JP2535719B2 - 置換芳香族化合物を選択的にオルト−フッ素化するための方法 - Google Patents
置換芳香族化合物を選択的にオルト−フッ素化するための方法Info
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- C07C41/01—Preparation of ethers
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- C07C41/22—Preparation of ethers by reactions not forming ether-oxygen bonds by introduction of halogens; by substitution of halogen atoms by other halogen atoms
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- C07C45/63—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reactions not involving the formation of >C = O groups by introduction of halogen; by substitution of halogen atoms by other halogen atoms
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Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、置換芳香族化合物のオル
ト位にフッ素原子を位置特異的に導入する新規な親電子
的方法を記述するものである。オルト−メタル化した置
換芳香族化合物を親電子性弗素化試薬と反応させること
で行われる弗素化方法は、従来技術の親電子的フッ素化
方法に伴なう悪い選択性および収率の問題点を取り除く
ものである。
ト位にフッ素原子を位置特異的に導入する新規な親電子
的方法を記述するものである。オルト−メタル化した置
換芳香族化合物を親電子性弗素化試薬と反応させること
で行われる弗素化方法は、従来技術の親電子的フッ素化
方法に伴なう悪い選択性および収率の問題点を取り除く
ものである。
【０００２】
【発明の背景】有機物、特にカルバニオン性基質に対し
て位置選択的であるフッ素化剤は、薬理学的に活性な化
合物を製造するのに特に有用である。多くの親電子的フ
ッ素化剤が知られているが、それらは高価で、取扱いが
難しく、たびたび不十分な選択性を与えるために、限ら
れた工業的成功しか得られていない。しかし、錯体を作
る有機化合物に位置特異的にフッ素原子を導入するフッ
素化学を使用することに伴なう多くの利点およびそれか
ら得られたフッ素含有有機化合物の独特の性質によっ
て、改良フッ素化方法を発展させるために著しい努力が
試みられた。
て位置選択的であるフッ素化剤は、薬理学的に活性な化
合物を製造するのに特に有用である。多くの親電子的フ
ッ素化剤が知られているが、それらは高価で、取扱いが
難しく、たびたび不十分な選択性を与えるために、限ら
れた工業的成功しか得られていない。しかし、錯体を作
る有機化合物に位置特異的にフッ素原子を導入するフッ
素化学を使用することに伴なう多くの利点およびそれか
ら得られたフッ素含有有機化合物の独特の性質によっ
て、改良フッ素化方法を発展させるために著しい努力が
試みられた。
【０００３】Balz-Schiemann反応は、芳香族環に位置す
る芳香族アミン官能基をフッ素によって置換するフッ素
を芳香族環に導入する古典的方法を構成する。フッ素原
子をテトラフルオロホウ酸の存在下に、対応する芳香族
アミンのジアゾ化反応によって広範囲の有機化合物に導
入することができる。フッ素化した芳香族化合物を製造
する反応ならびにその他の方法の総説は、Aldrichimica
Acta, 21 (1988) 3に発表されている。
る芳香族アミン官能基をフッ素によって置換するフッ素
を芳香族環に導入する古典的方法を構成する。フッ素原
子をテトラフルオロホウ酸の存在下に、対応する芳香族
アミンのジアゾ化反応によって広範囲の有機化合物に導
入することができる。フッ素化した芳香族化合物を製造
する反応ならびにその他の方法の総説は、Aldrichimica
Acta, 21 (1988) 3に発表されている。
【０００４】既知の親電子的フッ素化試薬は、低温（例
えば、−７８℃）に於いてハロゲン化されたまたはその
他の適切な溶剤中に溶解されたトリフルオロメチル次亜
フッ素酸塩（ＣＦ3ＯＦ）セシウムフルオロオキシ硫酸
塩（Ｃ3ＳＯ4Ｆ）およびパークロリルフルオリド(ＦＣ
ｌＯ2）のフッ素溶液を包含する。これらの親電子的な
フッ素化剤の総説は、S.T. Purrington等のChem. Rev.,
86 (1986), 997およびG.G. Furinの“New Fluorinatin
g Agents in Organic Synthesis”に発表されている。
キセノンジフルオリド（ＸｅＦ2）は、可能性としての
有毒性は少ないが、余りに高価なので、多くの施用にお
いて利用することができない。
えば、−７８℃）に於いてハロゲン化されたまたはその
他の適切な溶剤中に溶解されたトリフルオロメチル次亜
フッ素酸塩（ＣＦ3ＯＦ）セシウムフルオロオキシ硫酸
塩（Ｃ3ＳＯ4Ｆ）およびパークロリルフルオリド(ＦＣ
ｌＯ2）のフッ素溶液を包含する。これらの親電子的な
フッ素化剤の総説は、S.T. Purrington等のChem. Rev.,
86 (1986), 997およびG.G. Furinの“New Fluorinatin
g Agents in Organic Synthesis”に発表されている。
キセノンジフルオリド（ＸｅＦ2）は、可能性としての
有毒性は少ないが、余りに高価なので、多くの施用にお
いて利用することができない。
【０００５】最近、親電子的フッ素化剤としてＮ−Ｆク
ラスの化合物、すなわち、Ｎ−Ｆ結合を有する化合物を
