JP2536390B2 - 半導体レ―ザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レ―ザおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2536390B2 JP2536390B2 JP5093460A JP9346093A JP2536390B2 JP 2536390 B2 JP2536390 B2 JP 2536390B2 JP 5093460 A JP5093460 A JP 5093460A JP 9346093 A JP9346093 A JP 9346093A JP 2536390 B2 JP2536390 B2 JP 2536390B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction grating
- semiconductor laser
- face
- film
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
に相互変調歪特性に優れる半導体レーザに関する。
られるアナログ変調光源には、高効率で相互変調歪の小
さい単一軸モード半導体レーザが要求されている。例え
ば移動通信システム用では3次相互変調歪(3rd i
ntermodulationdistortion;
IMD3 )が十分に小さい素子が要求されている。
は単一モード性が良好であり、アナログ変調用光源に用
いられつつあるが、通常のDFBレーザでは共振器方向
のキャリアおよび電界強度分布不均一のために電流−光
出力(I−L)特性の線形性が不十分で相互変調歪特性
も優れたものではなかった。
報では共振器方向の前面側の一部に回折格子を形成した
分布帰還形半導体レーザが提案されている。これは、前
面に低反射膜、後面に高反射膜を施し、前面から共振器
内部に向かって回折格子を形成した構造である。
の発明の半導体レーザの構造を示す。従来の半導体レー
ザは低反射率の端面120側から共振器の内部に向かっ
て部分的に回折格子122を形成した構造である。この
構造では低反射率の端面120における回折格子の位相
により素子特性のばらつきが生じ、歩留りがよくなかっ
た。
アナログ変調を目的としたものではなく、相互変調歪特
性については何ら保障されていなかった。
変調歪特性、および歪特性を考慮した歩留りを改善し、
低歪アナログ変調用半導体レ−ザを高歩留りで得ること
にある。
は、共振器方向において一部にのみ回折格子が形成され
かつ共振器方向において全体にわたって活性層が形成さ
れ、光出射端面に低反射膜が形成され反対側端面に高反
射膜が形成されたアナログ変調用半導体レ−ザであっ
て、回折格子を形成する領域が光出射端面側にかたよ
り、前記回折格子形成領域が光出射端面から離れて設け
られ、かつ共振器方向の電界強度分布がほぼ均一である
ことを特徴とする。
折格子が形成されかつ共振器方向において全体にわたっ
て活性層が形成され、光出射端面に低反射膜が形成され
反対側端面に高反射膜が形成されたアナログ変調用半導
体レ−ザであって、端面から回折格子形成領域の端まで
の距離が短い方の側、あるいは端面に接した側の回折格
子の結合係数が他方の側の回折格子の結合係数よりも大
きくし、共振器方向の電界強度分布がほぼ均一であるこ
とを特徴とする。
折格子が形成されかつ共振器方向において全体にわたっ
て活性層が形成され、光出射端面に低反射膜が形成され
反対側端面に高反射膜が形成されたアナログ変調用半導
体レ−ザであって、回折格子を形成する領域内の少なく
とも一ヵ所に位相シフトを有し、共振器方向の電界強度
分布がほぼ均一であることを特徴とする。
器領域と反対側に形成された活性領域を有するアナログ
変調用分布反射型半導体レ−ザであって、活性領域側の
端面に高反射率のコ−ティングが施されたことを特徴と
する。
製造方法は、半導体基板上にホトレジストを均一に塗布
する工程と、二光束干渉法により、ホトレジスト上に回
折格子パターンを露光する工程と、回折格子を形成しな
い領域にのみ選択的に光を照射して露光する工程と、前
記レジストパターンをマスクとして半導体基板をエッチ
ングし回折格子を形成する工程と、前記回折格子を埋め
込み、さらにその上に活性層、クラッド層を成長する工
程とを備えることを特徴とする。
Si3N4 膜を形成する工程と、回折格子を形成しない領
域の前記SiO2あるいはSi3N4膜を残して前記Si
O 2 あるいはSi 3 N 4 膜を除去する工程と、その上にホ
トレジストを塗布する工程と、前記ホトレジストを二光
束干渉法により露光し、レジストパタ−ンを形成する工
程と、前記レジストパタ−ンをマスクとして半導体基板
をエッチングし回折格子を形成する工程と、前記SiO
2あるいはSi3N4膜を除去する工程と、前記回折格子
を埋め込み、さらにその上に活性層、クラッド層を成長
する工程とを備えることを特徴とする請求項1または2
または3または4記載の半導体レ−ザの製造方法。
ーザの一構造を示す。この半導体レーザによれば劈開位
置に回折格子が存在しないので従来の図18に示した半
導体レーザと比べ素子特性のばらつきが低減され歩留り
が改善される。
ーザの一構造を示す。端面側の回折格子の結合係数を大
きくしたものの一例である。図3にこの発明の半導体レ
ーザの共振器方向の電界強度分布を従来の半導体レーザ
と合わせて示す。図3から端面側の回折格子の結合係数
を大きく、共振器内部で小さくすることにより電界強度
分布が均一化されていることがわかる。したがって本発
明の半導体レーザにより電流−光出力特性の線形性が改
善され相互変調歪が低減される。
ーザの一構造を示す。また、図5にこの発明の半導体レ
ーザの共振器方向の電界強度分布を従来の半導体レーザ
と比較して示す。図5から図4において回折格子7を形
成した領域に位相シフト部6を形成することにより、こ
の部分で電界強度のピークが現れ、この結果、共振器方
向の電界強度分布の均一性が改善されていることがわか
