JP2549179B2 - 絶縁電線の製造方法 - Google Patents
絶縁電線の製造方法Info
- Publication number
- JP2549179B2 JP2549179B2 JP1268079A JP26807989A JP2549179B2 JP 2549179 B2 JP2549179 B2 JP 2549179B2 JP 1268079 A JP1268079 A JP 1268079A JP 26807989 A JP26807989 A JP 26807989A JP 2549179 B2 JP2549179 B2 JP 2549179B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- polyimide
- insulated wire
- dianhydride
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、特定のポリイミドを絶縁体とした絶縁電線
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
近年、電気、電子工業分野の発展は目覚ましく、特に
装置の小型化、軽量化の流れは部品や絶縁素材に対して
更なる耐熱性を要求している。
装置の小型化、軽量化の流れは部品や絶縁素材に対して
更なる耐熱性を要求している。
このような素材として、芳香族ポリイミドは有機ポリ
マーの中で最高級の耐熱性に加え、優れた機械的性質を
有しており、例えば、ビス（４−アミノフェニル）エー
テルとピロメリット酸二無水物とからなるポリイミド
（Dupont社製、商標名KAPTON,BESPEL）、ビス（４−ア
ミノフェニル）エーテルと3,3′,4,4′−ビフェヒルテ
トラカルボン酸二無水物とからなるポリイミド（宇部興
産社製、商標 ユーピレックス）等がある。これらのポ
リイミドは加熱溶融が困難であるため、溶融押出成形法
により絶縁電線を得ることが困難である。
マーの中で最高級の耐熱性に加え、優れた機械的性質を
有しており、例えば、ビス（４−アミノフェニル）エー
テルとピロメリット酸二無水物とからなるポリイミド
（Dupont社製、商標名KAPTON,BESPEL）、ビス（４−ア
ミノフェニル）エーテルと3,3′,4,4′−ビフェヒルテ
トラカルボン酸二無水物とからなるポリイミド（宇部興
産社製、商標 ユーピレックス）等がある。これらのポ
リイミドは加熱溶融が困難であるため、溶融押出成形法
により絶縁電線を得ることが困難である。
本発明の課題は、特定ポリイミドの溶融押出成形によ
り被覆された、耐熱性に優れた絶縁電線の製造方法を提
供することにある。
り被覆された、耐熱性に優れた絶縁電線の製造方法を提
供することにある。
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討し
た。その結果、特定の繰返し構造単位からなるポリイミ
ドを用い、溶融押出成形が可能で、かつ耐熱性に優れた
ポリイミド被覆絶縁電線が得られることを見出し、本発
明に至った。
た。その結果、特定の繰返し構造単位からなるポリイミ
ドを用い、溶融押出成形が可能で、かつ耐熱性に優れた
ポリイミド被覆絶縁電線が得られることを見出し、本発
明に至った。
即ち、本発明は導体と該導体を被覆する絶縁体からな
る絶縁電線の製造方法において、 一般式〔Ｉ〕、 （式中、Ｒは炭素数２以上の脂肪族基、環式脂肪族基、
単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基、芳香族基が直接
または架橋員により相互に連結された非縮合多環式芳香
族基からなる群より選ばれた４価の基を示し、Ｘは単結
合、硫黄原子、スルホン基、カルボニル基、イソプロピ
リデン基またはヘキサフルオロイソプロピリデン基の２
価の基を示す）で表される繰返し構造単位を有するポリ
イミドを押出機により300〜450℃の温度範囲で加熱溶融
して導体を被覆し、冷却固化して絶縁体を成形すること
を特徴とする絶縁電線の製造方法である。
る絶縁電線の製造方法において、 一般式〔Ｉ〕、 （式中、Ｒは炭素数２以上の脂肪族基、環式脂肪族基、
単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基、芳香族基が直接
または架橋員により相互に連結された非縮合多環式芳香
族基からなる群より選ばれた４価の基を示し、Ｘは単結
合、硫黄原子、スルホン基、カルボニル基、イソプロピ
リデン基またはヘキサフルオロイソプロピリデン基の２
価の基を示す）で表される繰返し構造単位を有するポリ
イミドを押出機により300〜450℃の温度範囲で加熱溶融
して導体を被覆し、冷却固化して絶縁体を成形すること
を特徴とする絶縁電線の製造方法である。
一般式〔Ｉ〕において、Ｒは、好ましくは、 の４価の基である。
以下、本発明の構成について詳細に説明する。
本発明におけるポリイミドは、特定の芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの脱水縮合反応に
よって得ることができる。
ルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの脱水縮合反応に
よって得ることができる。
このポリイミドを得るために用いる芳香族テトラカル
ボン酸二無水物は、ピロメリット酸二酸無水物、エタン
テトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二
無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,
2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8,−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6,−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテト
ラカルボン酸二無水物、2,3,6,7,−アントラセンテトラ
カルボン酸二無水物、1,2,7,8,−フェナントレンテトラ
カルボン酸二無水物、、3,3′,4,4−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス（3,4−ジカル
ボキシフェニル）プロパン二無水物、2,2−ビス（2,3−
ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（3,4
−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（2,
3−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス
（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビ
ス（2,3−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、
2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）1,1,1,3,3,3
−ヘキサフロロプロパン二無水物、2,2−ビス（3,4−ジ
カルボキシフェニル）1,1,1,3,3,3−ヘキサクロロプロ
パン二無水物、1,1−ビス（2,3−ジカルボキシフェニ
ル）エタン二無水物、ビス（2,3−ジカルボキシフェニ
ル）メタン二無水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニ
ル）メタン二無水物、4,4′−（ｐ−フェニルレンジオ
キシ）ジフタル酸二無水物、4,4′−（ｍ−フェニレン
ジオキシ）ジフタル酸二無水物等の化合物が挙げられ
る。好ましくは、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,
3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,
3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、3,3′,4,4′−ジフェニルエーテルテトラカルボン
酸二無水物、ｐ−フェニレンジオキシジ（４−フタル
酸）二無水物である。
ボン酸二無水物は、ピロメリット酸二酸無水物、エタン
テトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二
無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,
2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8,−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6,−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテト
ラカルボン酸二無水物、2,3,6,7,−アントラセンテトラ
カルボン酸二無水物、1,2,7,8,−フェナントレンテトラ
カルボン酸二無水物、、3,3′,4,4−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス（3,4−ジカル
ボキシフェニル）プロパン二無水物、2,2−ビス（2,3−
ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（3,4
−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（2,
3−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス
（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビ
ス（2,3−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、
2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）1,1,1,3,3,3
−ヘキサフロロプロパン二無水物、2,2−ビス（3,4−ジ