使用することに注意が向けられるようになった。このク
ラスの初期の型の化合物は、パーフルオロ−Ｎ−フルオ
ロピペリジン（R.E.BanksおよびG.E. Williamson, Che
m. Ind,〔London〕, 1964およびR.E. Banksら、 J. Che
m. Soc., Perkin Trans. I,〔1972〕, 1098）である。
しかしながら、この化合物は、無水のフッ化水素中のピ
リジン（約８％収率）または２−フルオロピリジン(約
１３％収率)の何れかの電気化学的フッ素化によっての
み低収率で得ることができる。さらに、この試薬は、い
くつかの応用には不適当に活性であって、カルバニオン
性基質へのフッ素の導入は、基質に対する親電子的フッ
素源と競合するイミドイル、フロリドパーフルオロ−１
−アザシクロヘキセ−１−エンを遊離することになりう
る。同様な問題は、親電子的フッ素化剤としては、例え
ば、パーフルオロ（Ｎ−フルオロ−２,６−ジメチルピ
ペリジン）およびパーフルオロ−Ｎ−フルオロモルホリ
ン、（R.E. Banks等、J. Chem. Soc. Perkin Trans. I
〔1988〕, 2805）およびポリ〔パーフルオロ−（Ｎ−フ
ルオロピペリジン−４−イルエチレン）〕（R.E. Banks
等、 J. Fluorine. Chem., 〔1986〕, 34, 281）のよう
な類似の化合物を使用することを妨げている。
ラスの化合物、すなわち、Ｎ−Ｆ結合を有する化合物を
使用することに注意が向けられるようになった。このク
ラスの初期の型の化合物は、パーフルオロ−Ｎ−フルオ
ロピペリジン（R.E.BanksおよびG.E. Williamson, Che
m. Ind,〔London〕, 1964およびR.E. Banksら、 J. Che
m. Soc., Perkin Trans. I,〔1972〕, 1098）である。
しかしながら、この化合物は、無水のフッ化水素中のピ
リジン（約８％収率）または２−フルオロピリジン(約
１３％収率)の何れかの電気化学的フッ素化によっての
み低収率で得ることができる。さらに、この試薬は、い
くつかの応用には不適当に活性であって、カルバニオン
性基質へのフッ素の導入は、基質に対する親電子的フッ
素源と競合するイミドイル、フロリドパーフルオロ−１
−アザシクロヘキセ−１−エンを遊離することになりう
る。同様な問題は、親電子的フッ素化剤としては、例え
ば、パーフルオロ（Ｎ−フルオロ−２,６−ジメチルピ
ペリジン）およびパーフルオロ−Ｎ−フルオロモルホリ
ン、（R.E. Banks等、J. Chem. Soc. Perkin Trans. I
〔1988〕, 2805）およびポリ〔パーフルオロ−（Ｎ−フ
ルオロピペリジン−４−イルエチレン）〕（R.E. Banks
等、 J. Fluorine. Chem., 〔1986〕, 34, 281）のよう
な類似の化合物を使用することを妨げている。
【０００６】米国特許第４,８２８,７６４号は、Ｎ−フ
ルオロ−Ｎ−パーフルオロアルキルまたは式ＲｆＳＯ2
ＮＦＲで示されるパーフルオロアリールスルホンアミド
の構造を有する親電子的フッ素化剤を開示している（式
中、Ｒｆはパーフルオロ化Ｃ 1〜Ｃ30アルキル、Ｃ3〜Ｃ
30シクロアルキル、Ｃ8〜Ｃ14アリール基で置換された
Ｃ1〜Ｃ10アルキル、またはＣ6〜Ｃ14アリール基、そし
てＲはＣ1〜Ｃ30アルキル、Ｃ3〜Ｃ30シクロアルキル、
Ｃ6〜Ｃ14アリールで置換されたＣ1〜Ｃ10アルキル、ま
たは場合により、フッ素を含有する１個以上の不活性置
換基で置換されたＣ6〜Ｃ14−アリール基を示す）。Ｒ
ｆがトリフルオロメチルである場合、Ｒはこれとは別
に、パーフルオロメチルスルホンアミド基によって示す
ことができる。好ましいフッ素化剤は、Ｎ−フルオロビ
ス−（トリフルオロメタンスルホン）イミド（Ｒｆ＝Ｃ
Ｆ3およびＲ＝ＣＦ3ＳＯ2）およびＮ−フルオロ−Ｎ−
メチル−トリフルオロメタンスルホンアミド（Ｒｆ＝Ｃ
Ｆ3およびＲ＝ＣＨ3）である。前者の化合物（またDesM
arteau試薬として知られた）は、室温でベンゼンをフル
オロベンゼンにフッ素化し得る強力な親電子的フッ素化
剤であるが、容易に利用できる物質から８または９段階
の反応工程をも必要とし、これでの製造は冗長なもので
ある。
ルオロ−Ｎ−パーフルオロアルキルまたは式ＲｆＳＯ2
ＮＦＲで示されるパーフルオロアリールスルホンアミド
の構造を有する親電子的フッ素化剤を開示している（式
中、Ｒｆはパーフルオロ化Ｃ 1〜Ｃ30アルキル、Ｃ3〜Ｃ
30シクロアルキル、Ｃ8〜Ｃ14アリール基で置換された
Ｃ1〜Ｃ10アルキル、またはＣ6〜Ｃ14アリール基、そし
てＲはＣ1〜Ｃ30アルキル、Ｃ3〜Ｃ30シクロアルキル、
Ｃ6〜Ｃ14アリールで置換されたＣ1〜Ｃ10アルキル、ま
たは場合により、フッ素を含有する１個以上の不活性置
換基で置換されたＣ6〜Ｃ14−アリール基を示す）。Ｒ
ｆがトリフルオロメチルである場合、Ｒはこれとは別
に、パーフルオロメチルスルホンアミド基によって示す
ことができる。好ましいフッ素化剤は、Ｎ−フルオロビ
ス−（トリフルオロメタンスルホン）イミド（Ｒｆ＝Ｃ
Ｆ3およびＲ＝ＣＦ3ＳＯ2）およびＮ−フルオロ−Ｎ−
メチル−トリフルオロメタンスルホンアミド（Ｒｆ＝Ｃ
Ｆ3およびＲ＝ＣＨ3）である。前者の化合物（またDesM
arteau試薬として知られた）は、室温でベンゼンをフル
オロベンゼンにフッ素化し得る強力な親電子的フッ素化
剤であるが、容易に利用できる物質から８または９段階
の反応工程をも必要とし、これでの製造は冗長なもので
ある。
【０００７】ペンシルバニア州アレンタウンのAir Prod
ucts and Chemicalsに譲渡された米国特許第５,０８６,
１７８号は、Ｎ−Ｆクラスのいろいろな親電子的フッ素
化剤を開示し、新規なフッ素化ジアザビシクロアルカン
誘導体、それらの製造のための方法およびフッ素化剤と
してのそれらの使用を提供している。代表的な誘導体
は、１−クロロメチル−４−フルオロ−１,４−ジアゾ
ニアビシクロ〔２,２,２〕オクタンジトリフラートであ
