JP2543782B2 - 半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボ - Google Patents
半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボInfo
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- JP2543782B2 JP2543782B2 JP2287951A JP28795190A JP2543782B2 JP 2543782 B2 JP2543782 B2 JP 2543782B2 JP 2287951 A JP2287951 A JP 2287951A JP 28795190 A JP28795190 A JP 28795190A JP 2543782 B2 JP2543782 B2 JP 2543782B2
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- crucible
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- single crystal
- graphite crucible
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボの改良
に関する。
に関する。
［従来の技術］ 半導体単結晶、例えば高純度シリコン単結晶を製造す
る方法としては、黒鉛製のルツボによって保持された石
英製のルツボに多結晶シリコンを投入し、該多結晶シリ
コンをヒーターによって溶解し、該シリコン融液を種結
晶に基づいて徐々に引き上げつつ凝固させて製造する方
法が知られている。従来この方法において用いられてい
た黒鉛ルツボは、周方向には３分割する等の工夫が凝ら
されていたが、半径方向には一体に形成されていた。
る方法としては、黒鉛製のルツボによって保持された石
英製のルツボに多結晶シリコンを投入し、該多結晶シリ
コンをヒーターによって溶解し、該シリコン融液を種結
晶に基づいて徐々に引き上げつつ凝固させて製造する方
法が知られている。従来この方法において用いられてい
た黒鉛ルツボは、周方向には３分割する等の工夫が凝ら
されていたが、半径方向には一体に形成されていた。
［発明が解決しようとする課題］ 上記従来の黒鉛ルツボを多数回に亙って使用しようと
すると、シリコン融液より発生するシリコン酸化物によ
って黒鉛ルツボの表面にシリコンが浸透して黒鉛ルツボ
表面のSiC化を招き、あるいは黒鉛ルツボ表面の酸化を
招き、この結果黒鉛ルツボは徐々に変形して石英ルツボ
との間の密着性が悪化し、同時に黒鉛ルツボ表面の熱伝
導度も徐々に変化し、この結果シリコン融液の深さ方向
の温度勾配が各使用回数毎に異なってしまい、シリコン
単結晶の品質の悪化を招くおそれがあった。したがって
上記従来の黒鉛ルツボでは、シリコン単結晶の品質を保
つためには少数回の使用によって黒鉛ルツボの全体を廃
棄せざるを得ず、新たな黒鉛ルツボへの交換作業を余儀
なくされると同時にシリコン単結晶の価格の低廉化を阻
む要因となっていた。
すると、シリコン融液より発生するシリコン酸化物によ
って黒鉛ルツボの表面にシリコンが浸透して黒鉛ルツボ
表面のSiC化を招き、あるいは黒鉛ルツボ表面の酸化を
招き、この結果黒鉛ルツボは徐々に変形して石英ルツボ
との間の密着性が悪化し、同時に黒鉛ルツボ表面の熱伝
導度も徐々に変化し、この結果シリコン融液の深さ方向
の温度勾配が各使用回数毎に異なってしまい、シリコン
単結晶の品質の悪化を招くおそれがあった。したがって
上記従来の黒鉛ルツボでは、シリコン単結晶の品質を保
つためには少数回の使用によって黒鉛ルツボの全体を廃
棄せざるを得ず、新たな黒鉛ルツボへの交換作業を余儀
なくされると同時にシリコン単結晶の価格の低廉化を阻
む要因となっていた。
したがって本発明は、多数回の使用にも容易に対処す
ることができる半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボを提
供することを目的とする。
ることができる半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボを提
供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は上記課題を解決するためになされたものであ
り、すなわち黒鉛によって形成したルツボ本体の外周面
