JP2023183319A - 積層基板及び積層基板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】歩留まりの低下を抑制することができる積層基板及び積層基板の製造方法を提供する。【解決手段】積層基板は、互いに積層された複数の第１配線基板と、前記複数の第１配線基板の間に位置する第１絶縁樹脂層と、前記複数の第１配線基板の側面を被覆する第２絶縁樹脂層と、を有する。【選択図】図２

Description

本開示は、積層基板及び積層基板の製造方法に関する。
コア層の一方の面及び他方の面に複数層の配線層が形成された配線基板が知られている。
特開２００４－２００６８９号公報 国際公開第２０１４／１８１７６６号
配線基板の大型化及び配線基板に含まれる配線層の層数の増加等が進むと、配線基板の歩留まりが低下するおそれがある。
本開示は、歩留まりの低下を抑制することができる積層基板及び積層基板の製造方法を提供することを目的とする。
本開示の一形態によれば、互いに積層された複数の第１配線基板と、前記複数の第１配線基板の間に位置する第１絶縁樹脂層と、前記複数の第１配線基板の側面を被覆する第２絶縁樹脂層と、を有する積層基板が提供される。
開示に技術によれば、歩留まりの低下を抑制することができる。
第１実施形態に係る積層基板を例示する上面図である。 第１実施形態に係る積層基板を例示する断面図である。 配線基板を例示する断面図（その１）である。 配線基板を例示する断面図（その２）である。 配線基板を例示する断面図（その３）である。 第１実施形態に係る積層基板の製造方法を例示する図（その１）である。 第１実施形態に係る積層基板の製造方法を例示する図（その２）である。 第１実施形態に係る積層基板の製造方法を例示する図（その３）である。 第１実施形態に係る積層基板の製造方法を例示する図（その４）である。 第１実施形態に係る積層基板の製造方法を例示する図（その５）である。 第１実施形態に係る積層基板の製造方法を例示する図（その６）である。 第１実施形態に係る積層基板の製造方法を例示する図（その７）である。 第１実施形態に係る積層基板の製造方法を例示する図（その８）である。 第１実施形態に係る積層基板の製造方法を例示する図（その９）である。 第１実施形態に係る積層基板の製造方法を例示する図（その１０）である。 第２実施形態に係る積層基板を例示する上面図である。 第２実施形態に係る積層基板を例示する断面図である。 第３実施形態に係る積層基板を例示する断面図である。
以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。
（第１実施形態）
［積層基板の構造］
まず、第１実施形態に係る積層基板の構造について説明する。図１は、第１実施形態に係る積層基板を例示する上面図である。図２は、第１実施形態に係る積層基板を例示する断面図である。図２は、図１中のII-II線に沿った断面図に相当する。
図１及び図２に示すように、第１実施形態に係る積層基板１は、配線基板１００と、配線基板２００と、配線基板３００と、配線基板４００と、配線基板５００と、絶縁樹脂層７００とを有する。配線基板２００、３００、４００及び５００はこの順で配線基板１００に積層されている。
なお、本実施形態では、便宜上、配線基板１００から視て配線基板５００が位置する側を上側又は一方の側、配線基板５００から視て配線基板１００が位置する側を下側又は他方の側とする。また、各部位の配線基板５００側の面を上面又は一方の面、配線基板１００側の面を下面又は他方の面とする。但し、積層基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。また、平面視とは対象物を配線基板５００の上面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を配線基板５００の上面の法線方向から視た形状を指すものとする。
配線基板１００、２００、３００、４００及び５００の平面形状は、例えば矩形状である。平面視で、配線基板２００、３００、４００及び５００の各辺の長さは略等しい。一方、配線基板１００の各辺の長さは、配線基板２００、３００、４００及び５００の各辺の長さよりも大きい。
配線基板２００は配線基板１００の上に設けられている。積層基板１は複数の導電性接合材２２６を有しており、配線基板１００及び２００は導電性接合材２２６により互いに機械的に接合されている。また、配線基板１００及び２００は導電性接合材２２６を通じて互いに電気的に接続されている。導電性接合材２２６は、例えば、はんだを含む。はんだの材料としては、錫銀（ＳｎＡｇ）系合金、錫亜鉛（ＳｎＺｎ）系合金及び錫銅（ＳｎＣｕ）系合金等の無鉛はんだ、並びに鉛錫（ＰｂＳｎ）系合金の有鉛はんだが例示される。
配線基板３００は配線基板２００の上に設けられている。積層基板１は複数の導電性接合材３２６を有しており、配線基板２００及び３００は導電性接合材３２６により互いに機械的に接合されている。また、配線基板２００及び３００は導電性接合材３２６を通じて互いに電気的に接続されている。導電性接合材３２６の材料は、例えば、導電性接合材２２６の材料と同様である。
配線基板４００は配線基板３００の上に設けられている。積層基板１は複数の導電性接合材４２６を有しており、配線基板３００及び４００は導電性接合材４２６により互いに機械的に接合されている。また、配線基板３００及び４００は導電性接合材４２６を通じて互いに電気的に接続されている。導電性接合材４２６の材料は、例えば、導電性接合材２２６の材料と同様である。
配線基板５００は配線基板４００の上に設けられている。積層基板１は複数の導電性接合材５２６を有しており、配線基板４００及び５００は導電性接合材５２６により互いに機械的に接合されている。また、配線基板４００及び５００は導電性接合材５２６を通じて互いに電気的に接続されている。導電性接合材５２６の材料は、例えば、導電性接合材２２６の材料と同様である。
平面視で、配線基板２００、３００、４００及び５００の外縁が互いに重なり合っている。また、平面視で、配線基板２００、３００、４００及び５００の外縁は、配線基板１００の外縁の内側に位置する。平面視では、配線基板１００の上面の一部が配線基板２００、３００、４００及び５００から環状に露出している。配線基板２００、３００、４００及び５００は第１配線基板の一例であり、配線基板１００は第２配線基板の一例である。
ここで、配線基板１００、２００、３００、４００及び５００について詳細に説明する。図３は、配線基板１００及び２００を例示する断面図である。図４は、配線基板３００及び４００を例示する断面図である。図５は、配線基板５００を例示する断面図である。
図３（ａ）に示すように、配線基板１００は、コア層１０１の一方の面１０１ａに順次積層された、配線層１１０、絶縁層１１１、配線層１１２、絶縁層１１３及び配線層１１４を有している。また、配線基板１００は、コア層１０１の他方の面１０１ｂに順次積層された、配線層１２０、絶縁層１２１、配線層１２２、絶縁層１２３、配線層１２４及びソルダーレジスト層１２５を有している。
コア層１０１としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。コア層１０１として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂等を含浸させた基板等を用いてもよい。コア層１０１がガラスクロス等を含まなくてもよい。
配線層１１０は、コア層１０１の一方の面１０１ａに形成されている。配線層１１０は、コア層１０１を貫通する貫通配線１０２を介して、配線層１２０と電気的に接続されている。配線層１１０の材料は、例えば、銅等である。
