TW202416045A - 用於ｅｕｖ微影之相移空白遮罩及光遮罩 - Google Patents

用於ｅｕｖ微影之相移空白遮罩及光遮罩 Download PDF

Info

Publication number
TW202416045A
TW202416045A TW112102747A TW112102747A TW202416045A TW 202416045 A TW202416045 A TW 202416045A TW 112102747 A TW112102747 A TW 112102747A TW 112102747 A TW112102747 A TW 112102747A TW 202416045 A TW202416045 A TW 202416045A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
phase shift
etching
mask
hard mask
Prior art date
Application number
TW112102747A
Other languages
English (en)
Inventor
金用大
梁澈圭
禹美京
Original Assignee
韓商Ｓ＆Ｓ技術股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 韓商Ｓ＆Ｓ技術股份有限公司 filed Critical 韓商Ｓ＆Ｓ技術股份有限公司
Publication of TW202416045A publication Critical patent/TW202416045A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48—Protective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

揭示一種用於EUV微影之空白遮罩，其包括依序形成於一基板上之一反射膜、一罩蓋膜、一蝕刻終止膜、一相移薄膜及一硬遮罩膜。該相移膜含有釕(Ru)，且該蝕刻終止膜含有鉻(Cr)及鈮(Nb)。在該蝕刻終止膜中，鈮(Nb)之含量介於20at%至50at%之範圍內，且鉻(Cr)之含量介於10at%至40at%之範圍內。該硬遮罩膜含有鉭(Ta)及氧(O)。該硬遮罩膜中之鉭(Ta)之含量高於或等於50at%。運用該空白遮罩，有可能在晶圓印刷期間實施一高解析度及NILS，且實施DtC。