る。
ucts and Chemicalsに譲渡された米国特許第５,０８６,
１７８号は、Ｎ−Ｆクラスのいろいろな親電子的フッ素
化剤を開示し、新規なフッ素化ジアザビシクロアルカン
誘導体、それらの製造のための方法およびフッ素化剤と
してのそれらの使用を提供している。代表的な誘導体
は、１−クロロメチル−４−フルオロ−１,４−ジアゾ
ニアビシクロ〔２,２,２〕オクタンジトリフラートであ
る。
【０００８】芳香族化合物上に位置する所望の置換基の
オルト位にフッ素原子を位置特異的に導入し得る効果的
な親電子的フッ素化方法を見出すことに、相当な工業的
の関心が存在する。ここで、試薬は安定で、比較的安価
で、現在市販されている出発原料から容易に得られるも
のであるべきである。
オルト位にフッ素原子を位置特異的に導入し得る効果的
な親電子的フッ素化方法を見出すことに、相当な工業的
の関心が存在する。ここで、試薬は安定で、比較的安価
で、現在市販されている出発原料から容易に得られるも
のであるべきである。
【０００９】
【発明の概要】本発明は、オルト−メタル化した置換芳
香族化合物を生成するのに十分な反応条件下、オルト−
メタル化反応を導きうる置換基を含有する芳香族化合物
をメタル化試薬と接触させること；オルト−フッ素化し
た置換芳香族化合物を生成するのに十分な反応条件下、
オルト−メタル化した置換芳香族化合物を親電子的フッ
素化試薬と反応させること；およびオルト−フッ素化し
た置換芳香族化合物を回収することからなるオルト−フ
ッ素化した置換芳香族化合物を選択的に製造する方法に
関する。
香族化合物を生成するのに十分な反応条件下、オルト−
メタル化反応を導きうる置換基を含有する芳香族化合物
をメタル化試薬と接触させること；オルト−フッ素化し
た置換芳香族化合物を生成するのに十分な反応条件下、
オルト−メタル化した置換芳香族化合物を親電子的フッ
素化試薬と反応させること；およびオルト−フッ素化し
た置換芳香族化合物を回収することからなるオルト−フ
ッ素化した置換芳香族化合物を選択的に製造する方法に
関する。
【００１０】本発明の方法は、従来技術の親電子的フッ
素化方法で使用されなかった独特な反応中間体を用い
て、例えば、貧弱な選択性のような従来技術の親電子的
フッ素化方法に伴なう諸問題を解決するものである。さ
らに詳細には、従来技術の親電子的フッ素化方法が、置
換芳香族化合物を所望の親電子的フッ素化剤で処理して
直接に目的のフッ素化生成物に進行するに対し、本発明
者らの方法は、オルト−メタル化した置換芳香族中間体
を経由し、次いで目的の親電子的フッ素化剤に供されて
進行するのである。
素化方法で使用されなかった独特な反応中間体を用い
て、例えば、貧弱な選択性のような従来技術の親電子的
フッ素化方法に伴なう諸問題を解決するものである。さ
らに詳細には、従来技術の親電子的フッ素化方法が、置
換芳香族化合物を所望の親電子的フッ素化剤で処理して
直接に目的のフッ素化生成物に進行するに対し、本発明
者らの方法は、オルト−メタル化した置換芳香族中間体
を経由し、次いで目的の親電子的フッ素化剤に供されて
進行するのである。
【００１１】
【発明の詳述】本発明は、置換芳香族化合物のオルト位
にフッ素原子を位置特異的に導入する新規な方法を記述
するものである。特許請求された方法は、従来技術の親
電子的フッ素化方法でこれまで使用されなかった独特な
反応中間体を用いて、例えば、貧弱な選択性のような従
来技術の親電子的フッ素化方法に伴なう諸問題を解決す
るものである。さらに詳細には、従来技術の親電子的フ
ッ素化方法が、置換芳香族化合物を所望の親電子的フッ
素化剤で処理して直接に目的のフッ素化生成物に進行す
るのに対し、本発明者らの方法は、オルト−メタル化し
た置換芳香族中間体を経由し、次いで目的の親電子的フ
ッ素化剤に供されて進行するのである。
にフッ素原子を位置特異的に導入する新規な方法を記述
するものである。特許請求された方法は、従来技術の親
電子的フッ素化方法でこれまで使用されなかった独特な
反応中間体を用いて、例えば、貧弱な選択性のような従
来技術の親電子的フッ素化方法に伴なう諸問題を解決す
るものである。さらに詳細には、従来技術の親電子的フ
ッ素化方法が、置換芳香族化合物を所望の親電子的フッ
素化剤で処理して直接に目的のフッ素化生成物に進行す
るのに対し、本発明者らの方法は、オルト−メタル化し
た置換芳香族中間体を経由し、次いで目的の親電子的フ
ッ素化剤に供されて進行するのである。
【００１２】オルト−フッ素化した置換芳香族化合物を
選択的に製造する本発明者らの方法は、オルト−メタル
化した置換芳香族化合物を生成するのに十分な反応条件
下、オルト−メタル化反応を導き得る置換基を含有する
芳香族化合物をメタル化試薬と接触させること； オルト−フッ素化した置換芳香族化合物を生成するのに
十分な反応条件下、オルト−メタル化した置換芳香族化
合物を親電子的フッ素化試薬と反応させること；および オルト−フッ素化した置換芳香族化合物を回収すること
からなることを特徴とする。さらに詳しく言えば、本発
明は （ａ） 式Ａｒ−Ｒ′（式中、Ａｒは芳香族基であり；
Ｒ′はスルホニル、第二アミド、第三アミド、エーテ
ル、スルホン、カルバメート、フッ素およびトリフルオ
ロメチルから選ばれた置換基である）によって示される
置換芳香族化合物を式Ｒ ｎ −Ｍ〔式中、Ｍはリチウム、
ナトリウム、カリウム、マグネシウム、亜鉛またはカド
ミウムから選ばれた金属であり；Ｒは炭素原子１〜１０
個を有する第一、第二もしくは第三アルキル基またはジ
アルキルアミド基（ここでアルキルは炭素原子１〜１０
個を有する基である）であり；Ｍがリチウム、ナトリウ
ムまたはカリウムである場合にはｎ＝１でありそしてＭ
がマグネシウム、亜鉛またはウドミウムである場合には
ｎ＝２である〕によって示されるメタル化試薬と接触さ
せてオルト−メタル化した置換芳香族化合物を生成し； （ｂ） そのオルト−メタル化した置換芳香族化合物を
Ｎ−フルオロキヌクリジニウムトリフレートまたはＮ−
フルオロ−パーフルオロメチル−スルホンイミドと反応
させてオルト−フッ素化した置換芳香族化合物を得、次
