JP2528253B2 - Ｎｐｎ型ヘテロ接合バイポ―ラトランジスタ - Google Patents
Ｎｐｎ型ヘテロ接合バイポ―ラトランジスタInfo
- Publication number
- JP2528253B2 JP2528253B2 JP5127404A JP12740493A JP2528253B2 JP 2528253 B2 JP2528253 B2 JP 2528253B2 JP 5127404 A JP5127404 A JP 5127404A JP 12740493 A JP12740493 A JP 12740493A JP 2528253 B2 JP2528253 B2 JP 2528253B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- base
- doped
- emitter
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 21
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical group [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N gallium antimonide Chemical compound [Sb]#[Ga] VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 238000000603 solid-source molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/737—Hetero-junction transistors
- H01L29/7371—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
- H01L29/151—Compositional structures
- H01L29/152—Compositional structures with quantum effects only in vertical direction, i.e. layered structures with quantum effects solely resulting from vertical potential variation
- H01L29/155—Comprising only semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/201—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys
- H01L29/205—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速で動作することの
できるトランジスタに関し、特に本発明は、半絶縁性燐
化インジュウム（ＩｎＰ）基体上に形成されたアンチモ
ン化合物のベースを含むＮＰＮ型ヘテロ接合バイポーラ
トランジスタ（ＨＢＴ）に関する。
できるトランジスタに関し、特に本発明は、半絶縁性燐
化インジュウム（ＩｎＰ）基体上に形成されたアンチモ
ン化合物のベースを含むＮＰＮ型ヘテロ接合バイポーラ
トランジスタ（ＨＢＴ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＨＢＴは電子とホールに作用する力とし
て電界に加えてエネルギギャップ変化を利用できること
によって通常のホモ接合バイポーラトランジスタに比較
して優れた特性を有している。ＨＢＴではエミッタはベ
ースより広いバンドキャップを有するように設計され、
エミッタベース接合において価電子帯中にエネルギバリ
アを生成し、それはベースからエミッタへのホールの不
所望な流れを阻止し、実質的にエミッタ注入効率、電流
利得および動作周波数を増加させる。
て電界に加えてエネルギギャップ変化を利用できること
によって通常のホモ接合バイポーラトランジスタに比較
して優れた特性を有している。ＨＢＴではエミッタはベ
ースより広いバンドキャップを有するように設計され、
エミッタベース接合において価電子帯中にエネルギバリ
アを生成し、それはベースからエミッタへのホールの不
所望な流れを阻止し、実質的にエミッタ注入効率、電流
利得および動作周波数を増加させる。
【０００３】広いバンドキャップのエミッタは非常に高
いベースドープを可能にし、ベース幅が非常に小さい場
合でも低いベース抵抗を得ることを可能にする。エミッ
タドープは適当な値に減少させることができるため、ベ
ースエミッタキャパシタンスの減少を可能にする。
いベースドープを可能にし、ベース幅が非常に小さい場
合でも低いベース抵抗を得ることを可能にする。エミッ
タドープは適当な値に減少させることができるため、ベ
ースエミッタキャパシタンスの減少を可能にする。
【０００４】ＨＢＴの利点は高速の砒化アルミニウムガ
リウム／砒化ガリウム（ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ）ＨＢ
Ｔに対して広く説明されている。さらにＨＢＴを製造す
るための別の材料には燐化インジュウム／砒化インジュ
ウムガリウム（ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ）および砒化アル
ミニウムインジュウム／砒化インジュウムガリウム（Ａ
ｌＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓ）が含まれ、文献に記載され
ているように優れた性質を示している（Ｊ．Ｊensen 他
IEEE Journal of Solid-State Circuits,Vol.26,No.3,4
15〜421 頁）。
リウム／砒化ガリウム（ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ）ＨＢ
Ｔに対して広く説明されている。さらにＨＢＴを製造す
るための別の材料には燐化インジュウム／砒化インジュ
ウムガリウム（ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ）および砒化アル
ミニウムインジュウム／砒化インジュウムガリウム（Ａ
ｌＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓ）が含まれ、文献に記載され
ているように優れた性質を示している（Ｊ．Ｊensen 他
IEEE Journal of Solid-State Circuits,Vol.26,No.3,4
15〜421 頁）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら後者の材
料を使用して製造されたＨＢＴはベース抵抗とコレクタ
キャパシタンスとの積が比較的高い値を有するために最
大発振周波数（ｆmax ）が高域遮断周波数（ｆr ）より
低い。これはこれらのＨＢＴを使用する回路の潜在的速
