JP2532895B2 - 処理粉体の製造方法 - Google Patents
処理粉体の製造方法Info
- Publication number
- JP2532895B2 JP2532895B2 JP62269769A JP26976987A JP2532895B2 JP 2532895 B2 JP2532895 B2 JP 2532895B2 JP 62269769 A JP62269769 A JP 62269769A JP 26976987 A JP26976987 A JP 26976987A JP 2532895 B2 JP2532895 B2 JP 2532895B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- powder
- added
- treated
- ethanol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Coloring (AREA)
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はSi−H基を有する特定のシリコン化合物で被
覆した粉体にビニル化合物を付加する反応において、反
応溶媒に水を含有させて、反応速度と選択性を向上させ
る安定な処理粉体の製造方法に関する。本発明によって
製造された処理粉体は、塗料、インキ、化粧料の分野に
おいて着色剤として使用されるばかりでなく、磁性材
料、ガスクマトグラフ用カラム充填剤、触媒などに幅広
く活用できる。
覆した粉体にビニル化合物を付加する反応において、反
応溶媒に水を含有させて、反応速度と選択性を向上させ
る安定な処理粉体の製造方法に関する。本発明によって
製造された処理粉体は、塗料、インキ、化粧料の分野に
おいて着色剤として使用されるばかりでなく、磁性材
料、ガスクマトグラフ用カラム充填剤、触媒などに幅広
く活用できる。
塗料、インキ、化粧料の分野においてシリコン油を用
いることが多く、熱処理やメカノケミカル反応を利用し
てシリコン油を粉体に被覆する方法に特開昭57−20030
6、特許1214497がある。
いることが多く、熱処理やメカノケミカル反応を利用し
てシリコン油を粉体に被覆する方法に特開昭57−20030
6、特許1214497がある。
また、本発明者らが先に出願した改質粉体の製造方法
(特願昭61−178269)では、Si−H基を有するシリコン
化合物を粉体に被覆し、その後ビニル化合物をSi−H基
に付加している。このビニル化合物のSi−H基への付加
反応は、一般にヒドロシリル化反応として知られてお
り、溶媒としてIPA、ジオキサン及びトルエンなどが用
いられてきた。
(特願昭61−178269)では、Si−H基を有するシリコン
化合物を粉体に被覆し、その後ビニル化合物をSi−H基
に付加している。このビニル化合物のSi−H基への付加
反応は、一般にヒドロシリル化反応として知られてお
り、溶媒としてIPA、ジオキサン及びトルエンなどが用
いられてきた。
ヒドロシリル化反応において用いる溶媒は、安全性に
対して問題のあるものが多くジオキサンやトルエンなど
は粉体を処理した場合残存し除去し難い。したがって安
全性の点からIPA等のアルコール系溶媒がもちいられる
が、アルコール系溶媒は一般にSi−H基に対して付加し
アルコラートを生成する。このアルコラートの生成はヒ
ドロシリル化反応の触媒である塩化白金酸によって促進
され競争反応となる。
対して問題のあるものが多くジオキサンやトルエンなど
は粉体を処理した場合残存し除去し難い。したがって安
全性の点からIPA等のアルコール系溶媒がもちいられる
が、アルコール系溶媒は一般にSi−H基に対して付加し
アルコラートを生成する。このアルコラートの生成はヒ
ドロシリル化反応の触媒である塩化白金酸によって促進
され競争反応となる。
このため、アルコラートが粉体表面のシリコン化合物
中に存在した状態の処理粉体が得られ、このアルコラー
トが経時で分解物となって放出され、変臭・変質の原因
となる問題点があった。
中に存在した状態の処理粉体が得られ、このアルコラー
トが経時で分解物となって放出され、変臭・変質の原因
となる問題点があった。
本発明者らは、前記の事情に鑑み、安定なシリコン処
理粉体を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、ヒドロシリ
ル化反応時のアルコール系溶媒に水を添加すると、ヒド
ロシリル化が選択的に行われてアルコラートの生成を抑
制し、目的に適合する安定な粉体を開発することに成功
すると共に、反応速度が著しく増大するという知見を見
いだし本発明を完成するに至った。
理粉体を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、ヒドロシリ
ル化反応時のアルコール系溶媒に水を添加すると、ヒド
ロシリル化が選択的に行われてアルコラートの生成を抑
制し、目的に適合する安定な粉体を開発することに成功
すると共に、反応速度が著しく増大するという知見を見
いだし本発明を完成するに至った。
即ち本発明は、 下記一般式(I) [R1(H)SiO]a[R2R3SiO]b[R4R5R6SiO1/2]
c (I) (式中、R1〜R6はアルキル基またはアリール基であり、
aは正の整数、bは0を含む整数、cは0または2であ
る。3≦(a+b+c)≦500) で表されるSi−H基を有するシリコン化合物で粉体を被
覆後、該Si−H基にビニル化合物の不飽和部分を付加反
応させるに際し、反応溶媒に水を含有させることを特徴
とする処理粉体の製造方法である。
c (I) (式中、R1〜R6はアルキル基またはアリール基であり、
aは正の整数、bは0を含む整数、cは0または2であ
る。3≦(a+b+c)≦500) で表されるSi−H基を有するシリコン化合物で粉体を被
覆後、該Si−H基にビニル化合物の不飽和部分を付加反
応させるに際し、反応溶媒に水を含有させることを特徴
とする処理粉体の製造方法である。
本発明に係る安定な粉体は薬剤との相互作用がなく、
さらに香料に対して分解作用のないことから医薬品・化
粧料に用いた場合、経時安定性が著しく向上する。
さらに香料に対して分解作用のないことから医薬品・化
粧料に用いた場合、経時安定性が著しく向上する。
また、粉体へのビニル化合物の付加密度が高いため分
散性のコントロールができ、磁性粉体を本発明によって
処理すれば、優れた磁性材料が得られる。また、付加密
度を高くすることによってカラムクロマト用充填剤の分
離を高め、理論段数を大幅に高くすることができるた
め、ガスクロマトグラフ用カラム充填剤や液体クロマト
グラフ用カラム充填剤等に用いることができる。
散性のコントロールができ、磁性粉体を本発明によって
処理すれば、優れた磁性材料が得られる。また、付加密
度を高くすることによってカラムクロマト用充填剤の分
離を高め、理論段数を大幅に高くすることができるた
め、ガスクロマトグラフ用カラム充填剤や液体クロマト
グラフ用カラム充填剤等に用いることができる。
本発明は溶媒に水を添加することによってシリコン被
覆粉体の表面に非極性ビニル化合物が高濃度に分配され
ることなどにより上記の特有な効果が得られるものと考
えられる。従って、特に極性基を有するビニル化合物の
ヒドロシリル化反応に有効であり、また、アルコール系
