JP2024073511A - 下層組成物及びパターニング方法 - Google Patents
下層組成物及びパターニング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024073511A JP2024073511A JP2024035614A JP2024035614A JP2024073511A JP 2024073511 A JP2024073511 A JP 2024073511A JP 2024035614 A JP2024035614 A JP 2024035614A JP 2024035614 A JP2024035614 A JP 2024035614A JP 2024073511 A JP2024073511 A JP 2024073511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substituted
- unsubstituted
- group
- underlayer
- alkyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 78
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 38
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 34
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 31
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims abstract description 21
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 110
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 45
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 36
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 34
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 33
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 31
- 125000004446 heteroarylalkyl group Chemical group 0.000 claims description 31
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 20
- 125000000739 C2-C30 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 17
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 15
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 claims description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 6
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 5
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 claims 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 24
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 21
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 description 17
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 17
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 13
- -1 aromatic carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 13
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 9
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 4
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000003934 aromatic aldehydes Chemical class 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000013036 cure process Methods 0.000 description 3
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 239000011707 mineral Chemical class 0.000 description 3
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 3
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N (2E)-2-Tetradecenal Chemical compound CCCCCCCCCCC\C=C\C=O WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N 0.000 description 2
- DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 1,2-Benz(a)anthracene Chemical class C1=CC=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=CC2=C1 DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-4-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1 CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical class C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNURKXXMYARGAY-UHFFFAOYSA-N 2,6-Di-tert-butyl-4-hydroxymethylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(CO)=CC(C(C)(C)C)=C1O HNURKXXMYARGAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVUXDWXKPROUDO-UHFFFAOYSA-N 2,6-di-tert-butyl-4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 BVUXDWXKPROUDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N Benz[a]pyrene Chemical class C1=C2C3=CC=CC=C3C=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRIJWEQBTIZQMD-UHFFFAOYSA-N Benzo[c]fluorene Chemical class C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1CC1=CC=CC=C12 FRIJWEQBTIZQMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100023698 C-C motif chemokine 17 Human genes 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 2
- 101000978362 Homo sapiens C-C motif chemokine 17 Proteins 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N Propionic acid Substances CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FTOVXSOBNPWTSH-UHFFFAOYSA-N benzo[b]fluoranthene Chemical class C12=CC=CC=C1C1=CC3=CC=CC=C3C3=C1C2=CC=C3 FTOVXSOBNPWTSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SESFRYSPDFLNCH-UHFFFAOYSA-N benzyl benzoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 SESFRYSPDFLNCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZDZHCHYQNPQSGG-UHFFFAOYSA-N binaphthyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZDZHCHYQNPQSGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- KVFDZFBHBWTVID-UHFFFAOYSA-N cyclohexanecarbaldehyde Chemical compound O=CC1CCCCC1 KVFDZFBHBWTVID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical compound CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- FXHGMKSSBGDXIY-UHFFFAOYSA-N heptanal Chemical compound CCCCCCC=O FXHGMKSSBGDXIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002346 iodo group Chemical group I* 0.000 description 2
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 2
- 229940044654 phenolsulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 2
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 125000004739 (C1-C6) alkylsulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006700 (C1-C6) alkylthio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004737 (C1-C6) haloalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000171 (C1-C6) haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006652 (C3-C12) cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006654 (C3-C12) heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical class NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIJNHUAPTJVVNQ-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxypyrene Chemical compound C1=C2C(O)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 BIJNHUAPTJVVNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAYUOSICZWFJSW-UHFFFAOYSA-N 10h-phenothiazine 5,5-dioxide Chemical class C1=CC=C2S(=O)(=O)C3=CC=CC=C3NC2=C1 ZAYUOSICZWFJSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXSKJYLPNPYQHH-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-6-(1-methylcyclohexyl)phenol Chemical compound CC1=CC(C)=C(O)C(C2(C)CCCCC2)=C1 MXSKJYLPNPYQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPLCSTZDXXUYDU-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-6-tert-butylphenol Chemical compound CC1=CC(C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 OPLCSTZDXXUYDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKCPKDPYUFEZCP-UHFFFAOYSA-N 2,6-di-tert-butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(C(C)(C)C)=C1O DKCPKDPYUFEZCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKARBJATRQVWJP-UHFFFAOYSA-N 2-[[2-hydroxy-5-methyl-3-(1-phenylethyl)phenyl]methyl]-4-methyl-6-(1-phenylethyl)phenol Chemical compound C=1C(C)=CC(CC=2C(=C(C(C)C=3C=CC=CC=3)C=C(C)C=2)O)=C(O)C=1C(C)C1=CC=CC=C1 CKARBJATRQVWJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLVWTFUWVTDEQ-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-3-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=CC(O)=C1Cl QGLVWTFUWVTDEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKNMPWVTPUHKCG-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexyl-6-[(3-cyclohexyl-2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol Chemical compound OC=1C(C2CCCCC2)=CC(C)=CC=1CC(C=1O)=CC(C)=CC=1C1CCCCC1 AKNMPWVTPUHKCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-[1-(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)butyl]-5-methylphenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C=C(C)C=1C(CCC)C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPNYZBKIGXGYNU-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-6-[(3-tert-butyl-5-ethyl-2-hydroxyphenyl)methyl]-4-ethylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(CC)=CC(CC=2C(=C(C=C(CC)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O GPNYZBKIGXGYNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZOVBIIWPDQIHF-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1S(O)(=O)=O BZOVBIIWPDQIHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDWVSAYEQPLWMX-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Methylenebis(2,6-di-tert-butylphenol) Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 MDWVSAYEQPLWMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDBVWWVWSXSLAX-UHFFFAOYSA-N 4-[2,3-bis(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)butyl]-2-tert-butyl-5-methylphenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C=C(C)C=1C(C)C(C=1C(=CC(O)=C(C=1)C(C)(C)C)C)CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C UDBVWWVWSXSLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSAWBBYYMBQKIK-UHFFFAOYSA-N 4-[[3,5-bis[(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)methyl]-2,4,6-trimethylphenyl]methyl]-2,6-ditert-butylphenol Chemical compound CC1=C(CC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)=C(CC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)=C1CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 VSAWBBYYMBQKIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077398 4-methyl anisole Drugs 0.000 description 1
- KMRMUZKLFIEVAO-UHFFFAOYSA-N 7,7-dimethylbicyclo[3.1.1]hept-3-ene-4-carbaldehyde Chemical compound C1C2C(C)(C)C1CC=C2C=O KMRMUZKLFIEVAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWFPGFJLYRKYJZ-UHFFFAOYSA-N 9,9-bis(4-hydroxyphenyl)fluorene Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 YWFPGFJLYRKYJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N Bisphenol Z Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCCC1 SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000882 C2-C6 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003601 C2-C6 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N Chrysene Natural products C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTEVQBCEXWBHNA-UHFFFAOYSA-N Citral Natural products CC(C)=CCCC(C)=CC=O WTEVQBCEXWBHNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMRMUZKLFIEVAO-RKDXNWHRSA-N Myrtenal Natural products C1[C@H]2C(C)(C)[C@@H]1CC=C2C=O KMRMUZKLFIEVAO-RKDXNWHRSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N Purine Natural products N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229920004890 Triton X-100 Polymers 0.000 description 1
- 229920004929 Triton X-114 Polymers 0.000 description 1
- 229920004923 Triton X-15 Polymers 0.000 description 1
- 229920004897 Triton X-45 Polymers 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFPRJLBZLPBTPZ-UHFFFAOYSA-N acenaphthoquinone Chemical compound C1=CC(C(C2=O)=O)=C3C2=CC=CC3=C1 AFPRJLBZLPBTPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 125000005042 acyloxymethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007860 aryl ester derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- JDPBLCQVGZLACA-UHFFFAOYSA-N benzo[a]perylene Chemical group C1=CC(C=2C3=CC=CC=C3C=C3C=2C2=CC=C3)=C3C2=CC=CC3=C1 JDPBLCQVGZLACA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical class C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N benzopyrrole Natural products C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005130 benzoxazines Chemical class 0.000 description 1
- 229960002903 benzyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- 150000005347 biaryls Chemical group 0.000 description 1
- VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4,4'-diol Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001616 biphenylenes Chemical group 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- CZBZUDVBLSSABA-UHFFFAOYSA-N butylated hydroxyanisole Chemical compound COC1=CC=C(O)C(C(C)(C)C)=C1.COC1=CC=C(O)C=C1C(C)(C)C CZBZUDVBLSSABA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010354 butylated hydroxytoluene Nutrition 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003857 carboxamides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 229940043350 citral Drugs 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- VXRUJZQPKRBJKH-UHFFFAOYSA-N corannulene Chemical class C1=CC(C2=C34)=CC=C3C=CC3=C4C4=C2C1=CC=C4C=C3 VXRUJZQPKRBJKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001882 coronenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- LHRCREOYAASXPZ-UHFFFAOYSA-N dibenz[a,h]anthracene Chemical class C1=CC=C2C(C=C3C=CC=4C(C3=C3)=CC=CC=4)=C3C=CC2=C1 LHRCREOYAASXPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical class C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene sulfoxide Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical class C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- WTEVQBCEXWBHNA-JXMROGBWSA-N geranial Chemical compound CC(C)=CCC\C(C)=C\C=O WTEVQBCEXWBHNA-JXMROGBWSA-N 0.000 description 1
- 229930182478 glucoside Natural products 0.000 description 1
- 150000008131 glucosides Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000006588 heterocycloalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N iso-quinoline Natural products C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical class C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 1
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical group 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229920000847 nonoxynol Polymers 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSDSCDGVMJFTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecyl 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 SSDSCDGVMJFTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002113 octoxynol Polymers 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- LSQODMMMSXHVCN-UHFFFAOYSA-N ovalene Chemical class C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3C5=C6C(C=C3)=CC=C3C6=C6C(C=C3)=C3)C4=C5C6=C2C3=C1 LSQODMMMSXHVCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 150000002931 p-cresols Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002985 phenalenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 150000002990 phenothiazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001644 phenoxazinyl group Chemical class C1(=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000013031 physical testing Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001983 poloxamer Polymers 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCS(O)(=O)=O KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000561 purinyl group Chemical class N1=C(N=C2N=CNC2=C1)* 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005548 pyrenylene group Chemical group 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical class N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 125000005031 thiocyano group Chemical group S(C#N)* 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 125000002088 tosyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000003643 triphenylenes Chemical group 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
