JP2023069822A - 酸性電解銅めっき液、プリフォーム層の形成方法、接合用シートの製造方法、接合用基板の製造方法及び接合体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡単なプロセスで多孔質のプリフォーム層を形成し得る酸性電解銅めっき液及びこれを用いたプリフォーム層の形成方法並びにこのプリフォーム層を有する接合用シートの製造方法を提供する。【解決手段】酸性電解銅めっき液は、可溶性銅塩と、窒素原子を２つ以上含む銅イオン電析抑制剤である特定のアゾール化合物と、酸と、水とを含み、銅濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以上であり、アゾール化合物濃度が１０ｍｍｏｌ／Ｌ以上５０ｍｍｏｌ／Ｌ以下であり、塩化物イオン濃度が１０ｐｐｍ以下である。この酸性電解銅めっき液内のカソード側に銅シート又は基板を配置して、電解銅めっきを行うことにより、銅シート又は基板の片面又は両面に、銅めっき皮膜として、銅粒子からなる平均空孔度が１１％～１７％である多孔質のプリフォーム層を形成する。銅粒子の表面が、銅粒子の平均粒径より小さい銅ナノ粒子で被覆されている。【選択図】図１
Description
本発明は、電子部品の組立てや実装等において、２つの部材を接合するための多孔質のプリフォーム層を形成するための酸性電解銅めっき液に関する。またこの酸性電解銅めっき液を用いてプリフォーム層を形成する方法に関する。更に銅シートにプリフォーム層を有する接合用シートを製造する方法、基板にプリフォーム層を有する接合用基板の製造方法及びこの接合用シート又は接合用基板を用いて接合体を製造する方法に関する。
従来、この種の多孔質材料を製造する方法として、ポリマー微粒子を分散剤とした複合めっき法により皮膜を電解析出（以下、単に電析という。）させ、ポリマー微粒子の分解脱離により多孔質皮膜を作製する技術が開示されている（非特許文献１参照。）。この多孔質材料の製造方法では、複合めっきのマトリックスとしてＷａｔｔ浴によるニッケルめっきとし、浴中に高架橋タイプのアクリルポリマー微粒子を分散材として加える。この製造方法では、片面被覆された軟鉄板を基材として用い、アルカリ脱脂をして前処理した後、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸を含むめっき浴でニッケルめっきを行う。５００℃で１時間大気中、熱処理することにより、共析後のめっき膜開孔処理を行い、多孔質材料を得ている。
中村知彦、松田実、めっき技術を利用した多孔質材料の開発、京都府中小企業技術センター技報、No.61, 36頁～38頁
上記従来の多孔質皮膜の製造方法では、目的とする金属以外のポリマー微粒子を除去するための作業が複雑であり、またこれらを除去したとしてもその残存が懸念される課題があった。
本発明の第１の目的は、簡単なプロセスで多孔質のプリフォーム層を形成し得る酸性電解銅めっき液を提供することにある。本発明の第２の目的は、この酸性電解銅めっき液を用いたプリフォーム層の形成方法を提供することにある。本発明の第３の目的は、銅シートにプリフォーム層を有する接合用シートを製造する方法を提供することにある。本発明の第４の目的は、基板にプリフォーム層を有する接合用基板の製造方法を提供することにある。更に本発明の第５の目的は、接合用シート又は接合用基板を用いて接合体を製造する方法を提供することにある。
本発明の第１の観点は、可溶性銅塩と、下記の式（１）～式（４）に示される銅イオン電析抑制剤である五員環中に２個以上３個以下の窒素原子を有するアゾール化合物と、酸と、水とを含む酸性電解銅めっき液であって、銅濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以上であり、前記アゾール化合物濃度が１０ｍｍｏｌ／Ｌ以上５０ｍｍｏｌ／Ｌ以下であり、塩化物イオン濃度が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする酸性電解銅めっき液である。
