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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf den Bereich und
insbesondere im Bereich von Halbleitern und speziell von MOS-
Transistoren. Sie findet Anwendung insbesondere im Bereich von
MOS-Leistungstransistoren
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Speziell betrifft die vorliegende Erfindung eine MOS-
Transistoranordnung, deren Substrat automatisch mit dem
niedrigsten der an die beiden Hauptelektroden (Source und
Drain) angelegten Potentiale verbunden wird.
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Des weiteren betrifft die Erfindung eine Anwendung der
Anordnung gemaß der Erfindung auf eine Freilaufdiode vom
aktiven Diodentyp, die monolithisch in einen Schaltungschip
integriert werden kann, der ebenfalls einen MOS-
Leistungstransistor vom Typ eines MOS-
Vertikaldiffusionstransistors (VDMOS) oder dgl. enthalt.
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Vor der Beschreibung der vorliegenden Erfindung sollen die
Probleme behandelt werden, die sich bei der Realisierung einer
Freilaufdiode bei Technologien stellen, die MOS-
Vertikaldiffusionstransistoren und logische MOS-
Lateraltransistoren auf einem integrierten Schaltungschip
einschließen.
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Zunachst zeigt die Fig. 1 die Verbindung eines
Leistungsschalters 1 und einer Last 2, die an eine
Gleichstromquelle 3 angeschlossen ist. Falls die Last 2 eine
induktive Last ist, sieht man in Serie mit dem
Leistungsschalter und parallel zu der Last eine Diode 4, eine
sog. Freilaufdiode vor, die dazu bestimmt ist, den induktiven
Strom der Last weiterfließen zu lassen, wenn der Schalter sich
öffnet, wobei diese Diode invers im Hinblick auf den Stromfluß
gepolt ist, wenn der Hauptschalter 1 geschlossen ist. Die
Freilaufdiode soll wesentliche Überspannungen vermeiden, die
ohne sie erzeugt würden, wenn der in Serie mit der Last
liegende Hauptschalter plötzlich geöffnet wird.
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Anwender von Leistungsschaltern wünschen generell, daß die
Freilaufdiode 4 in den gleichen Halbleiterchip wie der
Leistungsschalter integriert wird.
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Die Fig. 4 zeigt sehr schematisch eine Schnittansicht einer
Realisierung einer solchen Freilaufdiode in einer Technologie,
die auf dem gleichen Chip MOS-Diffusionsleistungstransistoren
und Transistoren umfaßt, die eine Steuerschaltung bilden.
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Wie Fig. 2 zeigt, wird bei dieser Technologie ein Substrat mit
einer unteren N&spplus;-Schicht 10 und einer N-Schicht 11 verwendet.
In der Schicht 11 vom Leitungstyp N sind zahlreiche Zellen von
MOS-Leistungstransistoren gebildet, von denen eine schematisch
dargestellt und mit dem Bezugszeichen 12 gekennzeichnet ist.
Jede Zelle eines Leistungstransistors umfaßt P-Diffusionszonen
13, in die N-Zonen 14 eindiffundiert sind. Eine Metallisierbng
15 für die Source kontaktiert die Zonen 14 und die P-Zone 13,
welche diese trennt. Eine Metallisierung 16 (polykristallines
Silicium) für das isolierte Gitter erlaubt es, Kanäle in den
seitlichen Teilen der P-Zonen derart zu öffnen, daß sich eine
Leitung zwischen der Source-Elektrode 15 und einer
Drain-Metallisierung 17 ergibt, die auf der rückwärtigen Seite des
Bauteiles ausgebildet ist.
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In dieser Struktur befinden sich ferner ein oder mehrere Gräben
20 vom Leitungstyp P, in denen MOS-Transistoren 21 gebildet
sind, wodurch eine Steuerschaltung realisiert werden kann.