カルボキシフェニル）1,1,1,3,3,3−ヘキサクロロプロ
パン二無水物、1,1−ビス（2,3−ジカルボキシフェニ
ル）エタン二無水物、ビス（2,3−ジカルボキシフェニ
ル）メタン二無水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニ
ル）メタン二無水物、4,4′−（ｐ−フェニルレンジオ
キシ）ジフタル酸二無水物、4,4′−（ｍ−フェニレン
ジオキシ）ジフタル酸二無水物等の化合物が挙げられ
る。好ましくは、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,
3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,
3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、3,3′,4,4′−ジフェニルエーテルテトラカルボン
酸二無水物、ｐ−フェニレンジオキシジ（４−フタル
酸）二無水物である。
これらの化合物は単独、または２種以上を混合して用
いても差し支えない。
いても差し支えない。
また、ポリイミドを得るために用いる芳香族ジアミン
は、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ス
ルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル］ケトン、4,4′−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ビフェニル、2,2−ビス［４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパンまたは2,2−ビス［４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル］−1,1,1,3,3,3−ヘキ
サフルオロプロパンであり、これらの中から選ばれる化
合物とを単独で、または２種以上を混合して使用でき
る。
は、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ス
ルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル］ケトン、4,4′−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ビフェニル、2,2−ビス［４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパンまたは2,2−ビス［４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル］−1,1,1,3,3,3−ヘキ
サフルオロプロパンであり、これらの中から選ばれる化
合物とを単独で、または２種以上を混合して使用でき
る。
本発明における芳香族ジアミンは、上記ジアミンの一
部をその他の芳香族ジアミンで代替して使用することが
できる。
部をその他の芳香族ジアミンで代替して使用することが
できる。
代替して使用するその他の芳香族ジアミンは、全ジア
ミン中、20モル％未満が望ましい。
ミン中、20モル％未満が望ましい。
他の芳香族ジアミンとしては、例えば、ｐ−フェニレ
ンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−アミノベン
ジルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、4,4′−ジア
ノビフェニル、3,3′−ジアミノビフェニル、4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノフェニル
エーテル、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−
ジアミノジフェニルメタン、1,1−ビス（４−アミノフ
ェニル）エタン、1,1−ビス（３−アミノフェニル）エ
タン、2,2−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、2,2
−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、2,2−ビス
（４−アミノフェニル）−1,1,1,3,3,3,−ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス−（３−アミノフェニル）−1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、3,3′−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、4,4′−ジアミノジフェニルス
ルフィド、3,3′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′
−ジアミノベンゾフェノン、４′４−ジアミノベンゾフ
ェノン、などが挙げられる。
ンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−アミノベン
ジルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、4,4′−ジア
ノビフェニル、3,3′−ジアミノビフェニル、4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノフェニル
エーテル、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−
ジアミノジフェニルメタン、1,1−ビス（４−アミノフ
ェニル）エタン、1,1−ビス（３−アミノフェニル）エ
タン、2,2−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、2,2
−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、2,2−ビス
（４−アミノフェニル）−1,1,1,3,3,3,−ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス−（３−アミノフェニル）−1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、3,3′−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、4,4′−ジアミノジフェニルス
ルフィド、3,3′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′
−ジアミノベンゾフェノン、４′４−ジアミノベンゾフ
ェノン、などが挙げられる。
本発明にかかわるボリイミドは、これらの芳香族テト
ラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを、通常の公
知の方法、例えば、モノマー同志またはモノマーを有機
溶媒中に懸濁または溶解させた後、加熱または化学的に
脱水し、生成物を分離、精製することによりポリイミド
を得ることが出来る。
ラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを、通常の公
知の方法、例えば、モノマー同志またはモノマーを有機
溶媒中に懸濁または溶解させた後、加熱または化学的に
脱水し、生成物を分離、精製することによりポリイミド
を得ることが出来る。
得られたポリイミドは粉状まは予め粉状に成型加工し
て使用される。
て使用される。
被覆電線を製造するために使用される導体としては、
比抵抗が20×10-6Ωcm以下の金属元素単体、あるいは合
金が使用される。
比抵抗が20×10-6Ωcm以下の金属元素単体、あるいは合
金が使用される。
金属元素単体としては、例えば、亜鉛、アルミニウ
ム、金、銀、銅、鉄、ニッケル、ニオブ等があり、アル
ミニウム、銅が特に好ましく用いられる。また、合金と
して、例えば、銀、クロム、ジルコニウム、錫、鉛、テ
ルル、カドミウム、ベリリウム等の金属元素の１種また
は２種以上を２重量％以下を２％以下含有する銅合金、
あるいは、マグネシウム、珪素、鉄、ジルコニウム等の
金属元素の１種または２種以上を２重量％以下含有する
アルミニウム合金、あるいはチタン、ジルコニウム、タ
ンタル、錫、ゲルマニウム等の金属元素を含むニオブ系
合金が用いられる。
ム、金、銀、銅、鉄、ニッケル、ニオブ等があり、アル
ミニウム、銅が特に好ましく用いられる。また、合金と
して、例えば、銀、クロム、ジルコニウム、錫、鉛、テ
ルル、カドミウム、ベリリウム等の金属元素の１種また
は２種以上を２重量％以下を２％以下含有する銅合金、
あるいは、マグネシウム、珪素、鉄、ジルコニウム等の
金属元素の１種または２種以上を２重量％以下含有する
アルミニウム合金、あるいはチタン、ジルコニウム、タ
ンタル、錫、ゲルマニウム等の金属元素を含むニオブ系
合金が用いられる。
さらに本発明で使用する導体は、前記金属導体の酸化
・劣化等による比抵抗の増大、導体の発熱、電圧低下等
を防止するため、その表面を被覆したものであっても良
い。被覆するために使用する材料としては錫、亜鉛、ニ
ッケル、銀、アルミニウム、ハンダ、銅等であり、特に
ニッケル、銀等が好ましい。
・劣化等による比抵抗の増大、導体の発熱、電圧低下等
を防止するため、その表面を被覆したものであっても良
い。被覆するために使用する材料としては錫、亜鉛、ニ
ッケル、銀、アルミニウム、ハンダ、銅等であり、特に
ニッケル、銀等が好ましい。
導体の太さは、その断面積が0.001〜2000mm2の範囲の
ものが好ましい。断面積が0.001mm2未満では製造時、取
扱時に破談し易いので好ましくない。また、断面積が20
00mm2を越えると導体の剛性が著しく取扱が難しい。
ものが好ましい。断面積が0.001mm2未満では製造時、取
扱時に破談し易いので好ましくない。また、断面積が20
00mm2を越えると導体の剛性が著しく取扱が難しい。
本発明にかかわる絶縁電線の製造方法は、本発明に用
いるポリイミドを、周知の技術である溶融押出成形装置
により加熱溶融し、クロスヘッドダイに代表される導体
被覆ダイを用いて、導体を被覆し、冷却して得る方法で
ある。