- C08G8/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
- C08G61/123—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
- C08G61/124—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one nitrogen atom in the ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
- C08G8/02—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of ketones
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D161/00—Coating compositions based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D161/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
- C09D161/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
【課題】下層組成物及びパターニング方法を提供する。【解決手段】式（１）：TIFF2024073511000020.tif37166の繰り返し単位を含むポリマーを含む下層組成物（式中、Ａｒは、単環式若しくは多環式のＣ５～６０芳香族基であり、芳香族基は、１つ以上の芳香族環ヘテロ原子、ヘテロ原子含有置換基、又はこれらの組み合わせを含み；ＸはＣ又はＯであり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒａ、及びＲｂは本明細書に示されている通りであり；任意選択的には、Ｒ１とＲ２は、一緒になって５～７員環を形成していてもよく；任意選択的には、Ｒ１１～Ｒ１３のうちの１つは、Ｒ１と一緒になって５～７員環を形成していてもよく；Ｒａ及びＲｂは、任意選択的に一緒になって５～７員環を形成していてもよく；Ｒａ又はＲｂのうちの１つは、任意選択的にＲ２と一緒になって５～７員環を形成していてもよく；等）。【選択図】なし
Description
本発明は、概して、電子デバイスを製造する分野に関し、より具体的には、半導体製造において使用するための材料の分野に関する。
フォトレジスト下層組成物は、集積回路製造用の最新のテクノロジーノードにおけるリソグラフィー用のエッチングマスクとして半導体産業で使用されている。これらの組成物は、有機物又はケイ素を含む反射防止膜とパターン化可能なフォトレジスト膜の層とが高炭素含有率の最下層の上に配置される３層及び４層フォトレジストの集積化スキームでよく使用されている。
理想的なフォトレジスト下層材料は、特定の具体的な特徴を有する必要がある。すなわち、これはスピンコートプロセスによって基板上にキャストできる必要があり、加熱されると少ないガス放出及び昇華で熱硬化する必要があり、スピンボウルとの優れた適合性のために一般的な溶剤に可溶性である必要があり、フォトレジストイメージングに必要な低反射率を付与するための、反射防止コーティング層と共に機能するために適切なｎ＆ｋ値を有することが必要であり、また後続の処理工程中の損傷を回避するために高い熱安定性を有する必要がある。これらの要件に加えて、理想的なフォトレジスト下層材料は、フォトパターンを正確な方法で最終的な基板に転写するために、基板上でのスピンコート及び熱硬化の後に、フォトレジスト下層膜の上下に位置するケイ素含有層に対するトポグラフィと十分なドライエッチング選択性とを平坦な膜に付与しなければならない。
下層用途のためには、架橋可能なノボラック樹脂が使用されてきた。ノボラックは、１種以上の活性化芳香族化合物と、脂肪族若しくは芳香族カルボニル化合物、ベンジルエーテル、ベンジルアルコール、又はハロゲン化ベンジルから選択される別のモノマーとの縮合重合生成物である。最も広く研究されているノボラック樹脂は、活性化芳香族誘導体と、ホルムアルデヒド型又は芳香族アルデヒドのコモノマーとの重縮合生成物である。これらの樹脂は、様々なリソグラフィー組成物において広く利用されてきた。しかしながら、それらの剛直で高い芳香族性の骨格は、増加したガラス転移温度を有する樹脂をもたらすことが多く、これにより樹脂のギャップフィル及び平坦化特性が阻害される可能性がある。
改善された溶解性、より低いガラス転移温度、低下した硬化温度、高い熱安定性、硬化後の耐溶剤性、改善されたギャップフィル、及び改善された平坦化などの特性を付与することができる、フォトレジスト下層材料などの新規な下層材料が依然として必要とされている。
式（１）：
の繰り返し単位を含むポリマーを含む下層組成物が提供される（式中、Ａｒは、単環式若しくは多環式のＣ５～６０芳香族基であり、芳香族基は、１つ以上の芳香族環ヘテロ原子、ヘテロ原子含有置換基、又はこれらの組み合わせを含み；ＸはＣ又はＯであり；Ｒ１は、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルであり；Ｒ２は、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキル、又は－ＮＲ１１Ｒ１２であり、Ｒ１１～Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルであり；任意選択的には、Ｒ１とＲ２は、一緒になって５～７員環を形成していてもよく；任意選択的には、Ｒ１１～Ｒ１２のうちの少なくとも１つは、Ｒ１と一緒になって５～７員環を形成していてもよく；；ＸがＣの場合、Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルであり；Ｒａ及びＲｂは、任意選択的に一緒になって５～７員環を形成していてもよく；Ｒａ又はＲｂのうちの１つは、任意選択的にＲ２と一緒になって５～７員環を形成していてもよく；ＸがＯの場合には、Ｒａ及びＲｂは存在しない）。
パターンを形成する方法も提供され、この方法は、（ａ）下層組成物の層を基板上に塗布すること；（ｂ）塗布した下層組成物を硬化して下層を形成すること；及び（ｃ）下層の上にフォトレジスト層を形成すること；を含む。
以降で、その例が本明細書で示される例示的な実施形態を詳細に参照する。これに関連して、本例示的な実施形態は、異なる形態を有し得、本明細書に明記される記載に限定されると解釈されるべきではない。したがって、例示的な実施形態は、本記載の態様を説明するために、図に言及することによって以下に記載されるにすぎない。本明細書で使用される場合、用語「及び／又は」は、関連する列挙された項目の１つ以上のあらゆる組み合わせを包含する。「少なくとも１つ」などの表現は、要素のリストに先立つ場合、要素のリスト全体を修飾し、リストの個々の要素を修飾しない。
本明細書で用いる場合、用語「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」及び「その」は、量の制限を意味せず、本明細書で特に示さないか又は文脈によって明らかに矛盾しない限り、単数形及び複数形の両方を包含すると解釈されるべきである。「又は」は、特に明記しない限り、「及び／又は」を意味する。本明細書で開示される全ての範囲は、終点を含み、終点は、独立して、互いに合体できる。接尾辞「（ｓ）」は、それが修飾する用語の単数形及び複数形の両方を含み、それによってその用語の少なくとも１つを含むことを意図する。「任意選択的な」又は「任意選択的に」は、その後、記載される事象又は状況が起き得るか又は起き得ないこと並びに事象が起こる場合及び事象が起こらない場合をその記載が含むことを意味する。用語「第１」、「第２」等は、本明細書では、順番、量又は重要性を意味せず、１つの要素を別の要素から区別するために用いられる。要素が別の要素「上」にあると言われる場合、それは、他の要素と直接に接触し得るか、又は介在要素がそれらの間に存在し得る。対照的に、要素が別の要素の「直接上に」あると言われる場合、介在要素は、存在しない。態様の記載される成分、要素、制限及び／又は特徴は、様々な態様において任意の好適な方法で組み合わされ得ることが理解されるべきである。
別に定義しない限り、本明細書で用いられる全ての用語（技術用語及び科学用語を含む）は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解されるものと同じ意味を有する。一般に使用される辞典において定義されるものなどの用語は、関連技術及び本開示との関連でのこれらの意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、本明細書で明確にそのように定義しない限り、理想的な意味又は過度に形式的な意味で解釈されないことが更に理解されるであろう。
本明細書で用いる場合、用語「炭化水素基」は、示される場合に１つ以上の置換基で任意選択的に置換された、少なくとも１つの炭素原子と少なくとも１つの水素原子とを有する有機化合物を意味し；「アルキル基」は、明記された数の炭素原子を有し、且つ１の価数を有する直鎖又は分岐鎖の飽和炭化水素を意味し；「アルキレン基」は、２の価数を有するアルキル基を意味し；「ヒドロキシアルキル基」は、少なくとも１つのヒドロキシル基（－ＯＨ）で置換されたアルキル基を意味し；「アルコキシ基」は、「アルキル－Ｏ－」を意味し；「カルボン酸基」は、式「－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＨ」を有する基を意味し；「シクロアルキル基」は、全ての環構成原子が炭素である１つ以上の飽和環を有する一価基を意味し；「シクロアルキレン基」は、２の価数を有するシクロアルキル基を意味し；「アルケニル基」は、少なくとも１つの炭素－炭素二重結合を有する直鎖又は分岐鎖の一価炭化水素基を意味し；「アルケノキシ基」は、「アルケニル－Ｏ－」を意味し；「アルケニレン基」は、少なくとも２の価数を有するアルケニル基を意味し；「シクロアルケニル基」は、少なくとも１つの炭素－炭素二重結合を有するシクロアルキル基を意味し；「アルキニル基」は、少なくとも１つの炭素－炭素三重結合を有する一価炭化水素基を意味し；「芳香族基」という用語は、文献で、特にＩＵＰＡＣ１９で定義される芳香族性の従来の概念を意味し、環に炭素原子を含み、任意選択的には環の炭素原子の代わりにＮ、Ｏ、及びＳから独立して選択される１つ以上のヘテロ原子を任意選択的に含み得る単環式又は多環式芳香環系を意味し；「アリール基」は、芳香環の中に炭素原子のみが含まれる一価の芳香族単環式又は多環式基を意味し、これは少なくとも１つのシクロアルキル又はヘテロシクロアルキル環に縮合した芳香環を有する基を含んでいてよく；「アリーレン基」は、少なくとも２の価数を有するアリール基を意味し；「アルキルアリール基」は、アルキル基で置換されているアリール基を意味し；「アリールアルキル基」は、アリール基で置換されているアルキル基を意味し；「アリールオキシ基」は、「アリール－Ｏ－」を意味し；「アリールチオ基」は、「アリール－Ｓ－」を意味する。
接頭辞「ヘテロ」は、化合物又は基が、炭素原子の代わりに、ヘテロ原子である少なくとも１つの環構成原子（例えば、１、２、３又は４つ以上のヘテロ原子）を含むことを意味し、ここで、ヘテロ原子は、それぞれ独立して、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ又はＰから選択され；「ヘテロ原子含有基」は、少なくとも１つのヘテロ原子を含む置換基を意味し；「ヘテロアルキル基」は、炭素原子の代わりに１～４つのヘテロ原子を有するアルキル基を意味し；「ヘテロシクロアルキル基」は、炭素原子の代わりに１つ以上のＮ、Ｏ、又はＳ原子を有するシクロアルキル基を意味し；「ヘテロシクロアルキレン基」は、少なくとも２の価数を有するヘテロシクロアルキル基を意味し；「ヘテロアリール基」は、炭素原子の代わりに、環構成原子として１つ以上のＮ、Ｏ、又はＳ原子を有する１～３個の別個の又は縮合した環を有するアリール基を意味し；「ヘテロアリーレン基」は、少なくとも２の価数のヘテロアリール基を意味する。
用語「ハロゲン」は、フッ素（フルオロ）、塩素（クロロ）、臭素（ブロモ）、又はヨウ素（ヨード）である一価置換基を意味する。接頭辞「ハロ」は、水素原子の代わりにフルオロ、クロロ、ブロモ、又はヨード置換基のうちの１つを含む基を意味する。ハロ基の組み合わせ（例えば、ブロモ及びフルオロ）が存在していても或いはフルオロ基のみが存在していてもよい。
記号「＊」は、繰り返し単位の結合部位（すなわち連結点）を表す。
「置換された」は、指定された原子の通常の価数を超えないという条件で、基上の少なくとも１つの水素原子が別の基で置き換えられていることを意味する。置換基がオキソ（すなわち＝Ｏ）である場合、炭素原子上の２つの水素が置き換えられている。置換基又は変数の組み合わせが許容される。「置換」位置に存在し得る例示的な基としては、ニトロ（－ＮＯ２）、シアノ（－ＣＮ）、ヒドロキシル（－ＯＨ）、オキソ（＝Ｏ）、アミノ（－ＮＨ２）、モノ－若しくはジ－（Ｃ１～６）アルキルアミノ、アルカノイル（アシルなどのＣ２～６アルカノイル基など）、ホルミル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｈ）、カルボン酸若しくはそのアルカリ金属若しくはアンモニウム塩、Ｃ２～６アルキルエステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－アルキル若しくは－ＯＣ（＝Ｏ）－アルキル）、Ｃ７～１３アリールエステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－アリール若しくは－ＯＣ（＝Ｏ）－アリール）、アミド（－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ２（式中、Ｒは水素若しくはＣ１～６アルキルである）、カルボキサミド（－ＣＨ２Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ２（式中、Ｒは水素若しくはＣ１～６アルキルである）、ハロゲン、チオール（－ＳＨ）、Ｃ１～６アルキルチオ（－Ｓ－アルキル）、チオシアノ（－ＳＣＮ）、Ｃ１～６アルキル、Ｃ２～６アルケニル、Ｃ２～６アルキニル、Ｃ１～６ハロアルキル、Ｃ１～９アルコキシ、Ｃ１～６ハロアルコキシ、Ｃ３～１２シクロアルキル、Ｃ５～１８シクロアルケニル、少なくとも１つの芳香環（例えば、フェニル、ビフェニル、ナフチル若しくは同様のもの、それぞれの環は置換か非置換かのどちらかの芳香族）を有するＣ６～１２アリール、１～３の分離（ｓｅｐａｒａｔｅ）環若しくは縮合環と６～１８個の環炭素原子を有するＣ７～１９アリールアルキル、１～３の分離環若しくは縮合環と６～１８個の環炭素原子を有するアリールアルコキシ、Ｃ７～１２アルキルアリール、Ｃ４～１２ヘテロシクロアルキル、Ｃ３～１２ヘテロアリール、Ｃ１～６アルキルスルホニル（－Ｓ（＝Ｏ）２－アルキル）、Ｃ６～１２アリールスルホニル（－Ｓ（＝Ｏ）２－アリール）、又はトシル（ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ２－）が挙げられるが、それらに限定されない。基が置換されている場合、示されている炭素原子の数は、任意の置換基の炭素原子を除いた、基における炭素原子の総数である。例えば、基－ＣＨ２ＣＨ２ＣＮは、シアノ基で置換されたＣ２アルキル基である。
上述したように、最も広く研究されているノボラック樹脂の１つは、活性化芳香族誘導体とホルムアルデヒド型又は芳香族アルデヒドのコモノマーとの重縮合の生成物である。これらの樹脂は、様々なリソグラフィー組成物において広く利用されてきた。しかしながら、それらの剛直で高い芳香族性の骨格は、ガラス転移温度を増加させ、ギャップフィル及び平坦化特性を阻害する。改善された溶解性、より低いガラス転移温度、低下した硬化温度、高い熱安定性、硬化後の耐溶剤性、改善されたギャップフィル、及び改善された平坦化などの特性を付与することができる、新規なフォトレジスト下層材料が依然として継続的に必要とされている。