度および出力電力を制限する。それは所望の設計パラメ
ータとしてｆmaxはｆr の約２倍でなければならないた
めである。
料を使用して製造されたＨＢＴはベース抵抗とコレクタ
キャパシタンスとの積が比較的高い値を有するために最
大発振周波数（ｆmax ）が高域遮断周波数（ｆr ）より
低い。これはこれらのＨＢＴを使用する回路の潜在的速
度および出力電力を制限する。それは所望の設計パラメ
ータとしてｆmaxはｆr の約２倍でなければならないた
めである。
【０００６】さらにＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓおよびＡｌＩ
ｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓのＨＢＴのベース層は典型的にＰ
型ドープ不純物としてベリリウム（Ｂｅ）でドープされ
る。Ｂｅは非常に拡散速度が高く、成長中にベース層か
らエミッタ層中へ急速に移動し、この移動は装置の動作
中にも行われ、ＰＮ接合の位置を最初のエミッタベース
接合部の位置からエミッタ層中に移動させる。その結果
電子の流れに対するエネルギ障壁が生成され、ホールの
流れに対する障壁が減少し、したがって電流利得が減少
する。
ｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓのＨＢＴのベース層は典型的にＰ
型ドープ不純物としてベリリウム（Ｂｅ）でドープされ
る。Ｂｅは非常に拡散速度が高く、成長中にベース層か
らエミッタ層中へ急速に移動し、この移動は装置の動作
中にも行われ、ＰＮ接合の位置を最初のエミッタベース
接合部の位置からエミッタ層中に移動させる。その結果
電子の流れに対するエネルギ障壁が生成され、ホールの
流れに対する障壁が減少し、したがって電流利得が減少
する。
【０００７】それ故、これらの問題を克服し、通常のＨ
ＢＴよりも高いｆmax の優れた特性を有し、通常知られ
ている悪影響のない、Ｂｅその他のドープ不純物でドー
プされたＨＢＴ装置が必要とされる。
ＢＴよりも高いｆmax の優れた特性を有し、通常知られ
ている悪影響のない、Ｂｅその他のドープ不純物でドー
プされたＨＢＴ装置が必要とされる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、砒化アルミニ
ウムインジュウム（ＡｌＩｎＡｓ）および燐化インジュ
ウム（ＩｎＰ）からなるグループから選択された材料か
ら構成されているエミッタ層と、コレクタ層と、エミッ
タ層とコレクタ層との間に配置されたベース層と、これ
らエミッタ層、ベース層およびコレクタ層からなる積層
体を支持している基体とを具備しているＮＰＮ型ヘテロ
接合バイポーラトランジスタにおいて、ベース層は、砒
化ガリウム（ＧａＡｓ）とアンチモン化ガリウム（Ｇａ
Ｓｂ）の交互の超格子層から構成された歪層超格子から
構成され、砒化ガリウムとアンチモン化ガリウムのいず
れかがＰ型不純物でドープされていることを特徴とす
る。
ウムインジュウム（ＡｌＩｎＡｓ）および燐化インジュ
ウム（ＩｎＰ）からなるグループから選択された材料か
ら構成されているエミッタ層と、コレクタ層と、エミッ
タ層とコレクタ層との間に配置されたベース層と、これ
らエミッタ層、ベース層およびコレクタ層からなる積層
体を支持している基体とを具備しているＮＰＮ型ヘテロ
接合バイポーラトランジスタにおいて、ベース層は、砒
化ガリウム（ＧａＡｓ）とアンチモン化ガリウム（Ｇａ
Ｓｂ）の交互の超格子層から構成された歪層超格子から
構成され、砒化ガリウムとアンチモン化ガリウムのいず
れかがＰ型不純物でドープされていることを特徴とす
る。
【０００９】ＧａＳｂの超格子層のドープ不純物はＢｅ
でもよいが、シリコンはＢｅより拡散速度が遅く、製造
中にＰ型ドープ不純物の拡散によってＰＮ接合の位置が
エミッタベース接合の位置からエミッタ層中へ移動する
ことが無視できる程度であるので好ましい。
でもよいが、シリコンはＢｅより拡散速度が遅く、製造
中にＰ型ドープ不純物の拡散によってＰＮ接合の位置が
エミッタベース接合の位置からエミッタ層中へ移動する
ことが無視できる程度であるので好ましい。
【００１０】通常のＩｎＰまたはＡｌＩｎＡｓのエミッ
タ領域に対してＩｎＧａＡｓのベース領域を使用するＨ
ＢＴに比較してベース領域の材料としてＧａＡｓＳｂの
ようなＳｂを含む材料を使用することによって、エミッ
タベース接合における価電子帯オフセットΔＥV を大き
くすることができて結果的にエミッタ注入効率が改善さ
れ、また、エミッタベース接合における伝導帯オフセッ
トΔＥc が低くなるため電力消費が減少する。さらにホ
ール移動度の増加によりベース抵抗を減少させることが
できるため高いｆmax が得られる。また、ベースコレク
タ接合における電位障壁が生成されてこれもまたｆmax
を高くする。
タ領域に対してＩｎＧａＡｓのベース領域を使用するＨ
ＢＴに比較してベース領域の材料としてＧａＡｓＳｂの
ようなＳｂを含む材料を使用することによって、エミッ
タベース接合における価電子帯オフセットΔＥV を大き
くすることができて結果的にエミッタ注入効率が改善さ
れ、また、エミッタベース接合における伝導帯オフセッ
トΔＥc が低くなるため電力消費が減少する。さらにホ
ール移動度の増加によりベース抵抗を減少させることが
できるため高いｆmax が得られる。また、ベースコレク
タ接合における電位障壁が生成されてこれもまたｆmax
を高くする。
【００１１】しかしながら、ベース領域の材料としてＧ
ａＡｓＳｂを使用すると格子整合に問題を生じ、良好な
構造を得ることが困難となり、格子不整合による歪みに
基づいた応力によって制限されてＧａＡｓＳｂ中のＳｂ
の比率を増加させることができない欠点がある。本発明
では上記のようにベース層を砒化ガリウム（ＧａＡｓ）
とアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）の交互の超格子層
から構成された歪層超格子から構成することによってこ
の問題を解決したものである。すなわち、ＧａＳｂ超格
子層は約３．５％の圧縮応力を有しているが、一方、Ｇ
ａＡｓ超格子層はほぼ同じ大きさの伸長応力を有してい
る。したがって交互の超格子層の組合わせによって圧縮
および伸長応力が互いに補償されて応力が過度に大きく
なることが避けられる。したがって、上記のようなＳｂ
を含むベース層の利点が得られてしかも格子不整合によ
る応力が小さいヘテロ接合バイポーラトランジスタを得
ることが可能になる。本発明のこれら、およびその他の
特徴および利点は、添付図面を参照にした以下の好まし
い実施例の詳細な説明から明らかにされるであろう。
ａＡｓＳｂを使用すると格子整合に問題を生じ、良好な
構造を得ることが困難となり、格子不整合による歪みに
基づいた応力によって制限されてＧａＡｓＳｂ中のＳｂ
の比率を増加させることができない欠点がある。本発明
では上記のようにベース層を砒化ガリウム（ＧａＡｓ）
とアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）の交互の超格子層
