JP2541214B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2541214B2 JP2541214B2 JP62081753A JP8175387A JP2541214B2 JP 2541214 B2 JP2541214 B2 JP 2541214B2 JP 62081753 A JP62081753 A JP 62081753A JP 8175387 A JP8175387 A JP 8175387A JP 2541214 B2 JP2541214 B2 JP 2541214B2
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Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。
A.産業上の利用分野 B.発明の概要 C.従来技術 D.発明が解決しようとする問題点 E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例［第１図乃至第３図］ H.発明の効果 （A.産業上の利用分野） 本発明は半導体装置の製造方法、特に凹凸のある面上
に表面が平坦な被膜を形成する半導体装置の製造方法に
関する。
に表面が平坦な被膜を形成する半導体装置の製造方法に
関する。
（B.発明の概要） 本発明は、半導体装置の製造方法において、 凹凸のある面上に表面が平坦な被膜を形成するため、 被膜形成後該被膜上に終点検出膜を形成し、その後、
被膜表面を終点検出膜が完全に除去されるまでポリッシ
ングするものである。
被膜表面を終点検出膜が完全に除去されるまでポリッシ
ングするものである。
（C.従来技術） 多層配線に必要の技術のなかで特に難しいものの一つ
に平坦化技術がある。
に平坦化技術がある。
従来の平坦化技術としては、凹凸のある表面にレジス
ト膜を表面が平坦になるように塗布し、該レジスト膜を
エッチングするエッチバック法、半導体ウエアを高速回
転させ、その表面にガラスを塗布するSOG法等があっ
た。
ト膜を表面が平坦になるように塗布し、該レジスト膜を
エッチングするエッチバック法、半導体ウエアを高速回
転させ、その表面にガラスを塗布するSOG法等があっ
た。
（D.発明が解決しようとする問題点） ところで、上述した従来の各平坦化技術は面倒であ
り、しかも、必ずしも被膜の表面を完全に平坦化するこ
とができなかった。しかし、素子の高密度化とともに凹
凸のアスペクト比が高くなるにつれてより平坦度の高い
表面を得る必要性が高まり、また１つの半導体装置を得
るために必要となる表面平坦化の回数が多くなる傾向に
ある。従って、より簡単で且つより完全な平坦面が得ら
れる平坦化技術が要請されている。
り、しかも、必ずしも被膜の表面を完全に平坦化するこ
とができなかった。しかし、素子の高密度化とともに凹
凸のアスペクト比が高くなるにつれてより平坦度の高い
表面を得る必要性が高まり、また１つの半導体装置を得
るために必要となる表面平坦化の回数が多くなる傾向に
ある。従って、より簡単で且つより完全な平坦面が得ら
れる平坦化技術が要請されている。
本発明はかかる要請に応えるべく為されたもので、簡
単で且つ完全な平坦面を得ることのできる半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
単で且つ完全な平坦面を得ることのできる半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
（E.問題点を解決するための手段） 本発明半導体装置の製造方法は上記問題点を解決する
ため、凹凸のある面上に被膜を形成した後該被膜上に終
点検出膜を形成し、その後被膜表面を終点検出膜が完全
に除去されるまでポリッシングすることを特徴とする。
ため、凹凸のある面上に被膜を形成した後該被膜上に終
点検出膜を形成し、その後被膜表面を終点検出膜が完全
に除去されるまでポリッシングすることを特徴とする。
（F.作用） 本発明半導体装置の製造方法によれば、ポリッシング
により被膜の表面を平坦化するので非常に平坦度が高い
面が得られる。しかも、被膜の表面に終点検出膜を形成
したうえで被膜の表面をボリッシングするので、終点検
出膜が完全に除去されるまでポリッシングしたとき表面
に凹凸の全くない被膜が得られることになり、終点検出
を容易に為し得る。
により被膜の表面を平坦化するので非常に平坦度が高い
面が得られる。しかも、被膜の表面に終点検出膜を形成
したうえで被膜の表面をボリッシングするので、終点検
出膜が完全に除去されるまでポリッシングしたとき表面
に凹凸の全くない被膜が得られることになり、終点検出
を容易に為し得る。
そして、ポリシング自身メカニカルな方法であれケミ