これらの制約を克服するために、本発明は、共役脂肪族アルデヒドコモノマーに基づくノボラック樹脂を導入する。本発明の組成物のポリマーは、活性化芳香族誘導体とホルムアルデヒド型又は芳香族アルデヒドのコモノマーとの重縮合生成物であるノボラック樹脂と比較して、改善された溶解性及びより低いガラス転移温度を実現する。
一実施形態によれば、下層組成物は、式（１）：
（式（１）において、Ａｒは単環式又は多環式のＣ５～６０芳香族基であり、この芳香族基は、１つ以上の芳香環ヘテロ原子、ヘテロ原子を含む置換基、又はこれらの組み合わせを含む）の繰り返し単位を含むポリマーを含有する。便宜的に、本明細書では単環式又は多環式のＣ５～６０芳香族基を「Ａｒ基」と呼ぶ場合がある。典型的には、１つ以上のヘテロ原子は独立してＮ、Ｏ、又はＳから選択することができる。Ｃ５～６０芳香族基が多環式である場合、環又は環基は縮合（ナフチルなど）、直接結合（ビアリール、ビフェニルなど）、及び／又はヘテロ原子によって架橋（トリフェニルアミノ又はジフェニレンエーテルなど）されていてもよい。一実施形態では、多環式芳香族基は、縮合環と直接結合している環（ビナフチルなど）との組み合わせを含み得る。単環式又は多環式のＣ５～６０芳香族基の１つ以上のヘテロ原子が、炭素原子の代わりの芳香環構成原子として（例えばヘテロアリーレン基）、ヘテロ原子含有置換基（例えばヒドロキシル置換基）の１つ以上のヘテロ原子として、又はこれらの組み合わせで存在し得ることは理解されるべきである。
単環式又は多環式のＣ５～６０芳香族基は、置換されているか又は無置換であることができる。例示的な置換基としては、限定するものではないが、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ハロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキル、ハロゲン、－ＯＲ２１、－ＳＲ２２、又は－ＮＲ２３Ｒ２４が挙げられ、これらの中のＲ２１～Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素、又は置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルである。
一実施形態では、単環式又は多環式のＣ５～６０芳香族基は、単環式若しくは多環式のＣ６～６０アリーレン基又は単環式若しくは多環式のＣ５～６０ヘテロアリーレン基であってもよい。Ｃ５～６０芳香族基が単環式又は多環式のＣ６～６０アリーレン基である場合、少なくとも１つの水素原子は、－ＯＲ２１、－ＳＲ２２、又は－ＮＲ２３Ｒ２４などの上で詳述したヘテロ原子含有置換基で置換されており、Ｒ２１～Ｒ２４は、それぞれ独立して、水素、又は置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルである。好ましくは、Ａｒは多環式Ｃ１０～６０アリーレン基又は多環式Ｃ７～６０ヘテロアリーレン基である。例示的なＡｒ基としては、限定するものではないが、置換若しくは無置換カルバゾールジイル、置換フェニレン、置換ビフェニレン、置換ナフチレン、及び置換ピレニレンが挙げられる。
一実施形態では、単環式又は多環式のＣ５～６０芳香族基は、ＯＲ２１、－ＳＲ２２、又は－ＮＲ２３Ｒ２４で置換された単環式又は多環式のＣ６～６０アリーレン基であってよく、Ｒ２１～Ｒ２４は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルである。例えば、単環式又は多環式のＣ５～６０芳香族基は、ヒドロキシル基で置換された単環式又は多環式のＣ６～６０アリーレン基であってよい。
「単環式又は多環式のＣ６～６０アリーレン基」が多環式である場合、炭素原子の数は、その基が化学的に実現可能であるのに十分なものであることが理解されるべきである。例えば、「単環式又は多環式のＣ６～６０アリーレン基」は、「単環式Ｃ６～６０アリーレン基又は多環式Ｃ１０～６０アリーレン基」を指す場合があり；或いは例えば「単環式Ｃ６～３０アリーレン基又は多環式Ｃ１２～６０アリーレン基」を指す場合がある。
「単環式又は多環式のＣ５～６０ヘテロアリーレン基」が多環式である場合、炭素原子の数は、その基が化学的に実現可能であるのに十分なものであることが理解されるべきである。例えば、「単環式又は多環式のＣ５～６０ヘテロアリーレン基」は、「単環式Ｃ５～６０ヘテロアリーレン基又は多環式Ｃ１０～６０ヘテロアリーレン基」を指す場合があり；或いは例えば「単環式Ｃ５～３０ヘテロアリーレン基又は多環式Ｃ１２～６０ヘテロアリーレン基」を指す場合がある。
式（１）において、ＸはＣ又はＯである。ＸがＣの場合、Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルであり；Ｒａ及びＲｂは、任意選択的に一緒になって５～７員環を形成していてもよく；Ｒａ又はＲｂのうちの少なくとも１つは、任意選択的にＲ２と一緒になって５～７員環を形成していてもよい。ＸがＯの場合には、Ｒａ及びＲｂは存在しない。一実施形態では、前述した５～７員環のうちのいずれかが１つ以上の追加の環に縮合して多環構造を形成していてもよい。好ましくは、ＸはＣである。
式（１）において、Ｒ１は、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルである。好ましくは、Ｒ１は、水素、又は置換若しくは無置換のＣ１～１０アルキルであり、水素が典型的である。
式（１）において、Ｒ２は、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキル、－ＮＲ１１Ｒ１２であり、Ｒ１１～Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルである。いくつかの実施形態では、Ｒ１１～Ｒ１２のうちの少なくとも１つは、任意選択的にＲ１と一緒になって５～７員環を形成していてもよい。
任意選択的には、Ｒ１とＲ２は一緒になって５～７員環を形成することができる。
一実施形態では、Ａｒ基は、式（２）：
（式中、Ａ１、Ａ２、及びＡ３は、それぞれ存在しても存在していなくてもよく、それぞれ独立して１～３個の縮合芳香環を表す）の基であってよい。
式（２）において、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキル、ハロゲン、－ＯＲ３１、－ＳＲ３２、又は－ＮＲ３３Ｒ３４を表すが、Ｒ３とＲ４のうちの少なくとも１つが－ＯＲ３１、－ＳＲ３２、又は－ＮＲ３３Ｒ３４であることを条件とする。
式（２）において、Ｒ３１～Ｒ３４は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルである。
式（２）において、ｍとｎの合計が０より大きい整数であることを条件として、ｍは０～４の整数であり、ｎは０～４の整数である。例えば、ｍとｎの合計は、１、２、３、又は４以上、典型的には１又は２であってよい。
別の実施形態では、Ａｒ基は、式（３ａ）、（３ｂ）、又は（３ｃ）：
（式中、Ａ４は１～３個の縮合芳香環を表し、Ａ４は存在しても存在しなくてもよい）の基であってよい。Ａ４は、１～３個の芳香環、より好ましくは１～２個の縮合芳香環、最も好ましくは１個の縮合芳香環を表すことが好ましい。
式（３ａ）、（３ｂ）、及び（３ｃ）において、Ａ４が少なくとも１つのヘテロアリール環を含む、又はＺ１とＺ２のうちの少なくとも１つがＮである、又はこれらの組み合わせであることを条件として、Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立してＣ又はＮである。
式（３ａ）、（３ｂ）、及び（３ｃ）において、各Ｒ５は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルである。式（３ａ）、（３ｂ）、又は（３ｃ）において、ｐは０～４の整数であり、典型的には０又は１である。
別の実施形態では、Ａｒ基は、式（４）：
の基であってよいが、Ａｒ基が１つ以上の芳香環ヘテロ原子、ヘテロ原子を含む置換基、又はこれらの組み合わせを含むことを条件とする。
式（４）において、Ｌ１は、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（Ｏ）－、－ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＣＲ５１Ｒ５２－、－ＮＲ５３－、又は－ＰＲ５４－であり、Ｒ５１～Ｒ５４は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルである。好ましくは、Ｌ１は－Ｏ－又は－ＮＲ５３－であり、より好ましくは－ＮＲ５３－である。
式（４）において、Ｌ２は、存在しないか、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（Ｏ）－、－ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）－、置換若しくは無置換Ｃ１～２アルキレン、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリーレン、又は置換若しくは無置換Ｃ５～３０ヘテロアリーレンである。好ましくは、Ｌ２は単結合である。
式（４）において、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキル、ハロゲン、－ＯＲ５５、－ＳＲ５６、又は－ＮＲ５７Ｒ５８である。
式（４）において、Ｒ５５～Ｒ５８は、それぞれ独立に、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルである。
式（４）において、ａは、０～４、典型的には０～２、より典型的には０の整数であり；ｂは、０～４、典型的には０～２、より典型的には０の整数である。
本発明のポリマーは、酸性触媒の存在下、及び任意選択には適切な溶媒中で、１種以上の単環式又は多環式Ｃ５～６０芳香族化合物（芳香族モノマー）を、式（５）：
の１，２－ジケトン又は共役脂肪族アルデヒド（カルボニルモノマー）と反応させることによって調製することができる（式中、ＸはＣ又はＯであり；Ｒ１は、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルである）。
式（５）において、Ｒ２は、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキル、又は－ＮＲ１１Ｒ１２であり、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルである。
任意選択的には、Ｒ１とＲ２は、一緒になって５～７員環を形成していてもよい。
任意選択的には、Ｒ１１又はＲ１２のうちの１つは、Ｒ１と一緒になって５～７員環を形成していてもよい。
式（５）において、ＸがＣである場合、Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルであり；ＲａとＲｂは、任意選択的には一緒になって５～７員環を形成していてもよく；Ｒａ又はＲｂのうちの１つは、任意選選択的に一緒になって５～７員環を形成していてもよく；Ｒａ又はＲｂのうちの１つは任意選択的にＲ２と一緒になって５～７員環を形成していてもよい。
式（５）において、ＸがＯである場合、Ｒａ及びＲｂは存在しない。
芳香族モノマーは、単環式又は多環式のＣ５～６０芳香族化合物であり、この芳香族化合物は、１つ以上の芳香環ヘテロ原子、ヘテロ原子を含む置換基、又はこれらの組み合わせを含む。例示的なＣ５～６０芳香族化合物としては、限定するものではないが、置換ベンゼン、置換ビフェニル、置換ナフタレン、置換ビナフチル、置換アントラセン、置換ベンズ［ａ］アントラセン、置換フルオレン、置換フルオランテン、置換ベンゾ［ｂ］フルオランテン、置換ジベンゾ（ａ，ｈ）アントラセン、置換フェナントレン、置換フェナレン、置換テトラセン、置換クリセン、置換トリフェニレン、置換ピレン、置換ペンタセン、置換ベンゾ［ａ］ピレン、置換コランニュレン、置換ベンゾペリレン、置換コロネン、置換オバレン、置換ベンゾ［ｃ］フルオレン、置換若しくは無置換ベンゾチオフェン、置換若しくは無置換ジベンゾチオフェン、置換若しくは無置換カルバゾール、置換若しくは無置換インドール、置換若しくは無置換キノリン、置換若しくは無置換イソキノリン、置換若しくは無置換プリン、置換若しくは無置換フェノキサジン、置換若しくは無置換フェノチアジン、置換若しくは無置換オキソフェノチアジン、置換若しくは無置換ジオキソフェノチアジンなどが挙げられる。
モノマーと任意選択的な溶媒は、任意の順序で混ぜ合わせることができる。酸触媒は、典型的にはモノマーと任意の任意選択的な溶媒の後に反応混合物に添加される。酸触媒の添加に続いて、反応混合物は、１～４８時間などの時間、還流などで加熱されることができる。加熱の後、反応生成物は、析出などによって反応混合物から単離され、これらは使用前に乾燥され、任意選択的に精製されることができる。芳香族モノマー全体対カルボニルモノマー全体のモル比は、０．５：１～２：１であり、典型的には０．６７：１～１．５：１である。
一実施形態では、ポリマーは、式（５）とは異なる別のアルデヒド、ケトン、又は１，２－ジカルボニルモノマーを使用せずに、式（５）のカルボニルモノマーから調製される。一実施形態では、ポリマーは、式（５）のカルボニルモノマー以外のアルデヒド化合物又はケトン化合物を使用せずに調製される。例えば、ポリマーは、式Ａｒ’－ＣＨＯのアルデヒドに由来する繰り返し単位を含まず、ここでのＡｒ’は、置換若しくは無置換Ｃ６～３０芳香族基である。
限定するものではないが、アルコール、グリコールエーテル、ラクトン、エステル、エーテル、ケトン、水、及び芳香族炭化水素などの様々な溶媒を、本発明のポリマーを調製するために使用することができる。好ましくは、アルコール、グリコールエーテル、ラクトン、エステル、エーテル、ケトン、又は水などの比較的極性の高い溶媒が使用される。溶媒の混合物が使用されてもよい。例示的な溶媒としては、限定するものではないが、メタノール、エタノール、プロパノール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、ガンマ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）、ガンマ－バレロラクトン、デルタ－バレロラクトン、乳酸エチル、１，４－ジオキサン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルエチルケトン、水、メシチレン、キシレン、アニソール、４－メチルアニソールなどが挙げられる。好ましい溶媒は、メタノール、エタノール、プロパノール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ガンマ－ブチロラクトン、ガンマ－バレロラクトン、デルタ－バレロラクトン、乳酸エチル、１，４－ジオキサン、シクロヘキサノン、及び水である。
本発明のポリマーの調製における触媒として様々な酸を適切に使用することができる。例示的な酸としては、限定するものではないが、有機カルボン酸及びジカルボン酸（プロピオン酸及びシュウ酸など）、鉱酸、及びスルホン酸が挙げられ、好ましくは酸触媒は鉱酸又はスルホン酸である。適切な鉱酸は、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、Ｈ３ＰＯ４、及びＨＣｌＯ４である。適切なスルホン酸としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、フェニルスルホン酸、フェノールスルホン酸、パラ－トルエンスルホン酸、及びクレゾールスルホン酸などのアルカンスルホン酸及びアリールスルホン酸が挙げられる。好ましい酸触媒は、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、Ｈ３ＰＯ４、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、フェニルスルホン酸、フェノールスルホン酸、及びパラトルエンスルホン酸（ｐＴＳＡ）である。
別の実施形態では、ポリマーは、式（６）～（１２）：
（式中のＡｒは式（１）で定義されている）のうちのいずれか１つ以上の繰り返し単位を含む。好ましくは、ポリマーは式（６）の繰り返し単位を含む。
本発明のポリマーは、ポリスチレン標準を使用するゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって決定される、５００～２０００ダルトン（Ｄａ）、好ましくは５００～１５０００Ｄａ、より好ましくは５００～１０００Ｄａの重量平均分子量（Ｍｗ）を有し得る。