いで （ｃ） その生成物を回収することからなるオルト−フ
ッ素化した置換芳香族化合物を選択的に製造する方法に
関する。
選択的に製造する本発明者らの方法は、オルト−メタル
化した置換芳香族化合物を生成するのに十分な反応条件
下、オルト−メタル化反応を導き得る置換基を含有する
芳香族化合物をメタル化試薬と接触させること； オルト−フッ素化した置換芳香族化合物を生成するのに
十分な反応条件下、オルト−メタル化した置換芳香族化
合物を親電子的フッ素化試薬と反応させること；および オルト−フッ素化した置換芳香族化合物を回収すること
からなることを特徴とする。さらに詳しく言えば、本発
明は （ａ） 式Ａｒ−Ｒ′（式中、Ａｒは芳香族基であり；
Ｒ′はスルホニル、第二アミド、第三アミド、エーテ
ル、スルホン、カルバメート、フッ素およびトリフルオ
ロメチルから選ばれた置換基である）によって示される
置換芳香族化合物を式Ｒ ｎ −Ｍ〔式中、Ｍはリチウム、
ナトリウム、カリウム、マグネシウム、亜鉛またはカド
ミウムから選ばれた金属であり；Ｒは炭素原子１〜１０
個を有する第一、第二もしくは第三アルキル基またはジ
アルキルアミド基（ここでアルキルは炭素原子１〜１０
個を有する基である）であり；Ｍがリチウム、ナトリウ
ムまたはカリウムである場合にはｎ＝１でありそしてＭ
がマグネシウム、亜鉛またはウドミウムである場合には
ｎ＝２である〕によって示されるメタル化試薬と接触さ
せてオルト−メタル化した置換芳香族化合物を生成し； （ｂ） そのオルト−メタル化した置換芳香族化合物を
Ｎ−フルオロキヌクリジニウムトリフレートまたはＮ−
フルオロ−パーフルオロメチル−スルホンイミドと反応
させてオルト−フッ素化した置換芳香族化合物を得、次
いで （ｃ） その生成物を回収することからなるオルト−フ
ッ素化した置換芳香族化合物を選択的に製造する方法に
関する。
【００１３】本方法の最初の段階において、置換基また
は直接にオルト−メタル化し得る原子を含有する芳香族
化合物を、適切なメタル化試薬と反応させる。広範囲の
置換した芳香族化合物を本方法によってフッ素化するこ
とが可能である。芳香族化合物の唯一の構造的な必要条
件は、明細書にあるメタル化試薬と反応させる場合、そ
の化合物が芳香族化合物上に位置する置換基に対し、選
択的にオルト位にメタル化を配向し得る置換基を含有す
ることである。
は直接にオルト−メタル化し得る原子を含有する芳香族
化合物を、適切なメタル化試薬と反応させる。広範囲の
置換した芳香族化合物を本方法によってフッ素化するこ
とが可能である。芳香族化合物の唯一の構造的な必要条
件は、明細書にあるメタル化試薬と反応させる場合、そ
の化合物が芳香族化合物上に位置する置換基に対し、選
択的にオルト位にメタル化を配向し得る置換基を含有す
ることである。
【００１４】本発明の方法による位置特異的にフッ素化
し得る代表的な置換芳香族化合物は、式Ａｒ−Ｒ′（こ
こで式中、Ａｒは芳香族基であり、そしてＲ′はスルホ
ニル、第二アミド、第三アミド、エーテル、スルホン、
カルバメート、フッ素およびトリフルオロメチルから選
択された置換基である）によって示される化合物であ
る。当該分野の通常の技術の人達は、過度の実験をする
こと無しに、オルト−メタル化に配向し得るその他め適
当な置換基を容易に確定することができる。直接的メタ
ル化反応のさらなる知識は、Ｄ．Ｗ．Ｓｌｏｃｕｍ等に
よる文献、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４１（１９７６）
３６５３に求めることができる。置換した芳香族化合物
に関するメタル化試薬の典型的な量は、普通１：１〜１
０：１、好ましくは、１：１〜２：１の範囲内にある。
し得る代表的な置換芳香族化合物は、式Ａｒ−Ｒ′（こ
こで式中、Ａｒは芳香族基であり、そしてＲ′はスルホ
ニル、第二アミド、第三アミド、エーテル、スルホン、
カルバメート、フッ素およびトリフルオロメチルから選
択された置換基である）によって示される化合物であ
る。当該分野の通常の技術の人達は、過度の実験をする
こと無しに、オルト−メタル化に配向し得るその他め適
当な置換基を容易に確定することができる。直接的メタ
ル化反応のさらなる知識は、Ｄ．Ｗ．Ｓｌｏｃｕｍ等に
よる文献、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４１（１９７６）
３６５３に求めることができる。置換した芳香族化合物
に関するメタル化試薬の典型的な量は、普通１：１〜１
０：１、好ましくは、１：１〜２：１の範囲内にある。
【００１５】既述の置換芳香族化合物を式Ｒn−Ｍによ
って示されたようなメタル化試薬と反応させる（式中、
Ｍはナトリウム、カリウム、マグネシウム、リチウム、
カドミウムまたは亜鉛であり、そしてＲは炭素原子の１
〜約１０個を有する第一、第二または第三アルキルであ
るかまたは炭素原子の１〜約１０個を有するアルキル基
を持つジアルキルアミドである）。Ｒ基に付いている下
付きのｎは、荷電を中性に保つに要するＲ基の数を表わ
し、そして特定の金属次第で変わるであろう。例えば、
Ｍがリチウム、カリウムまたはナトリウムである場合、
ｎは１であり、そしてＭがカドミウム、亜鉛またはマグ
ネシウムである場合、ｎは２である。好ましい態様で
は、メタル化試薬は式Ｒn−Ｍで示される。式中、Ｍは
ナトリウム、カリウム、マグネシウム、リチウム、カド
ミウムまたは亜鉛から選ばれた金属であり；Ｒは炭素原
子１〜約６個を有する第一、第二または第三アルキルま
たはジアルキルアミドであり；そしてｎは荷電を中性に
保つに要した数であり、それは当該分野の通常の技術の
人達によって容易に推測できる。また、当該分野の通常
技術の人は、所定の置換基が置換基のオルト位置に直接
にメタル化するかどうかを容易に確定することができ
る。この目的に最も普通に使用されるメタル化試薬は、
アルキルリチウムおよびリチウムアミドタイプ化合物
（ｎ−ＢｕＬｉ，sec−ＢｕＬｉ，tart−ＢｕＬｉ，リ
チオジイソプロピルアミド等）である。
って示されたようなメタル化試薬と反応させる（式中、