絶縁層１１１は、コア層１０１の一方の面１０１ａに配線層１１０を覆うように形成されている。絶縁層１１１の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層１１１の厚さは、例えば１０μｍ～５０μｍ程度とすることができる。絶縁層１１１は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層１１２は、絶縁層１１１の一方の側に形成されている。配線層１１２は、絶縁層１１１を貫通し配線層１１０の上面を露出するビアホール１１１ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層１１１の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層１１２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層１１０と電気的に接続されている。ビアホール１１１ｘは、例えば、上側に開口されている開口部の径が配線層１１０の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層１１２の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層１１３は、絶縁層１１１の上面に配線層１１２を覆うように形成されている。絶縁層１１３の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層１１３は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層１１４は、絶縁層１１３の一方の側に形成されている。配線層１１４は、絶縁層１１３を貫通し配線層１１２の上面を露出するビアホール１１３ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層１１３の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層１１４の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層１１２と電気的に接続されている。ビアホール１１３ｘは、例えば、上側に開口されている開口部の径が配線層１１２の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層１１４の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
配線層１２０は、コア層１０１の他方の面１０１ｂに形成されている。配線層１２０の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層１２１は、コア層１０１の他方の面１０１ｂに配線層１２０を覆うように形成されている。絶縁層１２１の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層１２１は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層１２２は、絶縁層１２１の他方の側に形成されている。配線層１２２は、絶縁層１２１を貫通し配線層１２０の下面を露出するビアホール１２１ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層１２１の下面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層１２２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層１２０と電気的に接続されている。ビアホール１２１ｘは、例えば、下側に開口されている開口部の径が配線層１２０の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層１２２の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層１２３は、絶縁層１２１の下面に配線層１２２を覆うように形成されている。絶縁層１２３の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層１２３は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層１２４は、絶縁層１２３の他方の側に形成されている。配線層１２４は、絶縁層１２３を貫通し配線層１２２の下面を露出するビアホール１２３ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層１２３の下面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層１２４の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層１２２と電気的に接続されている。ビアホール１２３ｘは、例えば、下側に開口されている開口部の径が配線層１２２の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層１２４の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
ソルダーレジスト層１２５は、配線基板１００の他方の側の最外層であり、絶縁層１２３の下面に、配線層１２４を覆うように設けられた絶縁層である。ソルダーレジスト層１２５は、例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の感光性樹脂等から形成することができる。ソルダーレジスト層１２５の厚さは、例えば５μｍ～４０μｍ程度とすることができる。
ソルダーレジスト層１２５は、開口部１２５ｘを有し、開口部１２５ｘの底部には配線層１２４の下面の一部が露出している。開口部１２５ｘの平面形状は、例えば、円形である。開口部１２５ｘ内に露出する配線層１２４は、マザーボード等の実装基板と電気的に接続するためのパッドとして用いることができる。必要に応じ、開口部１２５ｘ内に露出する配線層１２４の下面に金属層を形成したり、水溶性フラックス（organic solderability preservative：ＯＳＰ）処理等の酸化防止処理を施したりしてもよい。
図３（ｂ）に示すように、配線基板２００は、コア層２０１の一方の面２０１ａに順次積層された、配線層２１０、絶縁層２１１、配線層２１２、絶縁層２１３及び配線層２１４を有している。また、配線基板２００は、コア層２０１の他方の面２０１ｂに順次積層された、配線層２２０、絶縁層２２１、配線層２２２、絶縁層２２３及び配線層２２４を有している。
コア層２０１の材料は、例えば、コア層１０１の材料と同様である。コア層２０１がガラスクロス等を含まなくてもよい。
配線層２１０は、コア層２０１の一方の面２０１ａに形成されている。配線層２１０は、コア層２０１を貫通する貫通配線２０２を介して、配線層２２０と電気的に接続されている。配線層２１０の材料は、例えば、配線層１１０の材料と同様である。
絶縁層２１１は、コア層２０１の一方の面２０１ａに配線層２１０を覆うように形成されている。絶縁層２１１の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層２１１は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層２１２は、絶縁層２１１の一方の側に形成されている。配線層２１２は、絶縁層２１１を貫通し配線層２１０の上面を露出するビアホール２１１ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層２１１の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層２１２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２１０と電気的に接続されている。ビアホール２１１ｘは、例えば、上側に開口されている開口部の径が配線層２１０の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層２１２の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層２１３は、絶縁層２１１の上面に配線層２１２を覆うように形成されている。絶縁層２１３の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層２１３は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層２１４は、絶縁層２１３の一方の側に形成されている。配線層２１４は、絶縁層２１３を貫通し配線層２１２の上面を露出するビアホール２１３ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層２１３の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層２１４の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２１２と電気的に接続されている。ビアホール２１３ｘは、例えば、上側に開口されている開口部の径が配線層２１２の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層２１４の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