下層組成物は、溶剤を更に含んでいてもよく、任意選択的には、硬化剤、架橋剤、及び界面活性剤から選択される１種以上の添加剤を更に含んでいてもよい。当業者は、その他の添加剤が本組成物に適切に使用され得ることを理解するであろう。
溶剤は、ＰＧＭＥ、ＰＧＭＥＡ、メチル３－メトキシプロピオネート（ＭＭＰ）、乳酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、アニソール、Ｎ－メチルピロリドン、ガンマ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）、エトキシベンゼン、プロピオン酸ベンジル、安息香酸ベンジル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、炭酸プロピレン、キシレン、メシチレン、クメン、リモネン、及びこれらの混合物などの、エレクトロニクス産業において典型的に使用されている有機溶剤であってよい。典型的には、下層組成物の総固形分は、下層組成物の総重量の０．５～２０重量％、典型的には０．５～１０重量％であり、溶剤が下層組成物の残部を占める。
任意選択的には、本発明の下層組成物は、堆積されたポリマー膜の硬化を助けるために、１種以上の硬化剤を更に含み得る。硬化剤は、基板の表面の下層組成物の硬化を引き起こす任意の成分である。好ましい硬化剤は、熱酸発生剤（ＴＡＧ）である。ＴＡＧは、熱にさらされると酸を放出する任意の化合物である。熱酸発生剤は、当技術分野において周知であり、Ｋｉｎｇ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｎｏｒｗａｌｋ，Ｃｏｎｎｅｃｔｉｃｕｔなどから一般に市販されている。例示的な熱酸発生剤には、アミンブロック化強酸、例えば、アミンブロック化ドデシルベンゼンスルホン酸などのアミンブロック化スルホン酸が含まれるが、それらに限定されない。特定の光酸発生剤が加熱時に酸を遊離することができ、熱酸発生剤として機能し得ることもまた当業者によって十分理解されるであろう。本組成物において有用なそのような硬化剤の量は、例えば、下層組成物の総固形分を基準として０～１０重量％、典型的には０～３重量％であってよい。
酸性条件下などの適切な条件下で本ポリマーと反応することができる少なくとも２つ、好ましくは少なくとも３つの部位を架橋剤が有することを条件として、任意の適切な架橋剤を本下層組成物において使用することができる。例示的な架橋剤としては、限定するものではないが、ノボラック樹脂、エポキシ含有化合物、メラミン化合物、グアナミン化合物、イソシアネート含有化合物、ベンゾシクロブテン、ベンゾオキサジン等が挙げられ、典型的には、メチロール、Ｃ１～１０アルコキシメチル、及びＣ２～１０アシルオキシメチルから選択される２個以上、より典型的には３個以の置換基を有する前述したもののいずれかが挙げられる。好適な架橋剤の例は、式（１３）及び（１４）によって示されるものである。
そのような架橋剤は、当技術分野において周知であり、様々な供給元から市販されている。本組成物において有用なそのような架橋剤の量は、例えば、下層組成物の総固形分を基準として０より多く３０重量％まで、好ましくは０より多く１０重量％までであってよい。
本下層組成物は、任意選択的には、１種以上の表面レベリング剤（又は界面活性剤）及び酸化防止剤を含み得る。典型的な界面活性剤としては、両親媒性性質を示すものが挙げられる。これは、それらが同時に親水性及び疎水性の両方であってもよいことを意味する。両親媒性界面活性剤は、水に対して強い親和性を有する、親水性の頭部基と、親有機性で水をはじく、長い疎水性の尾部とを有する。好適な界面活性剤は、イオン性（すなわち、アニオン性、カチオン性）又は非イオン性であってもよい。界面活性剤の更なる例としては、シリコーン界面活性剤、ポリ（アルキレンオキシド）界面活性剤、及びフルオロケミカル界面活性剤が挙げられる。適切な非イオン性界面活性剤としては、限定するものではないが、ＴＲＩＴＯＮ（登録商標）Ｘ－１１４、Ｘ－１００、Ｘ－４５、Ｘ－１５などのオクチル及びノニルフェノールエトキシレート、並びにＴＥＲＧＩＴＯＬ（商標）ＴＭＮ－６（Ｔｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｍｉｄｌａｎｄ，Ｍｉｃｈｉｇａｎ ＵＳＡ）及びＰＦ－６５６（Ｏｍｎｏｖａ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ，Ｂｅａｃｈｗｏｏｄ，Ｏｈｉｏ，ＵＳＡ）などの分岐二級アルコールエトキシレートが挙げられる。更に別の例示的な界面活性剤としては、アルコール（一級及び二級）エトキシレート、アミンエトキシレート、グルコシド、グルカミン、ポリエチレングリコール、ポリ（エチレングリコール－ｃｏ－プロピレングリコール）、又はＭａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ｃｏｎｆｅｃｔｉｏｎｅｒｓ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．ｏｆ Ｇｌｅｎ Ｒｏｃｋ，Ｎ．Ｊ．に開示されている他の界面活性剤が挙げられる。アセチレンジオール誘導体である非イオン性界面活性剤もまた好適であり得る。そのような界面活性剤は、Ａｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．ｏｆ Ａｌｌｅｎｔｏｗｎ，ＰＡから市販されており、ＳＵＲＦＹＮＯＬ（登録商標）及びＤＹＮＯＬ（登録商標）の商品名で販売されている。追加の適切な界面活性剤としては、トリブロックＥＯ－ＰＯ－ＥＯコポリマーであるＰＬＵＲＯＮＩＣ（登録商標）２５Ｒ２、Ｌ１２１、Ｌ１２３、Ｌ３１、Ｌ８１、Ｌ１０１、及びＰ１２３（ＢＡＳＦ，Ｉｎｃ．）などの他のポリマー化合物が挙げられる。そのような界面活性剤は、使用される場合、少量で、例えば、下層組成物の総固形分を基準として０より多く１重量％までで組成物中に存在し得る。
組成物中の有機材料の酸化を防止又は最小化するために、酸化防止剤が下層組成物に添加されてもよい。好適な酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、有機酸誘導体からなる酸化防止剤、硫黄含有酸化防止剤、リン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、アミン－アルデヒド縮合物からなる酸化防止剤及びアミン－ケトン縮合物からなる酸化防止剤が挙げられる。フェノール系酸化防止剤の例としては、１－オキシ－３－メチル－４－イソプロピルベンゼン、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－エチルフェノール、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェノール、４－ヒドロキシメチル－２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、２－（１－メチルシクロヘキシル）－４，６－ジメチルフェノール、２，４－ジメチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、２－メチル－４，６－ジノニルフェノール、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－α－ジメチルアミノ－ｐ－クレゾール、６－（４－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルアニリノ）２，４－ビスオクチル－チオ－１，３，５－トリアジン、ｎ－オクタデシル－３－（４’－ヒドロキシ－３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）プロピオネート、オクチル化フェノール、アラルキル置換フェノール、アルキル化ｐ－クレゾール、及びヒンダードフェノールなどの置換フェノール；４，４’－ジヒドロキシジフェニル、メチレンビス（ジメチル－４，６－フェノール）、２，２’－メチレン－ビス－（４－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）２，２’－メチレン－ビス－（４－メチル－６－シクロヘキシルフェノール）、２，２’－メチレン－ビス－（４－エチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、４，４’－メチレン－ビス－（２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレン－ビス－（６－α－メチル－ベンジル－ｐ－クレゾール）、メチレン架橋多価アルキルフェノール、４，４’－ブチリデンビス－（３－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、１，１－ビス－（４－ヒドロキシフェニル）－シクロヘキサン、２，２’－ジヒドロキシ－３，３’－ジ－（α－メチルシクロヘキシル）－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、アルキル化ビスフェノール、ヒンダードビスフェノール、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス－（２－メチル－４－ヒドロキシ－５－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ブタン、及びテトラキス－［メチレン－３－（３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４’－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタンなどのビス、トリス及びポリフェノールが挙げられる。適切な酸化防止剤は市販されており、例えばＩｒｇａｎｏｘ（商標）酸化防止剤（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｃｏｒｐ．）である。使用される場合、酸化防止剤は、下層組成物の総固形分を基準として例えば０より多く１重量％までの量で下層組成物中に存在し得る。
本発明の別の態様は、基板上に配置された下層組成物の層と、下層組成物の層の上に配置されたフォトレジスト層とを含む、コーティングされた基板を提供する。コーティングされた基板は、下層の上且つフォトレジスト層の下に配置されたケイ素含有層及び／又は有機反射防止コーティング層を更に含んでいてもよい。
本発明の更に別の態様は、パターンの形成方法を提供する。方法は、（ａ）下層組成物の層を基板上に塗布すること；（ｂ）塗布した下層組成物を硬化して下層を形成すること；及び（ｃ）前記下層の上にフォトレジスト層を形成すること；を含む。方法は、フォトレジスト層を形成する前に、下層の上にケイ素含有層及び／又は有機反射防止コーティング層を形成することを更に含み得る。方法は、フォトレジスト層をパターン化し、パターン化されたフォトレジスト層から、下層及び下層の下の層にパターンを転写することを更に含み得る。
本明細書において、「下層」という用語は、基板とフォトレジスト層との間の全ての除去可能な処理層、例えば、有機反射防止層、シリコン含有中間層、スピンオンカーボン層、及びフォトレジスト下層を指す。
多種多様の基板がパターン形成方法において使用され得、電子デバイス基板が典型的である。好適な基板としては、例えば、マルチチップモジュールなどのパッケージング基板；フラットパネルディスプレー基板；集積回路基板；有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの発光ダイオード（ＬＥＤ）用の基板；半導体ウェハー；多結晶シリコン基板等が挙げられる。好適な基板は、集積回路、光センサー、フラットパネルディスプレー、光集積回路、及びＬＥＤの製造において使用されるものなどのウェハーの形態にあり得る。本明細書で用いるところでは、用語「半導体ウェハー」は、シングルチップウェハー、マルチプルチップウェハー、様々なレベルのためのパッケージ、又ははんだ接続を必要とする他のアセンブリなどの、「電子デバイス基板」、「半導体基板」、「半導体デバイス」、及び様々なレベルの相互接続のための様々なパッケージを包含することを意図する。そのような基板は、任意の好適なサイズであってもよい。典型的なウェハー基板直径は、２００ｍｍ～３００ｍｍであるが、より小さい及びより大きい直径を有するウェハーが、本発明に従って好適に用いられ得る。本明細書で用いるところでは、用語「半導体基板」としては、半導体デバイスの有効部分又は動作可能部分を任意選択的に含み得る１つ以上の半導体層又は構造物を有する任意の基板が挙げられる。半導体デバイスは、少なくとも１つのマイクロ電子デバイスがその上にバッチ製造されたか又は製造されつつある半導体基板を意味する。
基板は、典型的には、シリコン、ポリシリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、アルミニウム、サファイア、タングステン、チタン、チタン－タングステン、ニッケル、銅、及び金の１つ以上から構成される。基板は、１つ以上の層及びパターン化形体を含み得る。層は、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、そのような金属の合金、窒化物又はケイ化物、ドープされたアモルファスシリコン又はドープされたポリシリコンの層などの１つ以上の導電層、酸化ケイ素、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、又は金属酸化物の層などの１つ以上の誘電体層、単結晶シリコンなどの半導体層、及びそれらの組み合わせを含み得る。層は、様々な技術、例えば、プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）若しくはエピタキシャル成長などの化学蒸着（ＣＶＤ）、スパッタリング若しくは蒸発などの物理蒸着（ＰＶＤ）、又は電気めっきなどによって形成することができる。
下層コーティング組成物は、スピンコーティング、スロットダイコーティング、ドクターブレーディング、カーテンコーティング、ローラーコーティング、噴霧コーティング、浸漬コーティング等などの、任意の好適な手段によって基板上にコートされ得る。半導体ウェハーの場合には、スピンコーティングが好ましい。典型的なスピンコーティング方法において、下層組成物は、基板上に下層組成物の所望の層を得るために１５～９０秒の期間５００～４０００ｒｐｍの速度で回転している基板に塗布される。コートされる下層組成物の厚さが、スピン速度、並びに組成物の固形分を変えることによって調整され得ることは、当業者に理解されるであろう。下層組成物から形成された下層は、典型的には５ｎｍ～５０μｍ、典型的には２５ｎｍ～３μｍ、より典型的には５０～５００ｎｍの乾燥層厚を有する。下層組成物は、基板上の複数のギャップを実質的に埋めるために、好ましくは埋めるために、より好ましくは完全に埋めるために塗布することができる。
塗布された下層組成物は、あらゆる溶剤及び他の比較的揮発性の成分を組成物から除去するために、比較的低い温度で任意選択的にソフトベークされる。他の適切な温度を使用することもできるが、典型的なベーク温度は６０～１７０℃とすることができる。残留溶剤を除去するためのそのようなベークは１０秒～１０分間行われるが、より長い時間又はより短い時間が適切に使用されてもよい。基板がウェハーである場合、このようなベーク工程は、ウェハーをホットプレート上で加熱することによって行われ得る。
塗布された下層組成物は、その後硬化して下層を、例えばフォトレジスト下層を形成する。下層組成物は、下層が、下層上に直接配置されたフォトレジスト又は他の有機層若しくは無機層などの、その後に設けられる層と混ざり合わないか、最小限しか混ざり合わないように十分に硬化される必要がある。下層組成物は、空気などの酸素含有雰囲気中で、又は窒素などの不活性雰囲気中で、且つ硬化したコーティング層を得るのに十分な加熱などの条件下で、硬化することができる。この硬化工程は、好ましくは、ホットプレート型装置上で行われるが、オーブン硬化が、同等の結果を得るために用いられ得る。硬化温度は、層全体が硬化するのに十分である必要があり、例えば、遊離酸などの硬化剤が架橋をもたらすことを可能にするのに十分であるか、硬化剤がＴＡＧである場合に熱酸発生剤が酸を遊離して遊離した酸が架橋をもたらすのを可能にするのに十分でなければならない。典型的には、硬化は、１５０℃以上、好ましくは１５０～４５０℃の温度で行われる。硬化温度は１８０℃以上、更により好ましくは２００℃以上、更に一層好ましくは２００～４００℃であることがより好ましい。硬化時間は、典型的には１０秒～１０分、好ましくは３０秒～５分、より好ましくは４５秒～５分、更により好ましくは４５～９０秒である。任意選択的に、傾斜又は多段階硬化プロセスが用いられ得る。傾斜ベークは、典型的には、比較的低い（例えば、周囲）温度で始まり、温度は、より高い標的温度まで一定の又は変化するランプ速度で上げられる。多段階硬化プロセスは、２つ以上の温度平坦域、典型的には、より低いベーク温度での第１段階及びより高い温度での１つ以上の追加の段階での硬化を含む。そのような傾斜又は多段階硬化プロセスのための条件は、当業者に公知であり、先行ソフトベークプロセスの省略を可能にし得る。