Ｍはナトリウム、カリウム、マグネシウム、リチウム、
カドミウムまたは亜鉛であり、そしてＲは炭素原子の１
〜約１０個を有する第一、第二または第三アルキルであ
るかまたは炭素原子の１〜約１０個を有するアルキル基
を持つジアルキルアミドである）。Ｒ基に付いている下
付きのｎは、荷電を中性に保つに要するＲ基の数を表わ
し、そして特定の金属次第で変わるであろう。例えば、
Ｍがリチウム、カリウムまたはナトリウムである場合、
ｎは１であり、そしてＭがカドミウム、亜鉛またはマグ
ネシウムである場合、ｎは２である。好ましい態様で
は、メタル化試薬は式Ｒn−Ｍで示される。式中、Ｍは
ナトリウム、カリウム、マグネシウム、リチウム、カド
ミウムまたは亜鉛から選ばれた金属であり；Ｒは炭素原
子１〜約６個を有する第一、第二または第三アルキルま
たはジアルキルアミドであり；そしてｎは荷電を中性に
保つに要した数であり、それは当該分野の通常の技術の
人達によって容易に推測できる。また、当該分野の通常
技術の人は、所定の置換基が置換基のオルト位置に直接
にメタル化するかどうかを容易に確定することができ
る。この目的に最も普通に使用されるメタル化試薬は、
アルキルリチウムおよびリチウムアミドタイプ化合物
（ｎ−ＢｕＬｉ，sec−ＢｕＬｉ，tart−ＢｕＬｉ，リ
チオジイソプロピルアミド等）である。
【００１６】メタル化反応工程を行なうためのほかの態
様では、金属−金属交換反応は有機リチウム化合物の種
々の金属塩との反応を経由して、リチウムイオンの他の
金属種との置換反応を伴ないながら行われる。ナトリウ
ム、カリウム、マグネシウム、カドミウムおよび亜鉛が
この目的のために使用されてきた。メタル化反応の態様
の各々は、−７８℃〜２５０℃の範囲内の温度、好まし
くは使用した特定溶剤の還流温度で、例えば、テトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）またはジエチルエーテルのよう
な、反応体に不活性な溶剤中で、窒素またはアルゴンの
ような不活性な雰囲気下、好都合に行うことができる。
メタル化工程を、目的とするオルト位にメタル化した置
換芳香族化合物を生成するのに十分な反応条件下行う。
これは、例えば、温度および圧力のような反応条件は、
本方法の工程を実施するのに決定的ではないことを意味
しており、このような条件は当該分野の人の持っている
通常の技術で容易に確定することができる。
様では、金属−金属交換反応は有機リチウム化合物の種
々の金属塩との反応を経由して、リチウムイオンの他の
金属種との置換反応を伴ないながら行われる。ナトリウ
ム、カリウム、マグネシウム、カドミウムおよび亜鉛が
この目的のために使用されてきた。メタル化反応の態様
の各々は、−７８℃〜２５０℃の範囲内の温度、好まし
くは使用した特定溶剤の還流温度で、例えば、テトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）またはジエチルエーテルのよう
な、反応体に不活性な溶剤中で、窒素またはアルゴンの
ような不活性な雰囲気下、好都合に行うことができる。
メタル化工程を、目的とするオルト位にメタル化した置
換芳香族化合物を生成するのに十分な反応条件下行う。
これは、例えば、温度および圧力のような反応条件は、
本方法の工程を実施するのに決定的ではないことを意味
しており、このような条件は当該分野の人の持っている
通常の技術で容易に確定することができる。
【００１７】本方法の第２工程は、目的とするオルト−
フッ素化した置換芳香族化合物を生成するのに十分な反
応条件下、オルト−メタル化した置換芳香族化合物を適
切なフッ素化試薬と反応させることからなる。強力な求
核種または塩基種によって分解されない親電子的フッ素
化剤はいずれもこのやり方で反応するであろうが、この
目的のために使用されてきた好ましい親電子的フッ素化
試薬は、Ｎ−フルオロキヌクリジニウムトリフレート
（ＮＦＱＴ）およびＮ−フルオロ−パーフルオロメチル
−スルホンイミドである。最後に、目的とする生成物は
慣用の方法で反応混合物から分離される。
フッ素化した置換芳香族化合物を生成するのに十分な反
応条件下、オルト−メタル化した置換芳香族化合物を適
切なフッ素化試薬と反応させることからなる。強力な求
核種または塩基種によって分解されない親電子的フッ素
化剤はいずれもこのやり方で反応するであろうが、この
目的のために使用されてきた好ましい親電子的フッ素化
試薬は、Ｎ−フルオロキヌクリジニウムトリフレート
（ＮＦＱＴ）およびＮ−フルオロ−パーフルオロメチル
−スルホンイミドである。最後に、目的とする生成物は
慣用の方法で反応混合物から分離される。
【００１８】フッ素化反応は、不活性雰囲気下、その試
薬を溶剤に溶解するかまたはそのままのいずれかでオル
ト−メタル化芳香族化合物の溶液に導入することおよび
反応が完了するまで撹拌することを含めて常法で行うこ
とができる。フッ素化工程を、目的とするオルト−フッ
素化した置換芳香族化合物を生成するのに十分な反応条
件下で行う。これは、例えば、温度および圧力のような
反応条件が、本方法の工程を実施するのに決定的でない
ことを意味しており、この条件は当該分野の人の持って
いる通常の技術で容易に確定することができる。フッ素
化反応は、−７８℃〜２５０℃の範囲内の温度で行うこ
とができ、好ましくは、使用した特定の溶剤の還流温度
で行うことができる。オルト位にメタル化した置換芳香
族化合物に関するフッ素化試薬の典型的な量は、普通
１：１〜１０：１、好ましくは、１：１〜２：１の範囲
内にある。
薬を溶剤に溶解するかまたはそのままのいずれかでオル
ト−メタル化芳香族化合物の溶液に導入することおよび
反応が完了するまで撹拌することを含めて常法で行うこ
とができる。フッ素化工程を、目的とするオルト−フッ
素化した置換芳香族化合物を生成するのに十分な反応条
件下で行う。これは、例えば、温度および圧力のような
反応条件が、本方法の工程を実施するのに決定的でない
ことを意味しており、この条件は当該分野の人の持って
いる通常の技術で容易に確定することができる。フッ素