配線層２２０は、コア層２０１の他方の面２０１ｂに形成されている。配線層２２０の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層２２１は、コア層２０１の他方の面２０１ｂに配線層２２０を覆うように形成されている。絶縁層２２１の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層２２１は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層２２２は、絶縁層２２１の他方の側に形成されている。配線層２２２は、絶縁層２２１を貫通し配線層２２０の下面を露出するビアホール２２１ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層２２１の下面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層２２２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２２０と電気的に接続されている。ビアホール２２１ｘは、例えば、下側に開口されている開口部の径が配線層２２０の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層２２２の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層２２３は、絶縁層２２１の下面に配線層２２２を覆うように形成されている。絶縁層２２３の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層２２３は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層２２４は、絶縁層２２３の他方の側に形成されている。配線層２２４は、絶縁層２２３を貫通し配線層２２２の下面を露出するビアホール２２３ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層２２３の下面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層２２４の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２２２と電気的に接続されている。ビアホール２２３ｘは、例えば、下側に開口されている開口部の径が配線層２２２の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層２２４の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
図４（ａ）に示すように、配線基板３００は、コア層３０１の一方の面３０１ａに順次積層された、配線層３１０、絶縁層３１１及び配線層３１２を有している。また、配線基板３００は、コア層３０１の他方の面３０１ｂに順次積層された、配線層３２０、絶縁層３２１及び配線層３２２を有している。
コア層３０１の材料は、例えば、コア層１０１の材料と同様である。
配線層３１０は、コア層３０１の一方の面３０１ａに形成されている。配線層３１０は、コア層３０１を貫通する貫通配線３０２を介して、配線層３２０と電気的に接続されている。配線層３１０の材料は、例えば、配線層１１０の材料と同様である。貫通配線３０２がコア層３０１を貫通する貫通孔の内壁面を覆うように形成され、貫通配線３０２の内側に絶縁層３０３が設けられていてもよい。
絶縁層３１１は、コア層３０１の一方の面３０１ａに配線層３１０を覆うように形成されている。絶縁層３１１の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層３１１は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層３１２は、絶縁層３１１の一方の側に形成されている。配線層３１２は、絶縁層３１１を貫通し配線層３１０の上面を露出するビアホール３１１ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層３１１の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層３１２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層３１０と電気的に接続されている。ビアホール３１１ｘは、例えば、上側に開口されている開口部の径が配線層３１０の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層３１２の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
配線層３２０は、コア層３０１の他方の面３０１ｂに形成されている。配線層３２０の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層３２１は、コア層３０１の他方の面３０１ｂに配線層３２０を覆うように形成されている。絶縁層３２１の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層３２１は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層３２２は、絶縁層３２１の他方の側に形成されている。配線層３２２は、絶縁層３２１を貫通し配線層３２０の下面を露出するビアホール３２１ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層３２１の下面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層３２２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層３２０と電気的に接続されている。ビアホール３２１ｘは、例えば、下側に開口されている開口部の径が配線層３２０の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層３２２の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
図４（ｂ）に示すように、配線基板４００は、コア層４０１の一方の面４０１ａに順次積層された、配線層４１０、絶縁層４１１、配線層４１２、絶縁層４１３及び配線層４１４を有している。また、配線基板４００は、コア層４０１の他方の面４０１ｂに順次積層された、配線層４２０、絶縁層４２１、配線層４２２、絶縁層４２３及び配線層４２４を有している。
コア層４０１の材料は、例えば、コア層１０１の材料と同様である。コア層４０１がガラスクロス等を含まなくてもよい。
配線層４１０は、コア層４０１の一方の面４０１ａに形成されている。配線層４１０は、コア層４０１を貫通する貫通配線４０２を介して、配線層４２０と電気的に接続されている。配線層４１０の材料は、例えば、配線層１１０の材料と同様である。
絶縁層４１１は、コア層４０１の一方の面４０１ａに配線層４１０を覆うように形成されている。絶縁層４１１の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層４１１は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層４１２は、絶縁層４１１の一方の側に形成されている。配線層４１２は、絶縁層４１１を貫通し配線層４１０の上面を露出するビアホール４１１ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層４１１の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層４１２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層４１０と電気的に接続されている。ビアホール４１１ｘは、例えば、上側に開口されている開口部の径が配線層４１０の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層４１２の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層４１３は、絶縁層４１１の上面に配線層４１２を覆うように形成されている。絶縁層４１３の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層４１３は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層４１４は、絶縁層４１３の一方の側に形成されている。配線層４１４は、絶縁層４１３を貫通し配線層４１２の上面を露出するビアホール４１３ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層４１３の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層４１４の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層４１２と電気的に接続されている。ビアホール４１３ｘは、例えば、上側に開口されている開口部の径が配線層４１２の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層４１４の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