溶媒以外の有機溶媒を用いるヒドロシリル化反応におい
ても、ヒドロシリル化が選択的に行われて副反応が抑え
られるため安定な粉体が得られるとともに反応速度も増
大すると考えられる。
覆粉体の表面に非極性ビニル化合物が高濃度に分配され
ることなどにより上記の特有な効果が得られるものと考
えられる。従って、特に極性基を有するビニル化合物の
ヒドロシリル化反応に有効であり、また、アルコール系
溶媒以外の有機溶媒を用いるヒドロシリル化反応におい
ても、ヒドロシリル化が選択的に行われて副反応が抑え
られるため安定な粉体が得られるとともに反応速度も増
大すると考えられる。
本発明に係る粉体を列記すれば、有機顔料例えば赤色
201号、赤色202号、赤色204号、赤色205号、赤色220
号、赤色226号、赤色228号、赤色305号、橙色203号、橙
色204号、黄色205号、黄色401号及び青色404号、更に、
赤色3号、赤色104号、赤色106号、赤色227号、赤色230
号、赤色401号、赤色505号、橙色205号、黄色4号、黄
色5号、黄色202号、黄色203号、緑色3号及び青色1号
のジルコニウム、バリウム又はアルミニウムレーキ又は
無機粉体例えばカオリン、タルク、モンモリロナイト、
ヘクトライト、セリサイト、ナクライト、デッカイト、
マシコバイト、ハロイサイト、クローライト、ゼオライ
ト;または無機顔料例えば紺青、群青、マンガンバイオ
レット(酸化)チタン被覆マイカ及びオキシ塩化ビスマ
ス;金属酸化物例えば二酸化チタン、赤色酸化鉄、黄色
酸化鉄、黒色酸化鉄、低次酸化チタン、酸化クロム、水
酸化クロム、コバルトブルー、アルミナ、シリカ、酸化
ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化カルシウム、酸化マグネ
シウム、金属複合酸化物:雲母例えば白雲母、金雲母、
黒雲母、絹雲母、鉄雲母、紅雲母、リチア雲母、チンワ
ルド雲母、ソーダ雲母、人工雲母又は、K Al2(Al、S
i3)O10F2、K Mg3(Al、Si3)O10F2、K(Mg、Fe3)
(Al、Si3)O10F2、で表される雲母、或いは酸化窒素チ
タン及び/又は低時酸化チタンを含有するチタン化合物
で被覆された雲母;グアニン、;金属例えばアルミニウ
ム、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、金、銀、銅、プ
ラチナ、亜鉛、インジウム、スズ、アンチモン、タング
ステン、ジルコニウム、モリブテン、シリコン又はチタ
ン;炭素である。
201号、赤色202号、赤色204号、赤色205号、赤色220
号、赤色226号、赤色228号、赤色305号、橙色203号、橙
色204号、黄色205号、黄色401号及び青色404号、更に、
赤色3号、赤色104号、赤色106号、赤色227号、赤色230
号、赤色401号、赤色505号、橙色205号、黄色4号、黄
色5号、黄色202号、黄色203号、緑色3号及び青色1号
のジルコニウム、バリウム又はアルミニウムレーキ又は
無機粉体例えばカオリン、タルク、モンモリロナイト、
ヘクトライト、セリサイト、ナクライト、デッカイト、
マシコバイト、ハロイサイト、クローライト、ゼオライ
ト;または無機顔料例えば紺青、群青、マンガンバイオ
レット(酸化)チタン被覆マイカ及びオキシ塩化ビスマ
ス;金属酸化物例えば二酸化チタン、赤色酸化鉄、黄色
酸化鉄、黒色酸化鉄、低次酸化チタン、酸化クロム、水
酸化クロム、コバルトブルー、アルミナ、シリカ、酸化
ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化カルシウム、酸化マグネ
シウム、金属複合酸化物:雲母例えば白雲母、金雲母、
黒雲母、絹雲母、鉄雲母、紅雲母、リチア雲母、チンワ
ルド雲母、ソーダ雲母、人工雲母又は、K Al2(Al、S
i3)O10F2、K Mg3(Al、Si3)O10F2、K(Mg、Fe3)
(Al、Si3)O10F2、で表される雲母、或いは酸化窒素チ
タン及び/又は低時酸化チタンを含有するチタン化合物
で被覆された雲母;グアニン、;金属例えばアルミニウ
ム、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、金、銀、銅、プ
ラチナ、亜鉛、インジウム、スズ、アンチモン、タング
ステン、ジルコニウム、モリブテン、シリコン又はチタ
ン;炭素である。
磁性粉体としては、例えば、γ−Fe2O3、マグネタイ
ト(Fe3O4)、ベルトライト系、酸化鉄(FeOx 1.33<
x<1.5)またはそれらがコバルト、マンガン、ニッケ
ル、亜鉛、クロムなどで変性されたものや、針状の鉄ま
たはAl、B、Co、Cr、Cu、Mo、Mn、Ni、P、Si、Sn、Zn
が含有された鉄粉、CrO2やBaフェライトなどが用いられ
る。
ト(Fe3O4)、ベルトライト系、酸化鉄(FeOx 1.33<
x<1.5)またはそれらがコバルト、マンガン、ニッケ
ル、亜鉛、クロムなどで変性されたものや、針状の鉄ま
たはAl、B、Co、Cr、Cu、Mo、Mn、Ni、P、Si、Sn、Zn
が含有された鉄粉、CrO2やBaフェライトなどが用いられ
る。
また、粉末が、雲母上に被覆された鉄、ニッケル、コ
バルトまたはその酸化物であってもよいが、これに限定
されるものではない。
バルトまたはその酸化物であってもよいが、これに限定
されるものではない。
また、本発明では多孔性物質の処理を良好に行うこと
ができるが、多孔性物質としては、ケイ酸塩鉱物である
パイロフィライト、タルク、緑泥石、クリソタイル、ア
ンチゴライト、リザダイト、カオリナイト、デッカイ
ト、ナクライト、ハロサイト、モンモリロナイト、ノン
トロナイト、サポナイト、ソーコナイド、ベントナイ
ト、ソーダ沸石、中沸石、スコレス沸石、トムソン沸
石、輝沸石、束沸石、剥沸石、方沸石、重十字沸石、灰
十字沸石、菱沸石、グメリン沸石、白雲母、金雲母、黒
雲母、絹雲母、鉄雲母、紅雲母、リチア雲母、チンワル
ド雲母、ソーダ雲母、K Al2(Al、Si3)O10F2、K M
g3(Al、Si3)O10F2、K(Mg、Fe3)(Al、Si3)O
10F2、金属酸化物である酸化マグネシウム、水酸化マグ
ネシウム、酸化亜鉛、酸化カルシウム、酸化アルミニウ
ム、水酸化アルミニウム、シリカ、酸化鉄(α−FeO3、
γ−FeO3、FeO4、FeO)、水酸化鉄、酸化チタン、低次
酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化クロム、酸化マン
ガン、酸化コバルト、酸化ニッケル及びこれらの2種以
上の組み合わせによるシリカアルミナ、チタン酸鉄、チ
タン酸コバルト、リチウムコバルトチタネート、アルミ
ン酸コバルト、炭酸塩鉱物であるCaCO3、MgCO3、FeC
O3、MnCO3、ZnCO3、CaMg(CO3)2、Cu(OH)2、(C
O3)2、硫酸塩鉱物であるBASO4、PbSO4、CaSO4、CaSO4
・2H2O、CaSO4、・5H2O、Cu4SO4(OH)6、K Al3(OH)
6、(SO4)2、KFe3(OH)6(SO4)2、りん酸塩鉱物
であるYPO4、(Ce、La)PO4、Fe3(PO4)2・8H2O、Ca5
(PO4)3F、Ca5(PO4)3F、Ca5(PO4)3Cl、Ca5(PO4)
3OH、Ca5(PO4、CO3OH)3(F、OH)、金属窒化物であ