上記式（１）～式（４）中、Ｒ1～Ｒ4は、同一又は互いに異なってもよく、炭素数１０以下のアルキル基、炭素数１０以下のアルケニル基、炭素数１０以下のアルキニル基、炭素数１０以下のアリール基、炭素数１０以下のアラルキル基、炭素数１０以下のアルコキシ基のいずれかであるか、又は、これらの水素原子をハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、炭素数５以下のアルキル置換アミノ基、アルキル鎖の炭素数５以下のヒドロキシアルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかに置換した基であるか、又は、アミノ基、炭素数５以下のアルキル置換アミノ基、アルキル鎖の炭素数５以下のヒドロキシアルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子、又は、水素原子のいずれかである。
本発明の第２の観点は、第１の観点の酸性電解銅めっき液内のカソード側に銅シート又は基板を配置して、酸性電解銅めっき（以下、単に「電解銅めっき」ということもある。）を行うことにより、前記銅シート又は前記基板の片面又は両面に、銅めっき皮膜として、銅粒子からなる平均空孔度が１１％～１７％である多孔質のプリフォーム層を形成する方法であって、前記銅粒子の表面が、前記銅粒子の平均粒径より小さい銅ナノ粒子で被覆されており、前記銅ナノ粒子のＢＥＴ値より算出される平均粒径が９．５９ｎｍ以上８５０ｎｍ以下であり、前記プリフォーム層の平均空孔度が、前記プリフォーム層の断面を走査型電子顕微鏡で画像解析することにより算出されたプリフォーム層の全面積（Ｓ1）と、プリフォーム層中の空孔部分の面積（Ｓ2）とに基づいて下記式（Ａ）で求められた空孔度（Ｐ）の算術平均であることを特徴とするプリフォーム層の形成方法である。
Ｐ（％）＝ （Ｓ2／Ｓ1）×１００ （Ａ）
Ｐ（％）＝ （Ｓ2／Ｓ1）×１００ （Ａ）
本発明の第３の観点は、前記銅シートの片面又は両面に第２の観点の方法により多孔質のプリフォーム層が形成された接合用シートの製造方法である。
本発明の第４の観点は、第３の観点の方法で製造された接合用シートを介して基材と電子部品とを積層し、前記基材と電子部品とを積層方向に加圧し加熱して接合体を製造する方法である。
本発明の第５の観点は、前記基板の片面に第２の観点の方法により多孔質のプリフォーム層が形成された接合用基板の製造方法である。
本発明の第６の観点の方法で製造された接合用基板と電子部品とを多孔質のプリフォーム層を介して積層し、前記接合用基板と電子部品とを積層方向に加圧し加熱して接合体を製造する方法である。
本発明の第１の観点の酸性電解銅めっき液では、可溶性銅塩と、窒素原子を２つ以上含む銅イオン電析抑制剤である特定のアゾール化合物と、酸と、水とを含むため、電解めっきを行うと、銅イオンとともに銅イオン電析抑制剤であるアゾール化合物もカソード面に吸着する。これにより銅イオンの電析が強く抑制され、銅の核生成が優先され、カソード面に銅めっき皮膜として、銅粒子からなる多孔質のプリフォーム層が形成される。
本発明の第２の観点のプリフォーム層の形成方法では、第１の観点の酸性電解銅めっき液内のカソード側に銅シート又は基板を配置して、電解銅めっきを行うため、従来の多孔質皮膜の製造方法と異なり、簡単なプロセスで、銅めっき皮膜として、表面が銅ナノ粒子で被覆された銅粒子からなる平均空孔度が１１％～１７％である多孔質のプリフォーム層を銅シート又は基板の片面又は両面に形成することができる。
本発明の第３の観点の接合用シートの製造方法では、銅シートの片面又は両面に多孔質のプリフォーム層を有する、シート自体の強度が高い接合用シートを簡単なプロセスで製造することができる。