配線層４２０は、コア層４０１の他方の面４０１ｂに形成されている。配線層４２０の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層４２１は、コア層４０１の他方の面４０１ｂに配線層４２０を覆うように形成されている。絶縁層４２１の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層４２１は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層４２２は、絶縁層４２１の他方の側に形成されている。配線層４２２は、絶縁層４２１を貫通し配線層４２０の下面を露出するビアホール４２１ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層４２１の下面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層４２２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層４２０と電気的に接続されている。ビアホール４２１ｘは、例えば、下側に開口されている開口部の径が配線層４２０の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層４２２の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層４２３は、絶縁層４２１の下面に配線層４２２を覆うように形成されている。絶縁層４２３の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層４２３は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層４２４は、絶縁層４２３の他方の側に形成されている。配線層４２４は、絶縁層４２３を貫通し配線層４２２の下面を露出するビアホール４２３ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層４２３の下面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層４２４の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層４２２と電気的に接続されている。ビアホール４２３ｘは、例えば、下側に開口されている開口部の径が配線層４２２の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層４２４の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
図５に示すように、配線基板５００は、コア層５０１の一方の面５０１ａに順次積層された、配線層５１０、絶縁層５１１、配線層５１２、絶縁層５１３、配線層５１４及びソルダーレジスト層５１５を有している。また、配線基板５００は、コア層５０１の他方の面５０１ｂに順次積層された、配線層５２０、絶縁層５２１、配線層５２２、絶縁層５２３及び配線層５２４を有している。
コア層５０１の材料は、例えば、コア層１０１の材料と同様である。コア層５０１がガラスクロス等を含まなくてもよい。
配線層５１０は、コア層５０１の一方の面５０１ａに形成されている。配線層５１０は、コア層５０１を貫通する貫通配線５０２を介して、配線層５２０と電気的に接続されている。配線層５１０の材料は、例えば、配線層１１０の材料と同様である。
絶縁層５１１は、コア層５０１の一方の面５０１ａに配線層５１０を覆うように形成されている。絶縁層５１１の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層５１１は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層５１２は、絶縁層５１１の一方の側に形成されている。配線層５１２は、絶縁層５１１を貫通し配線層５１０の上面を露出するビアホール５１１ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層５１１の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層５１２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層５１０と電気的に接続されている。ビアホール５１１ｘは、例えば、上側に開口されている開口部の径が配線層５１０の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層５１２の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層５１３は、絶縁層５１１の上面に配線層５１２を覆うように形成されている。絶縁層５１３の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層５１３は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層５１４は、絶縁層５１３の一方の側に形成されている。配線層５１４は、絶縁層５１３を貫通し配線層５１２の上面を露出するビアホール５１３ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層５１３の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層５１４の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層５１２と電気的に接続されている。ビアホール５１３ｘは、例えば、上側に開口されている開口部の径が配線層５１２の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層５１４の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
ソルダーレジスト層５１５は、配線基板５００の一方の側の最外層であり、絶縁層５１３の上面に、配線層５１４を覆うように形成された絶縁層である。ソルダーレジスト層５１５の材料や厚さは、例えば、ソルダーレジスト層１２５と同様である。
ソルダーレジスト層５１５は、開口部５１５ｘを有し、開口部５１５ｘの底部には配線層５１４の上面の一部が露出している。開口部５１５ｘの平面形状は、例えば、円形である。必要に応じ、開口部５１５ｘ内に露出する配線層５１４の上面に金属層を形成したり、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施したりしてもよい。
開口部５１５ｘの底部に露出する配線層５１４の上面には、外部接続端子５１６が形成されている。外部接続端子５１６は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。外部接続端子５１６は、半導体チップと電気的に接続するための端子となる。