る。また通常のλ/4位相シフト型分布帰還型レーザと
同様に、副モードの発振が抑制されるため、発振縦モー
ドの安定性を向上させることが可能である。また、複数
の位相シフト部を形成することにより、電界強度の均一
性はさらに改善される。
−ザの一構造を示す。これは分布反射型半導体レ−ザの
回折格子の形成された分布反射器領域8の反対側の端面
10に高反射率膜13を施し回折格子側の端面9から光
出力をとりだすようにした構造である。図7にこの発明
の半導体レ−ザと従来の半導体レ−ザについてIMD3
<−80dBcを満足する素子の割合を歩留り(YIE
LD%)とし、結合係数Κを変化させて計算した結果を
示す。このようにすれば回折格子の形成された領域で電
流注入に伴う電界強度分布パタ−ンの変動が小さくなり
電流−光出力特性の線形性が改善される。また、図7か
ら本発明の半導体レ−ザにより歩留りが改善されている
ことがわかる。また、歩留りの結合係数に対する依存性
が小さく、結合係数の厳密な制御が不必要となることも
わかる。
における実施例を図面を用いて説明する。 (実施例1)まず、第1の実施例について図8、図9、
図10を用いて説明する。
示す。図8(a)に示すようにn型InP基板上20に
ホトレジスト21を塗布し、二光束干渉露光法により周
期2025オングストロ−ム(以下Aとする)のレジス
トパターンを露光する。次いで図8(b)に示すように
回折格子を形成しない領域にのみ露光するようなマスク
パターンのマスク24を用いて密着露光し現像すること
により図8(c)に示すように部分的に回折格子が形成
されたパターンが形成される。このようにして形成され
たレジストパターンをマスクとしてエッチングすると、
図8(d)に示すように部分的に深さ400Aの回折格
子25を形成することができる。この場合、回折格子の
結合係数は40cm- 1 となる。
目標となるパターンも同時に形成している。
−InGaAsP光ガイド層26を1000A、多重量
子井戸(MQW)活性層27、p−InPクラッド層2
8を約0.5μmの膜厚でMOVPE法により形成す
る。
る。図9はMQWのバンド構造の一実施例を示したもの
である。これは、量子井戸層30が1.4μm波長組
成、厚さ62Aで障壁層31が1.13μm波長組成、
厚さ100Aにし、これを10周期繰り返し、両側に
1.13μm波長組成のSCH層32、33をp層側、
n層側にそれぞれ600A、300Aの厚さで設けた構
造である。
を塗布し、露光、エッチングによりメサストライプを形
成する。
ロック層、n−InP電流ブロック層、p−InPクラ
ッド層、波長1.4μm組成のp−InGaAsPキャ
ップ層を通常の埋め込み成長により形成する。次いで電
極を蒸着し、劈開によりバーに切り出す。劈開において
は回折格子パターン形成時に設けた目印を用い、回折格
子の端が前面から約20μmとなるように切り出した。
SiN膜により後面に75%の反射率の高反射率膜41
を施し、チップに切り出す。このようにして作成された
素子の断面図を図10に示す。
た素子をモジュール化し、2信号で3次相互変調歪を測
定した結果、平均ファイバー出力5mW、変調度20%
で−85dBcと非常に良好な歪特性を得ることができ
た。比較として従来の構造の半導体レーザを作製したと
ころ3次相互変調歪IMD3 は−78dBcであった。
また、IMD3 <−80dBcを満足する素子の割合
(歩留り)は、従来の半導体レーザで12%程度であっ
たのに対して、本発明の半導体レーザでは18%であっ
た。 (実施例2)次に図11〜図13を用いて第2の実施例
について説明する。
(a)に示すように、半導体基板50上の回折格子を形
成しない領域にSiO2 膜51を形成する。次いで、図
11(b)に示すようにホトレジスト52を前面に塗布
し二光束干渉露光法により回折格子パターンを露光す
る。この後現像し、図11(c)に示すようにレジスト
パターンを形成し、これをマスクとしてエッチングする
ことにより図11(b)に示すように回折格子53を形
成する。ここでは、回折格子の深さは結合係数が約30
cm- 1 になるように形成した。この後、ホトレジスト
およびSiO2 膜51を除去し、実施例1と同様に各層
を形成し、メサストライプ形成、埋め込み成長を経て作
製した。また、前面に1%、後面に90%の反射率の反
射膜の反射膜コーティング60、61を施した。このよ
うにして作製した素子の断面図を図12に示す。この場
合、歩留りは20%となった。
合係数70cm-1の回折格子72を60μmの長さで形
成し、前面に0.1%の低反射率70、後面に98%の
高反射率膜71のコ−ティングを施した共振器長220
μmの素子を同様に作製したところ、歩留りは約22%
であった。
用いたが、バルク活性層を用いた場合にでも同様の効果
が得られる。また1.5μm帯レーザの場合でも同様な
結果が得られる。 (実施例3)次いで第3の実施例について図14、図1
5を用いて説明する。
を示す。まず図14(a)に示すようにInP基板80
に電子ビーム露光用レジスト81を塗布する。ついで、
電子ビーム露光により図14(b)にしめすような回折
格子パターンを形成する。このパターンを拡大したもの
を図14(c)に示す。このパターンは周期が2048
Aで、1周期内における露光部と非露光部の比が1:1
から1:10まで除々に変化するパターンである。この
パターンを用いてエッチングにより図14(d)に示す
ようにInP基板上に回折格子82を形成する。また、
この工程で劈開位置の目印も同時に形成する。
層を成長後、メサエッチングし通常の埋め込み成長によ
り電流ブロック層、キャップ層を成長する。この後両面
に電極を蒸着し、劈開によりバーに切り出し前面、後面
にそれぞれコーティングを施し、チップに切り出した。
断面図を示す。本実施例では前面に1%の反射率、後面
に75%のコ−ティングそれぞれ90、91を施し、前
面側から100μmの領域まで回折格子92が形成さ
れ、結合係数は、前面側端面で70cm-1、共振器内部
の端で30cm-1になっている。
