem besonders
leistungsarm, was die Verwendung einer entsprechend einfachen
Steuereinheit erlaubt. Werden Thyristoren nach Anspruch 7 als
Abgleichbauteile verwendet, so haben sie den weiteren Vorteil, daß
sie die Funktionen von Abgleichelement und Schaltstrecke in einem
Bauteil vereinen. Weiterhin ist es vorteilhaft, daß sie vor dem
eigentlichen, irreversiblen Abgleich testweise durchgeschaltet
werden können.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen ist eine
vorteilhafte Weiterbildung und Verbesserung der im Anspruch 1
angegebenen Schaltung möglich. Wenn das Abgleichbauteil aus einem
Abgleichelement und einer Schaltstrecke besteht, so kann das
Abgleichbauteil aus einfachen Unterelementen aufgebaut werden. Mit
einem parallel zum Abgleichelement geschalteten Widerstand wird ein
bestimmter Widerstandswert eingestellt. Durch einen parallel zum
Abgleichelement angeordneten Thyristor oder Transistor wird ggf. das
Abgleichelement durch Signale der Steuereinheit überbrückt. Dadurch
kann der Erfolg des Abgleichs vor dem irreversiblen Schalten gete
stet werden. Die einfachsten Ausführungsformen solcher Abgleich
elemente bestehen aus Brennstrecken oder Zenerdioden. Um mehrere
Abgleichzustände zu realisieren, werden mehrere Zenerdioden mit
jeweils einem Thyristor parallel geschaltet. Werden Thyristoren nach
Anspruch 7 in Reihe mit jeweils einer Diode und einer Brennstrecke
parallel geschaltet, so können verschiedene Abgleichszustände einge
stellt werden. Besonders einfach werden solche Thyristoren als
integrierte Bauelemente ausgeführt. Die zusätzliche Hinzufügung
einer streifenförmigen von der Anode ausgehenden Implantation oder
Diffusion verhindert, daß die Thyristoren bei steilen Spannungs
flanken von selbst durchschalten. Die Herstellung solcher
Thyristoren ist sowohl auf p-Silizium wie auch auf n-Silizium
Substraten möglich. Dadurch, daß nur eine Anode und nur eine Kathode
vorhanden sind, wird der zum Durchlegieren der Thyristoren benötigte
Strom verringert. Dieser Effekt läßt sich noch verstärken, wenn
Anode und Kathode auf der einander zugewandten Seite eine Spitze
aufweisen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
Es zeigen
Fig. 1 ein Blockschaltbild der erfindungsgemäßen Schal
tung,
Fig. 2a) und b) Anordnungen der Bauelemente zum Schaltungs
abgleich,
Fig. 3 die Parallelschaltung von Bauelementen im Falle
von Zenerdioden,
Fig. 4 die Parallelschaltung von Thyristoren als
Abgleichbauteile,
Fig. 5 eine schematische Aufsicht des
Thyristors,
Fig. 6 ein Ersatzschaltbild, Fig. 7 einen
Schnitt durch den Thyristor und
Fig. 8 den Schutzwiderstand dieses
Thyristors.
