JP2500209B2 - 反射型光電面および光電子増倍管 - Google Patents
反射型光電面および光電子増倍管Info
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- JP2500209B2 JP2500209B2 JP23193891A JP23193891A JP2500209B2 JP 2500209 B2 JP2500209 B2 JP 2500209B2 JP 23193891 A JP23193891 A JP 23193891A JP 23193891 A JP23193891 A JP 23193891A JP 2500209 B2 JP2500209 B2 JP 2500209B2
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- H01J2201/34—Photoemissive electrodes
- H01J2201/342—Cathodes
- H01J2201/3421—Composition of the emitting surface
- H01J2201/3426—Alkaline metal compounds, e.g. Na-K-Sb
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は反射型光電面および光電
子増倍管に関するものである。
子増倍管に関するものである。
【0002】
【従来の技術】極微弱光の検出デバイスとして、光電子
増倍管が知られ、反射型光電面を光電陰極として用いる
タイプのものと、透過型光電面を光電陰極として用いる
タイプのものがある。このうち、反射型光電面は次のよ
うに構成されている。すなわち、ニッケル(Ni)など
からなる電極上に、酸化アルミニウム(Al2 O3 )の
層が形成され、この上に、アンチモン(Sb)とアルカ
リ金属(例えばセシウム(Cs)やナトリウム(Na)
など)の層が形成されている。
増倍管が知られ、反射型光電面を光電陰極として用いる
タイプのものと、透過型光電面を光電陰極として用いる
タイプのものがある。このうち、反射型光電面は次のよ
うに構成されている。すなわち、ニッケル(Ni)など
からなる電極上に、酸化アルミニウム(Al2 O3 )の
層が形成され、この上に、アンチモン(Sb)とアルカ
リ金属(例えばセシウム(Cs)やナトリウム(Na)
など)の層が形成されている。
【0003】ところで、反射型光電面の特性は、層構造
をどのようにするか、あるいはどの材料を使用するかに
より、大きく異なってくる。そこで、様々な研究、開発
がなされている。本発明者は、より高性能の反射型光電
面の開発を目的として、実験、検討と試行錯誤を繰り返
す中で、従来にはない高感度の反射型光電面を完成し
た。
をどのようにするか、あるいはどの材料を使用するかに
より、大きく異なってくる。そこで、様々な研究、開発
がなされている。本発明者は、より高性能の反射型光電
面の開発を目的として、実験、検討と試行錯誤を繰り返
す中で、従来にはない高感度の反射型光電面を完成し
た。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる反射型光
電面は、ニッケルを含む基板上に、クロムを主成分とす
る第1の層、アルミニウムを主成分とする第2の層、ア
ンチモンと少なくとも一種類のアルカリ金属を含む第3
の層が順次に堆積される。ここで、第1の層の厚さが、
20オングストローム以上、500オングストローム以
下であるとすることが望ましい。
電面は、ニッケルを含む基板上に、クロムを主成分とす
る第1の層、アルミニウムを主成分とする第2の層、ア
ンチモンと少なくとも一種類のアルカリ金属を含む第3
の層が順次に堆積される。ここで、第1の層の厚さが、
20オングストローム以上、500オングストローム以
下であるとすることが望ましい。
【0005】
【作用】反射型光電面として、本発明の構造を採用する
ことにより、量子効率の大幅な向上が実現され、また高
いSk値(陰極ルーメン感度)を効率よく実現できる。
ことにより、量子効率の大幅な向上が実現され、また高
いSk値(陰極ルーメン感度)を効率よく実現できる。
【0006】
【実施例】以下、添付図面を参照して、本発明の実施例
を説明する。
を説明する。
【0007】図1は実施例に係わる反射型光電面の断面
図である。図示の通り、ニッケル電極1上には、第1の
層としてクロム層2が堆積され、この上に第3の層とし
てアルミニウム層3が堆積され。この上にアンチモンと
アルカリ金属からなる光感応層4が形成される。
図である。図示の通り、ニッケル電極1上には、第1の
層としてクロム層2が堆積され、この上に第3の層とし
てアルミニウム層3が堆積され。この上にアンチモンと
アルカリ金属からなる光感応層4が形成される。
【0008】ここで、ニッケル電極1は純粋なニッケル
板に限らず、表面をニッケルめっきした板材でもよく、
またステンレスのようなニッケルを含有した板材でもよ
い。また、クロム層2は一定の厚さであることが望まし
く、具体的には20〜500オングストロームであると
きに、優れた効果を発揮することが判明した。アルミニ
ウム層3については、プロセス中に酸化されていてもよ
く、その酸化の程度も本発明においては特に問題となら
ない。なお、その厚さは一例としては2000オングス
トローム程度である。光感応層4については、アンチモ
ンと少なくとも一種類のアルカリ金属を含み、アルカリ
金属としてはセシウム、ルビジウム(Rb)、ナトリウ
ム、カリウム(K)など多種類を例示でき、バイアルカ
リ、マルチアルカリのいずれになっていてもよい。
板に限らず、表面をニッケルめっきした板材でもよく、
またステンレスのようなニッケルを含有した板材でもよ
い。また、クロム層2は一定の厚さであることが望まし
く、具体的には20〜500オングストロームであると
きに、優れた効果を発揮することが判明した。アルミニ
ウム層3については、プロセス中に酸化されていてもよ
く、その酸化の程度も本発明においては特に問題となら
ない。なお、その厚さは一例としては2000オングス
トローム程度である。光感応層4については、アンチモ
ンと少なくとも一種類のアルカリ金属を含み、アルカリ
金属としてはセシウム、ルビジウム(Rb)、ナトリウ
ム、カリウム(K)など多種類を例示でき、バイアルカ
リ、マルチアルカリのいずれになっていてもよい。
【0009】本実施例の反射型光電面は、次のようなプ
ロセスを経て作製される。まず、ニッケル電極1が用意
され、真空蒸着法やスパッタリング法などにより、クロ
ム層2とアルミニウム層3が所望の厚さに形成される。
次いで、光電子増倍管の容器を排気して加熱(例えば2
60℃、45分)によりガス抜きし、アンチモン、ナト
リウム、カリウムの供給および活性化を行う。なお、こ
の光感応層4の形成プロセスの詳細については、本発明
と従来とで特に異なるものではなく、また公知の文献に
も開示されているので特に説明はしない。
ロセスを経て作製される。まず、ニッケル電極1が用意
され、真空蒸着法やスパッタリング法などにより、クロ
ム層2とアルミニウム層3が所望の厚さに形成される。
次いで、光電子増倍管の容器を排気して加熱(例えば2
60℃、45分)によりガス抜きし、アンチモン、ナト
リウム、カリウムの供給および活性化を行う。なお、こ
の光感応層4の形成プロセスの詳細については、本発明
と従来とで特に異なるものではなく、また公知の文献に
も開示されているので特に説明はしない。
【0010】図2は、本発明者による試作品の量子効率
を、従来品の量子効率と対比した図である。なお、ニッ
ケル電極1としては純粋なニッケル板を用い、アルミニ
ウム(を含む)層3としては厚さを2000オングスト
ロームとし、光感応層4としてはアンチモン、セシウ
ム、カリウムおよびナトリウムを用いた。上記の条件を
本発明品と従来品とで同一にし、本発明品については厚
さ100オングストロームのクロム層2を、ニッケル電
極1とアルミニウム層3の間に介在させている。量子効
率が全波長域で向上し、特に波長600〜900nmで
効果が著しいことが判明した。 図3はSk値のクロム
膜厚依存性を示している。これは、試作品である本発明
構造の反射型光電面における特性を、平均値で表したも
のである。なお、試作品の本数は、クロム層2の厚さに
ついて、 20オングストローム… 5本 30オングストローム… 5本 90オングストローム…30本 100オングストローム…40本 110オングストローム…40本 180オングストローム…25本 500オングストローム… 5本 である。
を、従来品の量子効率と対比した図である。なお、ニッ
ケル電極1としては純粋なニッケル板を用い、アルミニ
ウム(を含む)層3としては厚さを2000オングスト
ロームとし、光感応層4としてはアンチモン、セシウ
ム、カリウムおよびナトリウムを用いた。上記の条件を
本発明品と従来品とで同一にし、本発明品については厚
さ100オングストロームのクロム層2を、ニッケル電
極1とアルミニウム層3の間に介在させている。量子効
率が全波長域で向上し、特に波長600〜900nmで
効果が著しいことが判明した。 図3はSk値のクロム
膜厚依存性を示している。これは、試作品である本発明
構造の反射型光電面における特性を、平均値で表したも
のである。なお、試作品の本数は、クロム層2の厚さに
ついて、 20オングストローム… 5本 30オングストローム… 5本 90オングストローム…30本 100オングストローム…40本 110オングストローム…40本 180オングストローム…25本 500オングストローム… 5本 である。
【0011】図4はSk値の出現頻度(本数)を示し、
同図(a)はクロム層2を設けた本発明品、同図(b)
はクロム層2を設けない従来品である。本発明の構造に
よれば、Sk値の高い反射型光電面を、極めて歩留りよ
く実現できることがわかる。本発明の反射型光電面は、
例えば図5のようなサイドオンタイプの光電子増倍管
に、光電陰極として用いられる。ガラスバルブを通して
光(hν)が入射されると、反射型光電面から光電子が
放出され、多段のダイノードに衝突することで増倍さ
れ、陽極(アノード)に取り込まれる。
同図(a)はクロム層2を設けた本発明品、同図(b)
はクロム層2を設けない従来品である。本発明の構造に
よれば、Sk値の高い反射型光電面を、極めて歩留りよ
く実現できることがわかる。本発明の反射型光電面は、
例えば図5のようなサイドオンタイプの光電子増倍管
に、光電陰極として用いられる。ガラスバルブを通して
光(hν)が入射されると、反射型光電面から光電子が
放出され、多段のダイノードに衝突することで増倍さ
れ、陽極(アノード)に取り込まれる。
【0012】本発明の反射型光電面は、ニッケル電極1
とアルミニウム(を含む)層3の間に、クロム層2が介
在している点に特徴があり、これによって従来にはない
高性能の反射型光電面のおよび光電子増倍管をえられる
ことが判明した。
とアルミニウム(を含む)層3の間に、クロム層2が介
在している点に特徴があり、これによって従来にはない
高性能の反射型光電面のおよび光電子増倍管をえられる
ことが判明した。
【0013】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明の構
造によれば、反射型光電面として、本発明の構造を採用
することにより、量子効率の大幅な向上が実現され、ま
た高いSk値を効率よく実現できる。本発明品を用いれ
ば、微弱光の計測分野における光電子増倍管の用途を拡
大することができ、また、従来の光電子増倍管では容易
でなかった極微弱光の検出も容易になる。
造によれば、反射型光電面として、本発明の構造を採用
することにより、量子効率の大幅な向上が実現され、ま
た高いSk値を効率よく実現できる。本発明品を用いれ
ば、微弱光の計測分野における光電子増倍管の用途を拡
大することができ、また、従来の光電子増倍管では容易
でなかった極微弱光の検出も容易になる。
【図1】本発明の反射型光電面の断面図である。
【図2】本発明品と従来品とで、量子効率を比較する図
である。
である。
【図3】Sk値のクロム膜厚依存性を示す図である。
【図4】Sk値の出現頻度を、本発明品と従来品で対比
した図である。
した図である。
【図5】本発明に係わる光電子増倍管の構成図である。
1…ニッケル電極 2…クロム層 3…アルミニウム層 4…光感応層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 宏之 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松 ホトニクス株式会社内 (56)参考文献 特公 昭52−47665(JP,B2)
Claims (3)
- 【請求項1】 ニッケルを含む基板上に、クロムを主成
分とする第1の層、アルミニウムを主成分とする第2の
層、アンチモンと少なくとも一種類のアルカリ金属を含
む第3の層が順次に堆積された反射型光電面。 - 【請求項2】 前記第1の層の厚さが、20オングスト
ローム以上、500オングストローム以下である請求項
1記載の反射型光電面。 - 【請求項3】 請求項1記載の反射型光電面を光電陰極
として用い、放出光電子を複数段のダイノードで増倍す
るようにした光電子増倍管。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23193891A JP2500209B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 反射型光電面および光電子増倍管 |
US07/943,524 US5336966A (en) | 1991-09-11 | 1992-09-11 | 4-layer structure reflection type photocathode and photomultiplier using the same |
EP92308313A EP0532358B1 (en) | 1991-09-11 | 1992-09-11 | Reflection type photocathode and photomultiplier using it |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23193891A JP2500209B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 反射型光電面および光電子増倍管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0574406A JPH0574406A (ja) | 1993-03-26 |
JP2500209B2 true JP2500209B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=16931419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23193891A Expired - Fee Related JP2500209B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 反射型光電面および光電子増倍管 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0532358B1 (ja) |
JP (1) | JP2500209B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001054157A1 (fr) * | 2000-01-17 | 2001-07-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Cathode emettrice de photoelectrons ou d'electrons secondaires, tube photomultiplicateur et tube multiplicateur d'electrons |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2758529B2 (ja) * | 1992-04-22 | 1998-05-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 反射型光電面および光電子増倍管 |
US5311098A (en) * | 1992-05-26 | 1994-05-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Interference photocathode |
JP3518880B2 (ja) * | 1992-06-11 | 2004-04-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 反射型アルカリ光電面および光電子増倍管 |
EP0627755B1 (en) * | 1993-02-02 | 1998-11-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Reflection mode alkali photocathode, and photomultiplier using the same |
US5633562A (en) * | 1993-02-02 | 1997-05-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Reflection mode alkali photocathode, and photomultiplier using the same |
US5680007A (en) * | 1994-12-21 | 1997-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier having a photocathode comprised of a compound semiconductor material |
EP2385518A3 (en) * | 2000-05-24 | 2012-02-15 | Immersion Medical, Inc. | Haptic devices using electroactive polymers |
JP2007026785A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電面、並びに、それを備える光電子増倍管、x線発生装置、紫外線イメージ管及びx線イメージインテンシファイア |
WO2007013630A1 (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Japan Science And Technology Agency | マイクロチャネルプレート、ガス比例計数管、及び撮像装置 |
JP5152950B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2013-02-27 | 独立行政法人科学技術振興機構 | マイクロチャネルプレート、ガス比例計数管、及び撮像装置 |
JP4926504B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2012-05-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法 |
JP5342769B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2013-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電陰極、電子管及び光電子増倍管 |
US8212475B2 (en) * | 2009-04-02 | 2012-07-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photocathode, electron tube, and photomultiplier tube |
CN108281337B (zh) * | 2018-03-23 | 2024-04-05 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 光电阴极及x射线诊断系统 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB670554A (en) * | 1945-11-07 | 1952-04-23 | Emi Ltd | Improvements in or relating to electron discharge devices employing secondary electron emission and electrodes for use therein |
US2676282A (en) * | 1951-04-09 | 1954-04-20 | Rca Corp | Photocathode for multiplier tubes |
FR1169213A (fr) * | 1957-03-08 | 1958-12-24 | Rech S Et D Applic Tech Soc D | Perfectionnements aux dispositifs d'alimentation stabilisée à tensions multiples |
FR1345063A (fr) * | 1962-10-23 | 1963-12-06 | Thomson Houston Comp Francaise | Cathode photoélectrique |
US4039887A (en) * | 1975-06-04 | 1977-08-02 | Rca Corporation | Electron emitter including porous antimony |
US4160185A (en) * | 1977-12-14 | 1979-07-03 | Rca Corporation | Red sensitive photocathode having an aluminum oxide barrier layer |
US4604545A (en) * | 1980-07-28 | 1986-08-05 | Rca Corporation | Photomultiplier tube having a high resistance dynode support spacer anti-hysteresis pattern |
FR2493036A1 (fr) * | 1980-07-30 | 1982-04-30 | Hyperelec | Photocathode bialcaline a reponse spectrale elargie et procede de fabrication |
US4446401A (en) * | 1981-11-20 | 1984-05-01 | Rca Corporation | Photomultiplier tube having improved count-rate stability |
JPH0777125B2 (ja) * | 1988-02-19 | 1995-08-16 | 富士写真フイルム株式会社 | 長尺光電子増倍管 |
JPH04292843A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管 |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP23193891A patent/JP2500209B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-09-11 US US07/943,524 patent/US5336966A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-09-11 EP EP92308313A patent/EP0532358B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001054157A1 (fr) * | 2000-01-17 | 2001-07-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Cathode emettrice de photoelectrons ou d'electrons secondaires, tube photomultiplicateur et tube multiplicateur d'electrons |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0532358A1 (en) | 1993-03-17 |
JPH0574406A (ja) | 1993-03-26 |
EP0532358B1 (en) | 1995-03-15 |
US5336966A (en) | 1994-08-09 |
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