る窒化チタン、窒化ホウ素、窒化クロム等が挙げられ
る。
ができるが、多孔性物質としては、ケイ酸塩鉱物である
パイロフィライト、タルク、緑泥石、クリソタイル、ア
ンチゴライト、リザダイト、カオリナイト、デッカイ
ト、ナクライト、ハロサイト、モンモリロナイト、ノン
トロナイト、サポナイト、ソーコナイド、ベントナイ
ト、ソーダ沸石、中沸石、スコレス沸石、トムソン沸
石、輝沸石、束沸石、剥沸石、方沸石、重十字沸石、灰
十字沸石、菱沸石、グメリン沸石、白雲母、金雲母、黒
雲母、絹雲母、鉄雲母、紅雲母、リチア雲母、チンワル
ド雲母、ソーダ雲母、K Al2(Al、Si3)O10F2、K M
g3(Al、Si3)O10F2、K(Mg、Fe3)(Al、Si3)O
10F2、金属酸化物である酸化マグネシウム、水酸化マグ
ネシウム、酸化亜鉛、酸化カルシウム、酸化アルミニウ
ム、水酸化アルミニウム、シリカ、酸化鉄(α−FeO3、
γ−FeO3、FeO4、FeO)、水酸化鉄、酸化チタン、低次
酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化クロム、酸化マン
ガン、酸化コバルト、酸化ニッケル及びこれらの2種以
上の組み合わせによるシリカアルミナ、チタン酸鉄、チ
タン酸コバルト、リチウムコバルトチタネート、アルミ
ン酸コバルト、炭酸塩鉱物であるCaCO3、MgCO3、FeC
O3、MnCO3、ZnCO3、CaMg(CO3)2、Cu(OH)2、(C
O3)2、硫酸塩鉱物であるBASO4、PbSO4、CaSO4、CaSO4
・2H2O、CaSO4、・5H2O、Cu4SO4(OH)6、K Al3(OH)
6、(SO4)2、KFe3(OH)6(SO4)2、りん酸塩鉱物
であるYPO4、(Ce、La)PO4、Fe3(PO4)2・8H2O、Ca5
(PO4)3F、Ca5(PO4)3F、Ca5(PO4)3Cl、Ca5(PO4)
3OH、Ca5(PO4、CO3OH)3(F、OH)、金属窒化物であ
る窒化チタン、窒化ホウ素、窒化クロム等が挙げられ
る。
第1段階の被覆を行うシリコン化合物は、本発明では
下記の式で表されるSi−H基を有するシリコン化合物が
用いられる。
下記の式で表されるSi−H基を有するシリコン化合物が
用いられる。
[R1(H)SiO]a[R2R3SiO]b[R4R5R6SiO 1/2]c Cが0の具体例としては ジハイドロヘキサメチルシクロテトラシロキサン、ト
リハイドロペンタンタメチルシクロテトラシロキサン、
テトラハイドロテトラメチルシクロテトラシロテトラシ
ロキサン、ジハイドロオクタメチルシクロペンタシロキ
サン、トリハイドロヘプタメチルシクロペンタシロキサ
ン、テトラハイドロヘキサメチルシクロペンタシロキサ
ン、ペンタハイドロペンタメチルシクロペンタシロキサ
ン等を挙げることができる。
リハイドロペンタンタメチルシクロテトラシロキサン、
テトラハイドロテトラメチルシクロテトラシロテトラシ
ロキサン、ジハイドロオクタメチルシクロペンタシロキ
サン、トリハイドロヘプタメチルシクロペンタシロキサ
ン、テトラハイドロヘキサメチルシクロペンタシロキサ
ン、ペンタハイドロペンタメチルシクロペンタシロキサ
ン等を挙げることができる。
1分子中に水素原子が2個以上存在するものが望まし
い。また、水素原子が多すぎるものはケイ素原子に水素
原子が2個結合したものが存在するので入手が困難であ
る。
い。また、水素原子が多すぎるものはケイ素原子に水素
原子が2個結合したものが存在するので入手が困難であ
る。
Cが2の具体例としては 1,1,1,2,3,4,4,4−オクタメチルテトラシロキサン、
1,1,1,2,3,4,5,5,5−ノナメチルペンタシロキサン、及
び1,1,1,2,3,4,5,6,6,6−デカメチルヘキサシロキサン
を挙げることができる。
1,1,1,2,3,4,5,5,5−ノナメチルペンタシロキサン、及
び1,1,1,2,3,4,5,6,6,6−デカメチルヘキサシロキサン
を挙げることができる。
上記のシロキサンはいずれも沸点が比較的低く、気相
処理に適している。
処理に適している。
第1段階の被覆を液相または固相で行う場合は、(a
+b+c)が10から200程度のものが良い。第1段階の
被覆量は粉体に対し0.01%〜30%、好ましくは0.1%〜1
0%である。この被覆によりシリコン化合物の架橋構造
が形成され、重合反応が起こる。
+b+c)が10から200程度のものが良い。第1段階の
被覆量は粉体に対し0.01%〜30%、好ましくは0.1%〜1
0%である。この被覆によりシリコン化合物の架橋構造
が形成され、重合反応が起こる。
こうしてできた第1段階被覆粉体はSi−H基が存在
し、アルカリや酸のような苛酷な条件では若干不安定に
なる。
し、アルカリや酸のような苛酷な条件では若干不安定に
なる。
この残存のSi−H基にビニル化合物例えばアルケンや
アルキンをヒドロシリル化によって付加させ、Si−C結
合を生成させることにより、アルカリや酸に対して更に
安定な粉体を得ることができる。
アルキンをヒドロシリル化によって付加させ、Si−C結
合を生成させることにより、アルカリや酸に対して更に
安定な粉体を得ることができる。
また、この付加させる不飽和炭化水素化合物の炭化水
素基の種類または長さ等を調節すれば疎水性をより強め
ることができる。
素基の種類または長さ等を調節すれば疎水性をより強め
ることができる。
なお、本発明に用いるビニル化合物とは、炭素−炭素
二重結合または三重結合少なくとも1個をもち、Si−H
部分と反応することのできる不飽和化合物をいう。
二重結合または三重結合少なくとも1個をもち、Si−H
部分と反応することのできる不飽和化合物をいう。
適当な不飽和化合物は一般式(II) {式中、R11、R12、R13およびR14は相互に独立に、水素
原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アシルオ
キシ基、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、カルボキ
シル基、スルホ基、あるいは炭素数1〜30の置換または
非置換の炭化水素基[例えば脂肪族基(例えば、アルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基)、芳香族基(例え
ば、フェニル基、ナフチル基)、複素環式基(例えば、
シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキ
ニル基)、スピロ化合物残基またはテルペン化合物残
基]であるか、あるいはR11とR13とは炭素−炭素結合を
意味し、−C=C−と一緒になって−C≡C−を形成す
ることができ、あるいはR12とR14とは−C=C−と一緒
になって脂環式基を形成することができるものとする} の化合物である。
原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アシルオ
キシ基、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、カルボキ
シル基、スルホ基、あるいは炭素数1〜30の置換または
非置換の炭化水素基[例えば脂肪族基(例えば、アルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基)、芳香族基(例え