Description

用於EUV微影之相移空白遮罩及光遮罩
本發明係關於一種空白遮罩及一種光遮罩，且更特定言之，係關於：一種相移空白遮罩，其包括用於相對於極紫外線(EUV)光使相位移位以在晶圓印刷期間實施高解析度之相移膜；及一種使用其製備之用於EUV微影之光遮罩。
用於半導體之微影技術最近已自ArF、ArFi多重(MP)微影發展成極紫外線(EUV)微影。用於EUV微影之空白遮罩通常包括基板上之兩個薄膜，諸如用於反射EUV光之反射膜及用於吸收EUV光之吸收膜。
近來，已嘗試研發一種能夠實施比具有吸收膜之此類二元空白遮罩更高之解析度之相移空白遮罩。相移空白遮罩具有高於二元空白遮罩之正規化影像對數斜率(NILS)，且因此在晶圓印刷期間由於散粒雜訊效應而減少隨機缺陷。此外，相移空白遮罩實施低清除劑量(DtC)，藉此增加半導體生產力。
在用於EUV微影之相移空白遮罩中，較佳地，相移膜係使用易於製備光遮罩且在晶圓印刷期間效能優異之材料進行製備。就此而言，已經將釕(Ru)作為相移膜之材料研究。
圖1為展示用於EUV微影之相移空白遮罩的結構之視圖，其中相移膜含有釕(Ru)。圖1之結構展示與本發明相對的申請人之自有的技術以便描述本發明之技術特徵，且並不意謂本文中所闡述之圖1之結構在本發明之申請之前已經為公眾所知。
用於EUV微影之相移空白遮罩包括基板102、形成於基板 102上之反射膜104、形成於反射膜104上之罩蓋膜105、形成於罩蓋膜105上之蝕刻終止膜107、形成於蝕刻終止膜107上之相移膜108、形成於相移膜108上之硬遮罩膜109，及形成於硬遮罩膜109上之抗蝕膜110。
罩蓋膜105通常由含有釕(Ru)之材料製成，且相移膜108亦由含有釕(Ru)之材料(特定言之，RuON)製成。
蝕刻終止膜107具有雙層結構，亦即包括形成於罩蓋膜105上之第一層107a及形成於第一層107a上之第二層107b。第一層107a由TaBN製成，且第二層107b由TaBO製成。
硬遮罩膜109含有TaBO。
為了使用前述空白遮罩製備光遮罩，抗蝕膜110之圖案首先藉由電子束寫入及顯影製程而形成，且抗蝕膜圖案接著用作蝕刻遮罩以對TaBO之硬遮罩膜109進行蝕刻，藉此形成硬遮罩膜圖案。在此狀況下，基於氟(F)之氣體用作蝕刻氣體。接著，移除抗蝕膜圖案，且該硬遮罩膜圖案用作蝕刻遮罩，以運用含有氧氣(O2)之基於氯氣(Cl2)之氣體對相移膜108進行蝕刻。
同時，鉭(Ta)係藉由基於氯氣之氣體進行蝕刻，但添加有氧(O)之鉭(Ta)係藉由基於氟(F)之氣體進行蝕刻。因此，在對蝕刻終止膜107進行蝕刻之製程中，TaBO之第二層107b首先藉由基於氟之氣體進行蝕刻，且在此狀況下，硬遮罩膜109之圖案在一起經蝕刻且移除。接著，蝕刻終止膜107之第一層107a係藉由不含有氧氣(O2)之基於氯氣(Cl2)之氣體進行蝕刻。因此，完成相移光遮罩。
在具有前述結構之相移空白遮罩中，含有釕(Ru)之相移膜108係藉由基於氯氣之氣體進行蝕刻，且在此狀況下，含有氧氣(O2)之基於氯氣(Cl2)之氣體係用於確保預定的蝕刻速率或更高。然而，在圖1之結構中，罩蓋膜105及相移膜108共同含有釕(Ru)。因此，若不存在蝕刻終止膜107，則用於圖案化相移膜108之蝕刻材料中所含有的氧氣(O2)會在蝕刻期間對罩蓋膜105造成損壞，藉此降低罩蓋膜105之反射率。蝕刻終止膜107防止含有氧氣(O2)之基於氯氣(Cl2)之氣體與罩蓋膜105接觸， 藉此防止對罩蓋膜105之損壞。
然而，當相移膜107含有Ru時，較佳地，蝕刻終止膜107形成為具有如上文所描述之雙層結構。若蝕刻終止膜107形成為單個TaBN層，則TaBN易氧化，且因此蝕刻終止膜107之表面被氧氣(O2)氧化，而RuON之相移膜108經蝕刻。此氧化隨機分佈，藉此在蝕刻終止膜107之表面上造成缺陷且亦在使用基於氯氣(Cl2)之氣體進行蝕刻期間降低蝕刻速率。同時，使用基於氯氣(Cl2)之氣體進行蝕刻通常被視為化學蝕刻，且使用基於氟(F)之氣體進行蝕刻通常被視為物理蝕刻。因此，若蝕刻終止膜107形成為單個TaBO層，則罩蓋膜105在使用基於氟(F)之氣體進行蝕刻期間在物理上被損壞。就此而言，第一層107a係由TaBN製成且第二層107b係由TaBO製成，藉此防止罩蓋膜105被基於氧氣(O2)及氟(F)之氣體損壞。
由於蝕刻終止膜107具有雙層結構，因此用於形成蝕刻終止膜107之層107a及107b之製程單獨地執行，藉此增加製程之總數目。因此，存在增加薄膜設計之複雜性、需要對額外薄膜進行清潔及缺陷控制等的問題。此外，即使對於使用此空白遮罩製備之光遮罩亦需要清潔及類似額外製程。此類問題最終導致產率降低。
此外，在前述結構中，在對蝕刻終止膜107之第二層107b進行蝕刻時移除硬遮罩膜109，且因此，含有釕(Ru)之相移膜108定位於頂部上。然而，釕(Ru)具有對具有193nm之波長之深紫外線(DUV)檢測光之高表面反射率，且因此引起在使用DUV檢測光進行檢測期間降低檢測靈敏度之問題。為了解決此問題，在圖1之結構中，氧(O)可添加至釕(Ru)，藉此降低相移膜108之表面反射率。然而，當氧(O)經添加至釕(Ru)時，會出現增加折射率(n)之問題，且因此難以實施相移膜108中所需的相移量。
本發明之一態樣在於提高相對於深紫外線(DUV)檢測光之檢測靈敏度，同時實施包括含有釕(Ru)之相移膜之空白遮罩中所需的相 移量，且進一步簡化形成薄膜之製程且藉由減小薄膜之數目來增加產率。
根據本發明之一個實施例，提供一種用於極紫外線(EUV)微影之空白遮罩，其包括基板、形成於該基板上之反射膜、形成於該反射膜上之罩蓋膜、形成於該罩蓋膜上之蝕刻終止膜及形成於蝕刻終止膜上之相移膜。該相移膜含有釕(Ru)，且該蝕刻終止膜含有鉻(Cr)及鈮(Nb)。
在該蝕刻終止膜中，鈮(Nb)之含量可介於20at%至50at%之範圍內，且鉻(Cr)之含量可介於10at%至40at%之範圍內。
該蝕刻終止膜可進一步含有氮(N)。
該蝕刻終止膜中之氮(N)之含量可介於10at%至70at%之範圍內。
該蝕刻終止膜可具有15nm或更小之厚度。
該空白遮罩可進一步包括形成於該相移膜上之硬遮罩膜。
該硬遮罩膜可含有鉭(Ta)及氧(O)。
該硬遮罩膜中之鉭(Ta)之含量可高於或等於50at%。
該硬遮罩膜可進一步含有硼(B)。
該硬遮罩膜中之硼(B)之含量可小於或等於20at%。
該硬遮罩膜可具有2nm至5nm之厚度。
該硬遮罩膜可相對於具有193nm之波長之深紫外線(DUV)檢測光具有40%或更低之反射率。
根據本發明之另一實施例，提供一種使用前述空白遮罩製備之用於極紫外線(EUV)微影之光遮罩。
根據本發明之又一實施例，提供一種使用前述空白遮罩來製備用於極紫外線(EUV)微影之光遮罩之方法，該方法包括：a)在該硬遮罩膜上形成抗蝕膜圖案；b)藉由基於氟之蝕刻氣體對該硬遮罩膜進行蝕刻，同時使用該抗蝕膜圖案作為蝕刻遮罩；c)移除該抗蝕膜圖案；d)藉由含有氧氣之基於氯氣之蝕刻氣體對該相移膜進行蝕刻，同時使用該硬遮罩膜之圖案作為蝕刻遮罩；及e)藉由不含氧氣之基於氯氣之蝕刻氣體對該蝕刻終止膜進行蝕刻，同時使用該硬遮罩膜之該圖案及該相移膜之圖案作為蝕刻 遮罩。
102:基板
104:反射膜
105:罩蓋膜
107:蝕刻終止膜
107a:第一層
107b:第二層
108:相移膜
109:硬遮罩膜
110:抗蝕膜
202:基板
204:反射膜
205:罩蓋膜
207:蝕刻終止膜
208:相移膜
209:硬遮罩膜
210:抗蝕膜
上文及/或各態樣將自結合隨附圖式而對例示性實施例進行的以下描述變得顯而易見且更易於瞭解，在隨附圖式中：
圖1為展示用於極紫外線(EUV)微影之相移空白遮罩之結構的視圖；且
圖2為展示根據本發明之用於極紫外線(EUV)微影之相移空白遮罩的視圖。
在下文中，將參考隨附圖式更詳細地描述本發明。
圖2為展示根據本發明之用於極紫外線(EUV)微影之相移空白遮罩的視圖。
根據本發明之用於EUV微影之相移空白遮罩包括基板202、形成於基板202上之反射膜204、形成於反射膜204上之罩蓋膜205、形成於罩蓋膜205上之相移膜208及形成於相移膜208上之抗蝕膜210。
基板202經組態為低熱膨脹材料(LTEM)基板，其具有0±1.0×10-7/℃，較佳地0±0.3×10-7/℃範圍內之低熱膨脹係數以防止圖案由於曝光期間之熱之變形及應力，以便適合於用於使用EUV曝光光之反射空白遮罩之玻璃基板。作為基板202之材料，可使用基於SiO2-TiO2之玻璃、多成分玻璃陶瓷等。
反射膜204具有各層之折射率不同之多層結構，且用於反射EUV曝光光。特定言之，藉由交替地堆疊Mo層及Si層由40層至60層形成反射膜204。
罩蓋膜205用以防止氧化膜形成於反射膜204上以便維持反射膜204對EUV曝光光之反射率，且防止反射膜204在蝕刻終止膜207經圖案化時被蝕刻。一般而言，罩蓋膜205由含有釕(Ru)之材料製成。罩蓋膜205形成為具有2nm至5nm之厚度。當罩蓋膜205之厚度小於或等於2nm時，難以充當罩蓋膜205。當罩蓋膜205之厚度大於或等於5nm 時，降低對EUV曝光光之反射率。
相移膜208使曝光光之相位移位並反射曝光光，藉此破壞性地干擾自反射膜204反射之曝光光。相移膜208含有釕(Ru)，且因此相移膜208藉由基於氯氣(Cl2)之氣體經蝕刻。詳言之，為了確保蝕刻速率，相移膜208係藉由含有氧氣(O2)之基於氯氣(Cl2)之氣體經蝕刻。較佳地，相移膜208進一步含有氮(N)。因為氮(N)增加相移膜之折射率(n)，所以需要適當地選擇氮(N)之含量。較佳地，氮(N)之含量小於或等於40at%，且因此，相移膜208中之釕(Ru)之含量高於或等於60at%。
相移膜208相對於具有13.5nm之波長之曝光光具有相對於反射膜204之6%至15%之相對反射率。此處，相對反射率指代相移膜208之反射率與反射膜204及罩蓋膜205經堆疊之結構之反射率的比率。此外，相移膜208具有180°至220°，較佳地185°至220°之相移量。相移膜208具有50nm之厚度，較佳地，45nm或更低之厚度。
在對相移膜208進行蝕刻時，硬遮罩膜209用作蝕刻遮罩。為此目的，硬遮罩膜209係由對相移膜208具有蝕刻選擇性之材料製成。此外，根據本發明，硬遮罩膜209係用於使用深紫外線(DUV)檢測光進行檢測，且因此由具有低反射率之材料製成。
就此而言，根據本發明，硬遮罩膜209係由含有鉭(Ta)且另外含有氧(O)之材料製成，以便藉由基於氟(F)之氣體經蝕刻。在此狀況下，硬遮罩膜209中之鉭(Ta)之含量可高於或等於50at%。
硬遮罩膜209進一步含有硼(B)。硬遮罩膜209中之硼(B)之含量小於或等於20at%，較佳地15at%。硬遮罩膜209具有5nm或更小之厚度，較佳地2nm至4nm之厚度。
硬遮罩膜209相對於具有193nm之波長之DUV檢測光具有40%或更低、較佳地35%或更低之反射率。
在相移膜208經蝕刻時，蝕刻終止膜207用以保護罩蓋膜205。在對相移膜208進行蝕刻之後，對蝕刻終止膜207進行蝕刻，同時使用硬遮罩膜209之圖案及相移膜208之圖案作為蝕刻遮罩。在此狀況下， 為了防止損壞罩蓋膜205，藉由不含有氧氣(O2)之氣體對蝕刻終止膜207進行蝕刻。此外，為了防止在對蝕刻終止膜207進行蝕刻時移除硬遮罩膜209之圖案，蝕刻終止膜207需要對硬遮罩膜209具有蝕刻選擇性。因此，可藉由不含有氧氣(O2)之基於氯氣(Cl2)之氣體對蝕刻終止膜207進行蝕刻。
根據本發明，蝕刻終止膜207係由含有鉻(Cr)及鈮(Nb)之材料製成。較佳地，蝕刻終止膜207進一步含有氮(N)。在蝕刻終止膜207中，鈮(Nb)之含量可介於20at%至50at%之範圍內，鉻(Cr)之含量可介於10at%至40at%之範圍內，且氮(N)之含量可介於10at%至70at%之範圍內。當鈮(Nb)之含量小於或等於20at%時，蝕刻終止膜207之蝕刻速率降低。當鈮(Nb)之含量高於或等於50at%時，化學清潔製程之效率降低。當氮(N)之含量小於或等於10at%時，線邊緣粗糙度(LER)降低。
蝕刻終止膜207具有20nm或更小、較佳地15nm或更小之厚度。
抗蝕膜210經組態為化學增幅型抗蝕劑(CAR)。抗蝕膜210具有40nm至100nm、較佳地40nm至80nm之厚度。
在前述結構之情況下，空白遮罩具有如下優點。
硬遮罩膜209在製備光遮罩之後保留且具有低反射率，藉此相對於DUV檢測光具有高對比度。因此，硬遮罩膜209充當用於DUV檢測光之檢測膜。
因為硬遮罩膜209充當檢測膜，所以不同於如圖1中所展示移除硬遮罩膜209之狀況，不必降低相移膜208之表面反射率。因此，相移膜208可由含有釕(Ru)但不含有氧(O)之材料製成，且因此易於控制相移膜208之折射率(n)，使得可容易地實施所需相移量。圖1之組態中之RuON的相移膜108具有約0.91之高折射率，而圖2之組態中之RuN的相移膜208具有0.88至0.90之折射率。此外，相移膜208不含有氧(O)，且因此，NILS及DtC得以改良。
選擇性地，可藉由單獨的製程移除硬遮罩膜209。在此狀況下，為了使用DUV檢測光進行檢測，可另外在相移膜208中含有氧(O)。
蝕刻終止膜207之CrNb具有小於圖1之TaBN/TaBO之折射率(n)及消光係數(k)的折射率(n)及消光係數(k)。因此，NILS及DtC相比於圖1之NILS及DtC改良更多。
使用前述空白遮罩製備光遮罩之製程係如下。
首先，抗蝕膜210之圖案係藉由電子束寫入及顯影製程而形成，且接著抗蝕膜圖案用作蝕刻遮罩以對硬遮罩膜209進行蝕刻。為了對硬遮罩膜209進行蝕刻，使用基於氟(F)之蝕刻氣體。
移除抗蝕膜圖案，且硬遮罩膜209之圖案用作蝕刻遮罩以對相移膜208進行蝕刻。為了對相移膜208進行蝕刻，使用含有氧氣(O2)之基於氯氣(Cl2)之蝕刻氣體。
硬遮罩膜209之圖案及相移膜208之圖案用作蝕刻遮罩以對蝕刻終止膜207進行蝕刻。為了對蝕刻終止膜207進行蝕刻，使用不含有氧氣(O2)之基於氯氣(Cl2)之氣體。特定言之，藉由含有氧氣(O2)之基於氯氣(Cl2)之氣體對相移膜208進行蝕刻之端點係藉由端點偵測(EPD)設備來檢查，且接著藉由不含有氧氣(O2)之基於氯氣(Cl2)之氣體對蝕刻終止膜207進行蝕刻。因此，完成光遮罩。
因為基於氯氣(Cl2)之蝕刻氣體係用於對相移膜208及蝕刻終止膜207兩者進行蝕刻，所以硬遮罩膜209之圖案未經蝕刻而是保留在光遮罩中。
在此製程中，用於蝕刻終止膜之圖案化係藉由一個蝕刻製程執行。因此，該製程相較於使用圖1之空白遮罩之製程得以簡化。
根據本發明，有可能實施該等特性，亦即在晶圓印刷期間用於EUV之相移空白遮罩所需的高解析度及NILS，且實施低DtC。
此外，根據本發明，具有含有釕(Ru)之相移膜之空白遮罩相比於習知的空白遮罩包括更少薄膜，且具有對DUV光之高檢測靈敏度。
儘管上文已參考隨附圖式經由本發明之幾個實施例描述本 發明之細節，但實施例僅出於說明性及描述性目的而非解釋為限制隨附申請專利範圍中經界定之本發明之範疇。一般熟習此項技術者應瞭解，各種改變及其他等效實施例可由此等實施例製成。因此，本發明之範疇應由隨附申請專利範圍之技術主題界定。
102:基板
204:反射膜
205:罩蓋膜
207:蝕刻終止膜
208:相移膜
209:硬遮罩膜
210:抗蝕膜

Claims (14)

  1. 一種用於極紫外線(EUV)微影之空白遮罩，其包含一基板、形成於該基板上之一反射膜、形成於該反射膜上之一罩蓋膜、形成於該罩蓋膜上之一蝕刻終止膜，及形成於該蝕刻終止膜上之一相移膜，
    該相移膜含有釕(Ru)，且
    該蝕刻終止膜含有鉻(Cr)及鈮(Nb)。
  2. 如請求項1之空白遮罩，其中，在該蝕刻終止膜中，鈮(Nb)之含量介於20at%至50at%之範圍內，且鉻(Cr)之含量介於10at%至40at%之範圍內。
  3. 如請求項3之空白遮罩，其中該蝕刻終止膜進一步含有氮(N)。
  4. 如請求項3之空白遮罩，其中該蝕刻終止膜中之氮(N)之含量介於10at%至70at%之範圍內。
  5. 如請求項4之空白遮罩，其中該蝕刻終止膜具有15nm或更小之一厚度。
  6. 如請求項1至5中任一項之空白遮罩，其進一步包含形成於該相移膜上之一硬遮罩膜。
  7. 如請求項6之空白遮罩，其中該硬遮罩膜含有鉭(Ta)及氧(O)。
  8. 如請求項7之空白遮罩，其中該硬遮罩膜中之鉭(Ta)之含量高於或等於50at%。
  9. 如請求項8之空白遮罩，其中該硬遮罩膜進一步含有硼(B)。
  10. 如請求項9之空白遮罩，其中該硬遮罩膜中之硼(B)之含量小於或等於20at%。
  11. 如請求項10之空白遮罩，其中該硬遮罩膜具有2nm至5nm之一厚度。
  12. 如請求項10之空白遮罩，其中該硬遮罩膜相對於具有193nm之一波長之深紫外線(DUV)檢測光具有40%或更低之一反射率。
  13. 一種用於極紫外線(EUV)微影之光遮罩，其使用如請求項1之空白遮罩製備。
  14. 一種使用如請求項7之空白遮罩來製備用於極紫外線(EUV)微影之一光遮罩的方法，該方法包含：
    a)在該硬遮罩膜上形成一抗蝕膜圖案；
    b)藉由基於氟之蝕刻氣體對該硬遮罩膜進行蝕刻，同時使用該抗蝕膜圖案作為一蝕刻遮罩；
    c)移除該抗蝕膜圖案；
    d)藉由含有氧氣之基於氯氣之蝕刻氣體對該相移膜進行蝕刻，同時使用該硬遮罩膜之一圖案作為一蝕刻遮罩；及
    e)藉由不含氧氣之基於氯氣之蝕刻氣體對該蝕刻終止膜進行蝕刻，同時使用該硬遮罩膜之該圖案及該相移膜之一圖案作為蝕刻遮罩。
TW112102747A 2022-10-13 2023-01-19 用於ｅｕｖ微影之相移空白遮罩及光遮罩 TW202416045A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220131244A KR20240051503A (ko) 2022-10-13 2022-10-13 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크
KR10-2022-0131244 2022-10-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202416045A true TW202416045A (zh) 2024-04-16

Family

ID=90627459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112102747A TW202416045A (zh) 2022-10-13 2023-01-19 用於ｅｕｖ微影之相移空白遮罩及光遮罩

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240126163A1 (zh)
JP (1) JP7475106B1 (zh)
KR (1) KR20240051503A (zh)
CN (1) CN117891122A (zh)
TW (1) TW202416045A (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8367279B2 (en) 2008-03-31 2013-02-05 Hoya Corporation Reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing the same
TWI409580B (zh) 2008-06-27 2013-09-21 S&S Tech Co Ltd 空白光罩、光罩及其製造方法
TW202349105A (zh) 2018-05-25 2023-12-16 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 反射型光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法
US20220121102A1 (en) 2019-02-28 2022-04-21 Hoya Corporation Reflective mask blank, reflective mask, method for producing same, and method for producing semiconductor device
US11940725B2 (en) 2021-01-27 2024-03-26 S&S Tech Co., Ltd. Phase shift blankmask and photomask for EUV lithography
JP7295215B2 (ja) 2021-02-25 2023-06-20 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 極紫外線リソグラフィ用位相反転ブランクマスク及びフォトマスク

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024062322A (ja) 2024-05-09
KR20240051503A (ko) 2024-04-22
CN117891122A (zh) 2024-04-16
US20240126163A1 (en) 2024-04-18
JP7475106B1 (ja) 2024-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7502510B2 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
JP5974321B2 (ja) 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法
JP6087401B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP4946296B2 (ja) 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法
JP6058757B1 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
JP6271780B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
CN111344633B (zh) 掩模坯料、相移掩模及制造方法、半导体器件的制造方法
KR20130034624A (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
KR20100038276A (ko) 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법과 반사형 마스크의 제조 방법
TWI838682B (zh) 用於ｅｕｖ微影之相移空白罩幕及光罩幕
WO2019230313A1 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP6490786B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
KR20100038275A (ko) 반사형 마스크의 제조 방법
CN115244459A (zh) 掩模坯料及转印用掩模的制造方法
WO2019230312A1 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
US11360377B2 (en) Half-tone attenuated phase shift blankmask and photomask for EUV lithography
TW202416045A (zh) 用於ｅｕｖ微影之相移空白遮罩及光遮罩
KR20220108686A (ko) 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크
JP7507943B1 (ja) 極端紫外線リソグラフィー用位相反転ブランクマスク及びフォトマスク
WO2022201816A1 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法
JP6720360B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
KR20230031473A (ko) 크롬 및 니오븀을 함유한 하드마스크막을 구비한 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크 및 포토마스크
TW202416047A (zh) 用於ｅｕｖ微影之相移空白遮罩及光罩
KR20230123181A (ko) 텔루륨과 안티몬을 포함하는 흡수막을 구비한 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크 및 이를 이용하여 제작된 포토마스크
KR20220121400A (ko) 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크