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Ein klassisches Verfahren, um in monolithischer Art eine
Freilaufdiode herzustellen, besteht darin, in einem Graben 30
vom Leitungstyp P, analog den Gräben 20, die die
Steuerschaltungen enthalten, eine N&spplus;-Diffusionszone 31 und
einen P&spplus;-Kontakt 32 einzurichten, die mit Metallisierungen 33
bzw. 34 versehen sind. Die Metallisierung 33 ist an die Source-
Metallisierung 15 und den ersten Anschluß der Last
angeschlossen, die Metallisierung 34 ist an den anderen
Anschluß der Last und an den negativen Anschluß der
Versorgungsquelle 3 angeschlossen, deren positiver Anschluß an
Drain D angeschlossen ist.
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Das zur Fig. 2 äquivalente Schaltungsdiagramm ist in Fig. 3
dargestellt, in der wiederum die Last 2, die Versorgungsquelle
3 und der Leistungstransistor 12 gezeigt sind. Der N&spplus;P-Übergang
zwischen den Zonen 31 und 32 entspricht dem
Emitter-BasisÜbergang eines parasitären bipolaren Transistors 35 vom Typ
NPN, dessen Kollektor den Schichten 11 und 10 der Fig. 2
entspricht und dementsprechend mit der Drain-Elektrode D des
Leistungstransistors 12 verbunden ist. Während des Betriebes
der Freilaufdiode resultieren hieraus ein erheblicher
Leistungsverlust in diesem parasitären Transistor 35 und
parasitäre Ströme, die die Steuerschaltungen stören können. Die
klassischen Verfahren zur Reduzierung des Gewinns dieses
parasitären bipolaren Transistors sind aus Gründen des hohen
Stromes, der in der Last fließen kann, ungenügend.
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Um diesen Nachteil zu vermeiden, hat man im Stand der Technik
vorgeschlagen, Strukturen vom Typ "aktive Diode" zu
realisieren, d. h. angesteuerte Strukturen, die je nach Polung
der Spannung an ihren Anschlüssen selektiv durchschalten oder
sperren.
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Eine derartige aktive Diodenstruktur ist in Fig. 4 dargestellt.
Sie enthält die gleichen Elemente, die mit den gleichen
Bezugszeichen wie in Fig. 3 gekennzeichnet sind, wobei ein MOS-
Transistor 40 hinzugefügt ist, der in Gegenphase in Bezug zu
dem Leistungstransistor 12 und parallel zur Last 2 geschaltet
ist. Somit sperrt dieser Transistor 40, wenn der Transistor 12
leitet, und leitet, wenn der Transistor 12 gesperrt ist.
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Diese Lösung scheint a priori zufriedenstellend, jedoch
verbleibt in den Strukturen vom gerade beschriebenen Typ ein
parasitärer bipolarer Transistor 35. Der Transistor 40 ist z.
B. nach der in Fig. 5 dargestellten Art hergestellt: Er wird in
einem Graben 41 analog dem Graben 30 in Fig. 2 ausgebildet und
enthält eine Drain-Zone 42 und eine Source-Zone 43, die über
eine Metallisierung mit einer hochdotierten Zone 44 vom Typ P&spplus;
verbunden ist, die einen Kontakt mit dem Graben 41 bildet.
Zwischen den Zonen von Drain und Source ist ein Gitter
vorgesehen. Die Last 2 wird zwischen den Meta1lisierungen von
Drain 45 und Source 46 angeschlossen. Ebenso wie in Fig. 2 wird
die Metallisierung 45 der Drain-Elektrode an die
Source-Elektrode 15 des Leistungstransistors angeschlossen. Jedoch
findet man hier wieder den parasitären Transistor 45, wie in
Fig. 4 dargestellt, dessen Emitter dem Bereich 42, dessen Basis
dem Graben 41 und dessen Kollektor der Drain-Elektrode des
Leistungstransistors entsprechen. Normalerweise ist dieser
parasitäre bipolare Transistor nicht aktiv, wenn der MOS-
Transistor leitet (während des Betriebes im Freilauf) . Damit er
jedoch gesperrt bleibt, ist es notwendig, daß der
Spannungsabfall an den Anschlüssen des Transistors 40 kleiner
als die Emitter/Basis-Spannung eines bipolaren Transistors ist,
d. h. ungefähr 0,7 V. Dies macht es notwendig, daß der
Widerstand im leitenden Zustand des MOS-Transistors 40 klein
ist und daß demnach seine Oberfläche entscheidend wird, was man
bei der Herstellung eines Bauteiles jedoch zu vermeiden sucht.
