JP2023103163A - 太陽電池モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
前記太陽電池モジュールは、さらに溶接ワイヤを含み、前記溶接ワイヤは、一端が前記太陽電池セルの表面の前記メイングリッド線の前記第1溶接点に接続され、他端が隣接する前記太陽電池セルの裏面の前記メイングリッド線の前記第1溶接点に接続され、
前記溶接ワイヤの直径と前記メイングリッド線の数との間の関係は、116.55x2-92.03x+27.35<y<582.75x2-425.59x+92.58であり、ただし、xは溶接ワイヤの直径であり、yはメイングリッド線の数である。
前記第1溶接点は、第1サブ溶接点と、第2サブ溶接点とを含み、ここで、前記第1サブ溶接点は、前記メイングリッド線の端部に位置し、前記第2サブ溶接点は、前記第1サブ溶接点の間に位置する。
前記半導体基板は、P型基板であり、前記サブグリッド線の数は、90本以上120本以下であり、前記サブグリッド線の幅は、20μm以上30μm以下である。
前記太陽電池セルの半導体基板は、P型基板であり、前記第1封止層及び/又は第2封止層の重量は、250g/m2以上400g/m2以下である。
本発明は、光起電力モジュールのコストと電力のバランスを取ることができ、一方では、溶接ワイヤの直径を低減する方式でコストを低減し、これは溶接ワイヤの直径を低減した後に第1封止層及び第2封止層の坪量を低減することができるからであり、しかし、溶接ワイヤの直径を低減すると、電流伝送断面積の低減、すなわち電力の低下をもたらすため、溶接ワイヤの数及びメイングリッドの数を増加させる必要があり、他方では、メイングリッドの数を増加させることによって太陽電池モジュールの電力が増加されるが、メイングリッドの数と電力との間は線形関係ではなく、すなわちメイングリッドの数の増加につれて太陽電池モジュールの電力が常に増減することではなく、極値まで増加した後に電力が低下し、これはメイングリッドの数が増加した後に光線を過剰に遮蔽し、遮蔽の下げ幅が電流伝送の上げ幅よりも大きくなると、電力の低下をもたらすためである。本発明において、溶接ワイヤの直径xとメイングリッド線の数yとの間の関係は、116.55x2-92.03x+27.35<y<582.75x2-425.59x+92.58であり、この条件を満たす場合に、メイングリッド線の数を増加させ、大電流による損失を減少させることができるだけでなく、コストを低減することができる。
半導体基板6は、P型基板であり、サブグリッド線9の数は、90本以上120本以下であり、サブグリッド線9の幅は、20μm以上30μm以下である。
本発明は、光起電力モジュールのコストと電力のバランスを取ることができ、一方では、溶接ワイヤの直径を低減する方式でコストを低減し、これは溶接ワイヤの直径を低減した後に第1封止層及び第2封止層の坪量を低減することができるからであり、しかし、溶接ワイヤの直径を低減すると、電流伝送断面積の低減、すなわち電力の低下をもたらすため、溶接ワイヤの数及びメイングリッドの数を増加させる必要があり、他方では、メイングリッドの数を増加させることによって太陽電池モジュールの電力が増加されるが、メイングリッドの数と電力との間は線形関係ではなく、すなわちメイングリッドの数の増加につれて太陽電池モジュールの電力が常に増減することではなく、極値まで増加した後に電力が低下し、これはメイングリッドの数が増加した後に光線を過剰に遮蔽し、遮蔽の下げ幅が電流伝送の上げ幅よりも大きくなると、電力の低下をもたらすためである。本発明において、溶接ワイヤの直径xとメイングリッド線の数yとの間の関係は、116.55x2-92.03x+27.35<y<582.75x2-425.59x+92.58であり、この条件を満たす場合に、メイングリッド線の数を増加させ、大電流による損失を減少させることができるだけでなく、コストを低減することができる。
Claims (13)
- 太陽電池モジュールであって、
複数の太陽電池セルを含み、前記太陽電池セルは、対向して設けられた表面及び裏面を含み、
前記太陽電池セルは、半導体基板と、前記半導体基板の一方側に位置するメイングリッド線とを含み、前記メイングリッド線上に第1溶接点が分布し、前記第1溶接点の数は、6~12個であり、
前記太陽電池モジュールは、さらに溶接ワイヤを含み、前記溶接ワイヤは、一端が前記太陽電池セルの表面の前記メイングリッド線の前記第1溶接点に接続され、他端が隣接する前記太陽電池セルの裏面の前記メイングリッド線の前記第1溶接点に接続され、