と内周面との少なくともいずれか一方に、黒鉛によって
形成した筒体を着脱自在に装着した半導体単結晶引上装
置の黒鉛ルツボであって、前記ルツボ本体の外周面と内
周面との少なくともいずれか一方に、上面側を開放した
段差面を設けて、前記ルツホ本体を分解することなく前
記筒体を装着できるように構成し、且つ、前記筒体の上
部に内方又は外方に突出する鍔を設けて、前記ルツホ本
体の上面を覆った、半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボ
である。
り、すなわち黒鉛によって形成したルツボ本体の外周面
と内周面との少なくともいずれか一方に、黒鉛によって
形成した筒体を着脱自在に装着した半導体単結晶引上装
置の黒鉛ルツボであって、前記ルツボ本体の外周面と内
周面との少なくともいずれか一方に、上面側を開放した
段差面を設けて、前記ルツホ本体を分解することなく前
記筒体を装着できるように構成し、且つ、前記筒体の上
部に内方又は外方に突出する鍔を設けて、前記ルツホ本
体の上面を覆った、半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボ
である。
本発明はまた、黒鉛によって形成したルツボ本体の外
周面に、黒鉛によって形成した筒体を着脱自在に装着し
た半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボであって、前記筒
体の上部に内方に向けて鍔を突設し、該鍔によって、前
記ルツボ本体の上面を覆うと同時に、前記ルツボ本体を
分解することなく前記筒体を装着できるように構成し
た、半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボである。
周面に、黒鉛によって形成した筒体を着脱自在に装着し
た半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボであって、前記筒
体の上部に内方に向けて鍔を突設し、該鍔によって、前
記ルツボ本体の上面を覆うと同時に、前記ルツボ本体を
分解することなく前記筒体を装着できるように構成し
た、半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボである。
［作用］ 黒鉛ルツボの劣化は主としてその表面にのみ生じ、す
なわち上記本発明の構成においては黒鉛によって形成し
た筒体にのみ生じるから、該筒体のみを交換することに
よって半導体単結晶の品質を容易に維持することがで
き、その際黒鉛ルツボ本体は繰返し使用することができ
る。
なわち上記本発明の構成においては黒鉛によって形成し
た筒体にのみ生じるから、該筒体のみを交換することに
よって半導体単結晶の品質を容易に維持することがで
き、その際黒鉛ルツボ本体は繰返し使用することができ
る。
［実施例］ 本発明を図面によって説明する。先ず第１図によって
半導体単結晶引上装置の一実施例を説明すると、減圧容
器１の内部には該減圧容器１と同軸に保温筒２が配置さ
れ、該保温筒２の内部には保温筒２と同軸にヒーター３
が配置され、該ヒーター３の内部にはヒーター３と同軸
に且つ回転自在に黒鉛ルツボ４が配置され、該黒鉛ルツ
ボ４の内面には黒鉛ルツボ４と密着して石英ルツボ５が
配置されている。石英ルツボ５内には単結晶シリコンが
投入され、該多結晶シリコンはヒーター３による加熱を
受けてシリコン融液６となり、該シリコン融液６を種結
晶７に基づいて徐々に引き上げつつ凝固させることによ
り、シリコン単結晶８を得るものである。
半導体単結晶引上装置の一実施例を説明すると、減圧容
器１の内部には該減圧容器１と同軸に保温筒２が配置さ
れ、該保温筒２の内部には保温筒２と同軸にヒーター３
が配置され、該ヒーター３の内部にはヒーター３と同軸
に且つ回転自在に黒鉛ルツボ４が配置され、該黒鉛ルツ
ボ４の内面には黒鉛ルツボ４と密着して石英ルツボ５が
配置されている。石英ルツボ５内には単結晶シリコンが
投入され、該多結晶シリコンはヒーター３による加熱を
受けてシリコン融液６となり、該シリコン融液６を種結
晶７に基づいて徐々に引き上げつつ凝固させることによ
り、シリコン単結晶８を得るものである。
しかして上記実施例に用いた黒鉛ルツボ４は、第２図
に示すように黒鉛ルツボ本体4aと、黒鉛によって筒状に
形成した黒鉛ルツボ外カバー4bと、同じく黒鉛によって
筒状に形成した黒鉛ルツボ内カバー4cとからなってお
り、ルツボ本体4aは、外カバー4bと内カバー4cとを容易