配線層５２０は、コア層５０１の他方の面５０１ｂに形成されている。配線層５２０の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層５２１は、コア層５０１の他方の面５０１ｂに配線層５２０を覆うように形成されている。絶縁層５２１の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層５２１は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層５２２は、絶縁層５２１の他方の側に形成されている。配線層５２２は、絶縁層５２１を貫通し配線層５２０の下面を露出するビアホール５２１ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層５２１の下面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層５２２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層５２０と電気的に接続されている。ビアホール５２１ｘは、例えば、下側に開口されている開口部の径が配線層５２０の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層５２２の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
絶縁層５２３は、絶縁層５２１の下面に配線層５２２を覆うように形成されている。絶縁層５２３の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層５２３は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有することができる。
配線層５２４は、絶縁層５２３の他方の側に形成されている。配線層５２４は、絶縁層５２３を貫通し配線層５２２の下面を露出するビアホール５２３ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層５２３の下面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層５２４の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層５２２と電気的に接続されている。ビアホール５２３ｘは、例えば、下側に開口されている開口部の径が配線層５２２の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層５２４の材料は、例えば、配線層１１０と同様である。
導電性接合材２２６は、配線基板１００の配線層１１４の配線パターンと、配線基板２００の配線層２２４の配線パターンとを、互いに機械的に接合すると共に、互いに電気的に接続している。導電性接合材３２６は、配線基板２００の配線層２１４の配線パターンと、配線基板３００の配線層３２２の配線パターンとを、互いに機械的に接合すると共に、互いに電気的に接続している。導電性接合材４２６は、配線基板３００の配線層３１２の配線パターンと、配線基板４００の配線層４２４の配線パターンとを、互いに機械的に接合すると共に、互いに電気的に接続している。導電性接合材５２６は、配線基板４００の配線層４１４の配線パターンと、配線基板５００の配線層５２４の配線パターンとを、互いに機械的に接合すると共に、互いに電気的に接続している。導電性接合材３２６、４２６及び５２６は第１導電性接合材の一例であり、導電性接合材２２６は第２導電性接合材の一例である。
絶縁樹脂層７００は、接着部７１１と、接着部７１２と、接着部７１３と、接着部７１４と、側面被覆部７２０とを有する。接着部７１１は、配線基板１００の上面と配線基板２００の下面との間に設けられている。接着部７１１は、配線基板１００及び２００を互いに接着している。接着部７１２は、配線基板２００の上面と配線基板３００の下面との間に設けられている。接着部７１２は、配線基板２００及び３００を互いに接着している。接着部７１３は、配線基板３００の上面と配線基板４００の下面との間に設けられている。接着部７１３は、配線基板３００及び４００を互いに接着している。接着部７１４は、配線基板４００の上面と配線基板５００の下面との間に設けられている。接着部７１４は、配線基板４００及び５００を互いに接着している。側面被覆部７２０は、配線基板２００の側面と、配線基板３００の側面と、配線基板４００の側面と、配線基板５００の側面とを被覆する。側面被覆部７２０は、更に配線基板１００の上面を環状に被覆している。例えば、接着部７１１、７１２、７１３及び７１４と側面被覆部７２０とは一体化されている。絶縁樹脂層７００の材料は、例えば、エポキシ系樹脂である。接着部７１２、７１３及び７１４は第１絶縁樹脂層の一例であり、側面被覆部７２０は第２絶縁樹脂層の一例であり、接着部７１１は第３絶縁樹脂層の一例である。
［積層基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る積層基板の製造方法について説明する。図６～図１５は、第１実施形態に係る積層基板の製造方法を例示する図である。図６（ａ）、図７（ａ）、図８（ａ）、図９（ａ）及び図１０（ａ）は斜視図である。図６（ｂ）、図７（ｂ）、図８（ｂ）、図９（ｂ）、図１０（ｂ）及び図１１～図１５は断面図である。
まず、図６～図１０に示すように、大判配線基板１００ｔ、２００ｔ、３００ｔ、４００ｔ及び５００ｔを作製する。
図６（ａ）は大判配線基板１００ｔを斜視図であり、図６（ｂ）は大判配線基板１００ｔを示す断面図である。大判配線基板１００ｔは、個片化により配線基板１００となる複数の配線基板領域１００ｓを含む。図６（ｂ）には、２個の配線基板領域１００ｓを示す。以下の説明では、大判配線基板１００ｔ内の部位に、最終的に配線基板１００に形成される部位と同じ名称及び符号を用いることとする。
大判配線基板１００ｔの作製に際しては、まず、コア層１０１に貫通配線１０２、配線層１１０及び配線層１２０を形成する。具体的には、例えば、ＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法等により、コア層１０１に貫通孔を形成し、貫通孔内に貫通配線１０２を形成する。また、サブトラクティブ法等により、コア層１０１の一方の面１０１ａに配線層１１０を形成し、他方の面１０１ｂに配線層１２０を形成する。
次いで、コア層１０１の一方の面１０１ａに配線層１１０を覆うように半硬化状態のフィルム状のエポキシ系樹脂等をラミネートし、硬化させて絶縁層１１１を形成する。また、コア層１０１の他方の面１０１ｂに配線層１２０を覆うように半硬化状態のフィルム状のエポキシ系樹脂等をラミネートし、硬化させて絶縁層１２１を形成する。或いは、フィルム状のエポキシ系樹脂等のラミネートに代えて、液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等を塗布後、硬化させて絶縁層１１１及び１２１を形成してもよい。
次いで、絶縁層１１１に、絶縁層１１１を貫通し配線層１１０の上面を露出させるビアホール１１１ｘを形成する。また、絶縁層１２１に、絶縁層１２１を貫通し配線層１２０の下面を露出させるビアホール１２１ｘを形成する。ビアホール１１１ｘ及び１２１ｘは、例えば、ＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。ビアホール１１１ｘ及び１２１ｘの形成後、デスミア処理を行い、ビアホール１１１ｘ及び１２１ｘの底部に各々露出する配線層１１０及び１２０の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。
次いで、絶縁層１１１の一方の側に配線層１１２を形成する。配線層１１２は、ビアホール１１１ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層１１１の上面に形成された配線パターンとを含んで構成される。また、絶縁層１２１の他方の側に配線層１２２を形成する。配線層１２２は、ビアホール１２１ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層１２１の下面に形成された配線パターンとを含んで構成される。配線層１１２及び１２２は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できる。
例えば、配線層１１２をセミアディティブ法で形成する場合、ビアホール１１１ｘの内壁を含む絶縁層１１１の表面及びビアホール１１１ｘ内に露出する配線層１１０の表面に銅の無電解めっきによるシード層を形成する。次いで、シード層上に配線層１１２の配線パターンの形状に合わせた開口部を有するめっきレジストパターンを形成する。次いで、シード層から給電する銅の電解めっきにより、めっきレジストパターンの開口部に露出するシード層上に電解めっき層を析出する。次いで、めっきレジストパターンを除去する。次いで、電解めっき層をマスクとしたエッチングを行い、電解めっき層から露出するシード層を除去する。このようにして、配線層１１２を形成することができる。配線層１２２も、配線層１１０と同様のセミアディティブ法で形成できる。