本発明の第４の観点の接合体の製造方法では、第３の観点の方法で製造された接合用シートを介して基材と電子部品とを積層し、前記基材と電子部品とを積層方向に加圧し加熱するため、プリフォーム層が接合層となって、接合強度の高い接合体を製造することができる。
本発明の第５の観点の接合用基板の製造方法では、基板の片面に第２の観点の方法により多孔質のプリフォーム層を形成することにより、接合したときに強度の高い接合用基板を製造することができる。
本発明の第６の観点の接合体の製造方法では、第５の観点の方法で製造された接合用基板と電子部品とを積層し、接合用基板と電子部品とを積層方向に加圧し加熱して接合体を製造するため、プリフォーム層が接合層となって、接合用基板と電子部品とが強固に接合した接合体を得ることができる。
次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
〔酸性電解銅めっき液〕
本実施形態の酸性電解銅めっき液は、可溶性銅塩と、上述した式（１）～式（４）に示される五員環中に２個以上３個以下の窒素原子を有する銅イオン電析抑制剤であるアゾール化合物と、酸と、水とを含む。これらの成分を含めば、任意の浴液が使用可能である。必要に応じて、光沢剤、界面活性剤、酸化防止剤等を添加することも可能である。
可溶性銅塩の具体例としては、硫酸銅、酸化銅、炭酸銅；メタンスルホン酸銅、プロパン酸銅等のアルカンスルホン酸銅；イセチオン酸銅、プロパノールスルホン酸銅等のアルカノールスルホン酸銅；酢酸銅、クエン酸銅、酒石酸銅などの有機酸銅などが挙げられる。これらは１種又は２種以上混合して使用することができる。
本実施形態の酸性電解銅めっき液は、可溶性銅塩と、上述した式（１）～式（４）に示される五員環中に２個以上３個以下の窒素原子を有する銅イオン電析抑制剤であるアゾール化合物と、酸と、水とを含む。これらの成分を含めば、任意の浴液が使用可能である。必要に応じて、光沢剤、界面活性剤、酸化防止剤等を添加することも可能である。
可溶性銅塩の具体例としては、硫酸銅、酸化銅、炭酸銅；メタンスルホン酸銅、プロパン酸銅等のアルカンスルホン酸銅；イセチオン酸銅、プロパノールスルホン酸銅等のアルカノールスルホン酸銅；酢酸銅、クエン酸銅、酒石酸銅などの有機酸銅などが挙げられる。これらは１種又は２種以上混合して使用することができる。
更に、酸としては、有機酸又は無機酸が挙げられる。これらを例示すれば、硫酸；メタンスルホン酸、プロパンスルホン酸等のアルカンスルホン酸類；イセチオン酸、プロパノールスルホン酸等のアルカノールスルホン酸類；クエン酸、酒石酸、ギ酸などの有機酸類等が挙げられる。これらは、１種又は２種以上混合して使用することができる。水としては、イオン交換水、蒸留水等の純水が挙げられる。
次に、五員環中に２個以上３個以下の窒素原子を有する銅イオン電析抑制剤であるアゾール化合物について説明する。上述した式（１）～式（４）に示されるアゾール化合物を例示すれば、イミダゾール、２－アミノイミダゾール、ピラゾール、３－アミノイミダゾール、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－５－メチルチオ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール等が挙げられる。
上記イミダゾールは、上述した式（１）に示されるアゾール化合物の一種であり、以下の式（５）で示される。また２－アミノイミダゾールは、上述した式（１）に示されるアゾール化合物の一種であり、以下の式（６）で示される。またピラゾールは、上述した式（２）に示されるアゾール化合物の一種であり、以下の式（７）で示される。また３－アミノイミダゾールは、上述した式（２）に示されるアゾール化合物の一種であり、以下の式（８）で示される。また１，２，３－トリアゾールは、上述した式（３）に示されるアゾール化合物の一種であり、以下の式（９）で示される。