ば、フェニル基、ナフチル基)、複素環式基(例えば、
シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキ
ニル基)、スピロ化合物残基またはテルペン化合物残
基]であるか、あるいはR11とR13とは炭素−炭素結合を
意味し、−C=C−と一緒になって−C≡C−を形成す
ることができ、あるいはR12とR14とは−C=C−と一緒
になって脂環式基を形成することができるものとする} の化合物である。
前記式(II)において炭化水素基R11〜R14は、式(I
I)の化合物における二重結合または三重結合による付
加反応に不利な影響を与えない限り、1個以上の不飽和
炭化水素基(例えば前記式(VI)に例示したもの)およ
び(または)1個以上の官能基で置換されていることが
できる。官能基の代表例としては、ハロゲン原子、アミ
ノ基、カルボキシル基、スルホ基、メルカプト基、エポ
キシ基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、アルコキシ基、
アルコキシカルボニル基、アシル基、アシルオキシ基、
4級アンモニウム基、ポリアルキレンエーテル基を挙げ
ることができる。
I)の化合物における二重結合または三重結合による付
加反応に不利な影響を与えない限り、1個以上の不飽和
炭化水素基(例えば前記式(VI)に例示したもの)およ
び(または)1個以上の官能基で置換されていることが
できる。官能基の代表例としては、ハロゲン原子、アミ
ノ基、カルボキシル基、スルホ基、メルカプト基、エポ
キシ基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、アルコキシ基、
アルコキシカルボニル基、アシル基、アシルオキシ基、
4級アンモニウム基、ポリアルキレンエーテル基を挙げ
ることができる。
好ましい不飽和炭化水素化合物は、端末あるいは任意
の位置に不飽和結合(二重結合、三重結合)を1個以上
有するアルケンまたはアルキンであり、例えばアセチレ
ン、エチレン、プロピレン、ブテン、オクテン、デセ
ン、オクタデセンである。アルケン等は不飽和結合を有
していれば、その位置にシクロヘキサン、ベンゼン、ナ
フタレン等の環状構造が存在していてもかまわない。
の位置に不飽和結合(二重結合、三重結合)を1個以上
有するアルケンまたはアルキンであり、例えばアセチレ
ン、エチレン、プロピレン、ブテン、オクテン、デセ
ン、オクタデセンである。アルケン等は不飽和結合を有
していれば、その位置にシクロヘキサン、ベンゼン、ナ
フタレン等の環状構造が存在していてもかまわない。
また、二重結合が二つ以上あるブタジエン、イソプレ
ン等を用いることもある。
ン等を用いることもある。
このようなビニル化合物を溶媒に溶解させて、溶媒存
在下において300℃以下好ましくは0〜250℃で気相、液
相あるいは固相で1時間以上触媒させることにより行う
ことができる。
在下において300℃以下好ましくは0〜250℃で気相、液
相あるいは固相で1時間以上触媒させることにより行う
ことができる。
触媒としては白金族触媒、すなわちルテニウム、ロジ
ウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金の化
合物が適しているが、とくにパラジウムと白金の化合物
が好適である。パラジウム系では塩化パラジウム(I
I)、塩化テトラアンミンパラジウム(II)酸アンモニ
ウム、酸化パラジウム(II)、水酸化パラジウム(II)
等があげられる。白金系では塩化白金(II)、テトラク
ロロ白金酸(II)、塩化白金(IV)、ヘキサクロロ白金
酸(IV)、ヘキサクロロ白金酸(IV)アンモニウム、酸
化白金(II)、水酸化白金(II)、二酸化白金(IV)、
酸化白金(IV)、二硫化白金(IV)、硫化白金(IV)、
ヘキサクロロ白金(IV)酸カリウム等が挙げられる。ま
た、これらのパラジウム系化合物、白金系化合物にトリ
−n−アルキル(炭素数1〜8)メチルアンモニウムク
ロライドやトリ−n−アルキルアミンを加えて水/有機
溶媒系でイオン対抽出を行った後の有機溶媒層を用いる
こともできる。更に、アミノ触媒例えばトリブチルアミ
ンまたは重合開始剤を使用することができる。
ウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金の化
合物が適しているが、とくにパラジウムと白金の化合物
が好適である。パラジウム系では塩化パラジウム(I
I)、塩化テトラアンミンパラジウム(II)酸アンモニ
ウム、酸化パラジウム(II)、水酸化パラジウム(II)
等があげられる。白金系では塩化白金(II)、テトラク
ロロ白金酸(II)、塩化白金(IV)、ヘキサクロロ白金
酸(IV)、ヘキサクロロ白金酸(IV)アンモニウム、酸
化白金(II)、水酸化白金(II)、二酸化白金(IV)、
酸化白金(IV)、二硫化白金(IV)、硫化白金(IV)、
ヘキサクロロ白金(IV)酸カリウム等が挙げられる。ま
た、これらのパラジウム系化合物、白金系化合物にトリ
−n−アルキル(炭素数1〜8)メチルアンモニウムク
ロライドやトリ−n−アルキルアミンを加えて水/有機
溶媒系でイオン対抽出を行った後の有機溶媒層を用いる
こともできる。更に、アミノ触媒例えばトリブチルアミ
ンまたは重合開始剤を使用することができる。
このような反応を行うにあたり、ビニル化合物と粉体
表面のSi−H基が接近する必要がある。第1段階の処理
粉体は疎水・親油性を示し、溶媒を極性にしてはいけば
溶解しているビニル化合物は第1段階の処理粉体表面に
分配されていくため、上記の目的は達せられる。
表面のSi−H基が接近する必要がある。第1段階の処理
粉体は疎水・親油性を示し、溶媒を極性にしてはいけば
溶解しているビニル化合物は第1段階の処理粉体表面に
分配されていくため、上記の目的は達せられる。
溶媒としてアルコールを用いる場合は、アルコールに
水を添加することによって極性を高め、ビニル化合物の
溶解率を下げて第1段階の処理粉体表面にビニル化合物
を分配させることができる。
水を添加することによって極性を高め、ビニル化合物の
溶解率を下げて第1段階の処理粉体表面にビニル化合物
を分配させることができる。
本発明者らは溶媒、特にアルコール系に水を加えるこ
とによってビニル化合物の付加反応速度を促進させ、ま
たアルコールとの副反応を抑制することができたので以
下に実施例を示して説明する。
とによってビニル化合物の付加反応速度を促進させ、ま
たアルコールとの副反応を抑制することができたので以
下に実施例を示して説明する。
実施例−1 容積630の振動式反応器(ステンレスチール製、保
温ジャケット付)に雲母100 kgを入れた。一方、この反
応槽にステンレススチール管で直結した原液供給タンク
(ステンレススチール製、保温ジャケット付)にテトラ
メチルテトラハイドロジェンシクロテトラシロキサン5k
gを入れた。原液供給タンク側から窒素を450/hrの速
度で供給しながら90℃に加熱した熱媒を循環ポンプで熱
媒体しながら90℃に加熱した熱媒を循環ポンプで熱媒体
加熱槽から反応器と原液供給タンクの保温ジャケットに
供給して、系の温度を90℃に保った。振動は10分に1分
間行い、反応器内で雲母を混合撹拌する操作を5時間繰
り返した。
