JP2024147757A5 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JP2024147757A5 JP2024147757A5 JP2024116779A JP2024116779A JP2024147757A5 JP 2024147757 A5 JP2024147757 A5 JP 2024147757A5 JP 2024116779 A JP2024116779 A JP 2024116779A JP 2024116779 A JP2024116779 A JP 2024116779A JP 2024147757 A5 JP2024147757 A5 JP 2024147757A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- hard mask
- reflective
- euv lithography
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019095189 | 2019-05-21 | ||
| JP2019095189 | 2019-05-21 | ||
| JP2021520828A JPWO2020235612A1 (enExample) | 2019-05-21 | 2020-05-20 | |
| PCT/JP2020/020016 WO2020235612A1 (ja) | 2019-05-21 | 2020-05-20 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021520828A Division JPWO2020235612A1 (enExample) | 2019-05-21 | 2020-05-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024147757A JP2024147757A (ja) | 2024-10-16 |
| JP2024147757A5 true JP2024147757A5 (enExample) | 2025-12-18 |
Family
ID=73458823
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021520828A Pending JPWO2020235612A1 (enExample) | 2019-05-21 | 2020-05-20 | |
| JP2024116779A Pending JP2024147757A (ja) | 2019-05-21 | 2024-07-22 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021520828A Pending JPWO2020235612A1 (enExample) | 2019-05-21 | 2020-05-20 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11982935B2 (enExample) |
| JP (2) | JPWO2020235612A1 (enExample) |
| KR (1) | KR20220006543A (enExample) |
| SG (1) | SG11202112745RA (enExample) |
| TW (1) | TWI836078B (enExample) |
| WO (1) | WO2020235612A1 (enExample) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI817073B (zh) * | 2020-01-27 | 2023-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料 |
| JP7354005B2 (ja) * | 2020-02-12 | 2023-10-02 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
| JP7719334B2 (ja) * | 2020-12-11 | 2025-08-06 | Ａｇｃ株式会社 | Ｅｕｖｌ用反射型マスクブランク、ｅｕｖｌ用反射型マスク、およびｅｕｖｌ用反射型マスクの製造方法 |
| JP7612408B2 (ja) * | 2020-12-22 | 2025-01-14 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP7699970B2 (ja) * | 2021-06-10 | 2025-06-30 | Hoya株式会社 | マスクブランク、反射型マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
| KR102852320B1 (ko) * | 2022-07-05 | 2025-09-01 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법, 및 반사형 마스크의 제조 방법 |
| WO2025225218A1 (ja) * | 2024-04-22 | 2025-10-30 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202026A (ja) | 1983-04-30 | 1984-11-15 | Nitto Seiko Co Ltd | 摺動式ブレ−ド流量計 |
| JP2005302897A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Sony Corp | ハードエッチングマスクの除去方法および半導体装置の製造方法 |
| US7678511B2 (en) * | 2006-01-12 | 2010-03-16 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective-type mask blank for EUV lithography |
| TWI444757B (zh) * | 2006-04-21 | 2014-07-11 | Asahi Glass Co Ltd | 用於極紫外光（ｅｕｖ）微影術之反射性空白光罩 |
| KR100948770B1 (ko) | 2008-06-27 | 2010-03-24 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법 |
| KR101485754B1 (ko) | 2008-09-26 | 2015-01-26 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조되는 포토마스크 |
| KR20110059510A (ko) * | 2009-11-27 | 2011-06-02 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법 |
| WO2011068223A1 (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材およびｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板の製造方法 |
| WO2012105508A1 (ja) | 2011-02-01 | 2012-08-09 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| JP2012212706A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Tohoku Univ | 半導体装置及びその製法において用いられるアモルファスカーボン膜の製造法 |
| JP6125772B2 (ja) | 2011-09-28 | 2017-05-10 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法 |
| KR101407230B1 (ko) * | 2012-05-14 | 2014-06-13 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법 |
| JP6040089B2 (ja) * | 2013-04-17 | 2016-12-07 | 富士フイルム株式会社 | レジスト除去液、これを用いたレジスト除去方法およびフォトマスクの製造方法 |
| JP6361283B2 (ja) * | 2014-05-23 | 2018-07-25 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク |
| JP2018044979A (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-22 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスクおよびその製造方法 |
| JP7006078B2 (ja) * | 2017-08-10 | 2022-01-24 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、および反射型マスク |
| US11150550B2 (en) | 2017-08-10 | 2021-10-19 | AGC Inc. | Reflective mask blank and reflective mask |
| WO2019078206A1 (ja) | 2017-10-17 | 2019-04-25 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
-
2020
- 2020-05-20 WO PCT/JP2020/020016 patent/WO2020235612A1/ja not_active Ceased
- 2020-05-20 SG SG11202112745RA patent/SG11202112745RA/en unknown
- 2020-05-20 KR KR1020217037529A patent/KR20220006543A/ko active Pending
- 2020-05-20 JP JP2021520828A patent/JPWO2020235612A1/ja active Pending
- 2020-05-21 TW TW109116899A patent/TWI836078B/zh active
-
2021
- 2021-11-17 US US17/529,124 patent/US11982935B2/en active Active
-
2024
- 2024-02-29 US US18/592,084 patent/US20240201576A1/en active Pending
- 2024-07-22 JP JP2024116779A patent/JP2024147757A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2024147757A5 (enExample) | ||
| JP4926523B2 (ja) | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP5799063B2 (ja) | 転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP5282507B2 (ja) | ハーフトーン型ｅｕｖマスク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクの製造方法、ハーフトーン型ｅｕｖマスクブランク及びパターン転写方法 | |
| JP5974321B2 (ja) | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 | |
| JP2022064956A5 (enExample) | ||
| JP5233321B2 (ja) | 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法 | |
| JP5292747B2 (ja) | 極端紫外線用反射型フォトマスク | |
| JP2010206156A5 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法 | |
| JP7109996B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| CN112698545B (zh) | 用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模 | |
| JP2024024687A5 (enExample) | ||
| JP4926521B2 (ja) | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 | |
| TW201019046A (en) | Method of producing a reflective mask | |
| WO2012014495A1 (ja) | 反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスク | |
| JP4998082B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法 | |
| JP4926522B2 (ja) | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP7633032B2 (ja) | 描画評価用マスクブランクス | |
| JP7749746B2 (ja) | ＣｒＳｂ吸収膜を備えた極端紫外線リソグラフィ用ブランクマスク及びフォトマスク | |
| JP2005037798A (ja) | 反射型マスクブランクス及びその製造方法、反射型マスク、並びに反射多層膜付き基板及びその製造方法 | |
| JP7507943B1 (ja) | 極端紫外線リソグラフィー用位相反転ブランクマスク及びフォトマスク | |
| KR20250051885A (ko) | 크롬(Ｃｒ) 및 안티몬(Ｓｂ)을 함유한 하드마스크막을 구비한 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크 및 포토마스크 | |
| TW202416045A (zh) | 用於ｅｕｖ微影之相移空白遮罩及光遮罩 | |
| KR20220121400A (ko) | 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크 | |
| KR20230031473A (ko) | 크롬 및 니오븀을 함유한 하드마스크막을 구비한 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크 및 포토마스크 |