In Fig. 1 ist mit 16 eine integrierte Schaltung bezeichnet, mit
einem abzugleichenden Schaltungsteil 14, den Abgleichbauteilen 4 und
einer Steuereinheit 2. Die Steuereinheit 2 weist Eingänge 1 und
Abgleichleitungen 8 auf. Der abzugleichende Schaltungsteil 14 weist
Abgleichleitungen 45 und Ausgangsleitungen 15 auf. Die Funktion des
abzugleichenden Schaltungsteils 14 ist für den Erfindungsgedanken
nicht von Belang, es wird jedoch besonders an Auswerteschaltungen
für Sensoren gedacht, da diese wegen der fertigungsbedingten Tole
ranzen von Sensoren oft aufwendig abgeglichen werden müssen. Die
Sensoren sind hier in den abzugleichenden Schaltungsteil 14 inte
griert. Für den Abgleich wird der Sensor in kontrollierter Weise an
geregt. Das dabei entstehende Signal wird mit einem Sollwert ver
glichen und durch den Abgleich der Schaltung korrigiert. Die Daten
der zunächst unabgeglichenen Sensoren können dabei beispielsweise
über die Ausgänge 15 ausgelesen werden, der Abgleich erfolgt dann
aufgrund von Signalen, die an die Eingänge 1 angelegt werden. Ebenso
gut ist es vorstellbar, die Daten der Sensoren direkt an die Steuer
einheit 2 weiterzuleiten und zu verarbeiten, der Input an den Ein
gängen 1 würde sich in so einem Fall darauf beschränken, den Ab
gleichvorgang auszulösen. Erfindungsgemäß ist die Steuereinheit 2
mit den Abgleichbauteilen 4 und dem abzugleichenden Schaltungsteil
14 integriert. Dies umfaßt hier sowohl eine monolitische Integration
auf einem Chip wie auch eine Hybridintegration. Die Zahl der Ab
gleichleitungen 8 übersteigt die Zahl der Eingänge 1. Da die Ab
gleichleitungen 8 durch Integration sehr viel kleiner sind als die
nach draußen führenden Eingangsleitungen 1 oder Kontaktpads für
externe Prüfnadeln, ist es möglich, sehr viele Abgleichbauteile 4
bei gleichzeitig geringem Platzbedarf abzugleichen. Durch das Zwi
schenschalten der Steuereinheit 2 zwischen die Eingangsleitungen 1
und die Abgleichsbauteile 4 wird somit der Platzbedarf für die
Schaltungsteile 14, die abgeglichen werden, verringert. Dieser Vor
teil läßt sich jedoch nur realisieren, wenn der Platzbedarf für die
Steuereinheit 2 geringer ist als der Platzbedarf für einen durch
externe Zuleitungen vorgenommenen Abgleich. Dies ist insbesondere der
Fall, wenn die Steuereinheit 2 nur geringe Leistungen schalten muß,
um den Abgleich vorzunehmen und so sehr klein gebaut werden kann.
Die erfindungsgemäßen Abgleichsbauteile weisen somit zwei Merkmale
auf; sie sind irreversibel veränderbar und diese Veränderung ist
durch Steuersignale geringer Leistung auslösbar. Diese Funktionen
des Abgleichbauteils 4 werden in den Beispielen nach Fig. 2 und 3
durch zwei Komponenten, ein Abgleichselement 5, 6 und eine Schalt
strecke 11 realisiert. Als Abgleichselement 5, 6 werden Brenn
strecken 5 oder Zenerdioden 6, als Schaltstrecken werden Thyristoren
11 verwendet. Bei der Verwendung von Thyristoren
44 als Abgleichsbauteile 4 sind beide Funktionen, Schaltstrecke und
Abgleichselement, in einem Bauteil vereint. Der
Thyristor nach Fig. 4-8 ist sowohl irreversibel veränderbar als
auch leistungsarm ansteuerbar.
In Fig. 2a) ist mit 5 eine Brennstrecke und in Fig. 2b) mit 6 eine
Zenerdiode bezeichnet. In Reihe zur Zenerdiode 6 oder Brennstrecke 5
ist ein Thyristor 11 geschaltet, der über die Abgleichsleitung 8 mit
der Steuereinheit 2 verbunden ist. Parallel zur Brennstrecke 5 oder
Zenerdiode 6 ist ein Widerstand 10 geschaltet. Parallel zur Zener
diode 6 ist ein Thyristor 12 geschaltet, der ebenfalls mit der
Steuereinheit 2 verbunden ist. Der Thyristor 12 kann auch durch
einen Transistor ersetzt werden. Durch das Zünden der Thyristoren 11
kann ein Strom durch die Brennstrecke 5 oder die Zenerdiode 6
geschaltet werden. Überschreitet der dabei fließende Strom einen
vorgegebenen Wert, so wird die Brennstrecke 5 durchgeschmolzen bzw.