また１，２，４－トリアゾールは、上述した式（４）に示されるアゾール化合物の一種であり、以下の式（10）で示される。また３－アミノ－１，２，４－トリアゾールは、上述した式（４）に示されるアゾール化合物の一種であり、以下の式（11）で示される。また３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾールは、上述した式（４）に示されるアゾール化合物の一種であり、以下の式（12）で示される。更に３－アミノ－５－メチルチオ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾールは、上述した式（４）に示されるアゾール化合物の一種であり、以下の式（13）で示される。
〔酸性電解銅めっき液の製造方法〕
本実施形態の酸性電解銅めっき液は、上記可溶性銅塩と、上述した銅イオン電析抑制剤である五員環中に２個以上３個以下の窒素原子を有するアゾール化合物と、酸と、水とを混合することによって調製することができる。
本実施形態の酸性電解銅めっき液は、上記可溶性銅塩と、上述した銅イオン電析抑制剤である五員環中に２個以上３個以下の窒素原子を有するアゾール化合物と、酸と、水とを混合することによって調製することができる。
調製された酸性電解銅めっき液において、可溶性銅塩の濃度は０．１ｍｏｌ／Ｌ以上、好ましくは０．１ｍｏｌ／Ｌ以上１．０ｍｏｌ／Ｌ以下である。可溶性銅塩の濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ未満では、銅めっき皮膜としてのプリフォーム層を形成することができない。また銅イオン電析抑制剤であるアゾール化合物の濃度は１０ｍｍｏｌ／Ｌ以上５０ｍｍｏｌ／Ｌ以下、好ましくは１０ｍｍｏｌ／Ｌ以上３０ｍｍｏｌ／Ｌ以下である。アゾール化合物の濃度が１０ｍｍｏｌ／Ｌ未満では、銅イオンの電析を抑制する効果に乏しく、銅めっき皮膜としてのプリフォーム層が多孔質にならない。また５０ｍｍｏｌ／Ｌを超えると、銅イオンの電析を抑制し過ぎて、銅めっき皮膜が脆くなり強度が著しく悪化する。もしくは、アゾール化合物が液中に溶解できず沈殿する。また酸の濃度は特に制約はないが、ｐＨ０～５が好ましく、ｐＨ１～３が更に好ましい。更に塩化物イオン濃度は１０ｐｐｍ以下、好ましくは５ｐｐｍ以下である。１０ｐｐｍを超えると塩化物イオンが銅面に吸着し、銅めっき皮膜としてのプリフォーム層の形成を阻害する。
〔多孔質のプリフォーム層及び接合用シートの製造方法〕
上述した酸性電解銅めっき液を用いて、銅シートの片面又は両面にプリフォーム層を形成して、銅シートにプリフォーム層を有する接合用シートを製造する方法について説明する。
上述した酸性電解銅めっき液を用いて、銅シートの片面又は両面にプリフォーム層を形成して、銅シートにプリフォーム層を有する接合用シートを製造する方法について説明する。
図１に示すように、電解銅めっき装置１のめっき槽２に上述した酸性電解銅めっき液３を入れ、この液中に被めっき物である銅シート４と、この銅シート４の両面に対向するように２つの電気銅や無酸素銅からなる銅材５，５を配置する。図示するように、銅シート４をカソードとして、陰極６に接続し、２つの銅材５，５を可溶性アノードとして、陽極７に接続し、銅シート４と銅材５，５とに電圧を印加することにより、銅シート４の両面に銅めっき皮膜としてのプリフォーム層８が形成される。この実施形態では、この銅シート４は銅箔であって、図１には、銅シートの厚さを誇張して示している。銅シート１１を構成する銅箔としては、純銅又は銅合金を用いることができる。例えば、無酸素銅、タフピッチ銅やリン脱酸銅などを用いることができる。銅箔は、こうした銅材を圧延した圧延銅箔を用いるか、或いは電解銅めっき法により作製される電解銅箔等を用いることができる。ここでは、可溶性アノードとして銅材５を用いたが、銅材５の代わりにＰｔ／Ｔｉ等の不溶性アノードを使用することも可能である。また、図示しないが、銅材５を銅シート４の片面にのみ対向させることにより、銅シート４の片面にプリフォーム層を有する接合用シートを製造することもできる。
〔多孔質のプリフォーム層及び接合用基板の製造方法〕