に着脱できるように、外カバー4bと内カバー4cとの厚さ
と高さとに対応して、外周面と内周面とを段付きに形成
しており、該段付き部分に外カバー4bと内カバー4cとを
載置するように構成されている。黒鉛ルツボ４全体の厚
さは通常12mm程度であるが、黒鉛の劣化は表面下１〜2m
mのまでに生じるから、黒鉛ルツボ４全体の厚さのうち9
mm程度をルツボ本体4aによって形成し、内外のカバー4
b,4cの厚さをそれぞれ１〜2mm程度とするのが好まし
い。
に示すように黒鉛ルツボ本体4aと、黒鉛によって筒状に
形成した黒鉛ルツボ外カバー4bと、同じく黒鉛によって
筒状に形成した黒鉛ルツボ内カバー4cとからなってお
り、ルツボ本体4aは、外カバー4bと内カバー4cとを容易
に着脱できるように、外カバー4bと内カバー4cとの厚さ
と高さとに対応して、外周面と内周面とを段付きに形成
しており、該段付き部分に外カバー4bと内カバー4cとを
載置するように構成されている。黒鉛ルツボ４全体の厚
さは通常12mm程度であるが、黒鉛の劣化は表面下１〜2m
mのまでに生じるから、黒鉛ルツボ４全体の厚さのうち9
mm程度をルツボ本体4aによって形成し、内外のカバー4
b,4cの厚さをそれぞれ１〜2mm程度とするのが好まし
い。
本実施例は以上のように構成されており、黒鉛ルツボ
４の劣化は主としてその表面すなわち内外のカバー4b,4
cに生じるから、該カバー4b,4cのみを交換することによ
って、シリコン単結晶８の品質を維持することができ
る。その際内外のカバー4b,4cの交換作業は容易であ
り、またルツボ本体4aは繰返し使用することができる。
４の劣化は主としてその表面すなわち内外のカバー4b,4
cに生じるから、該カバー4b,4cのみを交換することによ
って、シリコン単結晶８の品質を維持することができ
る。その際内外のカバー4b,4cの交換作業は容易であ
り、またルツボ本体4aは繰返し使用することができる。
なお黒鉛ルツボ４の劣化が主としてその外周面に生じ
るときには、特に内カバー4cを設ける必要はないし、同
様に黒鉛ルツボ４の劣化が主としてその内周面に生じる
ときには、外カバー4bを設ける必要はない。またルツボ
本体4aは一体に形成することもできるし、例えば周方向
に３分割して形成することもできる。
るときには、特に内カバー4cを設ける必要はないし、同
様に黒鉛ルツボ４の劣化が主としてその内周面に生じる
ときには、外カバー4bを設ける必要はない。またルツボ
本体4aは一体に形成することもできるし、例えば周方向
に３分割して形成することもできる。
更に上記実施例ではルツボ本体4aの上面は特に覆わな
かったが、ルツボ本体4aの上面を覆うために、例えば外
カバーの上部に内方に突出する鍔を設け、あるいは内カ
バーの上部に外方に突出する鍔を設けることもできる。
また上記実施例では内外のカバー4b,4cを保持するため
に、ルツボ本体4aの内外周面を段付きに形成したが、少
なくとも外カバー4bの保持については、ルツボ本体の外
周面に段付きを設けず、外カバー4bの上部に内方に突出
する鍔を設けることもできる。
かったが、ルツボ本体4aの上面を覆うために、例えば外
カバーの上部に内方に突出する鍔を設け、あるいは内カ
バーの上部に外方に突出する鍔を設けることもできる。
また上記実施例では内外のカバー4b,4cを保持するため
に、ルツボ本体4aの内外周面を段付きに形成したが、少
なくとも外カバー4bの保持については、ルツボ本体の外
周面に段付きを設けず、外カバー4bの上部に内方に突出
する鍔を設けることもできる。
［発明の効果］ 本発明は黒鉛ルツボを、黒鉛ルツボ本体の外周面又は
内周面に黒鉛によって形成した筒体を着脱自在に装着し
て形成しているから、黒鉛ルツボの表面劣化に容易に対
処することができ、したがって半導体単結晶の品質の向
上を容易に図ることができる。
内周面に黒鉛によって形成した筒体を着脱自在に装着し
て形成しているから、黒鉛ルツボの表面劣化に容易に対
処することができ、したがって半導体単結晶の品質の向
上を容易に図ることができる。
第１図は本発明を用いた半導体単結晶引上装置の一実施
例を示す縦断面図、第２図は本発明に係る黒鉛ルツボの
一実施を示す要部縦断面図である。 １……減圧容器、２……保温筒、３……ヒーター ４……黒鉛ルツボ、4a……黒鉛ルツボ本体 4b……黒鉛ルツボ外カバー 4c……黒鉛ルツボ内カバー ５……石英ルツボ、６……シリコン融液 ７……種結晶、８……シリコン単結晶
例を示す縦断面図、第２図は本発明に係る黒鉛ルツボの