die Zenerdiode 6 wird durch eine metallische Verbindung zwischen den
Anschlüssen irreversibel leitend (durchlegiert). Durch den parallel
geschalteten Widerstand 10 kann ein bestimmter Widerstandswert
zwischen den Knotenpunkten 61 und 62 erreicht werden. Im Fall der
Brennstrecke wird dieser Widerstand 10 nach dem Durchbrennen der
Brennstrecke 5 aktiviert, im Fall der Zenerdiode 6 ist der Wider
stand 10 zwischen den Anschlüssen 61 und 62 vor dem Durchlegieren
der Zenerdiode 6 aktiviert. Durch den parallel geschalteten
Thyristor 12 kann die Zenerdiode im nichtleitenden Zustand über
brückt werden. Auf diese Weise kann der Abgleich der Schaltung
reversibel getestet werden.
In Fig. 3 sind mit 6 parallel geschaltete Zenerdioden bezeichnet,
die jeweils einen in Reihe geschalteten Thyristor 11 aufweisen. Der
abzugleichende Schaltungsteil 14 ist über Abgleichleitungen 45 mit
Anschlüssen zwischen den Zenerdioden 6 und den Thyristoren 11 ver
sehen. Die Thyristoren 11 werden über die Abgleichsleitungen 8 von
der Steuereinheit 2 angesteuert. Mit dieser Anordnung können ver
schiedene Abgleichwerte für den abzugleichenden Schaltungsteil 14
realisiert werden. Zum Abgleich wird eine Potentialdifferenz zwi
schen der Leitung 63 und der Leitung 64 angelegt. Durch gezieltes
Ansteuern einzelner Thyristoren 11 können die entsprechenden Zener
dioden 6 irreversibel zu metallisch leitend geändert werden. Nach
dem Abgleichvorgang wird das Potential der Leitung 63 auf einen be
liebigen Punkt des Schaltungsteils 14 bezogen. Beispielsweise kann
der Schaltungsteil 14 eine Widerstandskaskade aufweisen, deren End
punkt auf dem gleichen Potential liegt wie die Leitung 63.
In Abbildung 4 sind mit 44 parallel geschaltete Thyristoren be
zeichnet, die jeweils in Reihe eine Brennstrecke 48 und eine Diode
47 aufweisen. Der abzugleichende Schaltungsteil 14 ist über die Ab
gleichleitungen 45 zwischen den Thyristoren 44 auf der einen Seite,
und auf der anderen Seite der Diode 47 und der Brennstrecke 48 an
geschlossen. Die Thyristoren 44 können über die Leitungen 8 von der
Steuereinheit 2 gezündet werden. Wenn ein vorgegebener Strom über
die Thyristoren 44 fließt, so werden die Thyristoren 44 irreversibel
zu metallisch leitend verändert. Der Abgleich des Schaltungsteils 14
kann vor dem Durchlegieren der Thyristoren 44 durch Zünden der Thy
ristoren bei begrenzter Strombelastung getestet werden. Die Brenn
strecken 48 können bei einer anderen vorgegebenen Strombelastung
irreversibel durchgebrannt werden. Die Strombelastung, bei der die
Brennstrecken 48 durchbrennen, ist größer als die Streckenbelastung
die zum Durchlegieren der Thyristoren 44 benötigt wird. Die Dioden
47 können auch auf andere Weise angeschlossen werden, sofern sicher
gestellt ist, daß zwischen zwei Anschlüssen der Leitungen 45 jeweils
2 in entgegengesetzter Richtung angeordnete Dioden gelegen sind.