いるポリイミドを、周知の技術である溶融押出成形装置
により加熱溶融し、クロスヘッドダイに代表される導体
被覆ダイを用いて、導体を被覆し、冷却して得る方法で
ある。
本発明に使用するポリイミドは、溶融押出に使用する
前に乾燥することが好ましく、ポリイミド中の水分含有
率を200ppm以下にするのが特に好ましい。通常、ポリイ
ミドは粉状またはペレット状態で保存されているが、通
常の保存状態では水分含有率は約0.5〜約１％になって
いる。このような水分含有率のものでも、通常の射出成
形等により成形体を製造する場合には問題がないとされ
るが、本発明により絶縁電線を溶融押出により製造する
場合は、この被覆体の特性に水分が微妙に影響を及ぼ
す。すなわち、水分含有率が0.5〜１％では製造される
絶縁電線の外観および電気絶縁性（耐水中耐電圧）が特
に問題となるが、この水分含有率を200ppm以下に制御す
ることにより安定的に優れた特性を有する絶縁電線を得
ることができる。
前に乾燥することが好ましく、ポリイミド中の水分含有
率を200ppm以下にするのが特に好ましい。通常、ポリイ
ミドは粉状またはペレット状態で保存されているが、通
常の保存状態では水分含有率は約0.5〜約１％になって
いる。このような水分含有率のものでも、通常の射出成
形等により成形体を製造する場合には問題がないとされ
るが、本発明により絶縁電線を溶融押出により製造する
場合は、この被覆体の特性に水分が微妙に影響を及ぼ
す。すなわち、水分含有率が0.5〜１％では製造される
絶縁電線の外観および電気絶縁性（耐水中耐電圧）が特
に問題となるが、この水分含有率を200ppm以下に制御す
ることにより安定的に優れた特性を有する絶縁電線を得
ることができる。
ポリイミドの水分含有率は200ppm以下にするにはいか
なる方法でもよいが、一般的には100℃以上の温度でポ
リイミドが溶融しない温度、通常、250℃以下の温度で
３〜24時間保持する。さらにその雰囲気を空気、窒素等
で置換することも効果的であり、更に減圧下で処理して
もよい。
なる方法でもよいが、一般的には100℃以上の温度でポ
リイミドが溶融しない温度、通常、250℃以下の温度で
３〜24時間保持する。さらにその雰囲気を空気、窒素等
で置換することも効果的であり、更に減圧下で処理して
もよい。
本発明における溶融押出温度はポリマー構造により異
なるが、通常、300〜450℃の範囲である。好ましくは35
0〜430℃の範囲である。300℃未満では樹脂が溶融せ
ず、押出が不可能となる。また、450℃を越えると樹脂
の分解が進行し、気泡、分解粕等により絶縁体としての
機能を損なうので好ましくない。
なるが、通常、300〜450℃の範囲である。好ましくは35
0〜430℃の範囲である。300℃未満では樹脂が溶融せ
ず、押出が不可能となる。また、450℃を越えると樹脂
の分解が進行し、気泡、分解粕等により絶縁体としての
機能を損なうので好ましくない。
本発明において、絶縁体の被覆厚さは、0.01〜5mmが
好ましい。絶縁体の被覆厚さが0.01mm未満では被覆厚さ
のバラツキが著しく、ピンホール等の電気的欠陥を引き
起こすので好ましくない。また、絶縁体の被覆厚さが5m
mを越えると電線の曲げ加工等の取扱いに難点がある。
好ましい。絶縁体の被覆厚さが0.01mm未満では被覆厚さ
のバラツキが著しく、ピンホール等の電気的欠陥を引き
起こすので好ましくない。また、絶縁体の被覆厚さが5m
mを越えると電線の曲げ加工等の取扱いに難点がある。
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。
尚、実施例において記述したポリイミドの特性値の測
定法は以下に示す通りである。
定法は以下に示す通りである。
（１）ガラス転移温度、融点 ガラス転移温度（Tg）、融点（Tm）はDSC法により測
定した。Tmは融解曲線のピーク温度をもって定義した。
定した。Tmは融解曲線のピーク温度をもって定義した。
（２）溶融粘度 高化式フローテスタを用いて測定し、200sec-1の見掛
け剪断速度、400℃での見掛け粘度（単位 poise）を算
出した。
け剪断速度、400℃での見掛け粘度（単位 poise）を算
出した。
（３）水中耐電圧 JIS C 3005に準じ、20℃の水中、60Hzの交流電源を用
いて、1000V/minの昇圧速度で試験を行った ポリイミド１ かきまぜ機、還流冷却器および窒素導入管を備えた反
応容器に4,4′−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェ
ニル368.4（１モル）と、N,N−ジメチルアセトアミド23
44gを装入し、窒素雰囲気下に、ピロメリット酸二無水
物218.1g（１モル）を溶液温度の上昇に注意しながら分
割して加え、室温で約20時間かきまぜた。かくして得ら
れたポリアミド酸の対数粘度は3.21dl/gであった。かく
して得られたポリアミド酸溶液に30.3g（0.3モル）のト
リエチルアミンおよび30.6g（0.3モル）の無水酢酸を約
30分かけて添加し、その後約30分かきまぜた。この溶液
に2000gのエタノールを装入し、30℃においてポリイミ