温ジャケット付)に雲母100 kgを入れた。一方、この反
応槽にステンレススチール管で直結した原液供給タンク
(ステンレススチール製、保温ジャケット付)にテトラ
メチルテトラハイドロジェンシクロテトラシロキサン5k
gを入れた。原液供給タンク側から窒素を450/hrの速
度で供給しながら90℃に加熱した熱媒を循環ポンプで熱
媒体しながら90℃に加熱した熱媒を循環ポンプで熱媒体
加熱槽から反応器と原液供給タンクの保温ジャケットに
供給して、系の温度を90℃に保った。振動は10分に1分
間行い、反応器内で雲母を混合撹拌する操作を5時間繰
り返した。
その後、原液供給タンクのテトラメチルテトラハイド
ロジェンシクロテトラシロキサンを取り除き、反応器の
温度を105℃に昇温させて2時間モノマーの除去を行っ
た。冷却後、処理雲母103.6 kgを採り出した。
ロジェンシクロテトラシロキサンを取り除き、反応器の
温度を105℃に昇温させて2時間モノマーの除去を行っ
た。冷却後、処理雲母103.6 kgを採り出した。
実施例−1−1 実施例−1の処理雲母40g及び5%水添加エタノール5
0gをトルクメーター付液相反応器中に入れ、テトラデセ
ン5gを加えて200r.p.mで50℃にて撹拌を行った。均一に
混合された後、塩化白金酸のエタノール溶液を処理雲母
に対して20ppm添加した。約15分でトルクの値が最大値
をとり、その後ゆっくりと減少した。このトルクの値は
テトラデセンノ付加により生じることから反応速度を推
定することができる。2時間後、取り出し、エタノール
で洗浄した後、乾燥してテトラデシル基付加処理雲母を
得た。
0gをトルクメーター付液相反応器中に入れ、テトラデセ
ン5gを加えて200r.p.mで50℃にて撹拌を行った。均一に
混合された後、塩化白金酸のエタノール溶液を処理雲母
に対して20ppm添加した。約15分でトルクの値が最大値
をとり、その後ゆっくりと減少した。このトルクの値は
テトラデセンノ付加により生じることから反応速度を推
定することができる。2時間後、取り出し、エタノール
で洗浄した後、乾燥してテトラデシル基付加処理雲母を
得た。
比較例−1−1 実施例−1−1と同様な操作を溶媒99.5%のエタノー
ルで行った。
ルで行った。
実施例−1−2 実施例−1−1と同様な操作を10%水添加エタノール
で行った。
で行った。
実施例−1−3 実施例−1−1と同様な操作を15%水添加エタノール
で行った。
で行った。
実施例−1−1〜実施例−1−3及び比較例−1−1の
トルクの最大値に達する時間を表−1に示した。
トルクの最大値に達する時間を表−1に示した。
また、付加量を知る目的で拡散反射型FT−IRで赤外線
吸収スペクトルを測定し、雲母のOH基(3630cm-1)に対
するアルキル基のC−H(2920cm-1)の吸収の比を計算
した。アルキル付加量も同様に表−1に示した。
吸収スペクトルを測定し、雲母のOH基(3630cm-1)に対
するアルキル基のC−H(2920cm-1)の吸収の比を計算
した。アルキル付加量も同様に表−1に示した。
比較例に対して実施例1−1、1−2、1−3エタノ
ール中の水分が増加するに従ってアルキル付加の速度が
速くなっていることがわかる。また、アルキル付加量も
水分が増加する程多くなり、副反応のアルコールとの反
応が抑制されてヒドロシリル化が選択的に起こっている
ことが確認された。また、これらの粉体を37℃に1ケ月
放置すると実施例1−1、1−2、1−3の粉体は変臭
が感じられなかった比較例−1−1の粉体は強い変臭が
感じられ安定性に極めて大きな差がみられた。
ール中の水分が増加するに従ってアルキル付加の速度が
速くなっていることがわかる。また、アルキル付加量も
水分が増加する程多くなり、副反応のアルコールとの反
応が抑制されてヒドロシリル化が選択的に起こっている
ことが確認された。また、これらの粉体を37℃に1ケ月
放置すると実施例1−1、1−2、1−3の粉体は変臭
が感じられなかった比較例−1−1の粉体は強い変臭が
感じられ安定性に極めて大きな差がみられた。
実施例−2 容積100の回転式ダブルコーン型反応槽(ステンレ
ススチール製、保温ジャケット付)に二酸化チタン20kg
を入れた。一方、この反応槽にステンレススチール管で
直結した原液供給タンク(ステンレススチール製、保温
ジャケット付)にテトラメチルテトラハイドロジェンシ
クロテトラシロキサン400 gを入れた。次に、系を真空
ポンプで100mmHgまで減圧した。90℃に加熱した熱媒を
循環ポンプで熱媒体加熱槽から反応槽と原液供給タンク
の保温ジャケットに供給して、系の温度を90℃に保っ
た。反応槽の回転はタイマーにより、10分間静置後3回
転させることによって行い、反応槽内で二酸化チタンを
混合撹拌する操作を10分間繰り返した。その後、N2ガス
を系に導入して常圧に戻し、処理粉体20.3kgを取り出し
た。
ススチール製、保温ジャケット付)に二酸化チタン20kg
を入れた。一方、この反応槽にステンレススチール管で
直結した原液供給タンク(ステンレススチール製、保温
ジャケット付)にテトラメチルテトラハイドロジェンシ
クロテトラシロキサン400 gを入れた。次に、系を真空
ポンプで100mmHgまで減圧した。90℃に加熱した熱媒を
循環ポンプで熱媒体加熱槽から反応槽と原液供給タンク
の保温ジャケットに供給して、系の温度を90℃に保っ
た。反応槽の回転はタイマーにより、10分間静置後3回
転させることによって行い、反応槽内で二酸化チタンを
混合撹拌する操作を10分間繰り返した。その後、N2ガス
を系に導入して常圧に戻し、処理粉体20.3kgを取り出し
た。
実施例2−1 実施例2の処理二酸化チタン50gを20%水添加エタノ
ール150 gに分散させ、オクタデセン5gを加えて40℃に
保ち、撹拌機で10分間撹拌させた。その後、処理二酸化
チタンに対し20ppmの塩化白金酸をエタノールに溶解し
て加え、4時間撹拌を続けた。その後濾過し、エタノー
ルで洗浄し80℃で5時間乾燥させてオクタデシル基付加
処理二酸化チタンを得た。
ール150 gに分散させ、オクタデセン5gを加えて40℃に
保ち、撹拌機で10分間撹拌させた。その後、処理二酸化
チタンに対し20ppmの塩化白金酸をエタノールに溶解し
て加え、4時間撹拌を続けた。その後濾過し、エタノー
ルで洗浄し80℃で5時間乾燥させてオクタデシル基付加
処理二酸化チタンを得た。
この粉末の赤外線吸収スペクトルを測定したところ21
70cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキル
基に起因する吸収があらわれた。
70cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキル
基に起因する吸収があらわれた。
このことからオクタデシル基が付加したことが確認さ
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
実施例−2−2 実施例2の処理二酸化チタン50gを用いてオクタデセ
ンの代わりにアリルグリシジルエーテルを使用して使用
して同様の反応を行った。反応後の粉末の赤外線吸収ス
ペクトルを測定したところ2170cm-1の吸収が消失し、30
50cm-1のエポキシに起因するC−Hの吸収が観察され、
エポキシが付加されたことが判った。この粉体を37℃に