Ein Abgleich des Schaltungsteils 14 kann wie folgt vorgenommen wer
den. Durch testweises Durchschalten der Thyristoren 44 bei einer
ersten kleinen Potentialdifferenz zwischen 42 und 43 wird der opti
male Abgleich des Schaltungsteils 14 ermittelt. Die einzelnen Ab
gleichsleitungen 45 können dabei einzeln auf das definierte Poten
tial der Leitung 42 gelegt werden, weil sie durch die Dioden 47 ge
geneinander isoliert sind. Durch Anlegen einer zweiten höheren Po
tentialdifferenz zwischen 43 und 42 und Ansteuern eines einzelnen
Thyristoren 44 durch die Steuereinheit 2 fließt über den ange
steuerten Thyristor 44 ein Strom, der zur Durchlegierung des Thyri
stors 44 ausreicht. Durch Anlegen einer dritten noch größeren Poten
tialdifferenz zwischen den Leitungen 43 und 42 fließt nun ein Strom,
der die zum durchlegierten Thyristor 44 gehörige Brennstrecke 48
durchbrennt. Die Thyristoren 44 sind so ausgelegt, daß sie einen
plötzlichen Spannungsanstieg, beispielsweise beim Anlegen der Durch
brennspannung an die Thyristoren, tolerieren, ohne daß sie durch
diese steile Spannungsflanke durchschalten. Die entsprechenden kon
struktiven Maßnahmen an den Thyristoren 44 werden in Fig. 8 be
schrieben. Der weitere Abgleich der Schaltung erfolgt durch sukzes
sives Durchlegieren der zuvor ausgewählten Thyristoren 44 und dem
Durchbrennen der ihnen zugeordneten Brennstrecken 48.
In Fig. 5 wird, stark vergrößert, schematisch die Aufsicht auf
einen Planarthyristor gezeigt der als Thyristor 44 in einer Schal
tung nach Fig. 4 einsetzbar ist. Der hier beschriebene Thyristor
geht von einer Herstellung auf einem p-Silizium-Substrat aus. Durch
Vertauschen der Dotierungen, d. h. n wird zu p und p wird zu n, und
Umpolung der Spannungen, d. h. Anode wird zu Kathode, Kathode wird zu
Anode und Gatespannung ändert das Vorzeichen, sind jedoch äquiva
lente Thyristoren auch auf n-Silizium-Substraten herstellbar.
In einer N-Schicht 21 bildet ein eingebettetes P-Gebiet 23 mit einer
Metallisierung 33 die Anode 25 des Thyristors 44. Die Kathode 26 und
das Gate 27 weisen eine gemeinsame in die N-Schicht 21 eingebettetes
P-Gebiet 23 auf. Unter der Metallisierung 33 der Kathode 26 ist ein
weiteres N-Gebiet 24 in das P-Gebiet 23 von Kathode 26 und Gate 27
eingebettet. Die genaue Ausgestaltung dieses Thyristors wird in der
Fig. 7 die einen Schnitt entlang der Linie I-I zeigt beschrieben.
Ausgehend von dem P-Gebiet 23 der Anode 25 erstreckt sich ein strei
fenförmiges, schwach dotiertes P-Gebiet 29. Am Ende des streifenför
migen P-Gebiets 29 ist ein P⁺-Gebiet 30, eine Metallisierung 31 und
ein N⁺-Gebiet 32 gelegen. Wesentlich ist dabei, daß dieses Ende
des streifenförmigen Gebietes 29 in der N-Schicht 21 eingebettet
ist. Die genaue Ausgestaltung wird durch einen Schnitt entlang der
Linie II-II in der Fig. 8 beschrieben.
In Fig. 6 wird das Ersatzschaltbild des in Fig. 5 dargestellten
Thyristors 44 gezeigt. Mit 25 ist die Anode, mit 26 die Kathode und
mit 27 das Gate bezeichnet. Der Thyristor kann ersatzweise durch die
hier gezeigte Zusammenschaltung eines PNP-Transistors 51 und eines
NPN-Transistors 52 dargestellt werden. Das streifenförmige Gebiet 29
bildet mit den zusätzlichen Gebieten (30, 31, 32) am Ende den hier ge
zeigten Schutzwiderstand 53. Die Funktion dieses Widerstandes wird
in Fig. 8 beschrieben.