から構成された歪層超格子から構成することによってこ
の問題を解決したものである。すなわち、ＧａＳｂ超格
子層は約３．５％の圧縮応力を有しているが、一方、Ｇ
ａＡｓ超格子層はほぼ同じ大きさの伸長応力を有してい
る。したがって交互の超格子層の組合わせによって圧縮
および伸長応力が互いに補償されて応力が過度に大きく
なることが避けられる。したがって、上記のようなＳｂ
を含むベース層の利点が得られてしかも格子不整合によ
る応力が小さいヘテロ接合バイポーラトランジスタを得
ることが可能になる。本発明のこれら、およびその他の
特徴および利点は、添付図面を参照にした以下の好まし
い実施例の詳細な説明から明らかにされるであろう。
【００１２】
【実施例】図１を参照にすると、ＮＰＮ型ヘテロ接合バ
イポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の１例が簡単化された
形態で全体を10で示されている。ＨＢＴ10は半絶縁性Ｉ
ｎＰ基体12と、この基体12上に形成されＮ型不純物でド
ープされた砒化インジュウムガリウム（Ｉｎ0.53Ｇａ
0.47Ａｓ）、燐化インジュウム（ＩｎＰ）または砒化ア
ルミニウムインジュウム（Ａｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓ）のコ
レクタ層14と、コレクタ層14上に形成されたＰ型の３元
のＧａＡｓy Ｓｂ1-y のベース層16と、ベース層16上に
形成されたＮ型のＩｎＰまたはＡｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓの
エミッタ層18とを具備している。ＧａＡｓy Ｓｂ1-y に
おけるｙの値は０と１の間で変化可能であり、０．５が
好ましい。
イポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の１例が簡単化された
形態で全体を10で示されている。ＨＢＴ10は半絶縁性Ｉ
ｎＰ基体12と、この基体12上に形成されＮ型不純物でド
ープされた砒化インジュウムガリウム（Ｉｎ0.53Ｇａ
0.47Ａｓ）、燐化インジュウム（ＩｎＰ）または砒化ア
ルミニウムインジュウム（Ａｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓ）のコ
レクタ層14と、コレクタ層14上に形成されたＰ型の３元
のＧａＡｓy Ｓｂ1-y のベース層16と、ベース層16上に
形成されたＮ型のＩｎＰまたはＡｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓの
エミッタ層18とを具備している。ＧａＡｓy Ｓｂ1-y に
おけるｙの値は０と１の間で変化可能であり、０．５が
好ましい。
【００１３】コレクタ層14、ベース層16、およびエミッ
タ層18は基体とできるだけ良好に格子整合される。コレ
クタ層14は図ではベース層16と基体12との間に配置され
ているが、コレクタ層14とエミッタ層18の相対位置が反
対にされてもよい。図にはさらに導電性の金属コレクタ
コンタクト20、ベースコンタクト22、およびエミッタコ
ンタクト24が示されている。ＨＢＴ10は通常の技術を使
用して製造されることができ、固体ソースの分子ビーム
エピタキシ（ＭＢＥ）を使用することが好ましい。
タ層18は基体とできるだけ良好に格子整合される。コレ
クタ層14は図ではベース層16と基体12との間に配置され
ているが、コレクタ層14とエミッタ層18の相対位置が反
対にされてもよい。図にはさらに導電性の金属コレクタ
コンタクト20、ベースコンタクト22、およびエミッタコ
ンタクト24が示されている。ＨＢＴ10は通常の技術を使
用して製造されることができ、固体ソースの分子ビーム
エピタキシ（ＭＢＥ）を使用することが好ましい。
【００１４】コレクタ層14は約250 乃至500nm の厚さを
有し、約300nm が好ましい。コレクタ層14は約１乃至５
×1016電子／cm3 の自由キャリア密度にＳｉでドープさ
れ、好ましいドープ値は１×1016である。エミッタ層18
は約150 乃至250nm の厚さを有し、約150nm が好まし
い。エミッタ層18は約４乃至８×1017電子／cm3 の自由
キャリア密度にＳｉでドープされ、好ましいドープ値は
１×1017である。ベース層16は約50乃至100nm の厚さを
有し、好ましい実施例では約50nmの厚さで、約３乃至６
×1019ホール／cm3 の自由キャリア密度にＢｅでドープ
され、好ましいドープ値は５×1019であり、主層16a
と、主層16a とコレクタ層14との間に配置されたスペー
サ層16b とより構成されている。スペーサ層16b は15nm
の厚さが好ましく、２×1018ホール／cm3 の自由キャリ
ア密度にＢｅでドープされている。
有し、約300nm が好ましい。コレクタ層14は約１乃至５
×1016電子／cm3 の自由キャリア密度にＳｉでドープさ
れ、好ましいドープ値は１×1016である。エミッタ層18
は約150 乃至250nm の厚さを有し、約150nm が好まし
い。エミッタ層18は約４乃至８×1017電子／cm3 の自由
キャリア密度にＳｉでドープされ、好ましいドープ値は
１×1017である。ベース層16は約50乃至100nm の厚さを
有し、好ましい実施例では約50nmの厚さで、約３乃至６
×1019ホール／cm3 の自由キャリア密度にＢｅでドープ
され、好ましいドープ値は５×1019であり、主層16a
と、主層16a とコレクタ層14との間に配置されたスペー
サ層16b とより構成されている。スペーサ層16b は15nm
の厚さが好ましく、２×1018ホール／cm3 の自由キャリ
ア密度にＢｅでドープされている。
【００１５】通常のエミッタ領域とベース領域の材料が
ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓおよびＡｌＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡ
ｓであるＨＢＴではベース層は共にＩｎＧａＡｓで構成
されているが、ベース層におけるＳｂの効果を示すため
にこの例ではベース層16はＢｅでＰ型にドープされた３
元のＧａＡｓＳｂから形成されているＨＢＴについて説
明する。ベース層16中のＢｅでドープされたＧａＡｓＳ
ｂはホール移動度の増加とベース領域にホールを限定す
る価電子帯オフセットの増加によって通常のＨＢＴにま
さる改良された性能を提供する。
ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓおよびＡｌＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡ
ｓであるＨＢＴではベース層は共にＩｎＧａＡｓで構成
されているが、ベース層におけるＳｂの効果を示すため
にこの例ではベース層16はＢｅでＰ型にドープされた３
元のＧａＡｓＳｂから形成されているＨＢＴについて説
明する。ベース層16中のＢｅでドープされたＧａＡｓＳ
ｂはホール移動度の増加とベース領域にホールを限定す
