JP2024055539A5 - - Google Patents
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ID=90716629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022162558A Pending JP2024055539A (ja) | 2022-10-07 | 2022-10-07 | エッチング液 |
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| JP (1) | JP2024055539A (enExample) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NO901662L (no) * | 1989-04-17 | 1990-12-21 | Monsanto Co | Toert herbicid preparat med forbedret vannopploeselighet. |
| JP2014099480A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Fujifilm Corp | 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
| US11186771B2 (en) * | 2017-06-05 | 2021-11-30 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device |
| WO2021072091A1 (en) * | 2019-10-09 | 2021-04-15 | Entegris, Inc. | Wet etching composition and method |
| JP2021086943A (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 花王株式会社 | エッチング液 |
| JP2022048714A (ja) * | 2020-09-15 | 2022-03-28 | キオクシア株式会社 | ケイ素窒化物用エッチング組成物及び半導体装置の製造方法 |
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2022
- 2022-10-07 JP JP2022162558A patent/JP2024055539A/ja active Pending
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