カルな方法であれ非常に簡単な方法である。しかして、
表面が平坦な被膜を簡単に得ることができる。
カルな方法であれ非常に簡単な方法である。しかして、
表面が平坦な被膜を簡単に得ることができる。
（G.実施例）［第１図乃至第３図］ 以下、本発明半導体装置の製造方法を図示実施例に従
って詳細に説明する。
って詳細に説明する。
第１図乃至第３図は本発明半導体装置の製造方法の一
つの実施例を工程順に示す断面図である。
つの実施例を工程順に示す断面図である。
（１）半導体基板１表面の酸化膜２上に例えばAlからな
る配線膜３、３、・・・を形成した後、SiO2からなる層
間絶縁膜４を形成する。第１図は層間絶縁膜４形成（第
１の工程）後の状態を示す。
る配線膜３、３、・・・を形成した後、SiO2からなる層
間絶縁膜４を形成する。第１図は層間絶縁膜４形成（第
１の工程）後の状態を示す。
（２）次に、上記層間絶縁膜４上に終点検出膜５を形成
する。終点検出膜５はCVDあるいは蒸着法によりAl等の
金属であるいはアモルファスSiで形成する。第２図は終
点検出膜５形成（第２の工程）後の状態を示す。
する。終点検出膜５はCVDあるいは蒸着法によりAl等の
金属であるいはアモルファスSiで形成する。第２図は終
点検出膜５形成（第２の工程）後の状態を示す。
（３）次に、層間絶縁膜４の表面をポリッシングする。
このポリッシングは終点検出膜５が完全に除去されるま
で（第２図の２点鎖線で示すライン６のところまで）行
う。このポリッシングの終了のタイミングは終点検出膜
５のポリッシングが終了したことを確認することによっ
て検知することができる。この終点検出膜５のポリッシ
ングの終了検知は、具体的には、ポリッシング中に使う
水等の中のAl等を電気的抵抗の測定あるいは化学的手法
により検出するという方法によって行うことができる。
このポリッシングは終点検出膜５が完全に除去されるま
で（第２図の２点鎖線で示すライン６のところまで）行
う。このポリッシングの終了のタイミングは終点検出膜
５のポリッシングが終了したことを確認することによっ
て検知することができる。この終点検出膜５のポリッシ
ングの終了検知は、具体的には、ポリッシング中に使う
水等の中のAl等を電気的抵抗の測定あるいは化学的手法
により検出するという方法によって行うことができる。
このポリッシングによって被膜４の表面を非常に平坦
な面７にすることができる。第３図はポリッシング（第
３の工程）後の状態を示す。
な面７にすることができる。第３図はポリッシング（第
３の工程）後の状態を示す。
尚、このポリッシングは、削りとる厚さが非常に薄い
こと、メカニカルポリッシングのみによるとウエハ全体
の平坦度が悪くなる虞れがあることに鑑みてメカニカル
とケミカルの両方をミックスした方法で行うことが好ま
しい。
こと、メカニカルポリッシングのみによるとウエハ全体
の平坦度が悪くなる虞れがあることに鑑みてメカニカル
とケミカルの両方をミックスした方法で行うことが好ま
しい。
このような半導体装置の製造方法は被膜４形成後終点
検出膜５を形成し、ポリッシングするという簡単な方法
で被膜４の表面の平坦度を非常に高くすることができ
る。しかも、終点検出膜５をつけて終了検出するように
したので被膜４をポリッシングし過ぎたり、ポリッシン
グ不足になったりする虞れをなくすることができ、また
平坦度にバラツキが生じたり、層間絶縁膜４の膜厚にバ
ラツキが生じたりする虞れもなくすことができる。
検出膜５を形成し、ポリッシングするという簡単な方法
で被膜４の表面の平坦度を非常に高くすることができ
る。しかも、終点検出膜５をつけて終了検出するように
したので被膜４をポリッシングし過ぎたり、ポリッシン
グ不足になったりする虞れをなくすることができ、また
平坦度にバラツキが生じたり、層間絶縁膜４の膜厚にバ
ラツキが生じたりする虞れもなくすことができる。
（H.発明の効果） 以上に述べたように、本発明半導体装置の製造方法
は、凹凸のある面上に全面的に被膜を形成し、上記被膜
の表面に終点検出膜を形成し、上記被膜を上記終点検出
膜が完全に除去されるまでポリッシングすることを特徴
とするものである。
は、凹凸のある面上に全面的に被膜を形成し、上記被膜
の表面に終点検出膜を形成し、上記被膜を上記終点検出
膜が完全に除去されるまでポリッシングすることを特徴
とするものである。
従って、本発明半導体装置の製造方法によれば、ポリ
ッシングにより被膜の表面を平坦化するので非常に平坦
度が高い面が得られる。しかも、被膜の表面に終点検出
膜を形成したうえで被膜の表面をポリッシングするの
で、終点検出膜が完全に除去されるまでポリッシングし
たとき表面に凹凸の全くない被膜が得られることにな
り、終点検出を容易に為し得る。
ッシングにより被膜の表面を平坦化するので非常に平坦