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Die beiden Lösungen gemäß dem Stand der Technik, die in den
Fig. 2 bzw. 5 dargestellt sind, haben somit das Auftreten eines
parasitären bipolaren Transistors zur Folge, dessen Effekte
nachteilig sind, es sei denn, im Falle der Fig. 4 und 5, daß
man den Verlust einer bedeutenden Silicium-Oberfläche in Kauf
nimmt.
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Zudem ist es in beiden Fällen gemäß dem obigen Stand der
Technik während des Betriebes im Freilauf nicht möglich, den
Strom rasch zu verringern, der nur durch den internen
Widerstand der Last begrenzt ist, welcher häufig sehr niedrig
ist. Wenn man, selbst im Fall der Fig. 4 und 5, tatsächlich den
Widerstand des MOS-Transistors 40 erhöhen würde, zöge das den
Übergang der Basis/Emitter-Diode des bipolaren Transistors 35
in den leitenden Zustand nach sich und damit das Schalten des
Transistors in den leidenden Zustand.
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Schließlich ist ein weiterer Nachteil der Anordnungen gemäß dem
Stand der Technik, daß in dem Falle, in dem zufällig eine
Umpolung der Versorgungsquelle erzeugt wird, dieses ein nicht
vernachlässigbares Risiko ist, z. B. im Falle einer Schaltung,
die mit einer Automobilbatterie verbunden ist; dann begrenzt
nichts den Strom, der durch die Freilaufdiode und durch die
Diode fließen kann, die inhärent parallel zum
Leistungstransistor 12 vorhanden ist (die Diode, die zwischen
der Metallisierung der Drain-Elektrode 17 und der
Metallisierung der Source-Elektrode 15 gebildet ist, die
ebenfalls in Kontakt mit dem T-Bereich 13 (Fig. 2) ist)
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Die vorliegende Erfindung schlägt eine MOS-Transistoranordnung
mit einer Schaltverbindung zum Substrat vor.
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Diese MOS-Transistoranordnung, die in einem Substrat eines
ersten Leitungstyps realisiert wird, umfaßt eine
Gitterelektrode, eine erste Hauptelektrode, eine zweite
Hauptelektrode und eine Substratzone sowie Mittel, um mit der
Substratzone diejenige der ersten bzw. zweiten Hauptelektrode
zu verbinden, welche auf einem niedrigeren Potential ist.
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In einer Ausführungsform der Erfindung ist die erste bzw.
zweite Hauptelektrode jeweils mit einem ersten Hauptanschluß
eines ersten bzw. eines zweiten MOS-Hilfstransistors verbunden,
dessen zweite Hauptanschlüsse an das Substrat angeschlossen
sind; die Steuerelektroden des ersten und zweiten
Hilfstransistors werden in komplementärer Art über den Ausgang
eines Spannungskomparators angesteuert, dessen Eingänge mit den
Hauptelektroden der Transistoranordnung verbunden sind, woraus
resultiert, daß die Hauptelektrode der Transistoranordnung, die
auf dem niedrigeren Potential ist, automatisch mit dem Substrat
verbunden wird.
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Der Durchschnittsfachmann kann einen solchen Transistor für
viele Anwendungen heranziehen. Eine dieser Anwendungen ist die
Anwendung einer aktiven Diode als Ersatz für den MOS-Transistor
40, der in Verbindung mit den Fig. 4 und 5 beschrieben wurde.
Man vermeidet damit die drei Nachteile der oben dargestellten
Ausführungsformen gemäß dem Stand der Technik.