In Fig. 7 wird ein Schnitt durch einen Planarthyristor entlang der
Linie I-I der Fig. 5 beschrieben, der als Thyristor 44 in einer
Schaltung nach Fig. 4 einsetzbar ist. Mit 20 ist ein P-Substrat,
mit 21 eine darauf aufgebrachte N-Schicht und mit 22 ein dazwischen
liegender N⁺-burried layer bezeichnet. Die Anode 25 weist eine Me
tallisierung 33 und ein P-Gebiet 23 auf. Die Kathode 26 und das Gate
27 weisen eine gemeinsames P-Gebiet 23 auf und jeweils eine Metalli
sierung 33. Zusätzlich weist die Kathode 26 noch ein N-Gebiet 24
auf. Die Oberfläche des Thyristors ist mit einer Passivierung 34 aus
Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid bedeckt. Das Bauteil ist durch
tiefreichendes P-Gebiet 28 gegen benachbarte Bauteile isoliert. Es
handelt sich hierbei somit um einen planaren Thyristor. Im Unter
schied zu herkömmlichen planaren Thyristoren weist dieser Thyristor
nur einen Anoden- und nur einen Kathodenbereich auf. Durch diese
Maßnahme wird die Stromdichte zwischen der Anode 25 und der Kathode
24 besonders groß. Bei hoher Strombelastung bildet sich daher zwi
schen der Anode 25 und der Kathode 24 ein Metallfaden 35 aus. Dieser
Metallfaden 35 bewirkt den irreversiblen Kurzschluß zwischen Anode
25 und Kathode 26.
In Fig. 8 wird durch einen Schnitt entlang der Linie II-II die Aus
gestaltung des Schutzwiderstandes 53 für den Thyristor beschrieben.
Mit 20 wird ein P-Substrat, mit 21 eine darauf aufgebrachte
N-Schicht und mit 22 ein dazwischen liegendes N⁺-Gebiet be
zeichnet. An das P-Gebiet 23 der Anode 25 ist ein streifenförmiges
P-Gebiet 29 angeschlossen. Die Tiefe und die Dotierung des P-Gebiets
29 sind gering gegen die des P-Gebiets 23 der Anode 25. Am Ende des
streifenförmigen P-Gebiets 29 ist ein P⁺-Gebiet 30 gelegen. Dieses
P⁺-Gebiet 30 hat elektrischen Kontakt zu einer Metallisierung 31,
die Metallisierung 31 hat elektrischen Kontakt zu einem N⁺-Gebiet
32. Dieses N⁺-Gebiet 32 ist in die N-Schicht 21 eingebettet. Durch
die geringe Dotierung und geringe Tiefe weist das streifenförmige
P-Gebiet 29 einen relativ hohen definierten Widerstandswert auf.
Über das P⁺-Gebiet 30, den metallischen Kontakt 31 und das
N⁺-Gebiet 32 wird ein Ohmscher Kontakt zur N-Schicht hergestellt.
Diese Anordnung stellt somit einen Ohmschen Widerstand zwischen der
ersten P-Zone 23 und der ersten N-Zone 21 des PNPN-Thyristors dar,
wie in Fig. 6 beschrieben. Durch diesen, parallel zum ersten
PN-Übergang des Thyristors gelegenen Widerstand wird das Durch
schalten des Thyristors bei einem plötzlichen Spannungsanstieg an
der Anode verhindert. Durch diese Maßnahme wird erreicht, daß der
hier beschriebene Thyristor beim Anlegen von Spannungen an den
Thyristor nicht von selbst zündet.