配線層１１２及び１２２の形成後、絶縁層１１１と同様の形成方法により、絶縁層１１１の上面に配線層１１２を覆うように絶縁層１１３を形成する。次いで、ビアホール１１１ｘと同様の形成方法により、ビアホール１１３ｘを形成する。次いで、配線層１１２と同様の形成方法により、絶縁層１１３の一方の側に配線層１１４を形成する。また、絶縁層１１１と同様の形成方法により、絶縁層１２１の下面に配線層１２２を覆うように絶縁層１２３を形成する。次いで、ビアホール１１１ｘと同様の形成方法により、ビアホール１２３ｘを形成する。次いで、配線層１１２と同様の形成方法により、絶縁層１２３の他方の側に配線層１２４を形成する。
次いで、絶縁層１２３の下面に、配線層１２４を覆うようにソルダーレジスト層１２５を形成する。ソルダーレジスト層１２５は、例えば、液状又はペースト状の感光性のエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を、配線層１２４を被覆するように絶縁層１２３の下面にスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で塗布することにより形成できる。或いは、例えば、フィルム状の感光性のエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を、配線層１２４を被覆するように絶縁層１２３の下面にラミネートすることにより形成してもよい。
次に、ソルダーレジスト層１２５を露光及び現像することで、ソルダーレジスト層１２５に配線層１２４の下面の一部を露出する開口部１２５ｘを形成する（フォトリソグラフィ法）。なお、開口部１２５ｘは、レーザ加工法やブラスト処理により形成してもよい。その場合には、ソルダーレジスト層１２５に感光性の材料を用いなくてもよい。
このようにして、大判配線基板１００ｔを作製することができる。
図７（ａ）は大判配線基板２００ｔを斜視図であり、図７（ｂ）は大判配線基板２００ｔを示す断面図である。大判配線基板２００ｔは、個片化により配線基板２００となる複数の配線基板領域２００ｓを含む。図７（ｂ）には、２個の配線基板領域２００ｓを示す。以下の説明では、大判配線基板２００ｔ内の部位に、最終的に配線基板２００に形成される部位と同じ名称及び符号を用いることとする。
大判配線基板２００ｔの作製に際しては、まず、コア層２０１に貫通配線２０２、配線層２１０及び配線層２２０を形成する。貫通配線２０２は、例えば、貫通配線１０２と同様の形成方法により形成できる。配線層２１０及び２２０は、例えば、配線層１１０と同様の形成方法により形成できる。
次いで、コア層２０１の一方の面２０１ａに配線層２１０を覆うように絶縁層２１１を形成し、コア層２０１の他方の面２０１ｂに配線層２２０を覆うように絶縁層２２１を形成する。絶縁層２１１及び２２１は、例えば、絶縁層１１１と同様の形成方法により形成できる。また、絶縁層２１１にビアホール２１１ｘを形成し、絶縁層２２１にビアホール２２１ｘを形成する。ビアホール２１１ｘ及び２２１ｘは、例えば、ビアホール１１１ｘと同様の形成方法により形成できる。
次いで、絶縁層２１１の一方の側に配線層２１２を形成し、絶縁層２２１の他方の側に配線層２２２を形成する。配線層２１２及び２２２は、例えば、配線層１１２と同様の形成方法により形成できる。
次いで、絶縁層２１１の上面に配線層２１２を覆うように絶縁層２１３を形成し、絶縁層２２１の下面に配線層２２２を覆うように絶縁層２２３を形成する。絶縁層２１３及び２２３は、例えば、絶縁層１１１と同様の形成方法により形成できる。また、絶縁層２１３にビアホール２１３ｘを形成し、絶縁層２２３にビアホール２２３ｘを形成する。ビアホール２１３ｘ及び２２３ｘは、例えば、ビアホール１１１ｘと同様の形成方法により形成できる。
次いで、絶縁層２１３の一方の側に配線層２１４を形成し、絶縁層２２３の他方の側に配線層２２４を形成する。配線層２１４及び２２４は、例えば、配線層１１２と同様の形成方法により形成できる。
このようにして、大判配線基板２００ｔを作製することができる。
図８（ａ）は大判配線基板３００ｔを斜視図であり、図８（ｂ）は大判配線基板３００ｔを示す断面図である。大判配線基板３００ｔは、個片化により配線基板３００となる複数の配線基板領域３００ｓを含む。図８（ｂ）には、２個の配線基板領域３００ｓを示す。以下の説明では、大判配線基板３００ｔ内の部位に、最終的に配線基板３００に形成される部位と同じ名称及び符号を用いることとする。
大判配線基板３００ｔの作製に際しては、まず、コア層３０１に貫通配線３０２、絶縁層３０３、配線層３１０及び配線層３２０を形成する。貫通配線３０２は、例えば、貫通配線１０２と同様の形成方法により形成できる。配線層３１０及び３２０は、例えば、配線層１１０と同様の形成方法により形成できる。絶縁層３０３は、例えば、貫通配線３０２の形成後に、貫通孔の貫通配線３０２よりも内側を充填するように形成する。
次いで、コア層３０１の一方の面３０１ａに配線層３１０を覆うように絶縁層３１１を形成し、コア層３０１の他方の面３０１ｂに配線層３２０を覆うように絶縁層３２１を形成する。絶縁層３１１及び３２１は、例えば、絶縁層１１１と同様の形成方法により形成できる。また、絶縁層３１１にビアホール３１１ｘを形成し、絶縁層３２１にビアホール３２１ｘを形成する。ビアホール３１１ｘ及び３２１ｘは、例えば、ビアホール１１１ｘと同様の形成方法により形成できる。
次いで、絶縁層３１１の一方の側に配線層３１２を形成し、絶縁層３２１の他方の側に配線層３２２を形成する。配線層３１２及び３２２は、例えば、配線層１１２と同様の形成方法により形成できる。
このようにして、大判配線基板３００ｔを作製することができる。
図９（ａ）は大判配線基板４００ｔを斜視図であり、図９（ｂ）は大判配線基板４００ｔを示す断面図である。大判配線基板４００ｔは、個片化により配線基板４００となる複数の配線基板領域４００ｓを含む。図９（ｂ）には、２個の配線基板領域４００ｓを示す。以下の説明では、大判配線基板４００ｔ内の部位に、最終的に配線基板４００に形成される部位と同じ名称及び符号を用いることとする。
大判配線基板４００ｔの作製に際しては、まず、コア層４０１に貫通配線４０２、配線層４１０及び配線層４２０を形成する。貫通配線４０２は、例えば、貫通配線１０２と同様の形成方法により形成できる。配線層４１０及び４２０は、例えば、配線層１１０と同様の形成方法により形成できる。
次いで、コア層４０１の一方の面４０１ａに配線層４１０を覆うように絶縁層４１１を形成し、コア層４０１の他方の面４０１ｂに配線層４２０を覆うように絶縁層４２１を形成する。絶縁層４１１及び４２１は、例えば、絶縁層１１１と同様の形成方法により形成できる。また、絶縁層４１１にビアホール４１１ｘを形成し、絶縁層４２１にビアホール４２１ｘを形成する。ビアホール４１１ｘ及び４２１ｘは、例えば、ビアホール１１１ｘと同様の形成方法により形成できる。
次いで、絶縁層４１１の一方の側に配線層４１２を形成し、絶縁層４２１の他方の側に配線層４２２を形成する。配線層４１２及び４２２は、例えば、配線層１１２と同様の形成方法により形成できる。
次いで、絶縁層４１１の上面に配線層４１２を覆うように絶縁層４１３を形成し、絶縁層４２１の下面に配線層４２２を覆うように絶縁層４２３を形成する。絶縁層４１３及び４２３は、例えば、絶縁層１１１と同様の形成方法により形成できる。また、絶縁層４１３にビアホール４１３ｘを形成し、絶縁層４２３にビアホール４２３ｘを形成する。ビアホール４１３ｘ及び４２３ｘは、例えば、ビアホール１１１ｘと同様の形成方法により形成できる。
次いで、絶縁層４１３の一方の側に配線層４１４を形成し、絶縁層４２３の他方の側に配線層４２４を形成する。配線層４１４及び４２４は、例えば、配線層１１２と同様の形成方法により形成できる。
このようにして、大判配線基板４００ｔを作製することができる。
図１０（ａ）は大判配線基板５００ｔを斜視図であり、図１０（ｂ）は大判配線基板５００ｔを示す断面図である。大判配線基板５００ｔは、個片化により配線基板５００となる複数の配線基板領域５００ｓを含む。図１０（ｂ）には、２個の配線基板領域５００ｓを示す。以下の説明では、大判配線基板５００ｔ内の部位に、最終的に配線基板５００に形成される部位と同じ名称及び符号を用いることとする。