度が高い面が得られる。しかも、被膜の表面に終点検出
膜を形成したうえで被膜の表面をポリッシングするの
で、終点検出膜が完全に除去されるまでポリッシングし
たとき表面に凹凸の全くない被膜が得られることにな
り、終点検出を容易に為し得る。
そして、ポリッシング自身はメカニカルな方法であれ
ケミカルな方法であり非常に簡単な方法である。しかし
て、表面が平坦な被膜を簡単に得ることができる。
ケミカルな方法であり非常に簡単な方法である。しかし
て、表面が平坦な被膜を簡単に得ることができる。
図面は本発明半導体装置の製造方法の一つの実施例を工
程順に示す断面図で、第１図は第１の工程を、第２図は
第２の工程を、第３図は第３の工程をそれぞれ示す。 符号の説明 ４……被膜、５……終点検出膜。
程順に示す断面図で、第１図は第１の工程を、第２図は
第２の工程を、第３図は第３の工程をそれぞれ示す。 符号の説明 ４……被膜、５……終点検出膜。
Claims (1)
- 【請求項１】凹凸のある面上に全面的に被膜を形成し、 上記被膜の表面に終点検出膜を形成し、 上記被膜を上記終点検出膜が完全に除去されるまでポリ
ッシングする ことを特徴とする半導体装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62081753A JP2541214B2 (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62081753A JP2541214B2 (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63251164A JPS63251164A (ja) | 1988-10-18 |
| JP2541214B2 true JP2541214B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=13755200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62081753A Expired - Fee Related JP2541214B2 (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2541214B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2801651B2 (ja) * | 1989-06-22 | 1998-09-21 | 株式会社東芝 | 絶縁膜の表面平坦化方法 |
| JPH07105369B2 (ja) * | 1990-05-29 | 1995-11-13 | 松下電器産業株式会社 | ウェハーの研磨方法及び研磨装置 |
| US5246884A (en) * | 1991-10-30 | 1993-09-21 | International Business Machines Corporation | Cvd diamond or diamond-like carbon for chemical-mechanical polish etch stop |
| US5395801A (en) * | 1993-09-29 | 1995-03-07 | Micron Semiconductor, Inc. | Chemical-mechanical polishing processes of planarizing insulating layers |
| US6069081A (en) * | 1995-04-28 | 2000-05-30 | International Buiness Machines Corporation | Two-step chemical mechanical polish surface planarization technique |
| JP5327588B2 (ja) * | 2008-09-02 | 2013-10-30 | 株式会社ニコン | 研磨方法および研磨装置 |
| JP6346124B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2018-06-20 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-04-02 JP JP62081753A patent/JP2541214B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63251164A (ja) | 1988-10-18 |
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