る価電子帯オフセットの増加によって通常のＨＢＴにま
さる改良された性能を提供する。
【００１６】図２のａはＡｌＩｎＡｓエミッタ層とＩｎ
ＧａＡｓベース層を有するＨＢＴのエネルギバンド図で
あり、図２のｂはＡｌＩｎＡｓエミッタ層とＧａＡｓＳ
ｂベース層を有するＨＢＴのエネルギバンド図である。
図３のａはＩｎＰエミッタ層とＩｎＧａＡｓベース層を
有するＨＢＴのエネルギバンド図であり、図３のｂはＩ
ｎＰエミッタ層とＧａＡｓＳｂベース層を有するＨＢＴ
のエネルギバンド図である。エミッタ、ベース、および
コレクタ層は図ではそれぞれＥ，Ｂ，Ｃとして示されて
いる。
ＧａＡｓベース層を有するＨＢＴのエネルギバンド図で
あり、図２のｂはＡｌＩｎＡｓエミッタ層とＧａＡｓＳ
ｂベース層を有するＨＢＴのエネルギバンド図である。
図３のａはＩｎＰエミッタ層とＩｎＧａＡｓベース層を
有するＨＢＴのエネルギバンド図であり、図３のｂはＩ
ｎＰエミッタ層とＧａＡｓＳｂベース層を有するＨＢＴ
のエネルギバンド図である。エミッタ、ベース、および
コレクタ層は図ではそれぞれＥ，Ｂ，Ｃとして示されて
いる。
【００１７】文献（Applied Physics Letters,Vol.55,N
o.18,1877 〜1878頁）に記載されているように価電子帯
オフセットΔＥV はＩｎＧａＡｓ／ＡｌＩｎＡｓヘテロ
構造では０．２ｅＶであるのに対して、ＧａＡｓＳｂ／
ＡｌＩｎＡｓヘテロ構造では０．４３ｅＶであり、Ｇａ
ＡｓＳｂをベース層として使用する場合にはΔＥV は２
倍以上に増加している。これは図２のａおよびｂの比較
からも明白であり、このΔＥV の増加はベース層16中に
ホールを拘束する作用を高めるため、ベース層としてＧ
ａＡｓＳｂを使用するとエミッタ注入効率を顕著に改善
することができる。
o.18,1877 〜1878頁）に記載されているように価電子帯
オフセットΔＥV はＩｎＧａＡｓ／ＡｌＩｎＡｓヘテロ
構造では０．２ｅＶであるのに対して、ＧａＡｓＳｂ／
ＡｌＩｎＡｓヘテロ構造では０．４３ｅＶであり、Ｇａ
ＡｓＳｂをベース層として使用する場合にはΔＥV は２
倍以上に増加している。これは図２のａおよびｂの比較
からも明白であり、このΔＥV の増加はベース層16中に
ホールを拘束する作用を高めるため、ベース層としてＧ
ａＡｓＳｂを使用するとエミッタ注入効率を顕著に改善
することができる。
【００１８】図３のａおよびｂに示されるようにベース
層としてＧａＡｓＳｂを使用することによるΔＥV の増
加はＩｎＰのエミッタの場合にも大きい。ＧａＡｓＳｂ
ベース層はＩｎＧａＡｓベース層の場合の０．３３ｅＶ
と比較して２倍近い０．６２ｅＶのΔＥV を与える。格
子整合されたΔＥV ＝０．６２ｅＶのＩｎＰ／ＧａＡｓ
Ｓｂのエミッタ／ベース構造は特に効率的なエミッタ注
入効率を与える。
層としてＧａＡｓＳｂを使用することによるΔＥV の増
加はＩｎＰのエミッタの場合にも大きい。ＧａＡｓＳｂ
ベース層はＩｎＧａＡｓベース層の場合の０．３３ｅＶ
と比較して２倍近い０．６２ｅＶのΔＥV を与える。格
子整合されたΔＥV ＝０．６２ｅＶのＩｎＰ／ＧａＡｓ
Ｓｂのエミッタ／ベース構造は特に効率的なエミッタ注
入効率を与える。
【００１９】さらに、ベース層としてＧａＡｓＳｂを使
用することによってＩｎＧａＡｓベース層に比較して伝
導帯オフセットΔＥc を減少させることができる。これ
はベースエミッタターンオン電圧ＶBEを減少させ、対応
する電力消費を減少させる。図２のａおよびｂに示され
るようなＡｌＩｎＡｓエミッタ構造に対して、ΔＥcの
値は従来の場合の値０．４６ｅＶから本発明においては
０．２８ｅＶに減少される。図３のａおよびｂに示され
るようなＩｎＰエミッタ構造に対して、ΔＥcの値は従
来の場合の値０．２４ｅＶから０．０６ｅＶに減少され
る。
用することによってＩｎＧａＡｓベース層に比較して伝
導帯オフセットΔＥc を減少させることができる。これ
はベースエミッタターンオン電圧ＶBEを減少させ、対応
する電力消費を減少させる。図２のａおよびｂに示され
るようなＡｌＩｎＡｓエミッタ構造に対して、ΔＥcの
値は従来の場合の値０．４６ｅＶから本発明においては
０．２８ｅＶに減少される。図３のａおよびｂに示され
るようなＩｎＰエミッタ構造に対して、ΔＥcの値は従
来の場合の値０．２４ｅＶから０．０６ｅＶに減少され
る。
【００２０】したがって、ＩｎＰ基体12に格子整合され
たＧａＡｓＳｂベース層を使用すれば、ＩｎＧａＡｓベ
ース層を使用する場合に比較して約２倍のホール移動度
を与え、結果的にベース抵抗を減少させ、高いｆmax が
得られる。特にＧａＡｓＳｂのホール移動度は約1400cm
2 ／Ｖ秒であり、これに対してＩｎＧａＡｓでは430cm
2 ／Ｖ秒であり、はるかに低い値である。
たＧａＡｓＳｂベース層を使用すれば、ＩｎＧａＡｓベ
ース層を使用する場合に比較して約２倍のホール移動度
を与え、結果的にベース抵抗を減少させ、高いｆmax が
得られる。特にＧａＡｓＳｂのホール移動度は約1400cm
2 ／Ｖ秒であり、これに対してＩｎＧａＡｓでは430cm
2 ／Ｖ秒であり、はるかに低い値である。
【００２１】さらに、図２のａおよびｂに示されるよう
に、ＧａＡｓＳｂベースは、通常のＩｎＧａＡｓベース
ＨＢＴには存在しないベースコレクタ接合における価電
子帯および伝導帯におけるオフセットが生成されてい
る。このベースコレクタ接合における価電子帯オフセッ
トΔＥV は約０．２３ｅＶであり、一方対応する伝導帯
オフセットは０．１８ｅＶである。これらのオフセット
は電位障壁を生成し、それはベース層16中にホールを閉
込めて電荷蓄積を減少させ、その結果ｆmax を増加させ
る。
に、ＧａＡｓＳｂベースは、通常のＩｎＧａＡｓベース
ＨＢＴには存在しないベースコレクタ接合における価電
子帯および伝導帯におけるオフセットが生成されてい
る。このベースコレクタ接合における価電子帯オフセッ
トΔＥV は約０．２３ｅＶであり、一方対応する伝導帯
オフセットは０．１８ｅＶである。これらのオフセット
は電位障壁を生成し、それはベース層16中にホールを閉
込めて電荷蓄積を減少させ、その結果ｆmax を増加させ
る。
【００２２】このようにベース層としてＧａＡｓＳｂを
使用することによってＨＢＴの性能を向上させることが
できるが、ＩｎＰ基体にＧａＡｓＳｂを格子整合させて
成長させることは容易なものではなく、特にＧａＡｓy
Ｓｂ1-y で表される組成においてＳｂを増加させるため
にｙの値を小さくすると格子不整合による歪みによって
応力が発生するため良好な製品を得ることが困難にな
る。本発明はこのような問題を解決するために単一のＧ
ａＡｓＳｂベース層ではなく、アンチモン化ガリウムＧ
ａＳｂの超格子層とＧａＡｓの超格子層との交互の層を
含む歪層超格子構造によってベース層を構成することに
よって応力を緩和するものである。
使用することによってＨＢＴの性能を向上させることが
できるが、ＩｎＰ基体にＧａＡｓＳｂを格子整合させて
成長させることは容易なものではなく、特にＧａＡｓy
Ｓｂ1-y で表される組成においてＳｂを増加させるため
にｙの値を小さくすると格子不整合による歪みによって