大判配線基板５００ｔの作製に際しては、まず、コア層５０１に貫通配線５０２、配線層５１０及び配線層５２０を形成する。貫通配線５０２は、例えば、貫通配線１０２と同様の形成方法により形成できる。配線層５１０及び５２０は、例えば、配線層１１０と同様の形成方法により形成できる。
次いで、コア層５０１の一方の面５０１ａに配線層５１０を覆うように絶縁層５１１を形成し、コア層５０１の他方の面５０１ｂに配線層５２０を覆うように絶縁層５２１を形成する。絶縁層５１１及び５２１は、例えば、絶縁層１１１と同様の形成方法により形成できる。また、絶縁層５１１にビアホール５１１ｘを形成し、絶縁層５２１にビアホール５２１ｘを形成する。ビアホール５１１ｘ及び５２１ｘは、例えば、ビアホール１１１ｘと同様の形成方法により形成できる。
次いで、絶縁層５１１の一方の側に配線層５１２を形成し、絶縁層５２１の他方の側に配線層５２２を形成する。配線層５１２及び５２２は、例えば、配線層１１２と同様の形成方法により形成できる。
次いで、絶縁層５１１の上面に配線層５１２を覆うように絶縁層５１３を形成し、絶縁層５２１の下面に配線層５２２を覆うように絶縁層５２３を形成する。絶縁層５１３及び５２３は、例えば、絶縁層１１１と同様の形成方法により形成できる。また、絶縁層５１３にビアホール５１３ｘを形成し、絶縁層５２３にビアホール５２３ｘを形成する。ビアホール５１３ｘ及び５２３ｘは、例えば、ビアホール１１１ｘと同様の形成方法により形成できる。
次いで、絶縁層５１３の一方の側に配線層５１４を形成し、絶縁層５２３の他方の側に配線層５２４を形成する。配線層５１４及び５２４は、例えば、配線層１１２と同様の形成方法により形成できる。
次いで、絶縁層５１３の上面に、配線層５１４を覆うようにソルダーレジスト層５１５を形成する。ソルダーレジスト層５１５は、例えば、ソルダーレジスト層１２５と同様の形成方法により形成できる。
次に、ソルダーレジスト層５１５を露光及び現像することで、ソルダーレジスト層５１５に配線層５１４の上面の一部を露出する開口部５１５ｘを形成する（フォトリソグラフィ法）。なお、開口部５１５ｘは、レーザ加工法やブラスト処理により形成してもよい。その場合には、ソルダーレジスト層５１５に感光性の材料を用いなくてもよい。
次いで、開口部５１５ｘの底部に露出する配線層５１４の上面に、はんだバンプ等の外部接続端子５１６を形成する。外部接続端子５１６は、半導体チップと電気的に接続するための端子となる。
このようにして、大判配線基板５００ｔを作製することができる。
大判配線基板２００ｔの作製後、図１１（ａ）に示すように、配線層２２４の下面に導電性接合材２２６を形成する。また、絶縁層２２３の下面に、配線層２２４及び導電性接合材２２６を覆うように流動性を備えたアンダーフィル層２２５を形成する。アンダーフィル層２２５の形成では、例えば、エポキシ系樹脂フィルムを、配線層２２４及び導電性接合材２２６を被覆するように絶縁層２２３の下面にラミネートする。液状又はペースト状のエポキシ系樹脂を、配線層２２４及び導電性接合材２２６を被覆するように絶縁層２２３の下面にスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で塗布することにより、アンダーフィル層２２５を形成してもよい。アンダーフィル層２２５は第２流動性絶縁樹脂層の一例である。
大判配線基板３００ｔの作製後、図１１（ｂ）に示すように、配線層３２２の下面に導電性接合材３２６を形成する。また、絶縁層３２１の下面に、配線層３２２及び導電性接合材３２６を覆うように流動性を備えたアンダーフィル層３２５を形成する。アンダーフィル層３２５は、例えば、アンダーフィル層２２５と同様の形成方法により形成できる。アンダーフィル層３２５は第１流動性絶縁樹脂層の一例である。
大判配線基板４００ｔの作製後、図１２（ａ）に示すように、配線層４２４の下面に導電性接合材４２６を形成する。また、絶縁層４２３の下面に、配線層４２４及び導電性接合材４２６を覆うように流動性を備えたアンダーフィル層４２５を形成する。アンダーフィル層４２５は、例えば、アンダーフィル層２２５と同様の形成方法により形成できる。アンダーフィル層４２５は第１流動性絶縁樹脂層の一例である。
大判配線基板５００ｔの作製後、図１２（ｂ）に示すように、配線層５２４の下面に導電性接合材５２６を形成する。また、絶縁層５２３の下面に、配線層５２４及び導電性接合材５２６を覆うように流動性を備えたアンダーフィル層５２５を形成する。アンダーフィル層５２５は、例えば、アンダーフィル層２２５と同様の形成方法により形成できる。アンダーフィル層５２５は第１流動性絶縁樹脂層の一例である。
その後、図１３に示すように、大判配線基板１００ｔを配線基板領域１００ｓ毎に個片化することで、複数の配線基板１００を得る。導電性接合材２２６及びアンダーフィル層２２５が形成された大判配線基板２００ｔを配線基板領域２００ｓ毎に個片化することで、導電性接合材２２６及びアンダーフィル層２２５が形成された複数の配線基板２００を得る。導電性接合材３２６及びアンダーフィル層３２５が形成された大判配線基板３００ｔを配線基板領域３００ｓ毎に個片化することで、導電性接合材３２６及びアンダーフィル層３２５が形成された複数の配線基板３００を得る。導電性接合材４２６及びアンダーフィル層４２５が形成された大判配線基板４００ｔを配線基板領域４００ｓ毎に個片化することで、導電性接合材４２６及びアンダーフィル層４２５が形成された複数の配線基板４００を得る。導電性接合材５２６及びアンダーフィル層５２５が形成された大判配線基板５００ｔを配線基板領域５００ｓ毎に個片化することで、導電性接合材５２６及びアンダーフィル層５２５が形成された複数の配線基板５００を得る。
次いで、複数の配線基板１００から所定の特性を備えた配線基板１００を抽出し、複数の配線基板２００から所定の特性を備えた配線基板２００を抽出し、複数の配線基板３００から所定の特性を備えた配線基板３００を抽出する。また、複数の配線基板４００から所定の特性を備えた配線基板４００を抽出し、複数の配線基板５００から所定の特性を備えた配線基板５００を抽出する。そして、所定の特性を備えた配線基板１００の上に、所定の特性を備えた配線基板２００、３００、４００及び５００を順に積層することにより、積層体１０を得る。配線基板が所定の特性を備えているか否かの判定は、個片化前に行っても、個片化後に行ってもよい。ただし、積層体１０の形成にあたっては、良品（所定の特性を備えた配線基板）を選別し、良品同士を組み合わせることとする。
次いで、積層体１０の仮圧着を行う。仮圧着では、上側及び下側から積層体１０に圧力を印加しながら、積層体１０を加熱する。この結果、図１４に示すように、アンダーフィル層２２５、３２５、４２５及び５２５が圧縮され、配線基板２００、３００、４００及び５００の積層体の側面からはみ出す。また、導電性接合材２２６、３２６、４２６及び５２６も圧縮される。
次いで、積層体１０の本圧着を行う。本圧着では、ダイアフラムラバーにより上側から積層体１０を覆った状態で、上側及び下側から積層体１０に圧力を印加しながら、積層体１０を加熱する。この結果、図１５に示すように、アンダーフィル層２２５、３２５、４２５及び５２５が更に圧縮され、配線基板２００、３００、４００及び５００の積層体の側面からはみ出た部分がダイアフラムラバーの内側で一体化される。この結果、接着部７１１、７１２、７１３及び７１４と、側面被覆部７２０とを有する絶縁樹脂層７００が形成される。
また、本圧着では、導電性接合材２２６、３２６、４２６及び５２６の溶融及び凝固が生じる。この結果、配線基板１００と配線基板２００とが導電性接合材２２６により互いに機械的に接合され、配線基板２００と配線基板３００とが導電性接合材３２６により互いに機械的に接合され、配線基板３００と配線基板４００とが導電性接合材４２６により互いに機械的に接合され、配線基板４００と配線基板５００とが導電性接合材５２６により互いに機械的に接合される。
このようにして、第１実施形態に係る積層基板１を製造することができる。
積層基板１は複数層の配線層を含む。配線層の形成の際には、所定の特性を満たさない箇所が生じ得る。従って、複数の配線基板領域を含む大判配線基板に形成される配線層の層数が多いほど、当該大判配線基板から形成される複数の配線基板のうちで所定の特性を備えた配線基板は少なくなる。
本実施形態では、積層基板１に含まれる配線層の層数が２８であるが、大判配線基板１００ｔ、２００ｔ、４００ｔ及び５００ｔに含まれる配線層の層数は６であり、大判配線基板３００ｔに含まれる配線層の層数は４である。このため、２８層の配線層を含む大判配線基板をビルドアップ工法により作製する場合と比較して、歩留まりを著しく向上することができる。