たところ−85dBcであった。これは、従来の半導体
レーザに対して7dBcの改善となっている。 (実施例4)次に第4の実施例について図16を用いて
説明する。図16は本発明の一実施例を示す図である。
本実施例では、前面1%、後面75%コーティングをそ
れぞれ施し、前面から100μmの領域までK=50c
m- 1 の回折格子102を形成した構造で、回折格子形
成領域内の前面から70μmの位置にλ/4位相シフト
部104を設けた構造である。
ろ、−82dBcであった。また、発振主モードと副モ
ードの強度比(副モード抑圧比)を測定したところ、従
来の半導体レーザの場合38dBcであったのに対し、
位相シフト部を設けた素子では35dBcであり、発振
の単一モード性が改善された。
はλ/8〜λ/2の範囲の場合において本実施例と同等
の効果が得られた。 (実施例5)次いで第5の実施例について図17を用い
て説明する。
断面図である。本実施例では、前面から100μmの領
域114を分布反射器とした分布反射型レ−ザの前面に
1%、後面に75%のコ−ティングをそれぞれ施し、回
折格子112の結合係数を50cm-1となるようにした
構造である。
−83dBcであった。また、IMD3 <−80dBc
を満足する素子の割合は25%であった。
して素子を作製し評価したところ、40%〜98%の反
射率の範囲で本実施例の場合と同等の効果が得られた。
の低歪アナログ変調用半導体レーザを提供することが可
能となる。
Claims (6)
- 【請求項1】共振器方向において一部にのみ回折格子が
形成されかつ共振器方向において全体にわたって活性層
が形成され、光出射端面に低反射膜が形成され反対側端
面に高反射膜が形成されたアナログ変調用半導体レ−ザ
であって、回折格子を形成する領域が光出射端面側にか
たより、前記回折格子形成領域が光出射端面から離れて
設けられ、かつ共振器方向の電界強度分布がほぼ均一で
あることを特徴とする半導体レ−ザ。 - 【請求項2】共振器方向において一部にのみ回折格子が
形成されかつ共振器方向において全体にわたって活性層
が形成され、光出射端面に低反射膜が形成され反対側端
面に高反射膜が形成されたアナログ変調用半導体レ−ザ
であって、端面から回折格子形成領域の端までの距離が
短い方の側、あるいは端面に接した側の回折格子の結合
係数が他方の側の回折格子の結合係数よりも大きくし、
共振器方向の電界強度分布がほぼ均一であることを特徴
とする半導体レ−ザ。 - 【請求項3】共振器方向において一部にのみ回折格子が
形成されかつ共振器方向において全体にわたって活性層
が形成され、光出射端面に低反射膜が形成され反対側端
面に高反射膜が形成されたアナログ変調用半導体レ−ザ
であって、回折格子を形成する領域内の少なくとも一ヵ
所に位相シフトを有し、共振器方向の電界強度分布がほ
ぼ均一であることを特徴とする半導体レ−ザ。 - 【請求項4】光出射側端面に形成された分布反射器領域
と反対側に形成された活性領域を有するアナログ変調用
分布反射型半導体レ−ザであって、活性領域側の端面に
高反射率のコ−ティングが施されたことを特徴とする半
導体レ−ザ。 - 【請求項5】半導体基板上にホトレジストを均一に塗布
する工程と、二光束干渉法により、ホトレジスト上に回
折格子パタ−ンを露光する工程と、回折格子を形成しな
い領域にのみ選択的に光を照射して露光する工程と、前
記レジストパタ−ンをマスクとして半導体基板をエッチ
ングし回折格子を形成する工程と、前記回折格子を埋め
込み、さらにその上に活性層,クラッド層を成長する工
程とを備えることを特徴とする請求項1または2または
3または4記載の半導体レ−ザの製造方法。 - 【請求項6】半導体基板上にSiO2あるいはSi3N4
膜を形成する工程と、回折格子を形成しない領域の前記
SiO2あるいはSi3N4膜を残して前記SiO 2 あるい
はSi 3 N 4 膜を除去する工程と、その上にホトレジスト
を塗布する工程と、前記ホトレジストを二光束干渉法に
より露光し、レジストパタ−ンを形成する工程と、前記
レジストパタ−ンをマスクとして半導体基板をエッチン
グし回折格子を形成する工程と、前記SiO2あるいは
Si3N4膜を除去する工程と、前記回折格子を埋め込
み、さらにその上に活性層、クラッド層を成長する工程
とを備えることを特徴とする請求項1または2または3
または4記載の半導体レ−ザの製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5093460A JP2536390B2 (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 半導体レ―ザおよびその製造方法 |
DE69425835T DE69425835T2 (de) | 1993-01-08 | 1994-01-07 | Laserdiodenelement mit hervorragender Intermodulationsverzerrungscharakteristik |
US08/178,859 US5469459A (en) | 1993-01-08 | 1994-01-07 | Laser diode element with excellent intermodulation distortion characteristic |
CA002113027A CA2113027C (en) | 1993-01-08 | 1994-01-07 | Laser diode element with excellent intermodulation distortion characteristic |
EP96115482A EP0753914B1 (en) | 1993-01-08 | 1994-01-07 | Laser diode element with excellent intermodulation distortion characteristic |