ド粉をろ別した。得られたポリイミド粉をメタノールお
よびアセトンで洗浄した後、窒素雰囲気下に、300℃で
８時間乾燥して517g（収率94％）のポリイミドの粉を得
た。得られたポリイミドはガラス転移温度が271℃、融
点389℃の結晶性樹脂であり、溶融粘度は5500ポイズで
あった。
いて、1000V/minの昇圧速度で試験を行った ポリイミド１ かきまぜ機、還流冷却器および窒素導入管を備えた反
応容器に4,4′−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェ
ニル368.4（１モル）と、N,N−ジメチルアセトアミド23
44gを装入し、窒素雰囲気下に、ピロメリット酸二無水
物218.1g（１モル）を溶液温度の上昇に注意しながら分
割して加え、室温で約20時間かきまぜた。かくして得ら
れたポリアミド酸の対数粘度は3.21dl/gであった。かく
して得られたポリアミド酸溶液に30.3g（0.3モル）のト
リエチルアミンおよび30.6g（0.3モル）の無水酢酸を約
30分かけて添加し、その後約30分かきまぜた。この溶液
に2000gのエタノールを装入し、30℃においてポリイミ
ド粉をろ別した。得られたポリイミド粉をメタノールお
よびアセトンで洗浄した後、窒素雰囲気下に、300℃で
８時間乾燥して517g（収率94％）のポリイミドの粉を得
た。得られたポリイミドはガラス転移温度が271℃、融
点389℃の結晶性樹脂であり、溶融粘度は5500ポイズで
あった。
ポリイミド２ ポリイミド１の合成と同様の反応容器で、4,4′−ビ
ス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロプロパンとピロメリット酸二無
水物とをポリイミド１の合成に準じた方法で反応させて
ポリイミドの粉を得た。
ス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロプロパンとピロメリット酸二無
水物とをポリイミド１の合成に準じた方法で反応させて
ポリイミドの粉を得た。
得られたポリイミドは、ガラス転移温度が247℃、融
点385℃の結晶性樹脂であり、溶融粘度は4800ポイズで
あった。
点385℃の結晶性樹脂であり、溶融粘度は4800ポイズで
あった。
ポリイミド３〜15 表−１に示す種々の芳香族テトラカルボン酸二無水物
と芳香族ジアミンとの組み合わせで、ポリイミド１の合
成に準じた方法でポリイミド粉を得た。得られたポリイ
ミド粉のガラス転移温度、融点、溶融粘度を表−１に示
す。
と芳香族ジアミンとの組み合わせで、ポリイミド１の合
成に準じた方法でポリイミド粉を得た。得られたポリイ
ミド粉のガラス転移温度、融点、溶融粘度を表−１に示
す。
実施例１ ポリイミド１の粉末を150℃で24時間乾燥した。この
時の水分含有量は180ppmであった。これをスクリューコ
ンパクターによりφ15mm押出機（L/D＝22）に供給し、
押出温度420℃で加熱溶融し、200℃に加熱した20AWGの
銀メッキ銅線をクロスヘッドダイに供給し、絶縁層の厚
さが約0.2mmとなるように銅線の引き取り速度を調整し
た。この時の引き取り速度は、1m/minであった。被覆線
がダイから出た後は自然放冷した。押出条件および得ら
れた絶縁電線の物性は表−２に示すとおりであり、耐熱
性に優れた電線であった。
時の水分含有量は180ppmであった。これをスクリューコ
ンパクターによりφ15mm押出機（L/D＝22）に供給し、
押出温度420℃で加熱溶融し、200℃に加熱した20AWGの
銀メッキ銅線をクロスヘッドダイに供給し、絶縁層の厚
さが約0.2mmとなるように銅線の引き取り速度を調整し
た。この時の引き取り速度は、1m/minであった。被覆線
がダイから出た後は自然放冷した。押出条件および得ら
れた絶縁電線の物性は表−２に示すとおりであり、耐熱
性に優れた電線であった。
実施例２ ポリイミド２の粉末を150℃で24時間乾燥した。この
時の水分含有量は200ppmであった。これをスクリューコ
ンパクターによりφ15mm押出機（L/D＝22）に供給し、4
00℃の温度で加熱溶融し、内径2mmのノズルから押出し
（押出量18.6g/min.）、自然放冷し、カットし、長さ約
3mmのペレットを得た。このペレットを実施例１同様な
方法により押出成形し、絶縁電線を得た。外観上問題の
ない、耐熱性に優れた電線であった。
時の水分含有量は200ppmであった。これをスクリューコ
ンパクターによりφ15mm押出機（L/D＝22）に供給し、4
00℃の温度で加熱溶融し、内径2mmのノズルから押出し
（押出量18.6g/min.）、自然放冷し、カットし、長さ約
3mmのペレットを得た。このペレットを実施例１同様な
方法により押出成形し、絶縁電線を得た。外観上問題の
ない、耐熱性に優れた電線であった。
実施例３〜15 ポリイミド３〜15の粉末を実施例１と同様な方法によ
り、溶融押出し、絶縁電線を得た。押出条件、電線の物
性は表−２に示すとおりであり、外観上問題のない、耐
熱性に優れた電線であった。
り、溶融押出し、絶縁電線を得た。押出条件、電線の物
性は表−２に示すとおりであり、外観上問題のない、耐