1ケ月放置しても変臭が感じられなかった。
ンの代わりにアリルグリシジルエーテルを使用して使用
して同様の反応を行った。反応後の粉末の赤外線吸収ス
ペクトルを測定したところ2170cm-1の吸収が消失し、30
50cm-1のエポキシに起因するC−Hの吸収が観察され、
エポキシが付加されたことが判った。この粉体を37℃に
1ケ月放置しても変臭が感じられなかった。
実施例3 亜鉛華500 gとハイドロジェンメチルポリシロキサン
(分子量約3000)10gとをジクロルメタン500gと共に小
型ニーダーに入れ、撹拌を続けながら60℃に加熱した。
ジクロルメタンを系外のコンデンサーでトラップしなが
ら加熱を続け、ジクロルメタンがほとんど除外された頃
105℃に昇温し4時間加熱を続けた。その後放冷し、50
℃になった時、エタノール:水=1:1の溶媒を1000g加え
撹拌を20分間行った。その後1−ペンテン20gを加え撹
拌を10分間行った。充分均一に混合されたのを確認し、
亜鉛華に対して10ppmの塩化白金酸をエタノールに溶解
させたものを添加し撹拌を続けた。小型ニーダーの温度
を105℃に設定し、撹拌しながら反応を進行させ、徐々
に溶媒と1−ペンテンの除去を行った。乾燥・放冷後処
理亜鉛華を取り出し、赤外線吸収スペクトルを測定した
ところ、Si−H基は消失し、アルキル基が付加されてい
た。また処理亜鉛華は著しい疎水性を示した。また、こ
の粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が全く感じられな
かった。
(分子量約3000)10gとをジクロルメタン500gと共に小
型ニーダーに入れ、撹拌を続けながら60℃に加熱した。
ジクロルメタンを系外のコンデンサーでトラップしなが
ら加熱を続け、ジクロルメタンがほとんど除外された頃
105℃に昇温し4時間加熱を続けた。その後放冷し、50
℃になった時、エタノール:水=1:1の溶媒を1000g加え
撹拌を20分間行った。その後1−ペンテン20gを加え撹
拌を10分間行った。充分均一に混合されたのを確認し、
亜鉛華に対して10ppmの塩化白金酸をエタノールに溶解
させたものを添加し撹拌を続けた。小型ニーダーの温度
を105℃に設定し、撹拌しながら反応を進行させ、徐々
に溶媒と1−ペンテンの除去を行った。乾燥・放冷後処
理亜鉛華を取り出し、赤外線吸収スペクトルを測定した
ところ、Si−H基は消失し、アルキル基が付加されてい
た。また処理亜鉛華は著しい疎水性を示した。また、こ
の粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が全く感じられな
かった。
実施例−4 赤色酸化鉄4重量部、黄色酸化鉄10重量部、赤色204
号0.2重量部、カオリン50重量部、二酸化チタン20重量
部、タルク10重量部及び水酸化カルシウム0.8部を振動
ボールミル中に入れよく撹拌した。その後ハイドロジェ
ンメチルポリシロキサン5重量部を加え約5時間混合摩
砕を行った。
号0.2重量部、カオリン50重量部、二酸化チタン20重量
部、タルク10重量部及び水酸化カルシウム0.8部を振動
ボールミル中に入れよく撹拌した。その後ハイドロジェ
ンメチルポリシロキサン5重量部を加え約5時間混合摩
砕を行った。
その後、エタノール40重量部、オクタデセン10重量部
を加えて混合粉砕を行い、水20重量部うをさらに加えた
後、塩化白金酸0.005重量部加えて約4時間撹拌した。
反応後取り出し、アセトン約200重量部に分散させた
後、濾過・乾燥させ処理物を得た。
を加えて混合粉砕を行い、水20重量部うをさらに加えた
後、塩化白金酸0.005重量部加えて約4時間撹拌した。
反応後取り出し、アセトン約200重量部に分散させた
後、濾過・乾燥させ処理物を得た。
この処理物は著しい揆水性を示し、赤外線吸収スペク
トルの測定結果からオクタデシル変性ポリシロキサンで
被覆されていることが判明した。
トルの測定結果からオクタデシル変性ポリシロキサンで
被覆されていることが判明した。
また、この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が全く
感じられなかった。
感じられなかった。
実施例−5 容積100の回転式ダブルコーン型反応槽(ステンレ
ススチール製、保温ジャケット付)に雲母チタン20kgを
入れた。一方、この反応槽にステンレススチール管で直
結した原液供給タンク(ステンレススチール製、保温ジ
ャケット付)にテトラメチルテトラハイドロジェンシク
ロテトラシロキサン400gを入れた。次に、系を真空ポン
プで100mmHgまで減圧した。90℃に加熱した熱媒を循環
ポンプで熱媒体加熱槽から反応槽と原液供給タンクの保
温ジャケットに供給して、系の温度を90℃に保った。反
応槽は回転はタイマーにより、10分間静置後3回転させ
ることによって行い、反応槽内で雲母チタンを混合撹拌
する操作を10分間繰り返した。その後、N2ガスを系に導
入して常圧に戻し、処理粉体20.3kgを取り出した。
ススチール製、保温ジャケット付)に雲母チタン20kgを
入れた。一方、この反応槽にステンレススチール管で直
結した原液供給タンク(ステンレススチール製、保温ジ
ャケット付)にテトラメチルテトラハイドロジェンシク
ロテトラシロキサン400gを入れた。次に、系を真空ポン
プで100mmHgまで減圧した。90℃に加熱した熱媒を循環
ポンプで熱媒体加熱槽から反応槽と原液供給タンクの保
温ジャケットに供給して、系の温度を90℃に保った。反
応槽は回転はタイマーにより、10分間静置後3回転させ
ることによって行い、反応槽内で雲母チタンを混合撹拌
する操作を10分間繰り返した。その後、N2ガスを系に導
入して常圧に戻し、処理粉体20.3kgを取り出した。
実施例−5−1 実施例5の処理雲母チタン50gをエタノール:水=1:1
の混合溶媒150gに分散させ、オクタデセン5gを加えて40
℃に保ち、撹拌機で10分間撹拌させた。その後、処理雲
母チタンに対し20ppmの塩化白金酸をエタノールに溶解
して加え、4時間撹拌を続けた。その後濾過し、エタノ
ールで洗浄し80℃で5時間乾燥させてオクタデシル基付
加処理雲母チタンを得た。
の混合溶媒150gに分散させ、オクタデセン5gを加えて40
℃に保ち、撹拌機で10分間撹拌させた。その後、処理雲
母チタンに対し20ppmの塩化白金酸をエタノールに溶解
して加え、4時間撹拌を続けた。その後濾過し、エタノ
ールで洗浄し80℃で5時間乾燥させてオクタデシル基付
加処理雲母チタンを得た。
この粉末の赤外線吸収スペクトルを測定したところ、
2170cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキ
ル基に起因する吸収が現れた。
2170cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキ
ル基に起因する吸収が現れた。
このことからオクタデシル基が付加したことが確認さ
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
実施例−5−2 実施例5の処理雲母チタン50gを用いて、エタノー
ル:水=1:1の混合溶媒に代えてエタノール:水=4:6の
混合溶媒を使用して実施例−5−1と同様の反応を行
い、オクタデシル基付加処理雲母チタンを得た。