化反応は、−７８℃〜２５０℃の範囲内の温度で行うこ
とができ、好ましくは、使用した特定の溶剤の還流温度
で行うことができる。オルト位にメタル化した置換芳香
族化合物に関するフッ素化試薬の典型的な量は、普通
１：１〜１０：１、好ましくは、１：１〜２：１の範囲
内にある。
【００１９】好ましい態様において、錯体生成剤はフッ
素化反応工程を行う前に、反応混合物に加えられる。例
えば、テトラメチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）のような
錯体生成剤は、相当にフッ素化工程を加速することが見
出された。錯体生成剤という用語は、当該分野で良く知
られているが、好適な錯体生成剤は当業者により容易に
確定することができる。
素化反応工程を行う前に、反応混合物に加えられる。例
えば、テトラメチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）のような
錯体生成剤は、相当にフッ素化工程を加速することが見
出された。錯体生成剤という用語は、当該分野で良く知
られているが、好適な錯体生成剤は当業者により容易に
確定することができる。
【００２０】以下に実施例を示し、本発明の種々の態様
をさらに説明する。これらの実施例はこれまで記述され
た方法の本質を説明するために提供されるものである
が、本発明の請求の範囲を限定するものではない。すべ
ての試薬類は、市販かまたは文献にある手法で製造する
ことができる。特に断わらない限り、明細書および実施
例における部とパーセントは重量で示される。
をさらに説明する。これらの実施例はこれまで記述され
た方法の本質を説明するために提供されるものである
が、本発明の請求の範囲を限定するものではない。すべ
ての試薬類は、市販かまたは文献にある手法で製造する
ことができる。特に断わらない限り、明細書および実施
例における部とパーセントは重量で示される。
【００２１】実施例１Ｎ−フルオロキヌクリジニウムトリフレート（ＮＦＱ
Ｔ）からの２−フルオロアニソールの製造 アニソール５４０mg（６.５mmol）をジエチルエーテル
１０mlに溶解した溶液を、窒素下、撹拌バーと窒素導入
口を備えた３頚５０ml丸底フラスコ中に加えた。溶液を
ヘキサン中のｎ−ＢｕＬｉ（２.５Ｍ溶液の０.２ml）で
処理し、混合物を２４時間還流させた。この溶液をジエ
チルエーテル（窒素下、３頚丸底フラスコに入っている
１０ml）中のＮＦＱＴの懸濁液に加えた。テトラメチレ
ンジアミン（５８mg；０.５mmol）を加え、２４時間撹
拌した。混合物をエーテル５０mlに注ぎ、１０％硫酸１
０mlで洗浄し、乾燥（ＭｇＳＯ4）し、真空で蒸発させ
た、粗製生成物を分取ＴＬＣ（展開剤として１：９ エ
ーテル：ヘキサン）で精製し、純粋な生成物３６mg(６
０％）を得た。1H NMR(CDCl3) δ 3.90(s,3H), 6.80−
7.15(m,4H); 19F NMR(CDCl3) δ−136.0 (s)。マススペ
クトルｍ／ｚ（賦存比）126.05(82％ Ｍ+) 127.05(5.9
％ Ｍ+＋１)。
Ｔ）からの２−フルオロアニソールの製造 アニソール５４０mg（６.５mmol）をジエチルエーテル
１０mlに溶解した溶液を、窒素下、撹拌バーと窒素導入
口を備えた３頚５０ml丸底フラスコ中に加えた。溶液を
ヘキサン中のｎ−ＢｕＬｉ（２.５Ｍ溶液の０.２ml）で
処理し、混合物を２４時間還流させた。この溶液をジエ
チルエーテル（窒素下、３頚丸底フラスコに入っている
１０ml）中のＮＦＱＴの懸濁液に加えた。テトラメチレ
ンジアミン（５８mg；０.５mmol）を加え、２４時間撹
拌した。混合物をエーテル５０mlに注ぎ、１０％硫酸１
０mlで洗浄し、乾燥（ＭｇＳＯ4）し、真空で蒸発させ
た、粗製生成物を分取ＴＬＣ（展開剤として１：９ エ
ーテル：ヘキサン）で精製し、純粋な生成物３６mg(６
０％）を得た。1H NMR(CDCl3) δ 3.90(s,3H), 6.80−
7.15(m,4H); 19F NMR(CDCl3) δ−136.0 (s)。マススペ
クトルｍ／ｚ（賦存比）126.05(82％ Ｍ+) 127.05(5.9
％ Ｍ+＋１)。
【００２２】実施例２Ｎ−フルオロ−ビスパーフルオロメチル−スルホンイミ
ドからの２−フルオロアニソールの製造 ２−リチオアニソール０.５mmolをジエチルエーテル１
０mlに溶解した溶液を、実施例１によってアニソールと
ｎ−ＢｕＬｉから製造した。エーテル(１０ml)に溶解し
たＮ−フルオロ−ビスパーフルオロメチル−スルホンイ
ミド(０.５mmol）の溶液を窒素下、滴下して加え、室温
で２４時間撹拌した。混合物をエーテル５０mlで希釈
し、１０％硫酸１０mlで洗浄し、乾燥（ＭｇＳＯ4）
し、真空で蒸発させた。実施例１で挙げたような分取Ｔ
ＬＣによる精製で、２−フルオロアニソールの３６mg
（６０％）を得た。生成物のスペクトルによる特性決定
では、実施例１に従った方法で得られたものと同一であ
った。
ドからの２−フルオロアニソールの製造 ２−リチオアニソール０.５mmolをジエチルエーテル１
０mlに溶解した溶液を、実施例１によってアニソールと
ｎ−ＢｕＬｉから製造した。エーテル(１０ml)に溶解し
たＮ−フルオロ−ビスパーフルオロメチル−スルホンイ
ミド(０.５mmol）の溶液を窒素下、滴下して加え、室温
で２４時間撹拌した。混合物をエーテル５０mlで希釈
し、１０％硫酸１０mlで洗浄し、乾燥（ＭｇＳＯ4）
し、真空で蒸発させた。実施例１で挙げたような分取Ｔ
ＬＣによる精製で、２−フルオロアニソールの３６mg
（６０％）を得た。生成物のスペクトルによる特性決定
では、実施例１に従った方法で得られたものと同一であ
った。
【００２３】実施例３Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−フルオロベンツアミドの製造 ヘキサン中のｎ−ＢｕＬｉ（０．５ｍｍｏｌ）の溶液
を、栓、窒素導入口および隔膜を備えた３頚丸底フラス
コ中のＴＨＦ（７５ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ、１０ｍｌ）