応力が発生するため良好な製品を得ることが困難にな
る。本発明はこのような問題を解決するために単一のＧ
ａＡｓＳｂベース層ではなく、アンチモン化ガリウムＧ
ａＳｂの超格子層とＧａＡｓの超格子層との交互の層を
含む歪層超格子構造によってベース層を構成することに
よって応力を緩和するものである。
【００２３】図４は本発明の実施例のＨＢＴ30を示す。
図１と同一素子には同一符号が使用されている。本発明
のＨＢＴ30は図１に示されたＨＢＴ10と異なり、ベース
層は図１の３元のＧａＡｓＳｂベース16に代えてＳｉで
ドープされたアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）の超格
子層32a とドープされないＧａＡｓの超格子層32b との
交互の層を含む歪層超格子構造（ＳＬＳ）の形態のベー
ス層32が使用されている。ＳＬＳのベース層32は図４で
は２周期（周期数は超格子層32a と32b の対の数であ
る）を有するものとして示されているが、本発明により
製造された実際のＨＢＴ30においては５０乃至１００ｎ
ｍの厚さを有する約２１乃至２７周期を有するＳＬＳベ
ース層32を備えている。ＳＬＳベース層32は結果的に生
成された自由キャリア密度が約２×１０18ホール／cm3
である。
図１と同一素子には同一符号が使用されている。本発明
のＨＢＴ30は図１に示されたＨＢＴ10と異なり、ベース
層は図１の３元のＧａＡｓＳｂベース16に代えてＳｉで
ドープされたアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）の超格
子層32a とドープされないＧａＡｓの超格子層32b との
交互の層を含む歪層超格子構造（ＳＬＳ）の形態のベー
ス層32が使用されている。ＳＬＳのベース層32は図４で
は２周期（周期数は超格子層32a と32b の対の数であ
る）を有するものとして示されているが、本発明により
製造された実際のＨＢＴ30においては５０乃至１００ｎ
ｍの厚さを有する約２１乃至２７周期を有するＳＬＳベ
ース層32を備えている。ＳＬＳベース層32は結果的に生
成された自由キャリア密度が約２×１０18ホール／cm3
である。
【００２４】ＳｉはＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＩｎＡ
ｓ、およびＧａＡｓＳｂ中ではＮ型ドープ不純物である
が、ＧａＳｂ中ではＰ型ドープ不純物である（Applied
Physics Letters,Vol.57,No.21,2256 〜2258頁参照）。
ＳｉはＢｅに比較して拡散速度が著しく遅く、ＨＢＴ30
の製造中にＰＮ接合の位置が最初のエミッタベース接合
の位置からエミッタ層18中に移動する量を無視できる程
度に小さくすることができる。さらに、これはただ１種
類のドープ不純物しか必要としないから、製造プロセス
を簡単にする。ＢｅはＧａＳｂ超格子層32a に対しては
Ｓｉに比較してそれ程好ましいＰ型ドープ不純物ではな
いが、ＢｅをＳｉの代りに使用することも本発明の技術
的範囲に含まれるべきものである。
ｓ、およびＧａＡｓＳｂ中ではＮ型ドープ不純物である
が、ＧａＳｂ中ではＰ型ドープ不純物である（Applied
Physics Letters,Vol.57,No.21,2256 〜2258頁参照）。
ＳｉはＢｅに比較して拡散速度が著しく遅く、ＨＢＴ30
の製造中にＰＮ接合の位置が最初のエミッタベース接合
の位置からエミッタ層18中に移動する量を無視できる程
度に小さくすることができる。さらに、これはただ１種
類のドープ不純物しか必要としないから、製造プロセス
を簡単にする。ＢｅはＧａＳｂ超格子層32a に対しては
Ｓｉに比較してそれ程好ましいＰ型ドープ不純物ではな
いが、ＢｅをＳｉの代りに使用することも本発明の技術
的範囲に含まれるべきものである。
【００２５】ＧａＳｂ超格子層32a は約３．５％の圧縮
応力を有し、一方ＧａＡｓ超格子層32b はほぼ同じ大き
さの伸長応力を有する。圧縮および伸長応力は互いに補
償するから、ＳＬＳベース層32はＳｂとＡｓのモル比率
が等しくされていれば任意の多数の周期のものを製造す
ることができる。ＳＬＳベース層32中のＳｂのモル比率
が増加すると、ＨＢＴ30は、ホール移動度が増加し、伝
導帯オフセットΔＥc が減少し、価電子帯オフセットΔ
ＥV が増加するから特性が改善される。しかしながら、
Ｓｂのモル比率の増加の実際的な上限は約６７％であ
り、それ以上ではＳＬＳの応力が過度になり不適合によ
る欠陥を生成するであろう。この構造による価電子帯オ
フセットΔＥV は約０．８９ｅＶである。
応力を有し、一方ＧａＡｓ超格子層32b はほぼ同じ大き
さの伸長応力を有する。圧縮および伸長応力は互いに補
償するから、ＳＬＳベース層32はＳｂとＡｓのモル比率
が等しくされていれば任意の多数の周期のものを製造す
ることができる。ＳＬＳベース層32中のＳｂのモル比率
が増加すると、ＨＢＴ30は、ホール移動度が増加し、伝
導帯オフセットΔＥc が減少し、価電子帯オフセットΔ
ＥV が増加するから特性が改善される。しかしながら、
Ｓｂのモル比率の増加の実際的な上限は約６７％であ
り、それ以上ではＳＬＳの応力が過度になり不適合によ
る欠陥を生成するであろう。この構造による価電子帯オ
フセットΔＥV は約０．８９ｅＶである。
【００２６】実験例 図４に示されるようなＨＢＴが製造され、ＳｂとＡｓの
モル比率は等しくされ、ＳＬＳベース層のＰ型ドープ不
純物レベルは約２×1018ホール／cm3 であった。室温に
おける平均のホール移動度は約800 cm2 ／Ｖ秒であり、
ＢｅでドープされたＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓベースを有す
る通常のＨＢＴの約４倍であった。
モル比率は等しくされ、ＳＬＳベース層のＰ型ドープ不
純物レベルは約２×1018ホール／cm3 であった。室温に
おける平均のホール移動度は約800 cm2 ／Ｖ秒であり、
ＢｅでドープされたＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓベースを有す
る通常のＨＢＴの約４倍であった。
【００２７】以上本発明の特定の実施例について例示
し、説明したが、多くの変形、変更が本発明の技術的範
囲を逸脱することなく当業者によって行われることが可
能である。したがって、本願発明の技術的範囲は実施例
によって限定されるものではなく、特許請求の範囲の記
載によってのみ制限されるものである。
し、説明したが、多くの変形、変更が本発明の技術的範
囲を逸脱することなく当業者によって行われることが可
能である。したがって、本願発明の技術的範囲は実施例
によって限定されるものではなく、特許請求の範囲の記
載によってのみ制限されるものである。
【図１】ＨＢＴの構造の１例の断面図。
【図２】ＡｌＩｎＡｓのエミッタ層とＩｎＧａＡｓのベ
ース層を備えているＨＢＴと、ＡｌＩｎＡｓのエミッタ
層とＧａＡｓＳｂのベース層を備えているＨＢＴのエネ
ルギバンド図。
ース層を備えているＨＢＴと、ＡｌＩｎＡｓのエミッタ