ル:水=1:1の混合溶媒に代えてエタノール:水=4:6の
混合溶媒を使用して実施例−5−1と同様の反応を行
い、オクタデシル基付加処理雲母チタンを得た。
この粉末の赤外線吸収スペクトルを測定したところ、
2170cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキ
ル基に起因する吸収が現れた。
2170cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキ
ル基に起因する吸収が現れた。
このことからオクタデシル基が付加したことが確認さ
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
実施例−5−3 実施例5の処理雲母チタン50gを用いて、エタノー
ル:水=1:1の混合溶媒に代えてエタノール:水=3:7の
混合溶媒を使用して実施例−5−1と同様の反応を行
い、オクタデシル基付加処理雲母チタンを得た。
ル:水=1:1の混合溶媒に代えてエタノール:水=3:7の
混合溶媒を使用して実施例−5−1と同様の反応を行
い、オクタデシル基付加処理雲母チタンを得た。
この粉末の赤外線吸収スペクトルを測定したところ、
2170cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキ
ル基に起因する吸収が現れた。
2170cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキ
ル基に起因する吸収が現れた。
このことからオクタデシル基が付加したことが確認さ
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
実施例−5−4 実施例5の処理雲母チタン50gを用いて、エタノー
ル:水=1:1の混合溶媒に代えてエタノール:水=2:8の
混合溶媒を使用して実施例−5−1と同様の反応を行
い、オクタデシル基付加処理雲母チタンを得た。
ル:水=1:1の混合溶媒に代えてエタノール:水=2:8の
混合溶媒を使用して実施例−5−1と同様の反応を行
い、オクタデシル基付加処理雲母チタンを得た。
この粉末の赤外線吸収スペクトルを測定したところ、
2170cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキ
ル基に起因する吸収が現れた。
2170cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキ
ル基に起因する吸収が現れた。
このことからオクタデシル基が付加したことが確認さ
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
実施例−5−5 実施例5の処理雲母チタン50gを用いて、エタノー
ル:水=1:1の混合溶媒に代えてエタノール:水=1:9の
混合溶媒を使用して実施例−5−1と同様の反応を行
い、オクタデシル基付加処理雲母チタンを得た。
ル:水=1:1の混合溶媒に代えてエタノール:水=1:9の
混合溶媒を使用して実施例−5−1と同様の反応を行
い、オクタデシル基付加処理雲母チタンを得た。
この粉末の赤外線吸収スペクトルを測定したところ、
2170cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキ
ル基に起因する吸収が現れた。
2170cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキ
ル基に起因する吸収が現れた。
このことからオクタデシル基が付加したことが確認さ
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
実施例−5−6 実施例5の処理雲母チタン50gを用いて、エタノー
ル:水=1:1の混合溶媒に代えてエタノール:水=1:19
の混合溶媒を使用して実施例−5−1と同様の反応を行
い、オクタデシル基付加処理雲母チタンを得た。
ル:水=1:1の混合溶媒に代えてエタノール:水=1:19
の混合溶媒を使用して実施例−5−1と同様の反応を行
い、オクタデシル基付加処理雲母チタンを得た。
この粉末の赤外線吸収スペクトルを測定したところ、
2170cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキ
ル基に起因する吸収が現れた。
2170cm-1のSi−H基の吸収が消失し、2920cm-1にアルキ
ル基に起因する吸収が現れた。
このことからオクタデシル基が付加したことが確認さ
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
れた。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じら
れなかった。
実施例−6 実施例1の処理雲母100gをエタノール:水=3:7の混
合溶媒300gに分散させ、グリセロール−α−モノアリル
エーテル10gと塩化白金酸20ppm(処理雲母に対して)を
少量のエタノールに溶解して加え、50℃で4時間撹拌を
行った。その後濾過し、エタノールで洗浄した後、80℃
で5時間乾燥させてグリセリン残基付加処理雲母を得
た。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じられ
なかった。
合溶媒300gに分散させ、グリセロール−α−モノアリル
エーテル10gと塩化白金酸20ppm(処理雲母に対して)を
少量のエタノールに溶解して加え、50℃で4時間撹拌を
行った。その後濾過し、エタノールで洗浄した後、80℃
で5時間乾燥させてグリセリン残基付加処理雲母を得
た。この粉体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じられ
なかった。
実施例−7 実施例1の処理雲母100gをエタノール:水=1:9の混
合溶媒300gと十分に撹拌することにより混合した。次に
1−(1H,1H,2H−ノナフルオロ)ヘキセン15gと塩化白
金酸に20ppm(処理雲母に対して)を少量のエタノール
に溶解して加え、70℃で4時間撹拌を行った。その後濾
過し、エタノールで洗浄した後、80℃で5時間乾燥させ
てパーフルオロアルキル基付加処理雲母を得た。この粉
体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じられなかった。
合溶媒300gと十分に撹拌することにより混合した。次に
1−(1H,1H,2H−ノナフルオロ)ヘキセン15gと塩化白
金酸に20ppm(処理雲母に対して)を少量のエタノール
に溶解して加え、70℃で4時間撹拌を行った。その後濾
過し、エタノールで洗浄した後、80℃で5時間乾燥させ
てパーフルオロアルキル基付加処理雲母を得た。この粉
体を37℃に1ケ月放置しても変臭が感じられなかった。
実施例−8 実施例1の処理雲母100gをエタノール:水=3:7の混
合溶媒300gに分散させ、アクリル酸10gと塩化白金酸20p
pm(処理雲母に対して)を少量のエタノールに溶解して
加え、50℃で4時間撹拌を行った。その後濾過し、エタ
ノールで洗浄した後、80℃で5時間乾燥させてカルボキ
シル基付加処理雲母を得た。この粉体を37℃に1ケ月放
置しても変臭が感じられなかった。