下層組成物の硬化後、フォトレジスト層、金属ハードマスク層などのハードマスク層、有機又は無機のＢＡＲＣ層などの１つ以上の加工層を、硬化した下層の上に配置することができる。フォトレジスト層は、下層の表面上に直接形成することができ、或いは、１つ以上の介在層上の下層の上に形成することができる。この場合、上述したような１つ以上の介在する加工層は、下層上に順次形成することができ、続いてフォトレジスト層を形成することができる。適切な層、厚さ、及びコーティング方法の決定は、当業者に周知である。
多種多様のフォトレジストを本発明の方法において適切に使用することができ、典型的にはこれはポジティブトーン材料である。適切なフォトレジストとしては、例えば、ＤｕＰｏｎｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ＆Ｉｍａｇｉｎｇ（Ｍａｒｌｂｏｒｏｕｇｈ，Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ）から入手可能なフォトレジストのＥＰＩＣ（商標）シリーズ内の材料が挙げられる。フォトレジストは、下層組成物に関連して上に記載されたような公知のコーティング技術によって基板に塗布することができ、スピンコーティングが典型的である。フォトレジスト層についての典型的な厚さは、５００～３０００Åである。フォトレジスト層は、典型的には次に層中の溶剤含有量を最小限にするためにソフトベークされ、それによって非粘着性コーティングが形成され、基板への層の接着性が改善される。ソフトベークは、ホットプレート上で又はオーブン中で行うことができ、ホットプレートが典型的である。典型的なソフトベークは、９０～１５０℃の温度、及び３０～９０秒の時間で行われる。
任意選択的には、１つ以上のバリア層がフォトレジスト層の上に配置されてもよい。適切なバリア層としては、トップコート層、トップ反射防止コーティング層（又はＴＡＲＣ層）などが挙げられる。好ましくは、液浸リソグラフィーを使用してフォトレジストをパターン化する場合にはトップコート層が使用される。そのようなトップコートは、当技術分野で周知であり、ＤｕＰｏｎｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ＆Ｉｍａｇｉｎｇから入手可能なＯＣ（商標）２０００など一般に市販されている。有機反射防止層がフォトレジスト層の下に使用される場合には、ＴＡＲＣ層は不要であることが当業者には理解されるであろう。
フォトレジスト層は、次に、露光領域と非露光領域との間で溶解性の差を生じさせるためにフォトマスクを通して活性化放射線に露光される。組成物のために活性化する放射線にフォトレジスト組成物を露光することへの本明細書での言及は、放射線がフォトレジスト組成物に潜像を形成できることを示す。フォトマスクは、活性化放射線によって、それぞれ、露光される及び露光されないレジスト層の領域に対応する光学的に透過性領域及び光学的に遮断性領域を有する。露光波長は、典型的には４００ｎｍ未満、より典型的には３００ｎｍ未満、例えば２４８ｎｍ（ＫｒＦ）、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）、又はＥＵＶ波長（例えば１３．５ｎｍ）である。好ましい態様では、露光波長は１９３ｎｍである。露光エネルギーは、例えば露光ツール及び感光性組成物の成分に応じて、典型的には１０～８０ｍＪ／ｃｍ２である。
フォトレジスト層の露光後に、後露光ベーク（ＰＥＢ）が典型的には行われる。ＰＥＢは、例えば、ホットプレート上で又はオーブン中で行うことができる。ＰＥＢは、典型的には、８０～１５０℃の温度、及び３０～９０秒の時間で行われる。それによって、極性が切り替えられた領域と切り替えられていない領域（それぞれ、露光領域及び非露光領域に対応する）との間の境界によって規定される潜像が形成される。その後、露光されたフォトレジスト層は、適切な現像液を使用して現像され、パターン化されたフォトレジスト層が得られる。
次いで、フォトレジスト層のパターンは、プラズマエッチング又はウェットエッチングなどの適切なエッチング技術によって、下層を含む１つ以上の下層及び基板に転写することができる。プラズマエッチングは、エッチングされる各層に適切なガス種を使用することができる。適切な湿式化学エッチング化学物質としては、例えば、水酸化アンモニウムと過酸化水素と水とを含有する混合物（例えばＳＣ－１クリーン）；塩酸と過酸化水素と水とを含有する混合物（例えばＳＣ－２クリーン）；硫酸と過酸化水素と水とを含有する混合物（例えばＳＰＭクリーン）；リン酸と過酸化水素と水とを含有する混合物；フッ化水素酸と水とを含有する混合物；フッ化水素酸とリン酸と水とを含有する混合物；フッ化水素酸と硝酸と水とを含有する混合物；テトラメチルアンモニウムヒドロキシドと水とを含有する混合物；などが挙げられる。
関与する層の数及び材料に応じて、パターン転写は、異なる技術を使用する複数のエッチング工程を含み得る。リソグラフィースタック中のパターン化されたフォトレジスト層、下層、及び他の任意選択の層は、従来技術を用いて基板のパターン転写後に除去され得る。任意選択的に、スタックの層の１つ以上は、下にある層へのパターン転写後且つ基板へのパターン転写前に除去することができ、或いは消費される。基板は、次いで、電子デバイスを形成するために公知の方法に従って更に処理される。
下層組成物は、自己整合二重パターニングプロセスにおいて使用することもできる。そのようなプロセスにおいて、上述した下層組成物の層は、スピンコートなどによって基板上にコートされる。あらゆる残りの有機溶剤が除去され、コーティング層が硬化してフォトレジスト下層を形成する。ケイ素含有ハードマスク層などの適切な中間層が、フォトレジスト下層の上に任意選択的にコーティングされてもよい。その後、適切なフォトレジストの層がスピンコートなどによって中間層上にコートされる。次いで、フォトレジスト層は画像化（露光）され、その後、露光されたフォトレジスト層は、適切な現像剤を使用して現像されて、パターン化されたフォトレジスト層を与える。パターンは、次に適切なエッチング技術によってフォトレジスト層から中間層及び下層に転写されて基板の複数部分を露出させる。典型的には、フォトレジストは、このようなエッチング工程中にも取り除かれる。次に、コンフォーマルなケイ素含有層が、パターン化された下層及び基板の露出された複数部分に渡り配置される。そのようなケイ素含有層は、典型的には、ＣＶＤによって慣例的に堆積されるＳｉＯＮ又はＳｉＯ２などの無機ケイ素層である。そのようなコンフォーマルなコーティングは、基板表面の露出部分上に並びに下層パターン上にケイ素含有層をもたらす。すなわち、そのようなケイ素含有層は、下層パターンの側面及び最上部を実質的に覆う。次に、ケイ素含有層は、部分的にエッチ（バリ取り）されてパターン化された下層の最上面及び基板の一部を露出させる。この部分エッチング工程の後に、基板上のパターンは複数のフィーチャを含み、それぞれのフィーチャは、ケイ素含有層がそれぞれの下層フィーチャの面に直接隣接する状態で下層のライン又はポストを含む。次に、下層の露光領域は、エッチングなどによって除去されて下層パターンの下にあった基板表面を露出させ、基板表面上にパターン化されたケイ素含有層を与え、そこではそのようなパターン化されたケイ素含有層は、パターン化されたレジスト下層と比べて２倍になる（すなわち、ライン及び／又はポストは２倍になる）。
本発明の下層組成物から形成された、フォトレジスト下層などの下層は、優れた平坦化、及び優れた耐溶剤性を示す。本発明の好ましい下層組成物は、結果として、様々な半導体製造プロセスにおいて有用な場合がある。
本発明の概念は、以下の実施例によって更に説明される。本明細書で使用される全ての化合物及び試薬は、手順が以下に与えられている場合を除いて、市販品である。
ポリマーの合成
合成実施例１
丸底フラスコに、８．０ｇの１－ナフトール（１当量）、８．３４ｇの（１Ｒ）－（－）－ミルテナール（１当量）、及び２０ｍＬのＰＧＭＥを入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、５．３３ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に２０時間加熱した。この反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、９／１（ｖ／ｖ）メタノール／水溶液の中に注ぎ入れ、固体ポリマー生成物を得た。生成物を濾過し、メタノールで洗浄し、その後４時間風乾し、５０℃で更に２０時間真空乾燥することで、合成実施例１（Ｐ－１）を得た。（収率６１％、Ｍｗ＝１０１０、ＰＤＩ＝１．２）。
合成実施例１
丸底フラスコに、８．０ｇの１－ナフトール（１当量）、８．３４ｇの（１Ｒ）－（－）－ミルテナール（１当量）、及び２０ｍＬのＰＧＭＥを入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、５．３３ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に２０時間加熱した。この反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、９／１（ｖ／ｖ）メタノール／水溶液の中に注ぎ入れ、固体ポリマー生成物を得た。生成物を濾過し、メタノールで洗浄し、その後４時間風乾し、５０℃で更に２０時間真空乾燥することで、合成実施例１（Ｐ－１）を得た。（収率６１％、Ｍｗ＝１０１０、ＰＤＩ＝１．２）。
合成実施例２～６
合成実施例２（Ｐ－２）～６（Ｐ－６）は、それぞれの芳香族モノマーを使用して上と同じ手順を用いて調製することで、以下の構造によって示される目的のポリマーを得た。合成実施例５及び６のアルデヒドモノマーとしてシトラールを使用した。
合成実施例２（Ｐ－２）～６（Ｐ－６）は、それぞれの芳香族モノマーを使用して上と同じ手順を用いて調製することで、以下の構造によって示される目的のポリマーを得た。合成実施例５及び６のアルデヒドモノマーとしてシトラールを使用した。
合成実施例７
丸底フラスコに、１０．０ｇの４，４’－（９－フルオレニリデン）ジフェノール（１当量）、５．２１ｇのアセナフトキノン（１当量）、及び４０ｍＬのＰＧＭＥを入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、２．００ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に２４時間加熱した。この反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、９／１（ｖ／ｖ）のメタノール／水の中に注ぎ入れ、固体ポリマー生成物を得た。生成物を濾過し、水及びメタノールで洗浄し、その後４時間風乾し、５０℃で更に２０時間真空乾燥することで、合成実施例７（Ｐ－７）を得た。（収率４０％、Ｍｗ＝１１２０、ＰＤＩ＝１．３）。
丸底フラスコに、１０．０ｇの４，４’－（９－フルオレニリデン）ジフェノール（１当量）、５．２１ｇのアセナフトキノン（１当量）、及び４０ｍＬのＰＧＭＥを入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、２．００ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に２４時間加熱した。この反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、９／１（ｖ／ｖ）のメタノール／水の中に注ぎ入れ、固体ポリマー生成物を得た。生成物を濾過し、水及びメタノールで洗浄し、その後４時間風乾し、５０℃で更に２０時間真空乾燥することで、合成実施例７（Ｐ－７）を得た。（収率４０％、Ｍｗ＝１１２０、ＰＤＩ＝１．３）。
合成実施例８～１２
合成実施例８（Ｐ－８）～１２（Ｐ－１２）は、それぞれの芳香族モノマーとジケトンモノマーとを使用して上と同じ手順を用いて調製することで、以下の構造によって示される目的のポリマーを得た。
合成実施例８（Ｐ－８）～１２（Ｐ－１２）は、それぞれの芳香族モノマーとジケトンモノマーとを使用して上と同じ手順を用いて調製することで、以下の構造によって示される目的のポリマーを得た。
比較ポリマーの合成
比較合成実施例１
丸底フラスコに、５．０ｇの１－ナフトール（１当量）、１．０４ｇのパラホルムアルデヒド（１当量）、及び２５ｍＬのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、０．２０ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に１６時間加熱した。この反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、９／１（ｖ／ｖ）のメタノール／水の中に注ぎ入れ、固体ポリマー生成物を得た。生成物を濾過し、過剰のメタノールで洗浄し、その後４時間風乾し、５０℃で更に２０時間真空乾燥することで、比較合成実施例１（ＣＰ－１）を得た。（収率５２％、Ｍｗ＝２２４０、ＰＤＩ＝２．０）。
比較合成実施例１
丸底フラスコに、５．０ｇの１－ナフトール（１当量）、１．０４ｇのパラホルムアルデヒド（１当量）、及び２５ｍＬのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、０．２０ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に１６時間加熱した。この反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、９／１（ｖ／ｖ）のメタノール／水の中に注ぎ入れ、固体ポリマー生成物を得た。生成物を濾過し、過剰のメタノールで洗浄し、その後４時間風乾し、５０℃で更に２０時間真空乾燥することで、比較合成実施例１（ＣＰ－１）を得た。（収率５２％、Ｍｗ＝２２４０、ＰＤＩ＝２．０）。
比較合成実施例２
丸底フラスコに、５．０ｇのカルバゾール（１．５当量）、０．６０ｇのパラホルムアルデヒド（１当量）、及び２０ｍＬの酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥＡ）を入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、１．４５ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に１６時間加熱した。反応中に反応混合物中に固体析出物が形成された。割り当てられた時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、懸濁液を９／１（ｖ／ｖ）のメタノール／水の中に注ぎ入れ、固体ポリマー生成物を得た。生成物を濾過し、過剰のメタノールで洗浄し、その後４時間風乾し、５０℃で更に２０時間真空乾燥することで、比較合成実施例２（ＣＰ－２）を得た。（収率８０％、Ｍｗ＝２７３０、ＰＤＩ＝２．５）。
丸底フラスコに、５．０ｇのカルバゾール（１．５当量）、０．６０ｇのパラホルムアルデヒド（１当量）、及び２０ｍＬの酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥＡ）を入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、１．４５ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に１６時間加熱した。反応中に反応混合物中に固体析出物が形成された。割り当てられた時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、懸濁液を９／１（ｖ／ｖ）のメタノール／水の中に注ぎ入れ、固体ポリマー生成物を得た。生成物を濾過し、過剰のメタノールで洗浄し、その後４時間風乾し、５０℃で更に２０時間真空乾燥することで、比較合成実施例２（ＣＰ－２）を得た。（収率８０％、Ｍｗ＝２７３０、ＰＤＩ＝２．５）。
