JP2515751B2 - 超伝導トランジスタ - Google Patents
超伝導トランジスタInfo
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- electrode
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/128—Junction-based devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は極低温で動作する超伝導トランジスタに係
り、特に動作速度と利得の向上に好適な超伝導トランジ
スタの構造と材料とに関する。
り、特に動作速度と利得の向上に好適な超伝導トランジ
スタの構造と材料とに関する。
［従来の技術］ 半導体に接して設けられた２つの超伝導電極の間に流
れる超伝導電流の値を、制御電極に印加した電圧により
超伝導近接効果を変化させることによって制御すること
を動作原理とする超伝導トランジスタについてはT.D.Cl
arkeによってジャーナル・オブ・アプライド・フィジク
ス,51巻2736ページ（1980年）（Journal of Applied Ph
ysics,Vol.51（1980）p.2786に論じられている。
れる超伝導電流の値を、制御電極に印加した電圧により
超伝導近接効果を変化させることによって制御すること
を動作原理とする超伝導トランジスタについてはT.D.Cl
arkeによってジャーナル・オブ・アプライド・フィジク
ス,51巻2736ページ（1980年）（Journal of Applied Ph
ysics,Vol.51（1980）p.2786に論じられている。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記技術は、電界効果型の超伝導素子を実現すること
を目的としている。この型の超伝導トランジスタを作製
する際には、半導体基板上に一定の距離ｌだけ離して対
向させた一対の超伝導電極を設け、この対向部に制御電
極を設けている。距離ｌの値は半導体中のコヒーレンス
長さζｎの５〜10倍程度に選ばれる。ｌの値がこの範囲
よりも小さいと超伝導電極間の結合が強すぎて、制御電
極による制御が行いにくくなり、例えば超伝導トランジ
スタの利得が低下するなどの問題がある。従って超伝導
トランジスタにおいては、半導体の材料ごとに決まる一
定の値よりも二つの超伝導電極の対向部分を接近させる
ことは特性の点からできない。一方、電界効果型トラン
ジスタのゲート容量は、チャネルの長さに依存し、従来
技術における超伝導トランジスタでは、二つの超伝導電
極間の距離がほぼチャネルの長さに等しい。従って従来
技術においては、超伝導トランジスタのゲート容量は一
定の値以下とすることはできず、またそのためゲート容
量と密接な関係にある動作速度の向上も望めないといっ
た問題もあった。
を目的としている。この型の超伝導トランジスタを作製
する際には、半導体基板上に一定の距離ｌだけ離して対
向させた一対の超伝導電極を設け、この対向部に制御電
極を設けている。距離ｌの値は半導体中のコヒーレンス
長さζｎの５〜10倍程度に選ばれる。ｌの値がこの範囲
よりも小さいと超伝導電極間の結合が強すぎて、制御電
極による制御が行いにくくなり、例えば超伝導トランジ
スタの利得が低下するなどの問題がある。従って超伝導
トランジスタにおいては、半導体の材料ごとに決まる一
定の値よりも二つの超伝導電極の対向部分を接近させる
ことは特性の点からできない。一方、電界効果型トラン
ジスタのゲート容量は、チャネルの長さに依存し、従来
技術における超伝導トランジスタでは、二つの超伝導電
極間の距離がほぼチャネルの長さに等しい。従って従来
技術においては、超伝導トランジスタのゲート容量は一
定の値以下とすることはできず、またそのためゲート容
量と密接な関係にある動作速度の向上も望めないといっ
た問題もあった。
本発明の目的は、十分な利得を確保しつつ実質的なチ
ャネル長を短くすることを可能にし、ゲート容量を小さ
くしてスイッチング速度の高速化を可能にする超伝導ト
ランジスタの構造と材料とを提供することにある。
ャネル長を短くすることを可能にし、ゲート容量を小さ
くしてスイッチング速度の高速化を可能にする超伝導ト
ランジスタの構造と材料とを提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的は、超伝導トランジスタのソースとドレイン
の２つの超伝導電極の距離ｌを、超伝導トランジスタの
利得を高くするために好適な超伝導コヒーレンス長さの
５〜20倍の範囲に選び、かつゲート電極の幅はｌの値よ
りも小さな値として超伝導トランジスタのスイッチング
速度の向上を図り、さらに超伝導電極に接し、ゲート電
極の端部値下付近まで半導体中に、高不純物濃度層を設
けることによって達成される。
の２つの超伝導電極の距離ｌを、超伝導トランジスタの
利得を高くするために好適な超伝導コヒーレンス長さの
５〜20倍の範囲に選び、かつゲート電極の幅はｌの値よ
りも小さな値として超伝導トランジスタのスイッチング
速度の向上を図り、さらに超伝導電極に接し、ゲート電
極の端部値下付近まで半導体中に、高不純物濃度層を設
けることによって達成される。
［作用］ 超伝導トランジスタの動作においては、２つの超伝導
電極の間の対向部分の半導体中の蓄積層あるいは反転層
を制御することによって、素子としての特性を制御して
いるが、対向部分全体にわたって電界効果を生じさせる
必要は必ずしも無い。制御電極の幅を超伝導電極の幅よ
りも小さくしたとしても、超伝導電極に接してそこから
制御電極端部付近の半導体中まで延在した高不純物濃度
層が在れば、超伝導体中の超伝導電子対は制御電極の端
部付近の半導体中まで容易に拡散することができる。制
御電極の下にある半導体が、低不純物濃度であるか、さ
もなくば高不純物濃度部と反対の導電性を有するのであ
れば、制御電極に電圧信号を加えない状態では、超伝導
トランジスタの２つの超伝導電極の間に超伝導的な結合
を生じないが、制御電極に電圧を印加した状態では、制
御電極下の半導体中に蓄積層あるいは反転層が形成さ
れ、制御電極端部まで拡散していた超伝導電子対は、両
側から容易に制御電極の下部へとさらに拡散することが
できるようになり、２つの超伝導電極の間には超伝導的
な結合が生じるようになり、超伝導電流が流れる。
電極の間の対向部分の半導体中の蓄積層あるいは反転層
を制御することによって、素子としての特性を制御して
いるが、対向部分全体にわたって電界効果を生じさせる
必要は必ずしも無い。制御電極の幅を超伝導電極の幅よ
りも小さくしたとしても、超伝導電極に接してそこから
制御電極端部付近の半導体中まで延在した高不純物濃度
層が在れば、超伝導体中の超伝導電子対は制御電極の端
部付近の半導体中まで容易に拡散することができる。制
御電極の下にある半導体が、低不純物濃度であるか、さ
もなくば高不純物濃度部と反対の導電性を有するのであ
れば、制御電極に電圧信号を加えない状態では、超伝導
トランジスタの２つの超伝導電極の間に超伝導的な結合
を生じないが、制御電極に電圧を印加した状態では、制
御電極下の半導体中に蓄積層あるいは反転層が形成さ
れ、制御電極端部まで拡散していた超伝導電子対は、両
側から容易に制御電極の下部へとさらに拡散することが
できるようになり、２つの超伝導電極の間には超伝導的
な結合が生じるようになり、超伝導電流が流れる。
このようにして本発明によれば、超伝導トランジスタ
の超伝導電極間の距離ｌを小さくすることなしに実効的
なチャネル長を短くして、高い利得を保ちつつ動作速度
の速い超伝導トランジスタを実現できる。
の超伝導電極間の距離ｌを小さくすることなしに実効的
なチャネル長を短くして、高い利得を保ちつつ動作速度
の速い超伝導トランジスタを実現できる。
［実施例］ 以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。第
１図を用いて本発明の第１の実施例を説明する。Ｐ型Ga
As単結晶の半導体基板１上に厚さ100nmのSiO蒸着薄膜よ
り成るゲート絶縁膜２と、厚さ200nmの交流スパッタリ
ングによって形成されたMo薄膜より成る制御電極３とを
堆積したのち、電子線レジストと電子線描画法を用いて
形成した幅0.2μｍのレジストパターンをマスクとし
て、CF4ガスを用いた反応性イオンエッチングにより加
工する。
１図を用いて本発明の第１の実施例を説明する。Ｐ型Ga
As単結晶の半導体基板１上に厚さ100nmのSiO蒸着薄膜よ
り成るゲート絶縁膜２と、厚さ200nmの交流スパッタリ
ングによって形成されたMo薄膜より成る制御電極３とを
堆積したのち、電子線レジストと電子線描画法を用いて
形成した幅0.2μｍのレジストパターンをマスクとし
て、CF4ガスを用いた反応性イオンエッチングにより加
工する。
次に、このゲート絶縁膜２と制御電極３との２層膜を
マスクとして、イオン打込法によりSiイオンを半導体基
板１に導入し、不純物濃度１×1018cm-3以上の高不純物
濃度層４を形成し活性化処理を行う。この場合には、高
不純物濃度層４はセルフ・アライン的に形成されるた
め、高不純物濃度層４の端部は、制御電極３の直下の半
導体基板１中に達している。
マスクとして、イオン打込法によりSiイオンを半導体基
板１に導入し、不純物濃度１×1018cm-3以上の高不純物
濃度層４を形成し活性化処理を行う。この場合には、高
不純物濃度層４はセルフ・アライン的に形成されるた
め、高不純物濃度層４の端部は、制御電極３の直下の半
導体基板１中に達している。
半導体基板１の表面、特に高不純物濃度層４の表面に
清浄化処理を施し、表面の汚れや酸化物を除去したのち
に、直流マグネトロン・スパッタ法にNbを厚さ100nmに
堆積したのち、ホトレジストのパターンをマスクとし
て、CF4ガスによる反応性プラズマエッチング法によっ
て加工し、２つの超伝導電極６を形成する。
清浄化処理を施し、表面の汚れや酸化物を除去したのち
に、直流マグネトロン・スパッタ法にNbを厚さ100nmに
堆積したのち、ホトレジストのパターンをマスクとし
て、CF4ガスによる反応性プラズマエッチング法によっ
て加工し、２つの超伝導電極６を形成する。
超伝導電極６の幅は20μｍとしたが、これに限られる
ものではない。超転動電極６相互の対向部分の距離は0.
5μｍとした。この値も0.5μｍに限られるものではない
が、超伝導トランジスタの利得を高くするためには、一
般的に半導体中の超伝導コヒーセンス長さζｎの５〜20
倍の範囲にあることが望ましい。これが５倍以下では特
性の制御が困難であり、20倍以上にあっては、得られる
超伝導電流の大きさが熱ノイズ以下となってしまう。本
実施例では、制御電極のトランジスタのチャネル方向の
寸法は0.2μｍとしてある。すなわち、制御電極３の寸
法は、超伝導電極６相互の対向部分の距離よりも小さく
なっている。この関係は図１よりも明らかである。この
ように超伝導電極６は制御電極３ゲート絶縁膜４とがそ
の端部を接した形になっている場合には、超伝導の波動
関数を効率よく引き出すことは電界効果が超伝導電極６
の直下までは及ばないので一般には困難であるが、本発
明に示したごとく、高不純物層４を超伝導電極６に接し
て制御電極３の端部の直下まで延在した構造にしたこと
により、制御電極３の幅を狭くしても超伝導電極６から
の波動関数の制御を効率良く実現できる。このことによ
り、超伝導トランジスタの利得を向上させつつ、ゲート
寸法を小さくして高速のスイッチング実現できる。本実
施例では、半導体の材料にGaAsを用いているがこれに替
えて、Si,Ge,InAs,InP,InSb,GaSb等を用いても良いこと
は言うまでもない。また半導体部分の導電性を反対にし
ても良い。
ものではない。超転動電極６相互の対向部分の距離は0.
5μｍとした。この値も0.5μｍに限られるものではない
が、超伝導トランジスタの利得を高くするためには、一
般的に半導体中の超伝導コヒーセンス長さζｎの５〜20
倍の範囲にあることが望ましい。これが５倍以下では特
性の制御が困難であり、20倍以上にあっては、得られる
超伝導電流の大きさが熱ノイズ以下となってしまう。本
実施例では、制御電極のトランジスタのチャネル方向の
寸法は0.2μｍとしてある。すなわち、制御電極３の寸
法は、超伝導電極６相互の対向部分の距離よりも小さく
なっている。この関係は図１よりも明らかである。この
ように超伝導電極６は制御電極３ゲート絶縁膜４とがそ
の端部を接した形になっている場合には、超伝導の波動
関数を効率よく引き出すことは電界効果が超伝導電極６
の直下までは及ばないので一般には困難であるが、本発
明に示したごとく、高不純物層４を超伝導電極６に接し
て制御電極３の端部の直下まで延在した構造にしたこと
により、制御電極３の幅を狭くしても超伝導電極６から
の波動関数の制御を効率良く実現できる。このことによ
り、超伝導トランジスタの利得を向上させつつ、ゲート
寸法を小さくして高速のスイッチング実現できる。本実
施例では、半導体の材料にGaAsを用いているがこれに替
えて、Si,Ge,InAs,InP,InSb,GaSb等を用いても良いこと
は言うまでもない。また半導体部分の導電性を反対にし
ても良い。
次に第２図を用いて本発明の第２の実施例を説明す
る。本実施例では第１の実施例に示した構造に加えて、
制御電極３の直下の半導体のチャネル部５中にあらかじ
め不純物を導入して不純物導入部７を形成しておくもの
である。
る。本実施例では第１の実施例に示した構造に加えて、
制御電極３の直下の半導体のチャネル部５中にあらかじ
め不純物を導入して不純物導入部７を形成しておくもの
である。
この構造を実現するためには、工程の初めに半導体基
板１の表面に不純物を導入すれば良い。これによって、
超伝導トランジスタのしきい電圧の調整、あるいはエン
ハンスメント型、デプレッション型の両方の特性を有す
る超伝導トランジスタを得ることができる。従って、回
路を形成する際には、本実施例の構造を有する超伝導ト
ランジスタのみを使用することは必ずしも必要ではな
く、例えば第１の実施例に示した構造を有する超伝導ト
ランジスタや、以下の実施例に示されたるものを組合せ
て使用しても良いことは言うまでもない。
板１の表面に不純物を導入すれば良い。これによって、
超伝導トランジスタのしきい電圧の調整、あるいはエン
ハンスメント型、デプレッション型の両方の特性を有す
る超伝導トランジスタを得ることができる。従って、回
路を形成する際には、本実施例の構造を有する超伝導ト
ランジスタのみを使用することは必ずしも必要ではな
く、例えば第１の実施例に示した構造を有する超伝導ト
ランジスタや、以下の実施例に示されたるものを組合せ
て使用しても良いことは言うまでもない。
第３図は本発明の第３の実施例による超伝導トランジ
スタの一部分を示している。この実施例では、高不純物
濃度層４が制御電極３の下部にまで入り込む構造を取っ
ている。このような構造によっても本発明の目的を達す
ることができる。この場合には、２つの高不純物濃度層
４のうちどちらか一方だけが制御電極３の下部に入り込
んでいるのであっても本実施例と同様に発明の目的を達
することができる。
スタの一部分を示している。この実施例では、高不純物
濃度層４が制御電極３の下部にまで入り込む構造を取っ
ている。このような構造によっても本発明の目的を達す
ることができる。この場合には、２つの高不純物濃度層
４のうちどちらか一方だけが制御電極３の下部に入り込
んでいるのであっても本実施例と同様に発明の目的を達
することができる。
次に第４図を用いて本発明の第４の実施例を説明す
る。ｐ−GaAs単晶結より成る半導体基板１上に、SiOよ
り成る厚さ100nmの蒸着膜を形成する、次に交流スパッ
タリング法により厚さ200nmのMo薄膜を堆積したのち、
電子線レジスト電子線描法を用いて、幅0.2μｍ電子線
レジストのパターンを形成し、これをマスクとしてCF4
ガスによる反応性イオンエッチングを行い、ゲート絶縁
膜２と制御電極３とを形成する。次にこのゲート絶縁膜
２と制御電極３の２層膜をマスクとしてSiイオンをイオ
ン打込法により半導体基板１に導入し、高不純物濃度層
４を形成する。次にホトレジストのパターンをマスクと
して、チャネル部５と高不純物濃度部４の一部分を含む
凸起部８を残して半導体基板１の表面をエッチングす
る。続いて、エッチングによって現れた半導体基板１の
表面を清浄化したのち、電子線加熱蒸着法によりNbを厚
さ100nmに堆積したのち、ホトレジストを除去すること
によるリフトオフ法を用いて加工し超伝導電極６を形成
する。この場合も超伝導電極相互の距離は0.5μｍとし
た。この場合にも、高不純物濃度層４の端部は制御電極
３の端部の直下がもしくは下部へ入り込んでいても良
い。この点については前述の実施例と同様である。また
高不純物濃度層４の深さは制御電極の下端と同じかそれ
よりも浅くしてある。
る。ｐ−GaAs単晶結より成る半導体基板１上に、SiOよ
り成る厚さ100nmの蒸着膜を形成する、次に交流スパッ
タリング法により厚さ200nmのMo薄膜を堆積したのち、
電子線レジスト電子線描法を用いて、幅0.2μｍ電子線
レジストのパターンを形成し、これをマスクとしてCF4
ガスによる反応性イオンエッチングを行い、ゲート絶縁
膜２と制御電極３とを形成する。次にこのゲート絶縁膜
２と制御電極３の２層膜をマスクとしてSiイオンをイオ
ン打込法により半導体基板１に導入し、高不純物濃度層
４を形成する。次にホトレジストのパターンをマスクと
して、チャネル部５と高不純物濃度部４の一部分を含む
凸起部８を残して半導体基板１の表面をエッチングす
る。続いて、エッチングによって現れた半導体基板１の
表面を清浄化したのち、電子線加熱蒸着法によりNbを厚
さ100nmに堆積したのち、ホトレジストを除去すること
によるリフトオフ法を用いて加工し超伝導電極６を形成
する。この場合も超伝導電極相互の距離は0.5μｍとし
た。この場合にも、高不純物濃度層４の端部は制御電極
３の端部の直下がもしくは下部へ入り込んでいても良
い。この点については前述の実施例と同様である。また
高不純物濃度層４の深さは制御電極の下端と同じかそれ
よりも浅くしてある。
続いて、第５図を用いて本発明の第５図の実施例を説
明する。第５図にその断面構造を示した超伝導トランジ
スタは、第４の実施例として開示した構造の超伝導トラ
ンジスタのチャネル部５にあらかじめ不純物を導入して
おくもので、不純物導入部７が形成される。不純物導入
部７の導電性は、ここでは高不純物濃度層４と反対にし
てあるが、これに限るものではなく、これによって超伝
導トランジスタのしきい電圧の調整、およびエンハンス
メント型、デプレッション型両方の動作に対応する超伝
導トランジスタをそれぞれ実現することができる。
明する。第５図にその断面構造を示した超伝導トランジ
スタは、第４の実施例として開示した構造の超伝導トラ
ンジスタのチャネル部５にあらかじめ不純物を導入して
おくもので、不純物導入部７が形成される。不純物導入
部７の導電性は、ここでは高不純物濃度層４と反対にし
てあるが、これに限るものではなく、これによって超伝
導トランジスタのしきい電圧の調整、およびエンハンス
メント型、デプレッション型両方の動作に対応する超伝
導トランジスタをそれぞれ実現することができる。
次に第６図を用いて、本発明の第６の実施例について
説明する。サファイアより成る基板９上にSiの薄膜単結
晶より成る半導体層10を用いて、本発明の超伝導トラン
ジスタを作製する。これ以後の作製工程は、実施例１と
同様で良い。第６図はこのようにして作製した、薄膜の
半導体層10を用いた超伝導トランジスタの一部分を示す
断面図である。半導体層10の材料としては、単結晶であ
ることが望ましいが、多結晶あるいはアモルファス状の
材料であっても本発明の目的を達することができること
は言うまでもない。この超伝導トランジスタの裏側か
ら、サファイア基板９を透過させて信号光11を半導体層
10に入射させると、半導体層10中のチャネル分５におけ
るキャリア濃度が変化するために、制御電極３に適当な
電圧を印加しておけば、信号光11の強度又は波長の変化
に応じて、２つの超伝導電極間の最大超伝導電流の大き
さを変化させることができ、従って光検出器として動作
する。本実施例においては半導体層10は、基板９上に連
続的に形成されるが、半導体を島状に加工して用いて
も、超伝導トランジスタ間の分離を容易に行うことがで
きるので、集積回路の作製には適している。また、信号
光11は、光ファイバー等の導波路を用いて超伝導トラン
ジスタに入射させる。本実施例においては、超伝導トラ
ンジスタは信号光11の強度、及び波長のどちらの変化も
検出することができる。また検光子と組合せることによ
り、光の偏光状態を検出することも可能である。基板９
の材料としてはサファイアに限定されるものではなく、
光学的な減衰が小さい材料であれば、目的を達すること
ができる。また半導体層10の材料としてはSiに限らず、
Ge,GaAs,InAs,InSb,InP,GaP,GdS等の材料を用いること
ができる。
説明する。サファイアより成る基板９上にSiの薄膜単結
晶より成る半導体層10を用いて、本発明の超伝導トラン
ジスタを作製する。これ以後の作製工程は、実施例１と
同様で良い。第６図はこのようにして作製した、薄膜の
半導体層10を用いた超伝導トランジスタの一部分を示す
断面図である。半導体層10の材料としては、単結晶であ
ることが望ましいが、多結晶あるいはアモルファス状の
材料であっても本発明の目的を達することができること
は言うまでもない。この超伝導トランジスタの裏側か
ら、サファイア基板９を透過させて信号光11を半導体層
10に入射させると、半導体層10中のチャネル分５におけ
るキャリア濃度が変化するために、制御電極３に適当な
電圧を印加しておけば、信号光11の強度又は波長の変化
に応じて、２つの超伝導電極間の最大超伝導電流の大き
さを変化させることができ、従って光検出器として動作
する。本実施例においては半導体層10は、基板９上に連
続的に形成されるが、半導体を島状に加工して用いて
も、超伝導トランジスタ間の分離を容易に行うことがで
きるので、集積回路の作製には適している。また、信号
光11は、光ファイバー等の導波路を用いて超伝導トラン
ジスタに入射させる。本実施例においては、超伝導トラ
ンジスタは信号光11の強度、及び波長のどちらの変化も
検出することができる。また検光子と組合せることによ
り、光の偏光状態を検出することも可能である。基板９
の材料としてはサファイアに限定されるものではなく、
光学的な減衰が小さい材料であれば、目的を達すること
ができる。また半導体層10の材料としてはSiに限らず、
Ge,GaAs,InAs,InSb,InP,GaP,GdS等の材料を用いること
ができる。
以上述べたように、制御電極３の寸法を、超伝導電極
６の対向距離に制限されずに設計することができ、また
高不純物濃度層４によって、制御電極３の直下まで容易
に超伝導波動関数を引き出せるようにしたことによっ
て、利得の向上とスイッチ速度の高速化が可能となっ
た。
６の対向距離に制限されずに設計することができ、また
高不純物濃度層４によって、制御電極３の直下まで容易
に超伝導波動関数を引き出せるようにしたことによっ
て、利得の向上とスイッチ速度の高速化が可能となっ
た。
［発明の効果］ 以上述べた様に、本発明によれば超伝導トランジスタ
において、対向する超伝導電極の距離を、利得を得るた
めに最も良い値に保ちつつ、チャネルの実質的な長さを
短くすることができるので、超伝導トランジスタの利得
を高くし、かつ動作を高速化できる効果がある。
において、対向する超伝導電極の距離を、利得を得るた
めに最も良い値に保ちつつ、チャネルの実質的な長さを
短くすることができるので、超伝導トランジスタの利得
を高くし、かつ動作を高速化できる効果がある。
第１図…本発明の第１の実施による超伝導トランジスタ
の一部分を示す断面図。第２図…本発明の第２の実施例
による超伝導トランジスタの一部分を示す断面図。第３
図…本発明の第３の実施例による超伝導トランジスタの
一部分を示す断面図。第４図…本発明の第４の実施例に
よる超伝導トランジスタの一部分を示す断面図。第５図
…本発明の第５の実施例による超伝導トランジスタの一
部分を示す断面図。第６図…本発明の第６の実施例によ
る超伝導トランジスタの一部分を示す断面図。 １……半導体基板、２……ゲート絶縁膜、３……制御電
極、４……高不純物濃度層、５……チャネル分、６……
超伝導電極、７……不純物導入分、８……突起部、９…
…基板、10……半導体層、11……信号光。
の一部分を示す断面図。第２図…本発明の第２の実施例
による超伝導トランジスタの一部分を示す断面図。第３
図…本発明の第３の実施例による超伝導トランジスタの
一部分を示す断面図。第４図…本発明の第４の実施例に
よる超伝導トランジスタの一部分を示す断面図。第５図
…本発明の第５の実施例による超伝導トランジスタの一
部分を示す断面図。第６図…本発明の第６の実施例によ
る超伝導トランジスタの一部分を示す断面図。 １……半導体基板、２……ゲート絶縁膜、３……制御電
極、４……高不純物濃度層、５……チャネル分、６……
超伝導電極、７……不純物導入分、８……突起部、９…
…基板、10……半導体層、11……信号光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−42178（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−10985（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−232978（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】半導体層と、上記半導体層に対向させて設
けられた第１、第２の超伝導電極と、上記第１の超伝導
電極に接し且つ上記半導体層の表面に設けられた第１の
高不純物濃度部と、上記第２の超伝導電極に接し且つ上
記半導体層の表面に設けられた第２の高不純物濃度部
と、上記半導体層の表面の上記第１、第２の超伝導電極
に挾まれた領域に絶縁層を介して設けられた制御電極か
らなり、上記制御電極の幅は上記第１及び第２の超電導
電極間の距離より小さい値を有し、上記第１、第２の高
不純物濃度部はそれぞれ上記第１、第２の超伝導電極に
接する部分から少なくとも上記制御電極の端部の直下ま
で延在し且つ上記半導体層の一部を介して対向するよう
に設けられることを特徴とする超伝導トランジスタ。 - 【請求項２】上記半導体層は、半導体基板であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の超伝導トラン
ジスタ。 - 【請求項３】上記半導体層の表面は凸部を有し、上記超
伝導電極は上記凸部の両側に、上記制御電極は上記凸部
にそれぞれ形成されていることを特徴とする特許範囲第
１項又は第２項に記載の超伝導トランジスタ。 - 【請求項４】上記超伝導電極を構成する材料は、Pb、Pb
合金Nb、NbN、Nb3Si、及びMoNのうちのいずれかである
ことを特徴とする特許範囲第１項乃至第３項に記載の超
伝導トランジスタ。 - 【請求項５】上記半導体層を構成する材料は、Si、Ge、
GaAs、InAs、InP、及びGaPのうちのいずれかであること
を特徴とする特許範囲第１項乃至第４項に記載の超伝導
トランジスタ。 - 【請求項６】上記高不純物濃度部の不純物濃度は、１×
1018cm-3以上であることを特徴とする特許範囲第１項乃
至第５項に記載の超伝導トランジスタ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61188451A JP2515751B2 (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 超伝導トランジスタ |
| EP87111770A EP0257474A3 (en) | 1986-08-13 | 1987-08-13 | Superconducting device |
| US07/796,885 US5272358A (en) | 1986-08-13 | 1991-11-25 | Superconducting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61188451A JP2515751B2 (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 超伝導トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345873A JPS6345873A (ja) | 1988-02-26 |
| JP2515751B2 true JP2515751B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=16223924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61188451A Expired - Lifetime JP2515751B2 (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 超伝導トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2515751B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0634976B2 (ja) * | 1989-07-25 | 1994-05-11 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄装置 |
| GB2331841A (en) * | 1997-11-28 | 1999-06-02 | Secr Defence | Field effect transistor |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5829637B2 (ja) * | 1979-07-10 | 1983-06-23 | 工業技術院長 | 超電導多端子素子 |
| JPH069261B2 (ja) * | 1984-08-03 | 1994-02-02 | 日本電信電話株式会社 | 半導体結合超伝導素子 |
| JPS62232978A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体素子 |
-
1986
- 1986-08-13 JP JP61188451A patent/JP2515751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6345873A (ja) | 1988-02-26 |
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