合溶媒300gに分散させ、アクリル酸10gと塩化白金酸20p
pm(処理雲母に対して)を少量のエタノールに溶解して
加え、50℃で4時間撹拌を行った。その後濾過し、エタ
ノールで洗浄した後、80℃で5時間乾燥させてカルボキ
シル基付加処理雲母を得た。この粉体を37℃に1ケ月放
置しても変臭が感じられなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01F 1/00 (C10M 111/04 //(C10M 111/04 103:06 A 103:06 103:04 103:04 107:50 107:50 105:76 105:76 105:04) 105:04) C10N 20:06 A C10N 20:06 30:00 Z 30:00 40:14 40:14 H01F 1/00 Z
Claims (1)
- 【請求項1】下記一般式(I) [R1(H)SiO]a[R2R3SiO]b[R4R5R6SiO1/2]
c (I) (式中、R1〜R6はアルキル基またはアリール基であり、
aは正の整数、bは0を含む整数、cは0または2であ
る。3≦(a+b+c)≦500) で表されるSi−H基を有するシリコン化合物で粉体を被
覆後、該Si−H基にビニル化合物の不飽和部分を付加反
応させるに際し、反応溶媒に水を含有させることを特徴
とする処理粉体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62269769A JP2532895B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 処理粉体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62269769A JP2532895B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 処理粉体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01110540A JPH01110540A (ja) | 1989-04-27 |
JP2532895B2 true JP2532895B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=17476892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62269769A Expired - Fee Related JP2532895B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 処理粉体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2532895B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2849296B2 (ja) * | 1992-11-24 | 1999-01-20 | 日本ペイント株式会社 | 雲母質顔料組成物、雲母質顔料含有水性塗料組成物ならびにその製法 |
JPH07316476A (ja) * | 1994-05-24 | 1995-12-05 | Nippon Paint Co Ltd | 雲母質顔料含有水性塗料組成物 |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP62269769A patent/JP2532895B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01110540A (ja) | 1989-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL192042C (nl) | Toevoegmiddel ter verhoging van de viscositeit van vloeibare niet-waterige systemen. | |
US4882225A (en) | Modified powder or particulate material | |
JPS63128906A (ja) | 分散性を改善したオルガノクレ−及びそれを含む樹脂組成物 | |
EP2254954B1 (en) | A particle with bipolar topospecific characteristics and process for preparation thereof | |
JPS62185081A (ja) | オレフイン化合物のエポキシ化法 | |
JP2886539B2 (ja) | 銀ベース触媒の製造方法および高級オレフィンのエポキシ化法 | |
EP0558032A2 (en) | Water repellent powder and method of preparation | |
JP2532895B2 (ja) | 処理粉体の製造方法 | |
JPS61268763A (ja) | 処理粉体の製造方法 | |
JP2001523261A (ja) | ホスフェート安定化パーオキソタングステート化合物を触媒として用いるエポキシ化方法 | |
JPH0892484A (ja) | 処理粉体の製造方法 | |
EP0417866B1 (en) | Silicone polymer-coated powder or particulate material | |
JP3552843B2 (ja) | シリコーン被覆粉体の製造方法 | |
JPH04288088A (ja) | 促進剤としてランタニド化合物を含む触媒を使用するジメチルジクロルシランの直接合成法 | |
JPS6372779A (ja) | ゲル化剤 | |
JP4425013B2 (ja) | 第4級アンモニウム基を有するシリカ粉体の製造方法 | |
JP3765454B2 (ja) | 処理粉体およびこれを含有する化粧料 | |
JPH10279826A (ja) | 処理粉体およびこれを含有する化粧料 | |
JPH0580254B2 (ja) | ||
JP4678868B2 (ja) | 処理粉体 | |
JPH05147923A (ja) | プロピレンカーボネートにより予備活性化された親有機性粘土類 | |
SU1356952A3 (ru) | Катализатор дл получени ароматических моноаминов | |
JPH03153508A (ja) | トリポリリン酸二水素アルミニウム型層間化合物 | |
JP2001106693A (ja) | 有機置換アルカリ金属・アルミニウム水素化物の製造方法 | |
DE2904557C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kieselsäure mit an der Oberfläche gebundenem organischen Polymeren und ihre Verwendung als Packung in chromatographischen Trennkolonnen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |