JP2024080424A - シリコン基板用研磨液組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】一態様において、保存安定性に優れるシリコン基板用研磨液組成物及びその濃縮物を提供する。【解決手段】本開示は、一態様において、下記成分Ａ、下記成分Ｂ、成分Ｃ及び下記成分Ｄを含有する、シリコン基板用研磨液組成物及びその濃縮物に関する。成分Ａ：シリカ粒子成分Ｂ：含窒素塩基性化合物成分Ｃ：カチオン性界面活性剤成分Ｄ：ノニオン性界面活性剤【選択図】なし

Description

本開示は、シリコン基板用研磨液組成物及びその濃縮物、並びにこれを用いた研磨方法、半導体基板の製造方法に関する。

近年、半導体メモリの高記録容量化に対する要求の高まりから半導体装置のデザインルールは微細化が進んでいる。このため半導体装置の製造過程で行われるフォトリソグラフィーにおいて焦点深度は浅くなり、シリコン基板（ベアウェーハ）の表面粗さ（ヘイズ）の低減に対する要求はますます厳しくなっている。

シリコン基板の品質を向上する目的で、シリコン基板の研磨は多段階で行われている。特に研磨の最終段階で行われる仕上げ研磨は、ヘイズの低減を目的として行われている。

例えば、特許文献１には、シリカ等の研磨剤、アンモニア等の塩基性成分、炭素数６以上の第4級アンモニウム塩等の化合物、及び、水性キャリヤ－を含有する、化学機械研磨組成物が提案されている。
特許文献２には、シリカ粒子と、第４級アンモニウム化合物、水溶性高分子とを含み、前記第４級アンモニウム化合物の第４級アンモニウム基の炭素数が１０以上２２以下であり、第４級アンモニウム化合物のＮ⁺総モル数ｂとシリカ粒子のシラノール基の総モル数ａとの比率ｂ／ａが０.００５以上２．００以下である、シリコンウェーハ用研磨液組成物が提案されている。

特開２０２０－２０３９８０号公報 特開２０１８－１０７２６３号公報

通常、研磨液組成物は濃縮物の状態で保管、輸送されるものである。しかし、特許文献１～２のように、研磨液組成物中に第４級アンモニウム化合物（カチオン性化合物）が含まれていると、シリカ濃度の高い研磨液組成物又はその濃縮物ではシリカ粒子が凝集しやすいという問題がある。そのため、シリカ濃度の高い研磨液組成物又はシリカ濃度の高い濃縮物には保存安定性が要求される。

そこで、本開示は、保存安定性に優れるシリコン基板用研磨液組成物及びその濃縮物、並びに、これを用いた研磨方法、及び半導体基板の製造方法を提供する。

本開示は、一態様において、下記成分Ａ、下記成分Ｂ、下記成分Ｃ及び下記成分Ｄを含有する、シリコン基板用研磨液組成物に関する。
成分Ａ：シリカ粒子
成分Ｂ：含窒素塩基性化合物
成分Ｃ：カチオン性界面活性剤
成分Ｄ：ノニオン性界面活性剤

本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物の濃縮物に関する。

本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物の濃縮物を希釈する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。

本開示は、一態様において、少なくともシリカ粒子（成分Ａ）、含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）、カチオン性界面活性剤（成分Ｃ）及びノニオン性界面活性剤（成分Ｄ）を配合する工程を含む、研磨液組成物の濃縮物の製造方法に関する。

本開示は、一態様において、下記成分Ｃ及び下記成分Ｄを含む、シリコン基板研磨用添加剤組成物に関する。
成分Ｃ：カチオン性界面活性剤
成分Ｄ：ノニオン性界面活性剤

本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程を含む、シリコン基板の研磨方法に関する。

本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程と、研磨されたシリコン基板を洗浄する工程と、を含む、半導体基板の製造方法に関する。

本開示によれば、保存安定性に優れる研磨液組成物及びその濃縮物、並びに、これを用いた研磨方法、及び半導体基板の製造方法を提供できる。

本開示は、シリカ粒子及び含窒素塩基性化合物を含む研磨液組成物に、カチオン性界面活性剤及びノニオン性界面活性剤を含有させることにより、研磨液組成物及びその濃縮物の保存安定性を向上できるという知見に基づく。

すなわち、本開示は、一態様において、下記成分Ａ、下記成分Ｂ、下記成分Ｃ及び下記成分Ｄを含有する、シリコン基板用研磨液組成物（以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう）に関する。
成分Ａ：シリカ粒子
成分Ｂ：含窒素塩基性化合物
成分Ｃ：カチオン性界面活性剤
成分Ｄ：ノニオン性界面活性剤

本開示によれば、一又は複数の実施形態において、保存安定性に優れる研磨液組成物及びその濃縮物を提供できる。

本開示の効果発現機構の詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
アルカリ条件下でシリカ粒子（成分Ａ）はマイナスに帯電しており、プラスに帯電しているカチオン性界面活性剤（成分Ｂ）はアルキル鎖を外側（液側）に向けてシリカ粒子へ吸着する。そしてアルキル鎖の疎水性相互作用によってシリカ粒子同士が吸着し凝集する。エチレンオキサイド基の様な親水基を有するノニオン性界面活性剤（成分Ｄ）は、弱い疎水性相互作用を形成するため、このカチオン性界面活性剤（成分Ｂ）同士の疎水性相互作用を弱めるため、シリカ粒子の凝集を抑制し保存安定性を改善したと推定している。
ただし、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。

［シリカ粒子（成分Ａ）］
本開示の研磨液組成物は、研磨材としてシリカ粒子（以下、「成分Ａ」ともいう）を含有する。成分Ａとしては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、粉砕シリカ、及びそれらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、コロイダルシリカが好ましい。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

成分Ａの使用形態としては、操作性の観点から、スラリー状が好ましい。本開示の研磨液組成物に含まれる成分Ａがコロイダルシリカである場合、アルカリ金属やアルカリ土類金属等によるシリコン基板の汚染を防止する観点から、コロイダルシリカは、アルコキシシランの加水分解物から得たものであることが好ましい。アルコキシシランの加水分解物から得られるシリカ粒子は、従来から公知の方法によって作製できる。

成分Ａの平均一次粒子径は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、１０ｎｍ以上が好ましく、１５ｎｍ以上がより好ましく、２０ｎｍ以上が更に好ましく、２５ｎｍ以上が更に好ましく、そして、１５０ｎｍ以下が好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましく、３５ｎｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ａの平均一次粒子径は、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下がより好ましく、１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下が更に好ましく、２０ｎｍ以上３５ｎｍ以下が更に好ましく、２５ｎｍ以上３５ｎｍ以下が更に好ましい。

本開示において、成分Ａの平均一次粒子径は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ²／ｇ）を用いて算出される。比表面積は、例えば、実施例に記載の方法により測定できる。

成分Ａの平均二次粒子径は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、２０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましく、４０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、８０ｎｍ以下が好ましく、７５ｎｍ以下がより好ましく、７０ｎｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ａの平均二次粒子径は、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上７５ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において、平均二次粒子径は、動的光散乱（ＤＬＳ）法によって測定される値であり、例えば、実施例に記載の装置を用いて測定できる。

成分Ａの会合度は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、３以下が好ましく、２．５以下がより好ましく、２．３以下が更に好ましく、そして、１．１以上が好ましく、１．５以上がより好ましく、１．８以上が更に好ましい。

本開示において、成分Ａの会合度とは、シリカ粒子の形状を表す係数であり、下記式により算出される。
会合度＝平均二次粒子径／平均一次粒子径

成分Ａの会合度の調整方法としては、例えば、特開平６－２５４３８３号公報、特開平１１－２１４３３８号公報、特開平１１－６０２３２号公報、特開２００５－０６０２１７号公報、特開２００５－０６０２１９号公報等に記載の方法を採用することができる。

成分Ａの形状は、いわゆる球型及び／又はいわゆるマユ型であることが好ましい。

本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、研磨速度向上及び表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、ＳｉＯ₂換算で、０．００１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．０９質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．２質量％以下が好ましく、０．１５質量％以下がより好ましく、０．１１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、ＳｉＯ₂換算で、０．００１質量％以上０．２質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上０．１５質量％以下がより好ましく、０．０９質量％以上０．１１質量％以下が更に好ましい。成分Ａが２種以上の組合せの場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）］
本開示の研磨液組成物は、含窒素塩基性化合物（以下、「成分Ｂ」ともいう）を含有する。成分Ｂとしては、研磨速度向上の観点から、水溶性の含窒素塩基性化合物であることが好ましい。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。本開示において、「水溶性の含窒素塩基性」とは、水に溶解したときに塩基性を示す含窒素化合物をいう。成分Ｂは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

成分Ｂとしては、一又は複数の実施形態において、アミン化合物及びアンモニウム化合物から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。成分Ｂとしては、例えば、アンモニア、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、ジメチルアミン、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ一メチルエタノールアミン、Ｎ－メチル－Ｎ，Ｎ一ジエタノ－ルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジブチルエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノ－ルアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン・六水和物、無水ピペラジン、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、ジエチレントリアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、及びヒドロキシアミンから選ばれる１種又は２種以上の組合せが挙げられる。なかでも、研磨速度向上及び表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、成分Ｂとしては、アンモニア、又は、アンモニアとヒドロキシアミンの混合物が好ましく、アンモニアがより好ましい。

本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、研磨速度向上及び表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、０．０００５質量％以上が好ましく、０．００１質量％以上がより好ましく、０．００２質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．０５質量％以下が好ましく、０．０３質量％以下がより好ましく、０．０１質量％以下が更に好ましく、０．００６質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、０．０００５質量％以上０．０５質量％以下が好ましく、０．００１質量％以上０．０３質量％以下がより好ましく、０．００２質量％以上０．０１質量％以下が更に好ましく、０．００２質量％以上０．００５質量％以下が更に好ましい。成分Ｂが２種以上の組合せの場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量をいう。

本開示の研磨液組成物中における成分Ａの含有量に対する成分Ｂの含有量の比Ｂ／Ａ（質量比Ｂ／Ａ）は、研磨速度向上及び表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、０．００２以上が好ましく、０．０１以上がより好ましく、０．０２５以上が更に好ましく、そして、１以下が好ましく、０．５以下がより好ましく、０．１以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中における質量比Ｂ／Ａは、０．００２以上１以下が好ましく、０．０１以上０．５以下がより好ましく、０．０２５以上０．１以下が更に好ましい。

［カチオン性界面活性剤（成分Ｃ）］
本開示の研磨液組成物は、カチオン性界面活性剤（以下、「成分Ｃ」ともいう）を含有する。成分Ｃとしては、一又は複数の実施形態において、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級アンモニウム又はその塩（以下、「成分Ｃ１」ともいう）、及び、分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級ホスホニウム又はその塩（以下、「成分Ｃ２」ともいう）の少なくとも一方であることが好ましく、分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級アンモニウム又はその塩（成分Ｃ１）がより好ましい。
本開示において、「分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級アンモニウム」とは、一又は複数の実施形態において、少なくとも１つの炭素数１０以上１８以下のアルキル基が、窒素原子に結合していることを意味する。本開示において、「分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級ホスホニウム」とは、一又は複数の実施形態において、少なくとも１つの炭素数１０以上１８以下のアルキル基が、リン原子に結合していることを意味する。前記アルキル基の炭素数は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、１０以上が好ましく、１２以上が更に好ましく、そして、１８以下が好ましく、１６以下がより好ましい。同様の観点から、前記アルキル基の炭素数は、１０以上１８以下が好ましく、１２以上１８以下が更に好ましく、１２以上１６以下が更に好ましい。分子内に含まれる炭素数１０以上１８以下のアルキル基の数は、成分Ｃ１の場合、１以上、２以上、３以上又は４が挙げられ、好ましくは２又は３、より好ましくは２である。成分Ｃ２の場合、１以上、２以上、３以上又は４が挙げられ、好ましくは１又は２である。
成分Ｃは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

成分Ｃは、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、分子内の炭素数の合計が２２以上が好ましく、２４以上がより好ましく、２６以上が更に好ましく、そして、３８以下が好ましく、３４以下がより好ましく、３２以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ｃは、分子内の炭素数の合計が２２以上３８以下であることが好ましく、より好ましくは２４以上３８以下、更に好ましくは２６以上３８以下、更に好ましくは２６以上３４以下、更に好ましくは２６以上３２以下である。

成分Ｃは、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）又は下記式（ＩＩ）で表される構成を有する化合物であることが好ましい。

前記式（Ｉ）中、Ｒ¹は同一又は異なって、炭素数１０以上１８以下のアルキル基を示し、Ｒ²は同一又は異なって、炭素数１以上６以下の炭化水素基又は－（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_nＨ（但し、ｎは１～３である）であり、Ｚはリン原子であり、Ｘ^-は対イオンである。
前記式（ＩＩ）中、Ｒ¹は同一又は異なって、炭素数１０以上１８以下のアルキル基を示し、Ｒ²は同一又は異なって、炭素数１以上６以下の炭化水素基又は－（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_nＨ（但し、ｎは１～３である）であり、Ｚは窒素原子又はリン原子であり、Ｘ^-は対イオンである。
前記式（Ｉ）及び（ＩＩ）において、Ｒ²は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、炭素数１以上６以下の炭化水素基が好ましい。前記対イオンとしては、例えば、塩化物イオン（Ｃｌ^-）、炭酸水素イオン（ＨＣＯ₃ ^-）等が挙げられる。

成分Ｃ１としては、一又は複数の実施形態において、ヘキサデシルトリメチルアンモニウム塩、及び、ジアルキルジメチルアンモニウム塩（炭素数１２～１８の混成品）から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
成分Ｃ２としては、一又は複数の実施形態において、アルキル（炭素数１２～１８の混成品）トリヘキシルホスホニウム塩、ヘキサデシルトリブチルホスホニウム塩、及びトリヘキシルテトラデシルホスホニウム塩から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。

本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００２質量％以上がより好ましく、０．００３質量％以上が更に好ましく、そして、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、０．００５質量％以下が好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、０．００１質量％以上０．００５質量％以下が好ましく、０．００２質量％以上０．００５質量％以下がより好ましく、０．００３質量％以上０．００５質量％以下が更に好ましい。成分Ｃが２種以上の組合せの場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。

本開示の研磨液組成物中における成分Ａの含有量に対する成分Ｃの含有量の比Ｃ／Ａ（質量比Ｃ／Ａ）は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、０．００５以上が好ましく、０．０１０以上がより好ましく、０．０１５以上が更に好ましく、そして、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、０．０６０以下が好ましく、０．０５０以下がより好ましく、０．０４０以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中における質量比Ｃ／Ａは、０．００５以上０．０６０以下が好ましく、０．０１０以上０．０５０以下がより好ましく、０．０１０以上０．０４０以下が更に好ましい。

［ノニオン性界面活性剤（成分Ｄ）］
本開示の研磨液組成物は、ノニオン性界面活性剤（以下、「成分Ｄ」ともいう）を含有する。成分Ｄは、一又は複数の実施形態において、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、ポリオキシエチレンアルキルエーテルであることが好ましい。
前記ポリオキシエチレンアルキルエーテルのアルキル基としては、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、好ましくは炭素数８以上２２以下の炭化水素基、より好ましくは炭素数８以上１８以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基である。前記アルキル基の炭素数は、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、好ましくは８以上、より好ましくは１０以上、更に好ましくは１２以上であり、そして、同様の観点から、好ましくは２２以下、より好ましくは１８以下、更に好ましくは１６以下である。前記アルキル基としては、例えば、オクチル基、２－エチルヘキシル基、デシル基、イソデシル基、２－プロピルヘプチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、及び２－オクチルドデシル基から選ばれる少なくも１種が挙げられる。
前記ポリオキシエチレンアルキルエーテルのエチレンオキシ基の平均付加モル数は、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、好ましくは３以上、より好ましくは４以上、更に好ましくは５以上であり、そして、同様の観点から、好ましくは１２以下、より好ましくは１０以下、更に好ましくは８以下である。より具体的には、前記ポリオキシエチレンアルキルエーテルのエチレンオキシ基の平均付加モル数は、好ましくは３以上１２以下、より好ましくは４以上１２以下、更に好ましくは５以上８以下である。
成分Ｄは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

成分Ｄとしては、例えば、ポリオキシエチレン（５）ドデシルエーテル、ポリオキシエチレン（６）ドデシルエーテル、ポリオキシエチレン（１２）ドデシルエーテル、ポリオキシエチレン（５）分岐アルキル（炭素数１１～１５の混成品）エーテル、及びポリオキシエチレン（９）分岐アルキル（炭素数１１～１５の混成品）から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。（ ）内の数値は平均付加モル数を示す。

本開示の研磨液組成物中の成分Ｄの含有量は、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．０２質量％以上がより好ましく、０．０４質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．１５質量％以下が好ましく、０．１２質量％以下がより好ましく、０．１０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ｄの含有量は、０．０１質量％以上０．１５質量％以下が好ましく、０．０２質量％以上０．１５質量％以下がより好ましく、０．０３質量％以上０．１２質量％以下が更に好ましい。成分Ｄが２種以上の組合せの場合、成分Ｄの含有量はそれらの合計含有量をいう。

本開示の研磨液組成物中における、成分Ａの含有量に対する成分Ｄの含有量の質量比Ｄ／Ａは、研磨速度向上並びに研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、０．２以上が好ましく、０．３以上がより好ましく、０．４以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１．２以下が好ましく、１．１以下がより好ましく、１．０以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中における質量比Ｄ／Ａは、０．２以上１．２以下が好ましく、０．３以上１．１以下がより好ましく、０．４以上１．０以下が更に好ましい。

本開示の研磨液組成物中における、成分Ｂの含有量に対する成分Ｄの含有量の質量比Ｄ／Ｂは、研磨速度向上並びに研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、１０以上が好ましく、１３以上がより好ましく、１６以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、４５以下が好ましく、４０以下がより好ましく、３５以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中における質量比Ｄ／Ｂは、１０以上４５以下が好ましく、１３以上４５以下がより好ましく、１６以上３５以下が更に好ましい。

本開示の研磨液組成物中における、成分Ｃの含有量に対する成分Ｄの含有量の質量比Ｄ／Ｃは、表面粗さ（ヘイズ）低減並びに研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、５以上が好ましく、１０以上がより好ましく、２０以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、７０以下が好ましく、６０以下がより好ましく、５０以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中における質量比Ｄ／Ｃは、５以上７０以下が好ましく、１０以上６０以下がより好ましく、２０以上５０以下が更に好ましい。

［水］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、水を含んでいてもよい。水としては、例えば、イオン交換水や超純水等の水が挙げられ、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、超純水が好ましい。本開示の研磨液組成物中の水の含有量は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ及び後述するその他の成分の残余とすることができる。

［水溶性高分子（成分Ｅ）］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、濡れ性付与と表面粗さ（ヘイズ）低減とを両立する観点から、ヒドロキシアルキルセルロース、ポリグリセリン、及び、窒素含有基を含む水溶性高分子から選ばれる少なくとも１種の水溶性高分子（以下、「成分Ｅ」ともいう）をさらに含んでもよい。成分Ｅは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。
前記ヒドロキシアルキルセルロースとしては、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルセルロース、及びヒドロキシブチルセルロースから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
前記窒素含有基を含む水溶性高分子は、濡れ性付与と表面粗さ（ヘイズ）低減とを両立する観点から、アリルアミン又はジアリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子が好ましく、例えば、アリルアミン重合体、アリルアミン塩酸塩重合体、アリルアミン塩酸塩・二酸化硫黄共重合体、ジアリルアミン重合体、ジアリルアミン塩酸塩重合体、ジアリルアミン塩酸塩・二酸化硫黄共重合体、アリルアミン酢酸塩・ジアリルアミン酢酸塩共重合体、アリルアミン塩酸塩・ジメチルアリルアミン塩酸塩共重合体、メチルジアリルアミン重合体、メチルジアリルアミン塩酸塩重合体、メチルジアリルアミン塩酸塩／二酸化硫黄共重合体、メチルジアリルアミン／二酸化硫黄共重合体、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド重合体、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・二酸化硫黄共重合体、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体、ジアリルアミンアミド硫酸塩・マレイン酸共重合体、メチルジアリルアミン・マレイン酸共重合体、ジアリルジメチルアンモニウムクロリドマレイン酸共重合体、及びマレイン酸・ジアリルジメチルアンモニウムエチルサルフェイト・二酸化硫黄共重合体から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
これらのなかでも、成分Ｅは、濡れ性付与と表面粗さ（ヘイズ）低減とを両立する観点から、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ポリグリセリン、及びメチルジアリルアミン／二酸化硫黄共重合体から選ばれる少なくとも１種が好ましい。

成分Ｅがヒドロキシアルキルセルロースである場合、成分Ｅの重量平均分子量は、濡れ性付与と表面粗さ（ヘイズ）低減とを両立する観点から、５万以上が好ましく、１０万以上がより好ましく、１５万以上が更に好ましく、そして、５０万以下が好ましく、４０万以下がより好ましく、３０万以下が更に好ましい。
成分Ｅがポリグリセリンである場合、成分Ｅの重量平均分子量は、同様の観点から、２，０００以上が好ましく、２，５００以上がより好ましく、２，８００以上が更に好ましく、そして、１０，０００以下が好ましく、８，０００以下がより好ましく、６，０００以下が更に好ましい。
成分Ｅが窒素含有基を含む水溶性高分子である場合、成分Ｅの重量平均分子量は、同様の観点から、８００以上が好ましく、１，０００以上がより好ましく、２，０００以上が更に好ましく、そして、２０万以下が好ましく、１０万以下がより好ましく、６万以下が更に好ましい。
成分Ｅの重量平均分子量は後の実施例に記載の方法により測定できる。

本開示の研磨液組成物が成分Ｅを含む場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｅの含有量は、濡れ性付与と表面粗さ（ヘイズ）低減とを両立する観点から、０．００４質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、０．００６質量％以上が更に好ましく、そして、０．０２質量％以下が好ましく、０．０１質量％以下がより好ましく、０．００８質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ｅの含有量は、０．００４質量％０．０２質量％以下が好ましく、０．００５質量％以上０．０２質量％以下がより好ましく、０．００６質量％以上０．０１質量％以下が更に好ましく、０．００６質量％以上０．００８質量％以下が更に好ましい。成分Ｅが２種以上の組合せの場合、成分Ｅの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［ポリエチレングリコール（成分Ｆ）］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、ポリエチレングリコール（以下、「成分Ｆ」ともいう）をさらに含んでもよい。

成分Ｆの重量平均分子量は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、６００以上が好ましく、８００以上がより好ましく、１０００以上が更に好ましく、そして、濡れ性付与の観点から、１０，０００未満が好ましく、８，０００以下がより好ましく、６，０００以下が更に好ましい。濡れ性付与の観点から、成分Ｆの重量平均分子量は、６００以上１０，０００未満が好ましく、８００以上８，０００以下が好ましく、１，０００以上６，０００以下が更に好ましい。成分Ｆは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

本開示の研磨液組成物が成分Ｆを含む場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｆの含有量は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００１５質量％以上がより好ましく、０．００２質量％以上が更に好ましく、そして、濡れ性付与の観点から、０．０１質量％以下が好ましく、０．００５質量％以下がより好ましく、０．００３質量％以下が更に好ましい。本開示の研磨液組成物中の成分Ｆの含有量は、表面粗さ（ヘイズ）低減と濡れ性付与との両立の観点から、０．００１質量％以上０．０１質量％以下が好ましく、０．００１５質量％以上０．００５質量％以下がより好ましく、０．００２質量％以上０．００３質量％以下が更に好ましい。成分Ｆが２種以上の組合せの場合、成分Ｆの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［その他の成分］
本開示の研磨液組成物は、本開示の効果が妨げられない範囲で、その他の成分をさらに含んでもよい。その他の成分としては、一又は複数の実施形態において、成分Ｂ以外のｐＨ調整剤、成分Ｃ及び成分Ｄ以外の界面活性剤、成分Ｅ及び成分Ｆ以外の水溶性高分子、防腐剤、アルコール類、キレート剤、及び酸化剤から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。

本開示の研磨液組成物のｐＨは、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、９以上が好ましく、９．５以上がより好ましく、１０以上が更に好ましく、そして、１２以下が好ましく、１１．５以下がより好ましく、１１以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物のｐＨは、９以上１２以下が好ましく、９．５以上１１．５以下がより好ましく、１０以上１１以下が更に好ましい。本開示の研磨液組成物のｐＨは、成分Ｂや公知のｐＨ調整剤を用いて調整できる。本開示において、上記ｐＨは、２５℃における研磨液組成物の値であり、ｐＨメータを用いて測定できる。上記ｐＨは、例えば、実施例に記載する方法で測定した値とすることができる。

本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃと、成分Ｄと、さらに所望により任意成分（成分Ｅ、成分Ｆ、その他の成分）とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄを配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ及び必要に応じて任意成分（成分Ｅ、成分Ｆ、その他の成分）を同時に又は任意の順に混合することを含む。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミル、又はビーズミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。上記本開示の研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。

本開示において、「研磨液組成物中の各成分の含有量」は、使用時、すなわち、研磨液組成物の研磨への使用を開始する時点における各成分の含有量をいう。

［研磨液組成物の濃縮物］
本開示の研磨液組成物は、貯蔵及び輸送の観点から、濃縮物として製造され、使用時に希釈されてもよい。濃縮倍率としては、製造及び輸送コストの観点、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、体積基準で、好ましくは２倍以上であり、より好ましくは１０倍以上、更に好ましくは３０倍以上、更に好ましくは５０倍以上であり、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、好ましくは１８０倍以下であり、より好ましくは１４０倍以下、更に好ましくは１００倍以下、更に好ましくは７０倍以下である。
本開示の研磨液組成物の濃縮物は、使用時に各成分の含有量が、上述した含有量（すなわち、使用時の含有量）となるように水で希釈して使用することができる。本開示において研磨液組成物の濃縮物の「使用時」とは、研磨液組成物の濃縮物が希釈された状態をいう。
本開示は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物の濃縮物に関する。
本開示は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物の濃縮物を希釈する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。前記希釈する工程は、一又は複数の実施形態において、前記濃縮物を体積基準で２倍以上１８０倍以下に希釈することを含む。
本開示は、一又は複数の実施形態において、少なくともシリカ粒子（成分Ａ）、含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）、カチオン性界面活性剤（成分Ｃ）及びノニオン性界面活性剤（成分Ｄ）を配合する工程を含む、本開示の研磨液組成物の濃縮物の製造方法に関する。
本開示の研磨液組成物が濃縮物である場合、本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ａの含有量は、研磨速度向上及び表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、ＳｉＯ₂換算で、０．１質量％以上が好ましく、５．０質量％以上がより好ましく、９．０質量％以上が更に好ましく、そして、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、２０．０質量％以下が好ましく、１５．０質量％以下がより好ましく、１１．０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ａの含有量は、ＳｉＯ₂換算で、０．１質量％以上２０．０質量％以下が好ましく、５．０質量％以上１５．０質量％以下がより好ましく、９．０質量％以上１１．０質量％以下が更に好ましい
成分Ｄの有無での濃縮物の安定性に差がでる本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ａの含有量としては、一又は複数の実施形態において、０．１質量％以上、５．０質量％以上、又は９．０質量％以上が挙げられる。
本開示の研磨液組成物が濃縮物である場合、本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ｂの含有量は、研磨速度向上の観点から、０．０５質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．２質量％以上が更に好ましく、そして、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、５．０質量％以下が好ましく、３．０質量％以下がより好ましく、１．０質量％以下が更に好ましく、０．６質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ｂの含有量は、０．０５質量％以上５．０質量％以下が好ましく、０．１質量％以上３．０質量％以下がより好ましく、０．２質量％以上１．０質量％以下が更に好ましく、０．２質量％以上０．５質量％以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物が濃縮物である場合、本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ｃの含有量は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、０．１質量％以上が好ましく、０．２質量％以上がより好ましく、０．３質量％以上が更に好ましく、そして、研磨液及び濃縮物の保存安定性の観点から、０．５質量％以下が好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ｃの含有量は、０．１質量％以上０．５質量％以下が好ましく、０．２質量％以上０．５質量％以下がより好ましく、０．３質量％以上０．５質量％以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物が濃縮物である場合、本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ｄの含有量は、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、１質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、４質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１５質量％以下が好ましく、１２質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ｄの含有量は、１質量％以上１５質量％以下が好ましく、２質量％以上１２質量％以下がより好ましく、４質量％以上１０質量％以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物が濃縮物である場合、本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ｅの含有量は、濡れ性付与と表面粗さ（ヘイズ）低減とを両立する観点から、０．４質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、０．６質量％以上が更に好ましく、そして、２．０質量％以下が好ましく、１．０質量％以下がより好ましく、０．８質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ｅの含有量は、０．４質量％以上２．０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上２．０質量％以下がより好ましく、０．６質量％以上1．０質量％以下が更に好ましく、０．６質量％以上０．８質量％以下がより更に好ましい。
本開示の研磨液組成物が濃縮物である場合、本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ｆの含有量は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、０．１０質量％以上が好ましく、０．１５質量％以上がより好ましく、０．２０質量％以上が更に好ましく、そして、濡れ性付与の観点から、１．００質量％以下が好ましく、０．５０質量％以下がより好ましく、０．３０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物の濃縮物中の成分Ｆの含有量は、表面粗さ（ヘイズ）低減と濡れ性付与との両立の観点から、０．１０質量％以上１．００質量％以下が好ましく、０．１５質量％以上１．００質量％以下がより好ましく、０．２０質量％以上０．５０質量％以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物が濃縮物である場合、本開示の研磨液組成物の濃縮物のｐＨは、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、９以上が好ましく、９．５以上が更に好ましく、１０以上が更に好ましく、そして、１２以下が好ましく、１１．５以下がより好ましく、１１以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物の濃縮物のｐＨは、９以上１２以下が好ましく、９．５以上１１．５以下がより好ましく、１０以上１１以下が更に好ましい。本開示において、上記ｐＨは、２５℃における研磨液組成物の濃縮物の値であり、ｐＨメータを用いて測定できる。上記ｐＨは、例えば、実施例に記載する方法で測定した値とすることができる。

［被研磨シリコン基板］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、シリコン基板用研磨組成物であり、例えば、半導体基板の製造方法における、被研磨シリコン基板を研磨する研磨工程や、シリコン基板の研磨方法における、被研磨シリコン基板を研磨する研磨工程に用いられうる。本開示の研磨液組成物を用いて研磨される被研磨シリコン基板としては、一又は複数の実施形態において、シリコン基板等が挙げられ、一又は複数の実施形態において、単結晶シリコン基板又はポリシリコン基板が挙げられる。また、前記シリコン基板の抵抗率としては、研磨速度向上と表面粗さ（ヘイズ）低減とを両立する観点から、好ましくは０．０００１Ω・ｃｍ以上、より好ましくは０．００１Ω・ｃｍ以上、更に好ましくは０．０１Ω・ｃｍ以上、更に好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上であり、そして、好ましくは１００Ω・ｃｍ以下、より好ましくは５０Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは２０Ω・ｃｍ以下である。

［研磨液キット］
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物の濃縮物を製造するための研磨液キット（以下、「本開示のキット」と略称する場合もある。）に関する。本開示のキットによれば、研磨液及び濃縮物の保存安定性に優れる研磨液組成物を得ることができる。
本開示のキットとしては、一又は複数の実施形態において、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄを含む溶液を含有する研磨液キットが挙げられる。前記溶液には、必要に応じて上述した任意成分（成分Ｅ、成分Ｆ、その他の成分）が含まれていてもよい。前記溶液は、使用時に、必要に応じて水を用いて希釈してもよい。
本開示のキットとしては、一又は複数の実施形態において、成分Ａ及び成分Ｂを含むシリカ分散液（第１液）、成分Ｃ及び成分Ｄを含む添加剤水溶液（第２液）とを相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合され、必要に応じて水を用いて希釈される、研磨液キットが挙げられる。前記シリカ分散液（第１液）及び前記添加剤水溶液（第２液）には、研磨液組成物の調製に使用する水の一部が含まれていてもよい。前記シリカ分散液（第１液）及び前記添加剤水溶液（第２液）にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分（成分Ｅ、成分Ｆ、その他の成分）が含まれていてもよい。

［シリコン基板研磨用添加剤組成物］
本開示は、一態様において、成分Ｃ及び下記成分Ｄを含む、シリコン基板研磨用添加剤組成物（以下、「本開示の添加剤組成物」）に関する。本開示の添加剤組成物には、必要に応じて上述した任意成分（成分Ｅ、成分Ｆ、その他の成分）が含まれていてもよい。本開示の添加剤組成物は、一又は複数の実施形態において、成分Ａ、成分Ｂ及び水を含むシリカ分散液と混合され、必要に応じて水や任意成分がさらに混合されることで、本開示の研磨液組成物又はその濃縮物を得ることができる。

本開示の添加剤組成物中の成分Ｃの含有量は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、０．１質量％以上が好ましく、０．２質量％以上がより好ましく、０．３質量％以上が更に好ましく、そして、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、０．５質量％以下が好ましい。同様の観点から、本開示の添加剤組成物中の成分Ｃの含有量は、０．１質量％以上０．５質量％以下が好ましく、０．２質量％以上０．５質量％以下がより好ましく、０．３質量％以上０．５質量％以下が更に好ましい。
本開示の添加剤組成物中の成分Ｄの含有量は、研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、１質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、４質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１５質量％以下が好ましく、１２質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の添加剤組成物中の成分Ｄの含有量は、１質量％以上１５質量％以下が好ましく、２質量％以上１２質量％以下がより好ましく、４質量％以上１０質量％以下が更に好ましい。
本開示の添加剤組成物中における、成分Ｃの含有量に対する成分Ｄの含有量の質量比Ｄ／Ｃは、表面粗さ（ヘイズ）低減と研磨液及び濃縮物の保存安定性向上の観点から、５以上が好ましく、１０以上がより好ましく、２０以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、７０以下が好ましく、６０以下がより好ましく、５０以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の添加剤組成物中における質量比Ｄ／Ｃは、５以上７０以下が好ましく、１０以上６０以下がより好ましく、２０以上５０以下が更に好ましい。

［シリコン基板の研磨方法］
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程（以下、「研磨工程」ともいう）を含む、シリコン基板の研磨方法（以下、［本開示の研磨方法］ともいう）に関する。本開示の研磨方法によれば、研磨液及び濃縮物の保存安定性に優れる本開示の研磨液組成物を用いるため、高品質の半導体基板を高収率で、生産性よく製造できる。
本開示の研磨方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の添加剤組成物とシリカ粒子（成分Ａ）と含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）とを配合して本開示の研磨液組成物の濃縮物を得る工程を含む。本開示の研磨方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物の濃縮物を希釈する工程を含む。前記濃縮物を希釈する工程は、一又は複数の実施形態において、前記濃縮物を体積基準で２倍以上１８０倍以下に希釈することを含む。

本開示の研磨方法における研磨工程では、例えば、研磨パッドを貼り付けた定盤に被研磨シリコン基板を押し付けて、３～２０ｋＰａの研磨圧力で被研磨シリコン基板を研磨することができる。本開示において、研磨圧力とは、研磨時に被研磨シリコン基板の被研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。

本開示の研磨方法における研磨工程では、例えば、研磨パッドを貼り付けた定盤に被研磨シリコン基板を押し付けて、１５℃以上４０℃以下の研磨液組成物及び研磨パッド表面温度で被研磨シリコン基板を研磨することができる。研磨液組成物の温度及び研磨パッド表面温度としては、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、１５℃以上又は２０℃以上が好ましく、４０℃以下又は３０℃以下が好ましい。

［半導体基板の製造方法］
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程（以下、「研磨工程」ともいう）と、研磨されたシリコン基板を洗浄する工程（以下、「洗浄工程」ともいう）と、を含む、半導体基板の製造方法（以下、「本開示の半導体基板製造方法」ともいう）に関する。本開示の半導体基板製造方法によれば、研磨液及び濃縮物の保存安定性に優れる本開示の研磨液組成物を用いることで、高品質の半導体基板を高収率で、生産性よく製造できる。
本開示の半導体基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の添加剤組成物とシリカ粒子（成分Ａ）と含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）とを配合して本開示の研磨液組成物の濃縮物を得る工程を含む。本開示の半導体基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物の濃縮物を希釈する工程を含む。前記濃縮物を希釈する工程は、一又は複数の実施形態において、前記濃縮物を体積基準で２倍以上１８０倍以下に希釈することを含む。

本開示の半導体基板製造方法における研磨工程は、例えば、単結晶シリコンインゴットを薄円板状にスライスすることにより得られた単結晶シリコン基板を平面化するラッピング（粗研磨）工程と、ラッピング単結晶されたシリコン基板をエッチングした後、単結晶シリコン基板表面を鏡面化する仕上げ研磨工程とを含むことができる。本開示の研磨液組成物は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、上記仕上げ研磨工程で用いられるとより好ましい。

本開示の半導体基板製造方法における研磨工程は、上述した本開示の研磨方法における研磨工程と同様の条件（研磨圧力、研磨液組成物及び研磨パッドの表面温度等）で研磨を行うことができる。

本開示の半導体基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、前記研磨工程の前に、本開示の研磨液組成物の濃縮物を希釈する希釈工程を含んでいてもよい。希釈媒には、例えば、水を用いることができる。

本開示の半導体基板製造方法における洗浄工程では、シリコン基板表面上の残留物低減の観点から、無機洗浄を行うことが好ましい。無機洗浄で用いる洗浄剤としては、例えば、過酸化水素、アンモニア、塩酸、硫酸、フッ酸及びオゾン水から選ばれる少なくとも１種を含む無機洗浄剤が挙げられる。

本開示の半導体基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、前記洗浄工程の後に、洗浄後のシリコン基板を水でリンスし、乾燥する工程を更に含むことができる。

以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。

１．研磨液組成物の濃縮物調製（実施例１～８及び比較例１）
表１に示す各成分及び超純水を撹拌混合して実施例１～８及び比較例１の研磨液組成物の濃縮物（濃縮倍率：１００倍）を調製した。表１中の各成分の含有量は、各研磨液組成物の濃縮物中の各成分の含有量（質量％、有効分）である。超純水の含有量は、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃと成分Ｄと成分Ｅと成分Ｆとを除いた残余である。各研磨液組成物の濃縮物の２５℃におけるｐＨは１０であった。

各研磨液組成物の濃縮物の調製に用いた成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ及び成分Ｆには下記のものを用いた。
（成分Ａ）
コロイダルシリカ［平均一次粒子径２５ｎｍ、平均二次粒子径４９ｎｍ、会合度２．０］
（成分Ｂ）
アンモニア［２８質量％アンモニア水、キシダ化学社製、試薬特級］
（成分Ｃ）
ジアルキル（Ｃ１２－１８）ジメチルアンモニウムクロライド［花王社製、コータミンＤ２３４５Ｐ］（式（ＩＩ）中、Ｒ¹：炭素数１２～１８のアルキル基（混成品）、Ｒ²：ＣＨ₃、Ｚ：Ｎ、Ｘ：Ｃｌ^-）
ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド［東京化成工業社製］
（成分Ｄ）
ポリオキシエチレン（５）ドデシルエーテル［ＥＯ平均付加モル数５、アルキル基：ドデシル基（炭素数１２）］
ポリオキシエチレン（１２）ドデシルエーテル［ＥＯ平均付加モル数１２、アルキル基：ドデシル基（炭素数１２）］
ポリオキシエチレン（５）分岐アルキル（Ｃ１１－１５）エーテル［ＥＯ平均付加モル数５、アルキル基：炭素数１１～１５の分岐アルキル基（混成品）］
ポリオキシエチレン（９）分岐アルキル（Ｃ１１－１５）エーテル［ＥＯ平均付加モル数９、アルキル基：炭素数１１～１５の分岐アルキル基（混成品）］
ポリオキシエチレン（６）ドデシルエーテル［ＥＯ平均付加モル数６、アルキル基：ドデシル基（炭素数１２）］
（成分Ｅ）
ポリグリセリン［ダイセル社製、ＸＰＷ、重合度４０、重量平均分子量２，９８０］
ＨＥＣ：ヒドロキシエチルセルロース［ダイセル社製、ＳＥ－４００、重量平均分子量２５０，０００］
（成分Ｆ）
ＰＥＧ １０００［ポリエチレングリコール、日油社製、ＰＥＧ＃１０００、重量平均分子量１，０００］

２．各種パラメータの測定方法
（１）シリカ粒子（成分Ａ）の平均一次粒子径の測定
成分Ａの平均一次粒子径（ｎｍ）は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ²／ｇ）を用いて下記式で算出した。
平均一次粒子径（ｎｍ）＝２７２７／Ｓ
成分Ａの比表面積Ｓは、下記の［前処理］をした後、測定サンプル約０．１ｇを測定セルに小数点以下４桁まで精量し、比表面積の測定直前に１１０℃の雰囲気下で３０分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置「フローソーブＩＩＩ２３０５」、島津製作所製）を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。
［前処理］
（ａ）スラリー状の成分Ａを硝酸水溶液でｐＨ２．５±０．１に調整する。
（ｂ）ｐＨ２．５±０．１に調整されたスラリー状の成分Ａをシャーレにとり１５０℃の熱風乾燥機内で１時間乾燥させる。
（ｃ）乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
（ｄ）粉砕された試料を４０℃のイオン交換水に懸濁させ、孔径１μｍのメンブランフィルタで濾過する。
（ｅ）フィルタ上の濾過物を２０ｇのイオン交換水（４０℃）で５回洗浄する。
（ｆ）濾過物が付着したフィルタをシャーレにとり、１１０℃の雰囲気下で４時間乾燥させる。
（ｇ）乾燥した濾過物（成分Ａ）をフィルタ屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。

（２）シリカ粒子（成分Ａ）の平均二次粒子径
成分Ａの平均二次粒子径（ｎｍ）は、成分Ａの濃度が０．２５質量％となるように研磨材をイオン交換水に添加した後、得られた水分散液をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製 １０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れ、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、シスメックス社製）を用いて測定した。

（３）水溶性高分子（成分Ｅ、成分Ｆ）の重量平均分子量の測定
水溶性高分子（成分Ｅ、成分Ｆ）の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づき算出した。
＜測定条件＞
装置：ＨＬＣ－８３２０ ＧＰＣ（東ソー社製、検出器一体型）
カラム：α－Ｍ＋α－Ｍ
溶離液：０．１５ｍｏｌ／Ｌ Ｎａ₂ＳＯ₄，１質量％酢酸、溶媒：水
流量：１．０ｍＬ／分
カラム温度：４０℃
検出器：ショーデックスＲＩ ＳＥ－６１示差屈折率検出器
標準物質：分子量が既知のプルラン

（４）研磨液組成物のｐＨ
２５℃におけるｐＨは、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ－３０Ｇ）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を研磨液組成物又はその濃縮物へ浸漬して１分後の数値である。

３．研磨液組成物の評価
［濃縮物の保存安定性の評価］
各研磨液組成物の濃縮物１０ｇをガラス瓶（容量２０ｍＬ）に入れて密閉し、上下に１０回振って２４時間静置した後、外観を目視で確認し、濃縮物の保存安定性を下記評価基準により評価した。研磨液組成物の濃縮物は、２５℃の部屋に保管した。結果を表１に示す。
＜評価基準＞
Ａ：研磨液組成物の濃縮物を調製してから２４時間経過後に、凝集物及び分離が生じず、分散安定性を保っているもの。
Ｂ：研磨液組成物の濃縮物を調製してから２４時間経過後に、凝集物及び／又は分離が生じているもの。

表１に示されるように、実施例１～８の研磨液組成物の濃縮物は、比較例１に比べて、濃縮物の保存安定性に優れていることが分かった。

本開示の研磨液組成物は、様々な半導体基板の製造過程で用いられる研磨液組成物として有用である。

Claims (17)

1. 下記成分Ａ、下記成分Ｂ、下記成分Ｃ及び下記成分Ｄを含有する、シリコン基板用研磨液組成物。
   成分Ａ：シリカ粒子
   成分Ｂ：含窒素塩基性化合物
   成分Ｃ：カチオン性界面活性剤
   成分Ｄ：ノニオン性界面活性剤
2. 成分Ｄは、ポリオキシエチレンアルキルエーテルである、請求項１に記載の研磨液組成物。
3. 成分Ａの平均一次粒子径は、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の研磨液組成物。
4. 成分Ｃは、分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級アンモニウム又はその塩（成分Ｃ１）である、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物。
5. ヒドロキシアルキルセルロース、ポリグリセリン、及び、窒素含有基を含む水溶性高分子から選ばれる少なくとも１種の水溶性高分子（成分Ｅ）をさらに含む、請求項１から４のいずれかに記載の研磨液組成物。
6. ポリエチレングリコール（成分Ｆ）をさらに含む、請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物の濃縮物。
8. 請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物の濃縮物を希釈する工程を含む、研磨液組成物の製造方法。
9. 少なくともシリカ粒子（成分Ａ）、含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）、カチオン性界面活性剤（成分Ｃ）及びノニオン性界面活性剤（成分Ｄ）を配合する工程を含む、研磨液組成物の濃縮物の製造方法。
10. 下記成分Ｃ及び下記成分Ｄを含む、シリコン基板研磨用添加剤組成物。
    成分Ｃ：カチオン性界面活性剤
    成分Ｄ：ノニオン性界面活性剤
11. 成分Ｃの含有量に対する成分Ｄの含有量の質量比Ｄ／Ｃは、５以上７０以下である、請求項１０に記載の添加剤組成物。
12. 請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程を含む、シリコン基板の研磨方法。
13. 請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物の濃縮物を希釈する工程を含む、請求項１２に記載のシリコン基板の研磨方法。
14. 請求項１０又は１１に記載のシリコン基板研磨用添加剤組成物とシリカ粒子（成分Ａ）と含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）とを配合して前記研磨液組成物の濃縮物を得る工程を含む、請求項１３に記載のシリコン基板の研磨方法。
15. 請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程と、
    研磨されたシリコン基板を洗浄する工程と、を含む、半導体基板の製造方法。
16. 請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物の濃縮物を希釈する工程を含む、請求項１５に記載の半導体基板の製造方法。
17. 請求項１０又は１１に記載のシリコン基板研磨用添加剤組成物とシリカ粒子（成分Ａ）と含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）とを配合して前記研磨液組成物の濃縮物を得る工程を含む、請求項１６に記載の半導体基板の製造方法。