Claims (14)
1. Integrierte Schaltung mit einer Steuereinheit (2), bei der ein
Abgleich durch irreversibles von leitend zu isolierend oder von
isolierend zu leitend Schalten von mindestens einem Abgleichbauteil
(4) erfolgt, wobei das Abgleichbauteil (4) mindestens ein
Abgleichelement (5, 6) und mindestens eine Schaltstrecke (11)
aufweist, wobei aufgrund von an der Steuereinheit (2) anliegenden
Signalen die Steuereinheit den Abgleich vornimmt, indem sie eine
Schaltstrecke (11) des Abgleichbauteils (4) leitend schaltet,
dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe zum Abgleichelement (5, 6) eine
Schaltstrecke (11) angeordnet ist, die als Thyristor (11) ausgeführt
ist.
2. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß parallel zum Abgleichelement (5, 6) ein Widerstand (10) geschal
tet ist.
3. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß parallel zum Abgleichelement (5, 6) ein weiterer Thy
ristor (12) oder ein Transistor geschaltet ist, der von der Steuerein
heit (2) angesteuert wird.
4. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch
gekennzeichnet, daß das Abgleichelement (5, 6) als Brennstrecke (5)
ausgebildet ist.
5. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch
gekennzeichnet, daß das Abgleichelement (5, 6) als Zenerdiode (6)
ausgebildet ist.
6. Integrierte Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß mehrere Zenerdioden (6) parallel über jeweils einen Thyristor
(11) zwischen zwei potentialen liegen, daß der Schaltungsteil, der
abgeglichen wird (14), über Abgleicheingänge (45) zwischen jeweils
einer Zenerdiode (6) und dem Thyristor (11) angeschlossen ist, und
daß der Thyristor (11) von der Steuereinheit (2) gezündet wird.
7. Integrierte Schaltung mit einer Steuereinheit (2), bei der ein
Abgleich durch irreversibles von isolierend zu leitend Schalten von
mindestens einem Abgleichbauteil (4) erfolgt, wobei aufgrund von an
der Steuereinheit (2) anliegenden Signalen die Steuereinheit den
Abgleich vornimmt, indem sie eine Schaltstrecke (11) des
Abgleichbauteils (4) leitend schaltet, dadurch gekennzeichnet, daß
das Abgleichbauteil (4) ein Thyristor (44) ist, und daß der
Thyristor (44) durch eine vorbestimmte Strombelastung metallisch
leitend wird.
8. Integrierte Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß mehrere als Thyristor (44) ausgeführte Abgleichbauteile (4)
parallel über jeweils eine Diode (47) und Brennstrecke (48) zwischen
zwei Potentialen liegen, daß der Schaltungsteil (14), der abgeglichen
wird über Abgleicheingänge (45) zwischen dem jeweiligen Thyristor
(44) und der Diode (47) und der Brennstrecke (48) angeschlossen
ist, daß die Brennstrecke (48) bei einer vorbestimmten
Strombelastung, die größer ist als die für den jeweiligen
Thyristoren (44), durchbrennen und daß die Thyristoren (44) von der
Steuereinheit (2) angesteuert werden.
9. Integrierte Schaltung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Thyristor (44) mindestens drei An
schlüsse (25, 26, 27) aufweist, daß für den Thyristor (44) auf einem
Silizium-Substrat (20) eines ersten Leitungstyps eine
Silizium-Schicht (21) eines zweiten Leitungstyps aufgebracht ist,
daß von der Oberseite im Bereich der Anschlüsse (25, 26, 27) Gebiete
(23) des ersten Leitungstyps in die Silizium-Schicht (21) einge
bracht sind, daß ein stark dotiertes Gebiet (24) des zweiten
Leitungstyps im Bereich des ersten Anschlusses (26) in die Silizium-Schicht
(23) eingebracht ist, daß die Anschlüsse (25, 26, 27) mit Metall
kontakten (33) versehen sind, daß der Thyristor (44) durch ein
Gebiet (28) des ersten Leitungstyps, das die Silizium-Schicht (21)
vollständig durchdringt, isoliert ist, daß der Thyristor (44)
zwischen dem Silizium-Substrat (20) und der Silizium-Schicht (21)
eine stark dotierten Schicht (22) des zweiten Leitungstyps aufweist,
und daß die Siliziumoberfläche mit einer isolierenden Schicht (34)
aus Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid bedeckt ist.