一実施を示す要部縦断面図である。 １……減圧容器、２……保温筒、３……ヒーター ４……黒鉛ルツボ、4a……黒鉛ルツボ本体 4b……黒鉛ルツボ外カバー 4c……黒鉛ルツボ内カバー ５……石英ルツボ、６……シリコン融液 ７……種結晶、８……シリコン単結晶
Claims (2)
- 【請求項１】黒鉛によって形成したルツボ本体の外周面
と内周面との少なくともいずれか一方に、黒鉛によって
形成した筒体を着脱自在に装着した半導体単結晶引上装
置の黒鉛ルツボであって、 前記ルツボ本体の外周面と内周面との少なくともいずれ
か一方に、上面側を開放した段差面を設けて、前記ルツ
ボ本体を分解することなく前記筒体を装着できるように
構成し、且つ、 前記筒体の上部に内方又は外方に突出する鍔を設けて、
前記ルツボ本体の上面を覆った、半導体単結晶引上装置
の黒鉛ルツボ。 - 【請求項２】黒鉛によって形成したルツボ本体の外周面
に、黒鉛によって形成した筒体を着脱自在に装着した半
導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボであって、 前記筒体の上部に内方に向けて鍔を突設し、該鍔によっ
て、前記ルツボ本体の上面を覆うと同時に、前記ルツボ
本体を分解することなく前記筒体を装着できるように構
成した、半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2287951A JP2543782B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2287951A JP2543782B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04160090A JPH04160090A (ja) | 1992-06-03 |
| JP2543782B2 true JP2543782B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=17723852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2287951A Expired - Lifetime JP2543782B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543782B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69230962T2 (de) * | 1991-08-22 | 2000-10-05 | Raytheon Co | Kristallzüchtungsverfahren zur Herstellung von grossflächigen GaAs und damit hergestellte Infrarot-Fenster/Kuppel |
| JP3653647B2 (ja) * | 1996-05-31 | 2005-06-02 | イビデン株式会社 | シリコン単結晶引き上げ装置用の保温筒 |
| US20020124792A1 (en) * | 2001-01-09 | 2002-09-12 | Hariprasad Sreedharamurthy | Crystal puller and method for growing single crystal semiconductor material |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2578126B2 (ja) * | 1987-08-06 | 1997-02-05 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコン単結晶引上装置用カ−ボンルツボ |
| JPH01183490A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-21 | Toyo Tanso Kk | 単結晶引上用黒鉛るつぼ |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP2287951A patent/JP2543782B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04160090A (ja) | 1992-06-03 |
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