比較合成実施例３
丸底フラスコに、５．０ｇの１－ピレノール（１当量）、０．６９ｇのパラホルムアルデヒド（１当量）、及び２０ｍＬのプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）を入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、２．２０ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に１時間加熱した。この反応時間の後、反応はほとんど固化した。固体をフラスコから取り出し、水及びメタノールで洗浄し、その後４時間風乾し、５０℃で更に２０時間真空乾燥することで、比較合成実施例３（ＣＰ－３）を得た。
丸底フラスコに、５．０ｇの１－ピレノール（１当量）、０．６９ｇのパラホルムアルデヒド（１当量）、及び２０ｍＬのプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）を入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、２．２０ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に１時間加熱した。この反応時間の後、反応はほとんど固化した。固体をフラスコから取り出し、水及びメタノールで洗浄し、その後４時間風乾し、５０℃で更に２０時間真空乾燥することで、比較合成実施例３（ＣＰ－３）を得た。
比較合成実施例４
丸底フラスコに、１０．０ｇの１－ナフトール（１当量）、７．７８ｇのシクロヘキサンカルボキサルデヒド（１当量）、及び３０ｍＬのプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）を入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、６．７０ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に２０時間加熱した。この反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、９／１（ｖ／ｖ）のメタノール／水の中に注ぎ入れ、固体ポリマー生成物を得た。生成物を濾過し、メタノールで洗浄し、その後４時間風乾し、５０℃で更に２０時間真空乾燥することで得た。比較合成実施例４（ＣＰ－４）は、ＧＰＣ分析によってポリマーではない小分子生成物として同定された。
丸底フラスコに、１０．０ｇの１－ナフトール（１当量）、７．７８ｇのシクロヘキサンカルボキサルデヒド（１当量）、及び３０ｍＬのプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）を入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、６．７０ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に２０時間加熱した。この反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、９／１（ｖ／ｖ）のメタノール／水の中に注ぎ入れ、固体ポリマー生成物を得た。生成物を濾過し、メタノールで洗浄し、その後４時間風乾し、５０℃で更に２０時間真空乾燥することで得た。比較合成実施例４（ＣＰ－４）は、ＧＰＣ分析によってポリマーではない小分子生成物として同定された。
比較合成実施例５
丸底フラスコに、１０．０ｇの１－ナフトール（１当量）、７．９２ｇのヘプタナール（１当量）、及び３５ｍＬのプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）を入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、６．７０ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に２０時間加熱した。この反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、９／１（ｖ／ｖ）のメタノール／水の中に注ぎ入れた。析出物は観察されなかったため、粗製混合物を濃縮してオイルを得た。比較合成実施例５（ＣＰ－５）は、ＧＰＣ分析によってポリマーではない小分子生成物として同定された。
丸底フラスコに、１０．０ｇの１－ナフトール（１当量）、７．９２ｇのヘプタナール（１当量）、及び３５ｍＬのプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）を入れた。反応混合物を６０℃に温め、５分間撹拌した後、６．７０ｇのメタンスルホン酸を一度に添加した。その後、反応を１２０℃に２０時間加熱した。この反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、９／１（ｖ／ｖ）のメタノール／水の中に注ぎ入れた。析出物は観察されなかったため、粗製混合物を濃縮してオイルを得た。比較合成実施例５（ＣＰ－５）は、ＧＰＣ分析によってポリマーではない小分子生成物として同定された。
物理的試験
ポリマーの数平均分子量及び重量平均分子量、それぞれＭｎ及びＭｗ、並びに多分散度（ＰＤＩ）の値（Ｍｗ／Ｍｎ）は、Ａｇｉｌｅｎｔ１１００シリーズ屈折率及びＭｉｎｉＤＡＷＮ光散乱検出器（Ｗｙａｔｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．）を備えたＡｇｉｌｅｎｔ１１００シリーズＬＣシステム上でのゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定した。サンプルを約１０ｍｇ／ｍＬの濃度でＨＰＬＣグレードのＴＨＦに溶解し、０．４５μｍのシリンジフィルターを通して濾過した後、４本のＳｈｏｄｅｘカラム（ＫＦ８０５、ＫＦ８０４、ＫＦ８０３、及びＫＦ８０２）に注入した。１ｍＬ／分の流量及び３５℃の温度を維持した。カラムを狭い分子量ＰＳ標準（ＥａｓｉＣａｌ ＰＳ－２、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ，Ｉｎｃ．）を使用して較正した。
ポリマーの数平均分子量及び重量平均分子量、それぞれＭｎ及びＭｗ、並びに多分散度（ＰＤＩ）の値（Ｍｗ／Ｍｎ）は、Ａｇｉｌｅｎｔ１１００シリーズ屈折率及びＭｉｎｉＤＡＷＮ光散乱検出器（Ｗｙａｔｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．）を備えたＡｇｉｌｅｎｔ１１００シリーズＬＣシステム上でのゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定した。サンプルを約１０ｍｇ／ｍＬの濃度でＨＰＬＣグレードのＴＨＦに溶解し、０．４５μｍのシリンジフィルターを通して濾過した後、４本のＳｈｏｄｅｘカラム（ＫＦ８０５、ＫＦ８０４、ＫＦ８０３、及びＫＦ８０２）に注入した。１ｍＬ／分の流量及び３５℃の温度を維持した。カラムを狭い分子量ＰＳ標準（ＥａｓｉＣａｌ ＰＳ－２、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ，Ｉｎｃ．）を使用して較正した。
示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を使用して、バルクポリマーのガラス転移温度を決定した。サンプル（１～３ｍｇ）を１５０℃に１０分間加熱して保持し、最初のサイクルで残留溶剤を除去した後、０℃まで冷却し、１０℃／分の加熱速度で３００℃に戻した。２回目の加熱曲線及び可逆加熱曲線を使用して、ガラス転移温度を特定した。
表１に、ポリマーＰ－１～Ｐ－１２並びに比較ポリマーＣＰ－１及びＣＰ－５の分子量、溶解性、及び熱特性が示されている。
表１に示されているように、本発明のポリマーは、比較例と比較してより優れた溶解性及びより低いガラス転移温度を有する。
配合物
表１に記載のポリマーを表２で説明した成分と組み合わせて組成物を形成することによって下層組成物を調製した。組成物は、コーティング前に０．２μｍのＰＴＦＥシリンジフィルターを通して濾過した。ポリマー、添加剤１、添加剤２、及び溶剤の量はグラム（ｇ）単位で記載されている。
表１に記載のポリマーを表２で説明した成分と組み合わせて組成物を形成することによって下層組成物を調製した。組成物は、コーティング前に０．２μｍのＰＴＦＥシリンジフィルターを通して濾過した。ポリマー、添加剤１、添加剤２、及び溶剤の量はグラム（ｇ）単位で記載されている。
添加剤Ｂ－１、添加剤Ｃ－１、溶剤Ｄ－１、及び溶剤Ｄ－２の構造は以下の通りである。
コーティング及び膜の試験
下層組成物を１００～２００ｎｍでコーティングし、２４０℃で６０秒間ベークした。膜厚はエリプソメトリーで測定した。
下層組成物を１００～２００ｎｍでコーティングし、２４０℃で６０秒間ベークした。膜厚はエリプソメトリーで測定した。
耐溶剤性
膜架橋の指標として溶剤剥離耐性を測定した。ＡＣＴ－８クリーントラック（Ｔｏｋｙｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｏ．）を使用して、８インチのシリコンウェハー上に下層組成物をコーティングし、ベークした。膜厚は、Ｔｈｅｒｍａ－ｗａｖｅ ＣｏのＯｐｔｉＰｒｏｂｅ（商標）を用いて測定した。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を膜に９０秒間付着させた後、１０５℃で６０秒間剥離前ベーク（ＰＳＢ）した。耐溶剤性は式１に従って計算した：
［（剥離前のＦＴ）－（ＰＳＢ後のＦＴ）］／（剥離前のＦＴ）＊１００％ 式１
（式中のＦＴは膜厚である）。耐溶剤性は表２に報告されており、この中でＡは９５～１００％の耐溶剤性、Ｂは９５％未満の耐溶剤性として定義されている。
膜架橋の指標として溶剤剥離耐性を測定した。ＡＣＴ－８クリーントラック（Ｔｏｋｙｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｏ．）を使用して、８インチのシリコンウェハー上に下層組成物をコーティングし、ベークした。膜厚は、Ｔｈｅｒｍａ－ｗａｖｅ ＣｏのＯｐｔｉＰｒｏｂｅ（商標）を用いて測定した。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を膜に９０秒間付着させた後、１０５℃で６０秒間剥離前ベーク（ＰＳＢ）した。耐溶剤性は式１に従って計算した：
［（剥離前のＦＴ）－（ＰＳＢ後のＦＴ）］／（剥離前のＦＴ）＊１００％ 式１
（式中のＦＴは膜厚である）。耐溶剤性は表２に報告されており、この中でＡは９５～１００％の耐溶剤性、Ｂは９５％未満の耐溶剤性として定義されている。
平坦化試験
平坦化特性を決定するために、本発明の下層組成物を評価した。テンプレートをＣＮＳＥ Ｎａｎｏ－ＦＡＢ（Ａｌｂａｎｙ，ＮＹ）で形成した。テンプレートは１００ｎｍのＳｉＯ２の膜厚、様々なピッチ及びパターンを有しており、ダイサイズは１ｃｍ×１ｃｍであった。各ダイは、１００ｎｍの個々のステップパターンで始まり、２０００μｍの非パターンオープンエリアが続き、４５ｎｍ／９０ｎｍ～２μｍ／５μｍのピッチのトレンチを被覆する様々なライン／スペースパターンが続いた。平坦化性能を判断するために最初のステップパターンを使用した。テンプレートクーポンを、本組成物でクーポンをコートする前に脱水ベークとして１５０℃で６０秒間ベークした。各下層組成物を、スピンコーター及び１５００ｒｐｍ＋／－２００ｒｐｍのスピン速度を使用してテンプレートクーポン上にコーティングした。目標膜厚は、硬化後に１００ｎｍであり、組成物希釈をそれに応じて調節して硬化後にほぼ目標の膜厚を得た。ウェハーを２４０℃のホットプレート上に６０秒間置くことにより、膜を硬化させた。ステップ全体の膜の平面化品質は、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ Ｐ－７触針式表面形状測定器によって評価した。
平坦化特性を決定するために、本発明の下層組成物を評価した。テンプレートをＣＮＳＥ Ｎａｎｏ－ＦＡＢ（Ａｌｂａｎｙ，ＮＹ）で形成した。テンプレートは１００ｎｍのＳｉＯ２の膜厚、様々なピッチ及びパターンを有しており、ダイサイズは１ｃｍ×１ｃｍであった。各ダイは、１００ｎｍの個々のステップパターンで始まり、２０００μｍの非パターンオープンエリアが続き、４５ｎｍ／９０ｎｍ～２μｍ／５μｍのピッチのトレンチを被覆する様々なライン／スペースパターンが続いた。平坦化性能を判断するために最初のステップパターンを使用した。テンプレートクーポンを、本組成物でクーポンをコートする前に脱水ベークとして１５０℃で６０秒間ベークした。各下層組成物を、スピンコーター及び１５００ｒｐｍ＋／－２００ｒｐｍのスピン速度を使用してテンプレートクーポン上にコーティングした。目標膜厚は、硬化後に１００ｎｍであり、組成物希釈をそれに応じて調節して硬化後にほぼ目標の膜厚を得た。ウェハーを２４０℃のホットプレート上に６０秒間置くことにより、膜を硬化させた。ステップ全体の膜の平面化品質は、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ Ｐ－７触針式表面形状測定器によって評価した。
表２において、平坦化品質は、以下のように定義される：Ａは３０ｎｍ未満の高さの変化を示し、Ｂは３０ｎｍを超える高さの変化を示す。数値が小さいほど平坦化性能が優れていることを示す。したがって、Ａは最も優れた平坦化を表し、Ｂは最も低い平坦化性能を表す。
表２から分かるように、本発明の下層組成物は、比較の下層組成物と比較して、優れた平坦化性能を有する。
本開示は、実用的で例示的な実施形態であると現在考えられるものと併せて記載されてきたが、本発明は、開示された実施形態に限定されず、むしろ添付の特許請求の範囲の趣旨及び範囲内に含まれる様々な修正形態及び均等な構成を包含することを意図することが理解されるべきである。
Claims (12)
- オーバーコートされるフォトレジストと共に用いるための下層組成物であって、式（１）：
Ａｒは、単環式若しくは多環式のＣ５～６０芳香族基であり、前記芳香族基は、１つ以上の芳香族環ヘテロ原子、ヘテロ原子含有置換基、又はこれらの組み合わせを含み；
ＸはＣ又はＯであり；
Ｒ１は、水素、又は置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキルであり；
Ｒ２は、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルであり；
任意選択的には、Ｒ１とＲ２は、一緒になって５～７員環を形成していてもよく；
ＸがＣの場合、Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、又は置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリールであり；
Ｒａ及びＲｂは、任意選択的に一緒になって５～７員環を形成していてもよく；
Ｒａ又はＲｂのうちの１つは、任意選択的にＲ２と一緒になって、芳香族環ではない５～７員環を形成していてもよく；
ＸがＯの場合には、Ｒａ及びＲｂは存在しない）
の繰り返し単位を含むポリマーであって、下記ポリマー
のいずれでもないポリマーを含む下層組成物。 - Ａｒが、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ハロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキル、ハロゲン、－ＯＲ２１、－ＳＲ２２、又は－ＮＲ２３Ｒ２４のうちの少なくとも１つで任意選択的に置換されていてもよい、単環式若しくは多環式のＣ５～６０ヘテロアリーレン基又は単環式若しくは多環式のＣ６～６０アリーレン基であり、Ｒ２１～Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルであるが、
前記単環式又は多環式のＣ６～６０アリーレン基が少なくとも１つのヘテロ原子含有置換基で置換されていることを条件とする、請求項１に記載の下層組成物。 - Ａｒが式（２）：
Ａ１、Ａ２、及びＡ３は、それぞれ存在しても存在していなくてもよく、それぞれ独立して１～３個の縮合芳香環を表し；
Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキル、ハロゲン、－ＯＲ３１、－ＳＲ３２、又は－ＮＲ３３Ｒ３４を表すが、