層とＧａＡｓＳｂのベース層を備えているＨＢＴのエネ
ルギバンド図。
【図３】ＩｎＰのエミッタ層とＩｎＧａＡｓのベース層
を備えているＨＢＴとＩｎＰのエミッタ層とＧａＡｓＳ
ｂのベース層を備えているＨＢＴのエネルギバンド図。
を備えているＨＢＴとＩｎＰのエミッタ層とＧａＡｓＳ
ｂのベース層を備えているＨＢＴのエネルギバンド図。
【図４】本発明のＨＢＴの実施例の断面図。
12…基体、14…コレクタ、18…エミッタ、32…ベース、
32a, 32b…超格子層。
32a, 32b…超格子層。
フロントページの続き (72)発明者 トーマス・シー・ハセンバーグ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 91301、アゴーラ・ヒルズ、アゴーラ・ グレン・ドライブ 5533 (56)参考文献 特開 平４−124830（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−97026（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−38835（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−289135（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−240267（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−295127（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−292830（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−194469（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−90283（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】 砒化アルミニウムインジュウム（ＡｌＩ
ｎＡｓ）および燐化インジュウム（ＩｎＰ）からなるグ
ループから選択された材料から構成されているエミッタ
層と、コレクタ層と、 エミッタ層とコレクタ層との間に配置されたベース層
と、これらエミッタ層、ベース層およびコレクタ層からなる
積層体を支持している基体とを具備しているＮＰＮ型ヘ
テロ接合バイポーラトランジスタにおいて、 前記ベース層は、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）とアンチモ
ン化ガリウム（ＧａＳｂ）の交互の超格子層から構成さ
れた歪層超格子から構成され、砒化ガリウムとアンチモ
ン化ガリウムのいずれかがＰ型不純物でドープされ てい
ることを特徴とするＮＰＮ型ヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタ。 - 【請求項２】 コレクタ層が砒化インジュウムガリウム
（ＩｎＧａＡｓ）、燐化インジュウム（ＩｎＰ）、およ
び砒化アルミニウムインジュウム（ＡｌＩｎＡｓ）から
なるグループから選択された材料で構成され、エミッタ
層がＮ型不純物でドープされ、ベース層がＰ型不純物で
ドープされ、コレクタ層がＮ型不純物でドープされてい
る請求項１記載のトランジスタ。 - 【請求項３】 ベース層がベリリウムでドープされてい
る請求項１または２記載のトランジスタ。 - 【請求項４】 基体が燐化インジュウム（ＩｎＰ）で構
成されている請求項１または２記載のトランジスタ。 - 【請求項５】 基体が半絶縁性であり、コレクタ層が基
体とベース層との間に配置されている請求項２記載のト
ランジスタ。 - 【請求項６】 前記Ｐ型不純物でドープされているアン
チモン化ガリウム（ＧａＳｂ）超格子層のＰ型ドープ不
純物がシリコンであり、前記Ｐ型不純物でドープされて
いる砒化ガリウム（ＧａＡｓ）超格子層のＰ型ドープ不
純物がベリリウムである請求項１記載のトランジスタ。 - 【請求項７】 Ｐ型不純物でドープされていない超格子
層は不純物でドープされていない請求項１記載のトラン
ジスタ。 - 【請求項８】 前記交互の超格子層から構成された歪層
超格子が、２１乃至２７周期を有する請求項１または２
記載のトランジスタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/889,864 US5349201A (en) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | NPN heterojunction bipolar transistor including antimonide base formed on semi-insulating indium phosphide substrate |
| US889864 | 1992-05-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637104A JPH0637104A (ja) | 1994-02-10 |
| JP2528253B2 true JP2528253B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=25395916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5127404A Expired - Lifetime JP2528253B2 (ja) | 1992-05-28 | 1993-05-28 | Ｎｐｎ型ヘテロ接合バイポ―ラトランジスタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5349201A (ja) |
| EP (2) | EP1209750B1 (ja) |
| JP (1) | JP2528253B2 (ja) |
| DE (2) | DE69332184T2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3227661B2 (ja) * | 1993-09-28 | 2001-11-12 | キヤノン株式会社 | 歪量子井戸構造素子及びそれを有する光デバイス |
| US5610086A (en) * | 1995-06-06 | 1997-03-11 | Hughes Aircraft Company | Method of making an AlPSb/InP single heterojunction bipolar transistor on InP substrate for high-speed, high-power applications |