10. Integrierte Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß vom Gebiet (23) des ersten Leitungstyps des zweiten Anschlusses (25) ein
streifenförmiges Gebiet (29) gleichen Leitungstyps ausgeht, die
Tiefe und die Dotierung dieses Gebiets (29) gering ist gegen das
Gebiet (23) des zweiten Anschlusses (25), daß sich an dieses Gebiet (29)
ein stark dotiertes Gebiet (30) des ersten Leitungstyps an
schließt, das über einen Metallkontakt (31) mit einem stark
dotierten Gebiet (32) des zweiten Leitungstyps verbunden ist, das in
die Silizium-Schicht (21) eingebettet ist.
11. Integrierte Schaltung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß der erste Leitungstyp p-leitend und der zweite
Leitungstyp n-leitend ist, und daß der zweite Anschluß (25) als Anode, der
erste Anschluß (26) als Kathode und ein dritter Anschluß (27) als Gate
verwendet wird.
12. Integrierte Schaltung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß der erste Leitungstyp n-leitend und der zweite
Leitungstyp p-leitend ist, und daß der erste Anschluß (26) als Anode, der
zweite Anschluß (25) als Kathode und ein dritter Anschluß (27) als Gate
verwendet wird.
13. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 11 oder 12, da
durch gekennzeichnet, daß nur eine Anode und nur eine Kathode vor
handen sind, und daß die jeweils zugehörigen Gebiete (23) in der
Aufsicht einen im wesentlichen rechteckigen Grundriß aufweisen.
14. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 11 oder 12, da
durch gekennzeichnet, daß nur eine Anode und nur eine Kathode vor
handen sind, und daß die zugehörigen Gebiete (23) in der Aufsicht
auf der einander zugewandten Seite eine Spitze aufweisen.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4207225A DE4207225C2 (de) | 1992-03-07 | 1992-03-07 | Integrierte Schaltung mit Abgleichbauteilen |
| US08/025,492 US5391951A (en) | 1992-03-07 | 1993-03-03 | Integrated circuit having an adjusting component and an adjustable thyristor |
| JP04481793A JP3390040B2 (ja) | 1992-03-07 | 1993-03-05 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4207225A DE4207225C2 (de) | 1992-03-07 | 1992-03-07 | Integrierte Schaltung mit Abgleichbauteilen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4207225A1 DE4207225A1 (de) | 1993-09-16 |
| DE4207225C2 true DE4207225C2 (de) | 1994-06-16 |
Family
ID=6453454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE4207225A Expired - Lifetime DE4207225C2 (de) | 1992-03-07 | 1992-03-07 | Integrierte Schaltung mit Abgleichbauteilen |
Country Status (3)
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| JP (1) | JP3390040B2 (de) |
| DE (1) | DE4207225C2 (de) |
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| DE29507374U1 (de) * | 1995-05-03 | 1995-07-20 | Bosch-Siemens Hausgeräte GmbH, 81669 München | Kältegerät |
| ITMI20070099A1 (it) | 2007-01-24 | 2008-07-25 | St Microelectronics Srl | Dispositivo elettronico comprendente dispositivi sensori differenziali mems e substrati bucati |
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| US4404581A (en) * | 1980-12-15 | 1983-09-13 | Rockwell International Corporation | ROM With redundant ROM cells employing a highly resistive polysilicon film for programming the cells |
| DE3813319A1 (de) * | 1988-04-20 | 1989-11-02 | Sgs Thomson Microelectronics | Abgleicheinrichtung |
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1993
- 1993-03-03 US US08/025,492 patent/US5391951A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-05 JP JP04481793A patent/JP3390040B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US5391951A (en) | 1995-02-21 |
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| R071 | Expiry of right |