前記溶接ワイヤの直径と前記メイングリッド線の数との間の関係は、116.55x2-92.03x+27.35<y<582.75x2-425.59x+92.58であり、ただし、xは溶接ワイヤの直径であり、yはメイングリッド線の数である、ことを特徴とする太陽電池モジュール。 - 前記メイングリッド線の幅は、20μm以上60μm以下である、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。
- 前記溶接ワイヤの直径は、0.18mm以上0.35mm以下である、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第1溶接点の形状は、三角形、矩形、菱形、円形、楕円形のうちの一つ又は複数の組み合わせである、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。
- 前記半導体基板の一方側は、さらにサブグリッド線を含み、前記サブグリッド線は、前記メイングリッド線に電気的に接続され、前記メイングリッド線と交差点に交差し、
前記第1溶接点は、第1サブ溶接点と、第2サブ溶接点とを含み、前記第1サブ溶接点は、前記メイングリッド線の端部に位置し、前記第2サブ溶接点は、前記第1サブ溶接点の間に位置する、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。 - 前記半導体基板が所在する平面に垂直な方向おいて、少なくとも一部の前記第2サブ溶接点は、前記交差点と重ならない、ことを特徴とする請求項5に記載の太陽電池モジュール。
- 前記メイングリッド線の幅は、前記サブグリッド線の幅と同じである、ことを特徴とする請求項5に記載の太陽電池モジュール。
- 前記半導体基板は、N型基板又はP型基板である、ことを特徴とする請求項5に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第1サブ溶接点の第1方向における長さは、0.5mm以上0.8mm以下であり、前記第1サブ溶接点の第2方向における幅は、0.5mm以上1.2mm以下であり、前記第2サブ溶接点の第1方向における長さは、0.05mm以上0.5mm以下であり、前記第2サブ溶接点の第2方向における幅は、0.4mm以上0.8mm以下であり、前記第1方向は、前記溶接ワイヤの延在方向に平行であり、前記第2方向は、前記溶接ワイヤの延在方向に垂直である、ことを特徴とする請求項8に記載の太陽電池モジュール。
- 前記半導体基板は、P型基板であり、裏面の前記メイングリッド線上に第2溶接点が分布し、前記第2溶接点の数は、6~10個であり、前記第2溶接点の第1方向における長さは、1mm以上2mm以下であり、前記第2溶接点の第2方向における幅は、2mm以上3mm以下であり、前記第1方向は、前記溶接ワイヤの延在方向に平行であり、前記第2方向は、前記溶接ワイヤの延在方向に垂直である、ことを特徴とする請求項8に記載の太陽電池モジュール。
- 前記半導体基板は、N型基板であり、前記サブグリッド線の数は、76本以上98本以下であり、前記サブグリッド線の幅は、20μm以上30μm以下であり、或いは、
前記半導体基板は、P型基板であり、前記サブグリッド線の数は、90本以上120本以下であり、前記サブグリッド線の幅は、20μm以上30μm以下である、ことを特徴とする請求項8に記載の太陽電池モジュール。 - フロントシートと、第1封止層と、第2封止層と、バックシートと、接続構造とをさらに含み、前記太陽電池セルは、前記第1封止層と前記第2封止層との間に位置し、前記太陽電池セルは、接続構造によってそれぞれ前記第1封止層と前記第2封止層に接続される、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。
- 前記太陽電池セルの半導体基板は、N型基板であり、前記第1封止層及び/又は第2封止層の重量は、250g/m2以上500g/m2以下であり、或いは、
前記太陽電池セルの半導体基板は、P型基板であり、前記第1封止層及び/又は第2封止層の重量は、250g/m2以上400g/m2以下である、ことを特徴とする請求項12に記載の太陽電池モジュール。
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