に溶解したＮ，Ｎ−ジメチルベンツアミドの溶液に加え
た。混合物を１時間撹拌した。ｎ−ＢｕＬｉのほかの
０．５ｍｍｏｌを加え、０℃で１６時間撹拌を続けた。
Ｎ−フルオロキヌクリジニウムトリフレート（１２５ｍ
ｇ、０．５ｍｍｏｌ）を加え、続いてテトラメチレンジ
アミン１５０μＬ（０．１ｍｍｏｌ）を加え、混合物を
室温で１６時間撹拌した。溶液をエーテル（５０ｍｌ）
で希釈し、１０％硫酸１０ｍｌで洗浄し、乾燥（ＭｇＳ
Ｏ４）し、真空で蒸発させた。残留物を分取ＴＬＣ（エ
ーテル／ヘキサン１：９）で精製し、生成物９１ｍｇ
（５０％）を得た。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ０．
９５（ｔ，３Ｈ），１．３５−１．４５（ｍ，２Ｈ），
１．６５一１．７６（ｍ，２Ｈ），２．９５（ｔ，２
Ｈ），７．４−７．４８（ｍ，１Ｈ），７．５−７．５
８（ｍ，１Ｈ），７．９０−７．９５（ｍ，１Ｈ），
７．９５−８．０（ｍ，１Ｈ）；１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤ
Ｃｌ３／ＣＦＣｌ３）δ−１８９．９（ｍ）。マススペ
クトルｍ／ｚ（賦存比）１８０．０５（４．２Ｍ＋）。
を、栓、窒素導入口および隔膜を備えた３頚丸底フラス
コ中のＴＨＦ（７５ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ、１０ｍｌ）
に溶解したＮ，Ｎ−ジメチルベンツアミドの溶液に加え
た。混合物を１時間撹拌した。ｎ−ＢｕＬｉのほかの
０．５ｍｍｏｌを加え、０℃で１６時間撹拌を続けた。
Ｎ−フルオロキヌクリジニウムトリフレート（１２５ｍ
ｇ、０．５ｍｍｏｌ）を加え、続いてテトラメチレンジ
アミン１５０μＬ（０．１ｍｍｏｌ）を加え、混合物を
室温で１６時間撹拌した。溶液をエーテル（５０ｍｌ）
で希釈し、１０％硫酸１０ｍｌで洗浄し、乾燥（ＭｇＳ
Ｏ４）し、真空で蒸発させた。残留物を分取ＴＬＣ（エ
ーテル／ヘキサン１：９）で精製し、生成物９１ｍｇ
（５０％）を得た。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ０．
９５（ｔ，３Ｈ），１．３５−１．４５（ｍ，２Ｈ），
１．６５一１．７６（ｍ，２Ｈ），２．９５（ｔ，２
Ｈ），７．４−７．４８（ｍ，１Ｈ），７．５−７．５
８（ｍ，１Ｈ），７．９０−７．９５（ｍ，１Ｈ），
７．９５−８．０（ｍ，１Ｈ）；１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤ
Ｃｌ３／ＣＦＣｌ３）δ−１８９．９（ｍ）。マススペ
クトルｍ／ｚ（賦存比）１８０．０５（４．２Ｍ＋）。
【００２４】実施例４Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−フルオロベンツアミドの製造 ＴＨＦ（１０ｍｌ）中に溶解したＮ，Ｎ−ジエチルベン
ツアミド（８８５ｍｇ、５ｍｍｏｌ）の溶液を、栓、窒
素導入口および隔膜を備えた３頚丸底フラスコ中で窒素
下、−７８℃でシクロヘキサン中に溶解したｓｅｃ−Ｂ
ｕＬｉ（１．３Ｍの５ｍｍｏｌ）の溶液とテトラメチレ
ンジアミン（７５０μｌ、５０ｍｍｏｌ）で処理した。
溶液を１時間撹拌した。ＮＦＱＴ （１．２５ｇ、５ｍ
ｍｏｌ）を加え、室温とし、そして１６時間撹拌した。
混合物をエーテル（５０ｍｌ）で希釈し、１０％硫酸１
０ｍｌで洗浄し、真空で蒸発させた。粗製生成物を分取
ＴＬＣ（展開剤としてエーテル／ヘキサン１：９）で精
製し、純粋な生成物の７３５ｍｇ（７５％）を得た。１
Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１．０（ｔ，３Ｈ），１．
０５（ｔ，３Ｈ），３．２０（ｑ，２Ｈ），３．３５
（ｑ，２Ｈ），７．３−７．５５（ｍ，３Ｈ），７．７
０−７．８０（ｍ，１Ｈ）；１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ
３）δ−１０９．５（ｓ）。
ツアミド（８８５ｍｇ、５ｍｍｏｌ）の溶液を、栓、窒
素導入口および隔膜を備えた３頚丸底フラスコ中で窒素
下、−７８℃でシクロヘキサン中に溶解したｓｅｃ−Ｂ
ｕＬｉ（１．３Ｍの５ｍｍｏｌ）の溶液とテトラメチレ
ンジアミン（７５０μｌ、５０ｍｍｏｌ）で処理した。
溶液を１時間撹拌した。ＮＦＱＴ （１．２５ｇ、５ｍ
ｍｏｌ）を加え、室温とし、そして１６時間撹拌した。
混合物をエーテル（５０ｍｌ）で希釈し、１０％硫酸１
０ｍｌで洗浄し、真空で蒸発させた。粗製生成物を分取
ＴＬＣ（展開剤としてエーテル／ヘキサン１：９）で精
製し、純粋な生成物の７３５ｍｇ（７５％）を得た。１
Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１．０（ｔ，３Ｈ），１．
０５（ｔ，３Ｈ），３．２０（ｑ，２Ｈ），３．３５
（ｑ，２Ｈ），７．３−７．５５（ｍ，３Ｈ），７．７
０−７．８０（ｍ，１Ｈ）；１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ
３）δ−１０９．５（ｓ）。
【００２５】実施例５Ｎ,Ｎ−ジメチル−２−フルオロベンゼンスルホンアミ
ドの製造 ヘキサン中のｎ−ＢｕＬｉ（２.５Ｍの０.２mol、０.５
mmol）の溶液を、窒素下０℃で、窒素導入口、栓および
隔膜を備えた５０mlの３頚丸底フラスコ中のＮ,Ｎ−ジ
メチルベンゼンスルホンアミドのＴＨＦ溶液（１０ml中
の９３mg、０.５mmol）に加えた。３０分後、テトラメ
チレンジアミン（７５μｌ、０.５mmol）を加え、続い
てＮＦＱＴ（１２５mg、０.５mmol）を加えた。混合物
を室温で１６時間撹拌した。次いで、溶液をエーテル
(５０ml)中に注ぎ、１０％硫酸１０mlで洗浄し、乾燥
(ＭｇＳＯ4)し、そして真空で蒸発させた。分取ＴＬＣ
(１：９、エーテル：ヘキサン）で精製し、純粋な生成
物８７mg（８５％）を得た。1H NMR(CDCl3) δ 2.85(s,
6H), 7.10−7.25(m,1H), 7.30−7.40(m,1H), 7.55−7.7