| JP3628873B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2005-03-16 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6670653B1 (en) | 1999-07-30 | 2003-12-30 | Hrl Laboratories, Llc | InP collector InGaAsSb base DHBT device and method of forming same |
| JP3421306B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2003-06-30 | 富士通カンタムデバイス株式会社 | 化合物半導体装置 |
| US6696710B2 (en) * | 2001-02-27 | 2004-02-24 | Agilent Technologies, Inc. | Heterojunction bipolar transistor (HBT) having an improved emitter-base junction |
| US6762480B2 (en) * | 2001-02-27 | 2004-07-13 | Agilent Technologies, Inc. | Thin gallium-arsenide-antimonide base heterojunction bipolar transistor (HBT) having improved gain |
| US6512369B2 (en) * | 2001-05-22 | 2003-01-28 | Delphi Technologies, Inc. | Temperature compensated voltage divider with a magnetoresistor and a reference resistor |
| US6525349B2 (en) * | 2001-06-18 | 2003-02-25 | Epiworks, Inc. | Heterojunction bipolar transistor with tensile graded carbon-doped base layer grown by MOCVD |
| US20030042503A1 (en) * | 2001-06-18 | 2003-03-06 | Quesnell Hartmann | Transistor with intentionally tensile mismatched base layer |
| US6784450B2 (en) * | 2001-07-20 | 2004-08-31 | Microlink Devices, Inc. | Graded base GaAsSb for high speed GaAs HBT |
| US7295586B2 (en) * | 2002-02-21 | 2007-11-13 | Finisar Corporation | Carbon doped GaAsSb suitable for use in tunnel junctions of long-wavelength VCSELs |
| US6768141B2 (en) * | 2002-08-23 | 2004-07-27 | Agilent Technologies, Inc. | Heterojunction bipolar transistor (HBT) having improved emitter-base grading structure |
| JP2004207583A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JP5098193B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2012-12-12 | ソニー株式会社 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
| JP5606374B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2014-10-15 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 量子型赤外線センサ用化合物半導体積層体の製造方法および量子型赤外線センサ |
| CN102646703B (zh) * | 2012-05-07 | 2014-12-10 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构 |
| KR101477359B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-12-29 | 삼성전기주식회사 | 전력 반도체 모듈 |
| US9530708B1 (en) | 2013-05-31 | 2016-12-27 | Hrl Laboratories, Llc | Flexible electronic circuit and method for manufacturing same |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0133342B1 (en) * | 1983-06-24 | 1989-11-29 | Nec Corporation | A superlattice type semiconductor structure having a high carrier density |
| JP2533541B2 (ja) * | 1987-06-08 | 1996-09-11 | 株式会社日立製作所 | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ |
| JPH0297026A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Fujitsu Ltd | ヘテロバイポーラトランジスタ |
| JP2801624B2 (ja) * | 1988-12-09 | 1998-09-21 | 株式会社東芝 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
| JPH02288233A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Nec Corp | バイポーラトランジスタ |
| JPH0338835A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-19 | Nec Corp | 半導体結晶 |
| JP2830167B2 (ja) * | 1989-09-22 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | 半導体結晶 |
| US5150185A (en) * | 1990-04-18 | 1992-09-22 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