熱性に優れた電線であった。
比較例１ 実施例１で使用したポリイミド１の粉末を実施例１と
同様に溶融押出を行った。但し、押出温度は460℃で行
った。樹脂の分解による発泡、分解粕が発生し、外観不
良であった。
同様に溶融押出を行った。但し、押出温度は460℃で行
った。樹脂の分解による発泡、分解粕が発生し、外観不
良であった。
比較例２ ポリイミド１の粉末を乾燥条件を90℃で５時間行い、
この時の水分含有量は300ppmであった。これを用い実施
例１と同様な溶融押出を行った。発泡が認められ、外観
が著しく悪かった。
この時の水分含有量は300ppmであった。これを用い実施
例１と同様な溶融押出を行った。発泡が認められ、外観
が著しく悪かった。
比較例３ 実施例２で使用したポリイミド２の粉末を使用し実施
例２と同様に溶融押出を行った。但し、押 出温度は470℃で行った。樹脂の分解による発泡、分解
粕が発生し、外観が著しく悪かった。
例２と同様に溶融押出を行った。但し、押 出温度は470℃で行った。樹脂の分解による発泡、分解
粕が発生し、外観が著しく悪かった。
比較例４ 実施例７で使用したポリイミド７の粉末を使用し、押
出温度を290℃とし、実施例１と同様に押出を行ったが
押出不可能であった。
出温度を290℃とし、実施例１と同様に押出を行ったが
押出不可能であった。
本発明の方法では成形温度300℃以上450℃以下、水分
含有率200ppm以下に制御した特定のポリイミドを用いる
ことにより、押出成形性、電線被覆層の外観にすぐれ、
さらに水中耐電圧にも優れた絶縁電線を製造することが
できる。以上のように、本発明により得られる絶縁電線
は、絶縁体が溶融押出成形が可能でかつ耐熱性に優れた
新規なポリイミドからなり、耐熱性、電気絶縁性に優れ
た電線である。
含有率200ppm以下に制御した特定のポリイミドを用いる
ことにより、押出成形性、電線被覆層の外観にすぐれ、
さらに水中耐電圧にも優れた絶縁電線を製造することが
できる。以上のように、本発明により得られる絶縁電線
は、絶縁体が溶融押出成形が可能でかつ耐熱性に優れた
新規なポリイミドからなり、耐熱性、電気絶縁性に優れ
た電線である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中倉 敏行 神奈川県横浜市栄区尾月８―７ (56)参考文献 特開 昭51−76977（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−29303（ＪＰ，Ａ) 特開 昭42−19349（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−124904（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】導体と該導体を被覆する絶縁体からなる絶
縁電線の製造方法において、一般式〔Ｉ〕 （式中、Ｒは炭素数２以上の脂肪族基、環式脂肪族基、
単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基、芳香族基が直接
または架橋員により相互に連結された非縮合多環式芳香
族基からなる群より選ばれた４価の基を示し、Ｘは単結
合、硫黄原子、スルホン基、カルボニル基、イソプロピ
リデン基またはヘキサフルオロイソプロピリデン基の２
価の基を示す）で表される繰り返し構造単位を有するポ
リイミドを押出機により300℃以上450℃以下の温度範囲
で加熱溶融して導体を被覆し、冷却固化して絶縁体を成
形することを特徴とする絶縁電線の製造方法。 - 【請求項２】一般式〔Ｉ〕において、Ｒが の４価の基である請求項１記載の絶縁電線の製造方法。
- 【請求項３】ポリイミドの水分含有量が、押出機に供給
される直前において200ppm如何であることを特徴とする
請求項１または２記載の絶縁電線の製造方法。 - 【請求項４】絶縁体の被覆厚さが、0.01〜5mmであるこ
とを特徴とする請求項１記載の絶縁電線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268079A JP2549179B2 (ja) | 1988-10-20 | 1989-10-17 | 絶縁電線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26271188 | 1988-10-20 | ||
| JP63-262711 | 1988-10-20 | ||
| JP1268079A JP2549179B2 (ja) | 1988-10-20 | 1989-10-17 | 絶縁電線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210713A JPH02210713A (ja) | 1990-08-22 |