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Aufgabe, kennzeichnende Merkmale und Vorteile der vorliegenden
Erfindung werden neben anderen in der folgenden Beschreibung
spezieller Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnung näher
erläutert, in der
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die Fig. 1 bis 5, die zur Erläuterung des Standes der Technik
dienten, bereits oben beschreiben wurden;
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die Fig. 6 als Schaltungsdiagramm eine generelle Ansicht der
MOS-Transistoranordnung gemäß der Erfindung darstellt;
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die Fig. 7A und 7B detailliertere Schaltungsdiagramme einer
MOS-Transistoranordnung gemäß der vorliegenden
Erfindung darstellen;
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die Fig. 8 eine geschnittene Darstellung eines
Halbleiterplättchens zur Erläuterung einer
schematischen Herstellungsart einer MOS-
Transistoranordnung gemäß der vorliegenden Erfindung
zeigt;
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die Fig. 9 und 10 Schnittansichten zeigen, die äquivalent und
vereinfacht gegenüber der Schnittansicht in Fig. 8
sind, mit entsprechender Polung der MOS-
Transistoranordnung gemäß der vorliegenden Erfindung;
und in der
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die Fig. 11 und 12 schematische Schaltungsdiagramme sind, die
die Verwendung einer MOS-Transistoranordnung gemäß der
Erfindung in einer Anwendung als Freilaufdiode
darstellen.
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Wie üblich bei der Darstellung von integrierten Schaltungen
sind auch hier die verschiedenen Schnittansichten nicht im
Maßstab dargestellt, und zwar weder von Figur zu Figur noch
innerhalb einer einzigen Figur, und entsprechend sind auch die
Schichtdicken gewählt, um das Lesen der Figuren zu erleichtern.
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Wie in Fig. 6 gezeigt, betrifft die vorliegende Erfindung eine
MOS-Transistoranordnung mit Hauptanschlüssen A1 und A2 (die
wechselweise die Funktion der Source und die Funktion der Drain
haben) und einem Gitter G1. Die MOS-Transistoranordnung umf aßt
einen MOS-Haupttransistor 50 und Schaltmittel 51, um dessen
Substrat (d. h. die Schicht, in der die Source- und die
Drain-Elektrode ausgebildet sind und in der sich teilweise unter
Einfluß des Gitters eine Kanalzone ausbildet) mit einem seiner
beiden Anschlüsse A1 und A2 zu verbinden und präziser mit
demjenigen Anschluß, der auf niedrigerem Potential ist.
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Fig. 7A zeigt eine Ausführungsform der Schalteinrichtung 51.
Der Substratanschluß des MOS-Haupttransistors 50 ist mit den
Substratanschlüssen und den ersten Hauptanschlüssen der MOS-
Hilfstransitoren 52 und 53 verbunden, deren zweite
Hauptanschlüsse jeweils mit den Anschlüssen A1 bzw. A2
verbunden sind. Die Gitter der Hilfstransistoren 52 und 53
werden durch das Ausgangssignal eines Komparators 54
angesteuert, und zwar direkt, soweit der MOS-Transistor 53
betroffen ist, bzw. über einen Inverter I, soweit der
Transistor 52 betroffen ist. Der Komparator 54 vergleicht die
Spannungen an den Anschlüssen A1 und A2. Auf diese Weise wird
somit der Substratanschluß des Transistors 50 automatisch mit
demjenigen Anschluß A1 oder A2 verbunden, der auf niedrigerem
Potential ist.