また、２８層の配線層を含む大判配線基板を用いる場合と比較して、各大判配線基板から発生する不良の割合が低いため、単位時間、例えば１か月間に製造できる、所定の特性を備えた積層基板１を増やすことができる。つまり、スループットを向上することができる。
更に、大判配線基板１００ｔ、２００ｔ、３００ｔ、４００ｔ及び５００ｔの作製の少なくとも一部を並行して行うことで、リードタイムを短縮することができる。
また、本実施形態では、側面被覆部７２０が配線基板２００、３００、４００及び５００の側面を被覆している。このため、配線基板同士の剥離を抑制することができるとともに、各配線基板内での絶縁層及び配線層の剥離を抑制することができる。例えば、積層基板１への半導体チップの実装の際、及び積層基板１の使用中に積層基板１の温度が上昇することがある。また、信頼性試験の際には積層基板１が加熱されることがある。積層基板１の温度が上昇すると、積層基板１内に熱応力が生じ得る。本実施形態では、熱応力が生じたとしても、熱応力に起因する剥離を抑制することができる。
なお、導電性接合材２２６、３２６、４２６及び５２６の融点は、外部接続端子５１６の融点よりも低いことが好ましい。これは、本圧着の際に外部接続端子５１６を溶融させずに、導電性接合材２２６、３２６、４２６及び５２６を溶融させるためである。外部接続端子５１６の融点が導電性接合材２２６、３２６、４２６及び５２６の融点以下の場合は、例えば、本圧着後に外部接続端子５１６を形成してもよい。
平面視で、配線基板２００、３００、４００及び５００の外縁が互いに重なり合っている必要はなく、配線基板２００、３００、４００及び５００の外縁がずれていてもよい。この場合も、平面視で、配線基板２００、３００、４００及び５００の外縁は、配線基板１００の外縁の内側に位置することが好ましい。側面被覆部７２０を安定して形成しやすいためである。
（第２実施形態）
［積層基板の構造］
次に、第２実施形態について説明する。図１６は、第２実施形態に係る積層基板を例示する上面図である。図１７は、第２実施形態に係る積層基板を例示する断面図である。図１７は、図１６中のXVI-XVI線に沿った断面図に相当する。
図１６及び図１７に示すように、第２実施形態に係る積層基板２は、配線基板１００の上に設けられ、平面視で側面被覆部７２０を囲む樹脂流出制限部材８００を有する。側面被覆部７２０は、第１実施形態と同様に、配線基板２００の側面と、配線基板３００の側面と、配線基板４００の側面と、配線基板５００の側面とを被覆する。平面視で、側面被覆部７２０の外縁は樹脂流出制限部材８００に接している。樹脂流出制限部材８００の材料は、例えばエポキシ系樹脂又はソルダーレジストである。
他の構造は第１実施形態と同様である。
［積層基板の製造方法］
第２実施形態に係る積層基板２の製造に際しては、積層体１０の形成前に、例えば仮圧着の前に、配線基板１００の上に、配線基板２００、３００、４００及び５００が積層される領域を、平面視で当該領域から離れて囲むように樹脂流出制限部材８００を形成しておく。樹脂流出制限部材８００は、例えばフォトレジストを硬化させることで形成することができる。
他の処理は第１実施形態と同様である。
第２実施形態では、積層体１０の圧着の前に樹脂流出制限部材８００を形成している。このため、圧着の際にアンダーフィル層２２５、３２５、４２５及び５２５が流れ出る範囲が制限され、側面被覆部７２０に安定した形状を得やすくできる。
（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。図１８は、第３実施形態に係る積層基板を例示する断面図である。
図１８に示すように、第３実施形態に係る積層基板３は配線基板１００を含まず、配線基板２００がソルダーレジスト層２２７を有している。ソルダーレジスト層２２７は、配線基板２００の他方の側の最外層であり、絶縁層２２３の下面に、配線層２２４を覆うように設けられた絶縁層である。ソルダーレジスト層２２７の材料や厚さは、例えば、ソルダーレジスト層１２５と同様である。
ソルダーレジスト層２２７は、開口部２２７ｘを有し、開口部２２７ｘの底部には配線層２２４の下面の一部が露出している。開口部２２７ｘの平面形状は、例えば、円形である。開口部２２７ｘ内に露出する配線層２２４は、マザーボード等の実装基板と電気的に接続するためのパッドとして用いることができる。必要に応じ、開口部２２７ｘ内に露出する配線層２２４の下面に金属層を形成したり、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施したりしてもよい。
絶縁樹脂層７００が接着部７１１を含まず、側面被覆部７２０がソルダーレジスト層２２７の側面を覆ってもよい。
第３実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
本開示において、積層基板に含まれる配線基板の数は２以上であれば特に限定されない。また、各配線基板に含まれる配線層の層数も特に限定されない。
以上、好ましい実施形態等について詳説したが、上述した実施形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
１、２ 積層基板
１０ 積層体
１００、２００、３００、４００、５００ 配線基板
１００ｓ、２００ｓ、３００ｓ、４００ｓ、５００ｓ 配線基板領域
１００ｔ、２００ｔ、３００ｔ、４００ｔ、５００ｔ 大判配線基板
２２５、３２５、４２５、５２５ アンダーフィル層
２２６、３２６、４２６、５２６ 導電性接合材
７００ 絶縁樹脂層
７１１、７１２、７１３、７１４ 接着部
７２０ 側面被覆部
８００ 樹脂流出制限部材

Claims (10)

  1. 互いに積層された複数の第１配線基板と、
    前記複数の第１配線基板の間に位置する第１絶縁樹脂層と、
    前記複数の第１配線基板の側面を被覆する第２絶縁樹脂層と、
    を有することを特徴とする積層基板。
  2. 前記第１絶縁樹脂層と前記第２絶縁樹脂層とが一体化されていることを特徴とする請求項１に記載の積層基板。
  3. 前記第１配線基板同士を接合する第１導電性接合材を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の積層基板。
  4. 第２配線基板を有し、
    前記複数の第１配線基板は前記第２配線基板の上に積層されており、
    前記複数の第１配線基板のうちで最も前記第２配線基板に近い第１配線基板と前記第２配線基板との間に位置する第３絶縁樹脂層を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の積層基板。
  5. 前記第２絶縁樹脂層と前記第３絶縁樹脂層とが一体化されていることを特徴とする請求項４に記載の積層基板。
  6. 前記複数の第１配線基板のうちで最も前記第２配線基板に近い第１配線基板と前記第２配線基板とを接合する第２導電性接合材を有することを特徴とする請求項４に記載の積層基板。
  7. 前記第２配線基板の上に設けられ、平面視で前記第２絶縁樹脂層を囲む樹脂流出制限部材を有することを特徴とする請求項４に記載の積層基板。
  8. 複数の第１配線基板を作製する工程と、
    前記複数の第１配線基板を、間に第１流動性絶縁樹脂層を設けながら互いに積層して積層体を形成する工程と、
    前記積層体の圧着を行う工程と、
    を有し、
    前記積層体の圧着を行う工程は、
    前記第１流動性絶縁樹脂層から前記複数の第１配線基板の間に位置する第１絶縁樹脂層を形成する工程と、
    前記第１流動性絶縁樹脂層から前記複数の第１配線基板の側面を被覆する第２絶縁樹脂層を形成すると、
    を有することを特徴とする積層基板の製造方法。
  9. 第２配線基板を作製する工程を有し、
    前記積層体を形成する工程は、前記第２配線基板の上に前記複数の第１配線基板を、前記複数の第１配線基板のうちで最も前記第２配線基板に近い第１配線基板と前記第２配線基板との間に第２流動性絶縁樹脂層を設けながら積層する工程を有し、
    前記積層体の圧着を行う工程は、前記第２流動性絶縁樹脂層から前記第２配線基板と前記第１配線基板の間に位置する第３絶縁樹脂層を形成する工程を有することを特徴とする請求項８に記載の積層基板の製造方法。
  10. 前記積層体の圧着を行う工程の前に、前記第２配線基板の上に、前記複数の第１配線基板が積層される領域を、平面視で当該領域から離れて囲む樹脂流出制限部材を形成する工程を有することを特徴とする請求項９に記載の積層基板の製造方法。
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