CA002210008A CA2210008C (en) | 1993-01-08 | 1994-01-07 | Laser diode element with excellent intermodulation distortion characteristic |
EP94100190A EP0606092A3 (en) | 1993-01-08 | 1994-01-07 | Diode laser element. |
US08/463,635 US5568505A (en) | 1993-01-08 | 1995-06-06 | Laser diode element with excellent intermodulation distortion characteristic |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5093460A JP2536390B2 (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 半導体レ―ザおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06310806A JPH06310806A (ja) | 1994-11-04 |
JP2536390B2 true JP2536390B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=14082951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5093460A Expired - Lifetime JP2536390B2 (ja) | 1993-01-08 | 1993-04-21 | 半導体レ―ザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2536390B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2827952B2 (ja) * | 1995-03-23 | 1998-11-25 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
JPH08279651A (ja) * | 1995-04-08 | 1996-10-22 | Nec Corp | 半導体レーザとその製造方法 |
JP4231854B2 (ja) | 2005-03-17 | 2009-03-04 | アンリツ株式会社 | 半導体レーザ素子及びガス検知装置 |
JP2011119312A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
JP5803313B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2015-11-04 | 三菱電機株式会社 | レーザ素子とその製造方法 |
JP2013168513A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザおよび光半導体装置 |
US10592080B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-03-17 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Assisted presentation of application windows |
US10254942B2 (en) | 2014-07-31 | 2019-04-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Adaptive sizing and positioning of application windows |
US10678412B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-06-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Dynamic joint dividers for application windows |
US9535253B2 (en) | 2015-02-09 | 2017-01-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US10018844B2 (en) | 2015-02-09 | 2018-07-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Wearable image display system |
US9513480B2 (en) | 2015-02-09 | 2016-12-06 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguide |
US9827209B2 (en) * | 2015-02-09 | 2017-11-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US11086216B2 (en) | 2015-02-09 | 2021-08-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Generating electronic components |
US10317677B2 (en) | 2015-02-09 | 2019-06-11 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63274192A (ja) * | 1987-05-02 | 1988-11-11 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