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Die Fig. 7B zeigt ein Ausführungsbeispiel der Inverter- und
Komparatoranordnung, die in Fig. 7A in Form von Blöcken
dargestellt ist. In dieser Fig. 7B sind der Haupttransistor 50
und die Hilfstransistoren 52 und 53 zu erkennen. Das Gitter des
Transistors 52 ist mit der Drain-Elektrode eines Transistors T2
verbunden, dessen Source-Elektrode an den Anschluß A2
angeschlossen ist. Ähnlich ist das Gitter des Transistors 53 an
die Drain-Elektrode eines Transistors T1 angeschlossen, dessen
Source-Elektrode an den Anschluß A1 angeschlossen ist. Im
übrigen ist das Gitter des Transistors T2 mit dem Gitter eines
Transistors T'2 verbunden, dessen Source-Elektrode mit dem
Anschluß Al und dessen Drain-Elektrode mit seiner
Gitterelektrode und mit dem Versorgungsanschluß Vcc (z. B. 10
V) über einen Widerstand R'2 verbunden ist. Ferner ist das
Gitter des Transistors T1 an das Gitter eines Transistors T'1
angeschlossen, dessen Source-Elektrode mit dem Anschluß A2 und
dessen Drain-Elektrode mit seinem Gitter und dem
Versorgungsanschluß Vcc über einen Widerstand R'1 verbunden
ist. Schließlich sind der Gitteranschluß des Transistors 52 und
der Drain-Anschluß des Transistors T2 mit dem
Versorgungsanschluß Vcc über einen Widerstand R2 und der
gemeinsame Verbindungspunkt des Gitters des Transistors 53 und
der Drain-Elektrode des Transistors T1 mit dem
Versorgungsanschluß Vcc über einen Widerstand R1 verbunden.
Alle Transistoren T1, T'1, T2, T'2, 52, 53 und 50 haben
dasselbe Substrat.
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Die Funktion dieser Schaltung ist folgende.
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Der Widerstand R'1 injiziert einen Strom (Vcc - VT)/R'1 in den
Transistor T'1. Die Spannung an der Drain-Elektrode des
Transistors T'1 wird demnach auf +VT gepolt (das ist die
Schwellenspannung eines MOS-Transistors). Die Spannung an dem
Gitter des Transistors T1 ist somit ebenfalls auf +VT gepolt.
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Wenn die Spannung an dem Anschluß A1 positiv in Bezug zu der
Spannung am Anschluß A2 ist, wird auch die Source-Elektrode des
Transistors T1 positiv. Die Spannung Gitter/Source des
Transistors T1 ist somit niedriger als VT, und dieser
Transistor T1 ist gesperrt. Das Gitter des Transistors 53 ist
dann mit dem Anschluß Vcc über den Widerstand R1 verbunden,
wodurch dieser Transistor 53 leitend geschaltet wird. Der
Widerstand R'2 injiziert einen Strom (Vcc - VT)/R'2 in den
Transistor T'2, dessen Gitter auf eine Schwellenspannung VT
oberhalb der Spannung des Anschlusses A1 angehoben wird, die
positiv in Bezug auf den Anschluß A2 ist; die Spannung
Gitter/Source des Transistors T2 ist somit größer als VT; daher
leitet der Transistor T2 und der Transistor 52 sperrt. Hieraus
resultiert, daß das Substrat des Transistors 50 an den Anschluß
A2 angeschlossen ist, was der gewünschte Effekt ist.
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Wenn die Spannung an dem Anschluß A1 kleiner als die Spannung
an dem Anschluß A2 ist, ist die Source des Transistors T1
negativ. Die Spannung Gitter/Source dieses Transistors T1 ist
demnach höher als die Schwellenspannung (VT) des MOS-
Transistors, und dieser Transistor T1 leitet. Das Gitter des
Transistors 53 wird somit mit dem Anschluß A1 über den
Transistor T1 verbunden, und dieser Transistor sperrt. Das
Substrat des Transistors 50 ist somit nicht mehr mit Masse,
sondern mit dem Anschluß A1 verbunden, so daß in diesem Fall es
der Transistor 52 ist, der leitet, was wiederum der gewünschte
Effekt ist.