| JP2549179B2 true JP2549179B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=26545666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1268079A Expired - Lifetime JP2549179B2 (ja) | 1988-10-20 | 1989-10-17 | 絶縁電線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2549179B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11176246A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-07-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 多層絶縁電線及びそれを用いた変圧器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5176977A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-03 | Hitachi Ltd | Handotaisoshinohyomenanteikashorihoho |
| JPS5929303A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-16 | 東洋紡績株式会社 | 電気絶縁材料 |
| JP2575421B2 (ja) * | 1987-11-09 | 1997-01-22 | 株式会社フジクラ | 耐熱性電線及びケーブル |
-
1989
- 1989-10-17 JP JP1268079A patent/JP2549179B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02210713A (ja) | 1990-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4237694B2 (ja) | （微細粉末）フルオロポリマーから部分的に誘導され、電子基板として有用なポリイミドをベースとした組成物、およびそれに関連する方法と組成物 | |
| JP2622678B2 (ja) | 溶融成形可能な結晶性ポリイミド重合体 | |
| WO2000061658A1 (fr) | Resine polyimide, composition de resine a resistance amelioree a l'humidite la comprenant, solution adhesive, colle en film adhesif en couches et leurs procedes de production | |
| KR950010651B1 (ko) | 폴리이미드필름의 제조방법 | |
| CN110853796B (zh) | 耐磨耗性优越的绝缘包覆材料 | |
| JP2549179B2 (ja) | 絶縁電線の製造方法 | |
| JP5405696B1 (ja) | 車両船舶のモーター巻線用の角型電線、巻線コイル、およびモーター | |
| JPH0794555B2 (ja) | ポリイミドシートの製造方法 | |
| KR920001933B1 (ko) | 절연전선 및 그 제조방법 | |
| TW200907009A (en) | Film and flexible metal-clad laminate | |
| US5233011A (en) | Process for preparing insulated wire | |
| JP4306268B2 (ja) | 芳香族液晶ポリエステルおよびそのフィルム | |
| CN114479455A (zh) | 一种成膜性良好的高导热聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
| JP5359719B2 (ja) | ポリイミド前駆体、ポリイミド、およびジアミン | |
| JPH0347727A (ja) | ポリイミドフィルムの製造方法 | |
| JPH0460812B2 (ja) | ||
| JP3852987B2 (ja) | 熱可塑性ポリイミド多層シート | |
| JP2009093818A (ja) | 高耐熱フレキシブルフラットケーブル | |
| JPS58214208A (ja) | 電気絶縁用フイルム | |
| JPH04146935A (ja) | 二軸配向ポリフェニレンスルフィドフイルム | |
| JPH09286858A (ja) | ポリイミド樹脂組成物とその製造方法 | |
| EP0519634A2 (en) | Amorphous polyimide powder, preparation process of the powder, and heat-resistant adhesive and bonding method by use of the powder | |
| JPH05169516A (ja) | 半結晶性ポリイミドの押出成形方法 | |
| JPS63288007A (ja) | コンデンサ− | |
| JPS60147316A (ja) | 電気絶縁性薄肉物の製造方法 |