| US5063426A (en) * | 1990-07-30 | 1991-11-05 | At&T Bell Laboratories | InP/InGaAs monolithic integrated photodetector and heterojunction bipolar transistor |
| JPH04124830A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH04221834A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ダブルヘテロバイポーラトランジスタ |
-
1992
- 1992-05-28 US US07/889,864 patent/US5349201A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-05-27 DE DE69332184T patent/DE69332184T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-27 EP EP02002355A patent/EP1209750B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-27 EP EP93108534A patent/EP0571994B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-27 DE DE69334333T patent/DE69334333D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-28 JP JP5127404A patent/JP2528253B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69332184D1 (de) | 2002-09-12 |
| US5349201A (en) | 1994-09-20 |
| EP1209750A3 (en) | 2002-08-07 |
| EP1209750B1 (en) | 2010-06-02 |
| EP0571994B1 (en) | 2002-08-07 |
| DE69332184T2 (de) | 2002-12-05 |
| EP0571994A3 (en) | 1994-07-27 |
| EP0571994A2 (en) | 1993-12-01 |
| DE69334333D1 (de) | 2010-07-15 |
| EP1209750A2 (en) | 2002-05-29 |
| JPH0637104A (ja) | 1994-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2528253B2 (ja) | Ｎｐｎ型ヘテロ接合バイポ―ラトランジスタ | |
| US5177583A (en) | Heterojunction bipolar transistor | |
| US6320212B1 (en) | Superlattice fabrication for InAs/GaSb/AISb semiconductor structures | |
| EP0541971B1 (en) | A graded bandgap single-crystal emitter heterojunction bipolar transistor | |
| US5907159A (en) | Hot electron device and a resonant tunneling hot electron device | |
| JP2942500B2 (ja) | 四基コレクタＩｎＡｌＡｓ−ＩｎＧａＡｌＡｓヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| JP3594482B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| EP0504925B1 (en) | Multilayer base heterojunction device | |
| US5150185A (en) | Semiconductor device | |
| JP2501625B2 (ja) | ヘテロ接合バイポ―ラ・トランジスタ | |
| US7482643B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH0669222A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH06260493A (ja) | 半導体装置 | |
| US6768141B2 (en) | Heterojunction bipolar transistor (HBT) having improved emitter-base grading structure | |
| US5705825A (en) | Resonant tunneling bipolar transistor | |
| US5814843A (en) | Heterojunction bipolar transistor having a graded-composition base region | |
| JP2007128989A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| US4972246A (en) | Effective narrow band gap base transistor | |
| JP3282115B2 (ja) | ヘテロ接合トランジスタ | |
| JP5098193B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| JP4158683B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ | |
| JP2856323B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3183882B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| Tsai et al. | Improvements in direct-current characteristics of Al/sub 0.45/Ga/sub 0.55/As-GaAs digital-graded superlattice-emitter HBTs with reduced turn-on voltage by wet oxidation | |
| Tsai et al. | Functional heterostructure-emitter bipolar transistor (HEBT) with graded-confinement and pseudomorphic-base structure |