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Die Fig. 8 zeigt eine schematische Schnittansicht eines
Ausführungsbeispiels der Struktur, die in Form des
Schaltungsschemas in Fig. 7A gezeigt ist. Diese Schnittansicht
zeigt einen P-Graben 60, der das Substrat des MOS-Transistors
50 bildet. Nach klassischer Art weist dieser Transistor 50 in
dem Graben 60 zwei Zonen 61 und 62 vom N-Typ auf, die mit den
Elektroden A1 und A2 korrespondieren und unter Wirkung eines
Gitters G1 leitend geschaltet werden. Der erste Hauptbereich 61
bildet auch den ersten Hauptbereich des ersten Hilfstransistors
52, dessen zweiter Hauptbereich 63 über eine Metallisierung 64
an eine hochdotierte Zone 65 vom Typ P angeschlossen ist, die
einen Kurzschluß mit dem Substrat herstellt. In gleicher Weise
hat der zweite Hilfstransistor 53 einen ersten Hauptbereich
entsprechend der Diffusionszone 62, und sein zweiter
Hauptbereich 66 ist über eine Metallisierung 67 mit einem
Substratkontakt 68 verbunden.
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Die Gitter g1 und g2 der MOS-Hilfstransistoren 52 und 53 sind
an Inverter- und Verstärkerelemente angeschlossen, so wie sie
in Fig. 7B gezeigt sind und die in dem gleichen Graben 60 wie
die übrige Struktur realisiert werden können.
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Wenn somit das Potential am Anschluß A1 höher als das Potential
am Anschluß A2 ist, wird die in Fig. 8 gezeigte Schnittansicht
äquivalent derjenigen in Fig. 9, wobei das Gitter g3 eine
Leitung zwischen den Zonen 62 und 66 einrichtet, während die
Zonen 61 und 63 isoliert sind. In dieser Konfiguration ist es
der Anschluß A2, der an das Potential des Grabens (Substrat)
angeschlossen ist.
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Die Fig. 10 zeigt den inversen Fall, wo das Potential am
Anschluß A1 niedriger als das Potential A2 ist, d. h. daß der
Anschluß A1 auf Grabenpotential ist.
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Die Fig. 11 und 12 zeigen eine Anwendung der
Transistoranordnung gemäß der vorliegenden Erfindung als aktive
Freilaufdiode als Ersatz für den MOS-Transistor 40, der gemäß
Fig. 4 als aktive Freilaufdiode verwendet wurde. Gemeinsame
Komponenten in den Fig. 11 und 12 sind durch gleiche
Bezugszeichen gekennzeichnet.
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Die Fig. 11 zeigt den Fall, wo der MOS-Leistungstransistor 12
leitend und der MOS-Transistor 50 gesperrt ist. In diesem
Falle, wie durch die gepunkteten Linienzüge angedeutet, fließt
der Strom von der Versorgungsquelle über den MOS-
Leistungstransistor 12 in die Last 2. Das Potential an dem
Anschluß A1 ist höher als das Potential am Anschluß A2, d. h.
daß der Anschluß A2 an das Substrat (Graben) angeschlossen ist.
In dieser Konfiguration existiert, wie im Fall der Fig. 4, ein
parasitärer Transistor 35. Der Emitter des parasitären
Transistors entspricht dem Bereich 61 (Anschluß A1), seine
Basis dem Graben 60 und sein Kollektor der Drain-Elektrode des
Leistungstransistors. In diesem Funktionsstatus hat dieser
Transistor 35, wie im Fall der Fig. 4 und 5, keinen
nachteiligen Effekt, da sein Basis/Emitter-Übergang invers
gepolt ist.
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Die Fig. 12 zeigt die Struktur in dem Falle, wo der
Leistungstransistor 12 gesperrt und der Transistor 51 leitend
ist. In diesem Falle ist das Potential an dem Anschluß A1
niedriger als das Potential an dem Anschluß A2. Es ist demnach
der Anschluß A1, der an das Substrat 60 des Transistors 50
angeschlossen ist (siehe Fig. 10) . Als Konsequenz hiervon ist
der Emitter des parasitären Transistors 35 mit dessen Basis
verbunden, d. h. daß er nicht mehr die Wirkung eines
Transistors hat und äquivalent einer einfachen leitenden Diode
zwischen dem Anschluß A1 und dem positiven Versorgungsanschluß
ist, d. h. einer Diode parallel zu der normalen inversen Diode
des Leistungstransistors.
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Selbst wenn der Potentialabfall an den Anschlüssen des MOS-
Transistors 50 nicht vernachlässigbar ist, können sich dank der
Erfindung keine parasitären Effekte ausbilden. Dies kann einen
Vorteil bilden, da es möglich ist, rasch den Freilaufstrom zu
vermindern, indem der Widerstand des Transistors 51 durch
Ansteuern seines Gitters erhöht wird oder indem mit dem
Transistor ein Widerstand in Serie geschaltet wird, was im Fall
der Konfigurationen in den Fig. 3 und 5 nicht möglich wäre, da
dann der parasitäre bipolare Transistor 35 leitend und die
Funktion des Systemes stören würde. Man kann ferner einen
Transistor 50 mit sehr kleiner Oberfläche verwenden, der einen
relativ hohen Widerstandswert im leitenden Zustand aufweist.
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Ein weiterer Vorteil der aktiven Diode gemäß der Erfindung ist:
Wenn in den in den Fig. 3 und 4 dargestellten Fällen die
Polarität der Versorgungsquelle 3 invertiert wird, wird ein
sehr erheblicher inverser Strom durch die aktive Diode und die
parallele Diode der Source/Drain des MOS-Leistungstransistors
und/oder den parasitären bipolaren Transistor fließen. Es ist
nicht möglich, diesen inversen Strom zu blockieren, da
unvermeidlich der parasitäre bipolare Transistor in Funktion
treten würde. Hieraus könnte eine Zerstörung des Bauteiles
resultieren. Im Gegensatz hierzu ist es gemäß der Erfindung
möglich, im Falle einer Umpolung der Transistor 50 zu sperren,
und kein parasitärer bipolarer Transistor würde schalten.
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Selbstverständlich kann die vorliegende Erfindung vielfältig
variiert und modifiziert werden. Insbesondere wurde eine
spezielle Steuerschaltung des Transistors 50 im Rahmen der MOS-
Transistoranordnung gemäß der Erfindung beschrieben. Ein
Durchschnittsfacbmann wird jedoch erkennen, daß auch andere
Komponenten als der Komparator oder ein Inverter verwendet
werden können.
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Im Falle, daß man den Transistor 50 gemäß der vorliegenden
Erfindung sperren möchte, um den Freilaufstrom abzuschalten,
kann man ebenso, wenn der Transistor 50 im Schaltbetrieb
arbeitet, parallel zu diesem Transistor eine Schwellendiode
vorsehen.
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Ebenso wird man bemerken, daß die Existenz eines parasitären
bipolaren Transistors, so wie des oben beschriebenen
Transistors 35, nicht spezifisch für die
Herstellungstechnologie eines MOS-Leistungstransistors ist,
welche in Verbindung mit den Fig. 2 erläutert wurde, z. B.
einer Technologie für MOS-Vertikaldiffusionstransistoren. Das
gleiche Problem erscheint auch in anderen Strukturen, z. B. in
Strukturen von semi-vertikalen MOS-Leistungstransistoren, in
denen die N&spplus;-Zone, anstatt die Rückseite eines Bauteiles zu
bilden, einen Graben bildet, der die Zone des
Leistungstransistors einschließt, wobei dieser Graben selbst in
einer Zone vom Typ P gebildet ist.
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Schließlich könnte man im Vorhergehenden an den Fall denken,
daß sämtliche MOS-Transistoren MOS-Transistoren vom
Anreicherungstyp mit einem N-Kanal sind. Die vorliegende
Erfindung kann auch für den Fall angewendet werden, in dem
einige oder alle MOS-Transistoren von unterschiedlichen Arten
sind, indem die angewandten Polungen geeignet modifiziert
werden.