Ｒ３とＲ４のうちの少なくとも１つが－ＯＲ３１、－ＳＲ３２、又は－ＮＲ３３Ｒ３４であることを条件とし；
Ｒ３１～Ｒ３４は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルであり；
ｍは０～４の整数であり；
ｎは、０～４の整数であるが；
ｍとｎの合計が０より大きい整数であることを条件とする）
の基を含む、請求項１又は２に記載の下層組成物。 - Ａｒが、式（３ａ）、（３ｂ）、又は（３ｃ）：
Ａ４は存在しても存在しなくてもよく、１～３個の縮合芳香環を表し；
Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立にＣ又はＮであり；
各Ｒ５は、独立して、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルであり；
ｐは、０～４の整数であり；
Ａ４は少なくとも１つのヘテロアリール環を含み、Ｚ１とＺ２のうちの少なくとも１つはＮであるか、又はこれらの組み合わせである）
の基を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の下層組成物。 - Ａｒが式（４）：
Ｌ１は、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（Ｏ）－、－ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＣＲ５１Ｒ５２－、－ＮＲ５３－、又は－ＰＲ５４－であり；
Ｌ２は、存在しないか、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（Ｏ）－、－ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）－、置換若しくは無置換Ｃ１～２アルキレン、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリーレン、又は置換若しくは無置換Ｃ５～３０ヘテロアリーレンであり；
Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルケニル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０アルキニル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アルキルアリール、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキル、ハロゲン、－ＯＲ５５、－ＳＲ５６、又は－ＮＲ５７Ｒ５８であり；
Ｒ５１～Ｒ５８は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは無置換Ｃ１～３０アルキル、置換若しくは無置換Ｃ１～３０ヘテロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０シクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ２～３０ヘテロシクロアルキル、置換若しくは無置換Ｃ６～３０アリール、置換若しくは無置換Ｃ７～３０アリールアルキル、置換若しくは無置換Ｃ３～３０ヘテロアリール、又は置換若しくは無置換Ｃ４～３０ヘテロアリールアルキルであり；
ａは０～４の整数であり；
ｂは０～４の整数である）
の基を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の下層組成物。 - 前記単環式又は多環式のＣ５～６０芳香族基が、ヒドロキシルで置換された単環式又は多環式のＣ６～６０アリーレン基である、請求項１～５のいずれか一項に記載のフォトレジスト下層組成物。
- 前記ポリマーが式（６）～（１２）：
- ＸがＣである、請求項１～７のいずれか一項に記載の下層組成物。
- 硬化剤、架橋剤、及び界面活性剤のうちの１つ以上を更に含有する、請求項１～８のいずれか一項に記載の下層組成物。
- （ａ）請求項１～９のいずれか一項に記載の下層組成物の層を基板上に塗布すること；（ｂ）前記塗布した下層組成物を硬化して下層を形成すること；及び（ｃ）前記下層の上にフォトレジスト層を形成すること；を含む、パターンの形成方法。
- 前記フォトレジスト層を形成する前に、前記下層の上にケイ素含有層、有機反射防止コーティング層、又はこれらの組み合わせを形成することを更に含む、請求項１０に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層をパターン化し、前記パターン化されたフォトレジスト層から、前記下層及び前記下層の下の層にパターンを転写することを更に含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/007,903 | 2020-08-31 | ||
| US17/007,903 US20220066321A1 (en) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | Underlayer compositions and patterning methods |
| JP2021133938A JP2022041925A (ja) | 2020-08-31 | 2021-08-19 | 下層組成物及びパターニング方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021133938A Division JP2022041925A (ja) | 2020-08-31 | 2021-08-19 | 下層組成物及びパターニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024073511A true JP2024073511A (ja) | 2024-05-29 |
Family
ID=80356560
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021133938A Pending JP2022041925A (ja) | 2020-08-31 | 2021-08-19 | 下層組成物及びパターニング方法 |
| JP2024035614A Pending JP2024073511A (ja) | 2020-08-31 | 2024-03-08 | 下層組成物及びパターニング方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021133938A Pending JP2022041925A (ja) | 2020-08-31 | 2021-08-19 | 下層組成物及びパターニング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20220066321A1 (ja) |
| JP (2) | JP2022041925A (ja) |
| KR (1) | KR102584764B1 (ja) |
| CN (1) | CN114106275A (ja) |
| TW (1) | TW202210549A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11762294B2 (en) | 2020-08-31 | 2023-09-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Coating composition for photoresist underlayer |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08202034A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| US5932391A (en) * | 1995-08-18 | 1999-08-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist for alkali development |
| JPH11349654A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-21 | Sumitomo Durez Kk | フォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法 |
| JP2001114853A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-04-24 | Nippon Shokubai Co Ltd | カルボキシル基を有するノボラック型フェノール樹脂および該フェノール樹脂を用いたポジ型感光性樹脂組成物 |
| DE10057044B4 (de) * | 2000-11-17 | 2004-05-06 | Clariant Gmbh | Harze aus Alkylphenolen und Glyoxalsäurederivaten, und ihre Verwendung als Emulsionsspalter |
| JP2003238817A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-27 | Riichiro Nakajo | 複合樹脂材料 |
| JP2005221515A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-08-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | システムｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
| WO2006120845A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| WO2009115544A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Dsm Ip Assets B.V. | Composition comprising a blend of resins |
| CN104838315B (zh) * | 2012-12-14 | 2019-06-07 | 日产化学工业株式会社 | 包含多羟基芳香环酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜组合物 |
| KR101767080B1 (ko) * | 2014-04-09 | 2017-08-10 | 제일모직 주식회사 | 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 |
| JP6712188B2 (ja) | 2015-07-13 | 2020-06-17 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
| TWI715655B (zh) * | 2015-12-11 | 2021-01-11 | 日商迪愛生股份有限公司 | 酚醛清漆型樹脂及抗蝕劑膜 |
| US20190048129A1 (en) * | 2016-02-11 | 2019-02-14 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | A polymer, composition, forming sacrificial layer and method for semiconductor device therewith |
| CN106118229A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-11-16 | 苏州安洁科技股份有限公司 | 一种环保油墨 |
| US20190367658A1 (en) * | 2016-09-20 | 2019-12-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, composition, resist pattern formation method and pattern formation method |
| JP6940335B2 (ja) | 2017-08-30 | 2021-09-29 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、パターン形成方法、及び重合体 |
| EP3453728A1 (en) * | 2017-09-06 | 2019-03-13 | Exploitatiemaatschappij Smit-Vecht B.V. | A method for manufacturing a lignin-modified polyphenolic product and its use for the treatment of leather and skin |
| DE102018100694A1 (de) * | 2018-01-12 | 2019-07-18 | Ask Chemicals Gmbh | Formaldehydreduziertes Phenolharzbindemittel |
| WO2019225615A1 (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 日産化学株式会社 | 炭素酸素間二重結合を利用したレジスト下層膜形成組成物 |
-
2020
- 2020-08-31 US US17/007,903 patent/US20220066321A1/en not_active Abandoned
-
2021
- 2021-08-16 TW TW110130090A patent/TW202210549A/zh unknown
- 2021-08-17 KR KR1020210107873A patent/KR102584764B1/ko active IP Right Grant
- 2021-08-18 CN CN202110946464.1A patent/CN114106275A/zh active Pending
- 2021-08-19 JP JP2021133938A patent/JP2022041925A/ja active Pending
-
2024
- 2024-03-08 JP JP2024035614A patent/JP2024073511A/ja active Pending
- 2024-06-20 US US18/748,270 patent/US20240337946A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240337946A1 (en) | 2024-10-10 |
| KR20220029390A (ko) | 2022-03-08 |
| KR102584764B1 (ko) | 2023-10-05 |
| US20220066321A1 (en) | 2022-03-03 |
| JP2022041925A (ja) | 2022-03-11 |
| CN114106275A (zh) | 2022-03-01 |
| TW202210549A (zh) | 2022-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2024073511A (ja) | 下層組成物及びパターニング方法 | |
| JP7454618B2 (ja) | フォトレジスト下層組成物 | |
| JP2022166033A (ja) | レジスト下層組成物及び当該組成物を使用するパターン形成方法 | |
| US20230205087A1 (en) | Photoresist underlayer composition | |
| JP7270006B2 (ja) | フォトレジスト下層用のコーティング組成物 | |
| KR102676441B1 (ko) | 접착 촉진 포토레지스트 하층 조성물 | |
| JP7386309B2 (ja) | フォトレジスト下層組成物 | |
| JP7526761B2 (ja) | オーバーコートフォトレジスト用のコーティングされた下層 | |
| KR20240038614A (ko) | 포토레지스트 하층 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240805 |