JPH01225189A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 回折格子の製造方法 |
JPH01224767A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジストパターン形成方法 |
JPH03192788A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-22 | Nec Corp | 集積型光変調器 |
JPH07118564B2 (ja) * | 1991-10-25 | 1995-12-18 | 光計測技術開発株式会社 | 半導体レーザ |
-
1993
- 1993-04-21 JP JP5093460A patent/JP2536390B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06310806A (ja) | 1994-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2619057B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
US5436195A (en) | Method of fabricating an integrated semiconductor light modulator and laser | |
JP2536390B2 (ja) | 半導体レ―ザおよびその製造方法 | |
US20110134955A1 (en) | Semiconductor laser diode device and method of fabrication thereof | |
US6577660B1 (en) | Distributed feedback type semiconductor laser device having gradually-changed coupling coefficient | |
US6301283B1 (en) | Distributed feedback semiconductor laser | |
US5668047A (en) | Method for fabricating InP diffraction grating and distributed feedback laser | |
US6678302B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US6391671B2 (en) | Method of producing an optical semiconductor device having a waveguide layer buried in an InP current blocking layer | |
JP2001156391A (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
JP3450169B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
JP2970578B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
CA2113027C (en) | Laser diode element with excellent intermodulation distortion characteristic | |
US6084901A (en) | Semiconductor laser device | |
JP2000012963A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
US6228671B1 (en) | Process for production of semiconductor laser grating | |
JP2004031402A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子 | |
JP2953449B2 (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
JP3154244B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP3239387B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
CA2210008C (en) | Laser diode element with excellent intermodulation distortion characteristic | |
JP2669045B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 | |
JPH07118568B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
JP3166236B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP2546134B2 (ja) | 半導体レーザ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960514 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070708 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080708 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130708 Year of fee payment: 17 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |