JPH06342626A - 反射型アルカリテルル光電面および光電子増倍管 - Google Patents
反射型アルカリテルル光電面および光電子増倍管Info
- Publication number
- JPH06342626A JPH06342626A JP13057793A JP13057793A JPH06342626A JP H06342626 A JPH06342626 A JP H06342626A JP 13057793 A JP13057793 A JP 13057793A JP 13057793 A JP13057793 A JP 13057793A JP H06342626 A JPH06342626 A JP H06342626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tellurium
- photocathode
- reflection type
- tellirium
- alkali
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放射感度および量子効率の優れた反射型アル
カリテルル光電面を提供する。 【構成】 本発明に係る反射型アルカリテルル光電面
は、下地基板上に直接Ｔｅの薄層が堆積されて、アルカ
リ金属により活性化されている。ここでテルル薄層は１
００μｇ／ｃｍ2 以下に堆積されており、このような反
射型光電面は光電子増倍管に適用されうる。
カリテルル光電面を提供する。 【構成】 本発明に係る反射型アルカリテルル光電面
は、下地基板上に直接Ｔｅの薄層が堆積されて、アルカ
リ金属により活性化されている。ここでテルル薄層は１
００μｇ／ｃｍ2 以下に堆積されており、このような反
射型光電面は光電子増倍管に適用されうる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反射型アルカリテルル光
電面および光電子増倍管に関するものである。
電面および光電子増倍管に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ニッケル（Ｎｉ）を基板とする反射型ア
ルカリテルル光電面が知られている。この光電面では、
Ｎｉ基板の上にテルル（Ｔｅ）を堆積して、さらにセシ
ウム（Ｃｓ）のアルカリ金属で活性化している。ここ
で、Ｔｅの付着重量は一般に２００μｇ／ｃｍ2 以上で
ある。
ルカリテルル光電面が知られている。この光電面では、
Ｎｉ基板の上にテルル（Ｔｅ）を堆積して、さらにセシ
ウム（Ｃｓ）のアルカリ金属で活性化している。ここ
で、Ｔｅの付着重量は一般に２００μｇ／ｃｍ2 以上で
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような、従来の
反射型アルカリテルル光電面では、いずれも量子効率は
２５４ｎｍで１９％程度であった。
反射型アルカリテルル光電面では、いずれも量子効率は
２５４ｎｍで１９％程度であった。
【０００４】ところで、光電子増倍管は微弱光の計測分
野において用いられ、この性能は特に被検出光がホトン
（光子）としてカウント（計数）される程度の極限領域
において発揮されるため、たとえ数％であっても感度向
上が重要である。
野において用いられ、この性能は特に被検出光がホトン
（光子）としてカウント（計数）される程度の極限領域
において発揮されるため、たとえ数％であっても感度向
上が重要である。
【０００５】本発明者らは、かかる事情に鑑みて研究を
行った結果、Ｔｅの付着重量をコントロールすることに
より、良好な反射型アルカリテルル光電面を実現できる
ことを見出した。
行った結果、Ｔｅの付着重量をコントロールすることに
より、良好な反射型アルカリテルル光電面を実現できる
ことを見出した。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る反射型アル
カリテルル光電面は、下地基板上にテルルの薄層が堆積
されて、アルカリ金属により活性化されているものにお
いて、テルルの薄層が１００μｇ／ｃｍ2 以下に堆積さ
れてアルカリ金属により活性化されていることを特徴と
し、この反射型アルカリテルル光電面は光電子増倍管に
適用され得る。
カリテルル光電面は、下地基板上にテルルの薄層が堆積
されて、アルカリ金属により活性化されているものにお
いて、テルルの薄層が１００μｇ／ｃｍ2 以下に堆積さ
れてアルカリ金属により活性化されていることを特徴と
し、この反射型アルカリテルル光電面は光電子増倍管に
適用され得る。
【０００７】
【作用】本発明に係る反射型アルカリテルル光電面は、
アルカリ金属で活性化させられるＴｅの薄層を十分に薄
く堆積したものであり、これは従来の反射型光電面に対
する発想を転換させたものである。すなわち、Ｔｅ層を
薄くするならば、特に、Ｔｅ層を１００μｇ／ｃｍ2 以
下とした場合には、十分に優れた結果が得られる。
アルカリ金属で活性化させられるＴｅの薄層を十分に薄
く堆積したものであり、これは従来の反射型光電面に対
する発想を転換させたものである。すなわち、Ｔｅ層を
薄くするならば、特に、Ｔｅ層を１００μｇ／ｃｍ2 以
下とした場合には、十分に優れた結果が得られる。
【０００８】ここにおいて、Ｔｅ層は４０〜１００μｇ
／ｃｍ2 とすることが望ましく、またＴｅ層と直接に接
する下地基板としては、例えばＮｉ，Ａｌ，ステンレス
が望ましく、アルカリ金属はＫ，Ｃｓ，Ｒｂが適する
が、いずれにせよ結果として、高感度の反射型アルカリ
テルル光電面が高い歩留りで実現可能となった。
／ｃｍ2 とすることが望ましく、またＴｅ層と直接に接
する下地基板としては、例えばＮｉ，Ａｌ，ステンレス
が望ましく、アルカリ金属はＫ，Ｃｓ，Ｒｂが適する
が、いずれにせよ結果として、高感度の反射型アルカリ
テルル光電面が高い歩留りで実現可能となった。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を更に詳細に説明する。本発明
に係る反射型アルカリテルル光電面は、Ｎｉ等の下地基
板を有し、この上には、セシウム（Ｃｓ），カリウム
（Ｋ）及びルビジウム（Ｒｂ）のアルカリ金属で活性化
されたＴｅを含む光感応層が形成されている。ここで、
Ｔｅの付着重量は１００μｇ／ｃｍ2 以下である。
に係る反射型アルカリテルル光電面は、Ｎｉ等の下地基
板を有し、この上には、セシウム（Ｃｓ），カリウム
（Ｋ）及びルビジウム（Ｒｂ）のアルカリ金属で活性化
されたＴｅを含む光感応層が形成されている。ここで、
Ｔｅの付着重量は１００μｇ／ｃｍ2 以下である。
【００１０】このような反射型アルカリテルル光電面を
有する光電子増倍管は、次のように作製される。まず、
真空容器が用意されて、反射型アルカリテルル光電面の
形成部位にＴｅ蒸着を直接に行なう。このとき、Ｔｅは
１００μｇ／ｃｍ2 程度以下の薄い膜あるいはポーラス
状の膜とする。
有する光電子増倍管は、次のように作製される。まず、
真空容器が用意されて、反射型アルカリテルル光電面の
形成部位にＴｅ蒸着を直接に行なう。このとき、Ｔｅは
１００μｇ／ｃｍ2 程度以下の薄い膜あるいはポーラス
状の膜とする。
【００１１】しかる後、ＣｓおよびＫあるいはＲｂのア
ルカリ金属を導入し、活性化を行なって焼成をする。な
お、活性化や焼成の温度条件および時間等においては、
それぞれ公知のように適宜設定される。ちなみに、温度
については１４０〜２２０℃の範囲において選択され
る。
ルカリ金属を導入し、活性化を行なって焼成をする。な
お、活性化や焼成の温度条件および時間等においては、
それぞれ公知のように適宜設定される。ちなみに、温度
については１４０〜２２０℃の範囲において選択され
る。
【００１２】光電子増倍管を構成する他の要素、例えば
ダイノードやマイクロチャンネルプレート、アノード電
極等の組み付け手順については、従来と異なる点はな
い。そして、上記の反射型アルカリテルル光電面の形成
および部品の組み付けが終了すると、真空容器が封じ切
られて光電子増倍管が完成する。
ダイノードやマイクロチャンネルプレート、アノード電
極等の組み付け手順については、従来と異なる点はな
い。そして、上記の反射型アルカリテルル光電面の形成
および部品の組み付けが終了すると、真空容器が封じ切
られて光電子増倍管が完成する。
【００１３】次に、具体的な試作例を説明する。試作に
おいては、下地基板を表面酸化（弱酸化）したＮｉ板と
し、その表面を清浄してＴｅ層を堆積させた。
おいては、下地基板を表面酸化（弱酸化）したＮｉ板と
し、その表面を清浄してＴｅ層を堆積させた。
【００１４】ここで、Ｔｅ層の厚さ（付着重量）につい
ては、試作例では、３０〜２００μｇ／ｃｍ2 の範囲に
おいて、４点に設定した。その後、Ｃｓを導入して活性
化し、アルカリテルル（Ｃｓ−Ｔｅ）光電面を得た。な
お、各々の設定値において、試作本数は各５本（全体で
２０本）とした。
ては、試作例では、３０〜２００μｇ／ｃｍ2 の範囲に
おいて、４点に設定した。その後、Ｃｓを導入して活性
化し、アルカリテルル（Ｃｓ−Ｔｅ）光電面を得た。な
お、各々の設定値において、試作本数は各５本（全体で
２０本）とした。
【００１５】上記の試作例では、感度特性として図１が
得られた。Ｔｅの付着重量が１００μｇ／ｃｍ2 以上で
は量子効率が２０％以下となって、１００μｇ／ｃｍ2
以下においては、量子効率は２０％以上に到達してい
る。
得られた。Ｔｅの付着重量が１００μｇ／ｃｍ2 以上で
は量子効率が２０％以下となって、１００μｇ／ｃｍ2
以下においては、量子効率は２０％以上に到達してい
る。
【００１６】図１から明らかなように、Ｔｅを７５μｇ
／ｃｍ2 程度とすることで、特に大幅な感度向上が達成
される。試作においては、波長２５４ｎｍにおける平均
値で量子効率２５％を記録し、感度は安定して実現でき
た。Ｔｅの付着重量が７５μｇ／ｃｍ2 のときの、最も
良好な試作品の量子効率および放射感度の温度依存性を
図２に示す。３００ｎｍ以下の波長域で良好な特性が得
られた。
／ｃｍ2 程度とすることで、特に大幅な感度向上が達成
される。試作においては、波長２５４ｎｍにおける平均
値で量子効率２５％を記録し、感度は安定して実現でき
た。Ｔｅの付着重量が７５μｇ／ｃｍ2 のときの、最も
良好な試作品の量子効率および放射感度の温度依存性を
図２に示す。３００ｎｍ以下の波長域で良好な特性が得
られた。
【００１７】本発明については、下地基板としてニッケ
ル，ステンレス，アルミニウムなどの基板を採用し、ア
ルカリ金属としてカリウム，セシウム，ルビジウムなど
を採用することができる。
ル，ステンレス，アルミニウムなどの基板を採用し、ア
ルカリ金属としてカリウム，セシウム，ルビジウムなど
を採用することができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明に係る反射型アルカリテルル光電
面は、Ｔｅ薄層を１００μｇ／ｃｍ2以下としたもので
あり、結果として、高感度の反射型アルカリテルル光電
面が高い歩留りで実現可能となった。
面は、Ｔｅ薄層を１００μｇ／ｃｍ2以下としたもので
あり、結果として、高感度の反射型アルカリテルル光電
面が高い歩留りで実現可能となった。
【図１】試作例の感度特性を示す図である。
【図２】試作例の分光感度特性を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 澤井 利彦 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 下地基板上にテルルとアルカリ金属を含
んで形成された反射型アルカリテルル光電面において、 前記テルルは付着重量が１００μｇ／ｃｍ2 以下の薄層
をなしていることを特徴とする反射型アルカリテルル光
電面。 - 【請求項２】 前記テルルの付着重量が４０μｇ／ｃｍ
2 以上である請求項１記載の反射型アルカリテルル光電
面。 - 【請求項３】 真空容器の内部に、請求項１記載の反射
型アルカリテルル光電面と、この反射型アルカリテルル
光電面から放出された光電子を増倍する電子増倍手段
と、増倍された電子が入射されるアノードとを備えるこ
とを特徴とする光電子増倍管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13057793A JPH06342626A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 反射型アルカリテルル光電面および光電子増倍管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13057793A JPH06342626A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 反射型アルカリテルル光電面および光電子増倍管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342626A true JPH06342626A (ja) | 1994-12-13 |
Family
ID=15037557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13057793A Pending JPH06342626A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 反射型アルカリテルル光電面および光電子増倍管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06342626A (ja) |
-
1993
- 1993-06-01 JP JP13057793A patent/JPH06342626A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5342769B2 (ja) | 光電陰極、電子管及び光電子増倍管 | |
| US5336966A (en) | 4-layer structure reflection type photocathode and photomultiplier using the same | |
| WO2007102471A1 (ja) | 光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法 | |
| US4039887A (en) | Electron emitter including porous antimony | |
| JP2758529B2 (ja) | 反射型光電面および光電子増倍管 | |
| JPS5841622B2 (ja) | 電子放電管 | |
| US3753023A (en) | Electron emissive device incorporating a secondary electron emitting material of antimony activated with potassium and cesium | |
| GB2081006A (en) | Photocathodes | |
| JP3518880B2 (ja) | 反射型アルカリ光電面および光電子増倍管 | |
| US4196257A (en) | Bi-alkali telluride photocathode | |
| JPH06342626A (ja) | 反射型アルカリテルル光電面および光電子増倍管 | |
| JP2651329B2 (ja) | 光電子または２次電子放射用陰極 | |
| JP2003338260A (ja) | 半導体光電面とその製造方法、及びこの半導体光電面を用いた光検出管 | |
| US4691099A (en) | Secondary cathode microchannel plate tube | |
| US5012098A (en) | Photomultiplier with infrared sensitivity | |
| JP2001202873A (ja) | 光電子又は二次電子放射用陰極、光電子増倍管及び電子増倍管 | |
| JP4116294B2 (ja) | 光電面および光電変換管 | |
| JPH0244639A (ja) | 光電子増倍管の製造方法 | |
| JPH06342625A (ja) | 反射型紫外光電面および光電子増倍管 | |
| JPH0883561A (ja) | 二次電子増倍電極および光電子増倍管 | |
| JP3179537B2 (ja) | 光電面および光電子増倍管 | |
| JPH0668840A (ja) | 光電面および光電子増倍管 | |
| US5633562A (en) | Reflection mode alkali photocathode, and photomultiplier using the same | |
| JP3034105B2 (ja) | 光電子増倍管の製造方法 | |
| EP0627755B1 (en) | Reflection mode alkali photocathode, and photomultiplier using the same |