0(m,1H), 7.9−8.0(m,1H); 19F NMR(CDCl3) δ−60.4
(s)。マススペクトルｍ／ｚ（賦存比）203.05(100％ Ｍ
+), 204.05(13.5 Ｍ+＋１), 205.05(4.6 Ｍ+＋２)。
ドの製造 ヘキサン中のｎ−ＢｕＬｉ（２.５Ｍの０.２mol、０.５
mmol）の溶液を、窒素下０℃で、窒素導入口、栓および
隔膜を備えた５０mlの３頚丸底フラスコ中のＮ,Ｎ−ジ
メチルベンゼンスルホンアミドのＴＨＦ溶液（１０ml中
の９３mg、０.５mmol）に加えた。３０分後、テトラメ
チレンジアミン（７５μｌ、０.５mmol）を加え、続い
てＮＦＱＴ（１２５mg、０.５mmol）を加えた。混合物
を室温で１６時間撹拌した。次いで、溶液をエーテル
(５０ml)中に注ぎ、１０％硫酸１０mlで洗浄し、乾燥
(ＭｇＳＯ4)し、そして真空で蒸発させた。分取ＴＬＣ
(１：９、エーテル：ヘキサン）で精製し、純粋な生成
物８７mg（８５％）を得た。1H NMR(CDCl3) δ 2.85(s,
6H), 7.10−7.25(m,1H), 7.30−7.40(m,1H), 7.55−7.7
0(m,1H), 7.9−8.0(m,1H); 19F NMR(CDCl3) δ−60.4
(s)。マススペクトルｍ／ｚ（賦存比）203.05(100％ Ｍ
+), 204.05(13.5 Ｍ+＋１), 205.05(4.6 Ｍ+＋２)。
【００２６】実施例６２−フルオロ−３−パーフルオロメチルアニソールの製
造 ヘキサン中のｎ−ＢｕＬｉ（２.５Ｍの０.２mol、０.５
mmol）の溶液を３頚丸底フラスコに入れたエーテル１０
ml中に溶解したトリフルオロメチルアニソール（０.５m
mol、８８.１mg）の溶液に加えた。テトラメチレンジア
ミン（７５μｌ、０.５mmol）を加え、混合物を４時間
還流させた。この溶液をＮＦＱＴの１２５mg（０.５mmo
l）に加え、室温で撹拌した。混合物をエーテル５０ml
で希釈し、１０％硫酸１０mlで洗浄し、乾燥（ＭｇＳＯ
4）し、そして真空で蒸発させた。残留物を分取ＴＬＣ
（(１：９)、エーテル／ヘキサン）で精製し、純粋な生
成物の６９mg(７１％)を得た。1H NMR(CDCl3) δ 3.90
(s,3H), 7.05−7.20(m,3H);19F NMR(CDCl3) δ−60.5
(s,3F), −136.3(s,1F)。マススペクトルｍ／ｚ（賦存
比）194.05(100％ Ｍ+), 179.05(38.6％ Ｍ+-CH3)。
造 ヘキサン中のｎ−ＢｕＬｉ（２.５Ｍの０.２mol、０.５
mmol）の溶液を３頚丸底フラスコに入れたエーテル１０
ml中に溶解したトリフルオロメチルアニソール（０.５m
mol、８８.１mg）の溶液に加えた。テトラメチレンジア
ミン（７５μｌ、０.５mmol）を加え、混合物を４時間
還流させた。この溶液をＮＦＱＴの１２５mg（０.５mmo
l）に加え、室温で撹拌した。混合物をエーテル５０ml
で希釈し、１０％硫酸１０mlで洗浄し、乾燥（ＭｇＳＯ
4）し、そして真空で蒸発させた。残留物を分取ＴＬＣ
（(１：９)、エーテル／ヘキサン）で精製し、純粋な生
成物の６９mg(７１％)を得た。1H NMR(CDCl3) δ 3.90
(s,3H), 7.05−7.20(m,3H);19F NMR(CDCl3) δ−60.5
(s,3F), −136.3(s,1F)。マススペクトルｍ／ｚ（賦存
比）194.05(100％ Ｍ+), 179.05(38.6％ Ｍ+-CH3)。
【００２７】前出の実施例で示したように、親電子的フ
ッ素化工程を行なう前にメタル化反応中間体を利用する
本発明の方法は、位置特異的な制御中間体を経て進行し
ない従来技術の親電子的フッ素化反応方法に伴う問題点
を解決するものである。これまで、本発明を記述してき
たが、特許証として適当と思われるものを請求の範囲内
に示した。
ッ素化工程を行なう前にメタル化反応中間体を利用する
本発明の方法は、位置特異的な制御中間体を経て進行し
ない従来技術の親電子的フッ素化反応方法に伴う問題点
を解決するものである。これまで、本発明を記述してき
たが、特許証として適当と思われるものを請求の範囲内
に示した。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 303/40 Ｃ０７Ｃ 303/40 311/16 311/16
Claims (3)
- 【請求項１】（ａ） 式Ａｒ−Ｒ′（式中、Ａｒは芳香
族基であり；Ｒ′はスルホニル、第二アミド、第三アミ
ド、エーテル、スルホン、カルバメート、フッ素および
トリフルオロメチルから選ばれた置換基である）によっ
て示される置換芳香族化合物を式Ｒｎ−Ｍ〔式中、Ｍは
リチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、亜鉛
またはカドミウムから選ばれた金属であり；Ｒは炭素原
子１〜１０個を有する第一、第二もしくは第三アルキル
基またはジアルキルアミド基（ここでアルキルは炭素原
子１〜１０個を有する基である）であり；Ｍがリチウ
ム、ナトリウムまたはカリウムである場合にはｎ＝１で
ありそしてＭがマグネシウム、亜鉛またはカドミウムで
ある場合にはｎ＝２である〕によって示されるメタル化
試薬と接触させてオルト−メタル化した置換芳香族化合
物を生成し； （ｂ） そのオルト−メタル化した置換芳香族化合物を
Ｎ−フルオロキヌクリジニウムトリフレートまたはＮ−
フルオロ−パーフルオロメチル−スルホンイミドと反応
させてオルト−フッ素化した置換芳香族化合物を得、次
いで （ｃ） その生成物を回収することからなるオルト−フ
ッ素化した置換芳香族化合物を選択的に製造する方法。 - 【請求項２】 工程（ｂ）による反応が錯体生成剤の存
在下に行われる請求項１記載による方法。 - 【請求項３】 工程（ａ）および（ｂ）による反応が−
７８℃〜２５０℃の温度で行われる請求項１記載による
方法。
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