別の電解銅めっき方法を図３（ａ）に示す。図３（ａ）において、図１に示される要素と同じ要素には同じ符号を付している。 図３（ａ）に示すように、電解銅めっき装置１の酸性電解銅めっき液３中に、基板表面が銅又はニッケルからなる基板４ａを配置するとともに、この基板４ａの片面に対向するように銅材５を配置して、図１に示した電解銅めっきと同様に電解銅めっきを行う。基板４ａの表面には、予め所定の間隔で開口部を有するようにレジスト膜４ｂが形成されている。これにより、基板４ａの片面に形成されたレジスト膜４ｂの開口部内に、銅めっき皮膜として、銅粒子１２からなる多孔質のプリフォーム層８が形成される。
別の電解銅めっき方法を図３（ａ）に示す。図３（ａ）において、図１に示される要素と同じ要素には同じ符号を付している。 図３（ａ）に示すように、電解銅めっき装置１の酸性電解銅めっき液３中に、基板表面が銅又はニッケルからなる基板４ａを配置するとともに、この基板４ａの片面に対向するように銅材５を配置して、図１に示した電解銅めっきと同様に電解銅めっきを行う。基板４ａの表面には、予め所定の間隔で開口部を有するようにレジスト膜４ｂが形成されている。これにより、基板４ａの片面に形成されたレジスト膜４ｂの開口部内に、銅めっき皮膜として、銅粒子１２からなる多孔質のプリフォーム層８が形成される。
図１又は図３に示される酸性電解銅めっき液３における電解銅めっきの条件は、例えば、直流電源を用いて、被めっき物である銅シート４又は基板４ａにおける電流密度を０．１Ａ／ｄｍ2～５Ａ／ｄｍ2程度、好ましくは０．４Ａ／ｄｍ2～１．０Ａ／ｄｍ2にし、液温を３０分～１５０分程度、好ましくは６０分～１２０分程度にし、空気及び噴流撹拌又は揺動撹拌を行う。
上記条件で電解銅めっきを行うと、銅イオンとともに銅イオン電析抑制剤であるアゾール化合物も銅シート４又は基板４ａの表面であるカソード面に吸着する。アゾール化合物の存在により銅イオンの電析が強く抑制され、銅の核生成が優先され、カソード面に銅めっき皮膜として銅粒子１２からなる多孔質のプリフォーム層８が形成される。
上記条件で電解銅めっきを行うと、銅イオンとともに銅イオン電析抑制剤であるアゾール化合物も銅シート４又は基板４ａの表面であるカソード面に吸着する。アゾール化合物の存在により銅イオンの電析が強く抑制され、銅の核生成が優先され、カソード面に銅めっき皮膜として銅粒子１２からなる多孔質のプリフォーム層８が形成される。
電解銅めっきを行った後、図１に示されるプリフォーム層が形成された銅シート４を酸性電解銅めっき液３から取り出す。また図３に示されるプリフォーム層が形成された基板４ａを酸性電解銅めっき液３から取り出し、レジスト層４ｂを除去する。
その後、銅シート４又は基板４ａをエタノール、水、アセトン等の洗浄用溶媒で洗浄し、大気中で乾燥空気を用いて乾燥する。これにより、図２に示すように、銅シート４の両面に多孔質のプリフォーム層８を有する接合用シート１０が得られる。また図３（ｂ）に示すように、基板４ａの片面に多孔質のプリフォーム層８を有する接合用基板２０が得られる。得られた接合用シート１０又は接合用基板２０は表面酸化を防ぐために、ベンゾトリアゾール及び界面活性剤を主成分とした防錆剤に所定時間浸漬することが好ましい。
その後、銅シート４又は基板４ａをエタノール、水、アセトン等の洗浄用溶媒で洗浄し、大気中で乾燥空気を用いて乾燥する。これにより、図２に示すように、銅シート４の両面に多孔質のプリフォーム層８を有する接合用シート１０が得られる。また図３（ｂ）に示すように、基板４ａの片面に多孔質のプリフォーム層８を有する接合用基板２０が得られる。得られた接合用シート１０又は接合用基板２０は表面酸化を防ぐために、ベンゾトリアゾール及び界面活性剤を主成分とした防錆剤に所定時間浸漬することが好ましい。
銅シート４又は基板４ａの多孔質のプリフォーム層８の厚さは１５μｍ～５０μｍであることが好ましい。プリフォーム層の厚さが１５μｍ未満では、プリフォーム層自体の強度が低下し、扱いにくくなる。プリフォーム層の厚さが５０μｍを超えると、接合時に後述する基材又は電子部品の各表面の凹凸にプリフォーム層が追従しにくく、接合体の接合強度が低下するおそれがある。
〔接合用シート〕
このようにして得られた接合用シート１０の全厚は、薄くとも２５μｍである。即ち２５μｍ以上である。好ましい全厚は２５μｍ～１４０μｍである。全厚が下限値の２５μｍ未満では、接合用シート自体の強度が低下するおそれがある。全厚が１４０μｍを超えると、基材が基板であって、電子部品を接合する基板に反りがある場合、その反りを吸収できないおそれがある。接合用シートの全厚は、接合用シートをエポキシ樹脂で完全に被包した後、接合用シート表面方向に対し垂直に切断し、その切断面をアルゴンイオンビームにより研磨加工する。次いで研磨加工した加工面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にて観察し、無作為に１００箇所以上の接合用シートの厚さを測定し、その平均値を接合用シートの厚さとする。
このようにして得られた接合用シート１０の全厚は、薄くとも２５μｍである。即ち２５μｍ以上である。好ましい全厚は２５μｍ～１４０μｍである。全厚が下限値の２５μｍ未満では、接合用シート自体の強度が低下するおそれがある。全厚が１４０μｍを超えると、基材が基板であって、電子部品を接合する基板に反りがある場合、その反りを吸収できないおそれがある。接合用シートの全厚は、接合用シートをエポキシ樹脂で完全に被包した後、接合用シート表面方向に対し垂直に切断し、その切断面をアルゴンイオンビームにより研磨加工する。次いで研磨加工した加工面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にて観察し、無作為に１００箇所以上の接合用シートの厚さを測定し、その平均値を接合用シートの厚さとする。
図２に示される銅シート４の両面に多孔質のプリフォーム層８が形成された接合用シート１０について詳述する。多孔質のプリフォーム層８は、銅シートの銅シート４の両面に銅粒子１２が積み重なった銅粒子の集合体の形態で形成される。この銅粒子１２からなるプリフォーム層は平均空孔度が１１％以上７８％以下である。平均空孔度が１１％未満では、多孔質のプリフォーム層の焼結に寄与する銅粒子が少なく、銅粒子の焼結性が低下する。平均空孔度が７８％を超えると、多孔質のプリフォーム層内の空隙率が高くなり、プリフォーム層１３がもろくなるとともに、銅粒子の焼結性が低下する。
また図２の拡大図に示すように、銅粒子１２はその表面に銅粒子１２の平均粒径より小さい平均粒径を有する銅ナノ粒子１２ａで被覆されている。本実施形態の特徴ある酸性電解銅めっき液で銅めっきを行って、アゾール化合物が銅面に吸着させることにより、銅の電析を抑制、核生成が優先され、銅粒子１２の表面に銅ナノ粒子１２ａが形成される。こうした特徴のある構造であるため、多孔質のプリフォーム層８を加圧したときに、銅粒子同士が容易に焼結して堅牢な接合層を形成し易くなる。ここで、銅ナノ粒子の平均粒径は、微細である銅粒子とその銅粒子よりも更に微細なナノ粒子が複合しているために、顕微鏡像から平均粒径を算出することが難しく、ＢＥＴ測定から平均粒径を算出する。このように、ＢＥＴ測定から算出された銅ナノ粒子の平均粒径は、９．５９ｎｍ以上８５０ｎｍ以下である。銅ナノ粒子の平均粒径がこの範囲外であると、銅粒子が容易に焼結しにくくなる。好ましい範囲は５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
上述したプリフォーム層８の平均空孔度は、プリフォーム層８の断面を走査型電子顕微鏡で画像解析することにより空孔度が算出される。下記式（Ａ）で求められた空孔度（Ｐ）の算術平均を平均空孔度とする。具体的には、測定は異なる視野で３回撮影し、算出された空孔度の平均値を平均空孔度とする。
Ｐ（％）＝ （Ｓ2／Ｓ1）×１００ （Ａ）
但し、式（Ａ）中、Ｐはプリフォーム層の空孔度であり、Ｓ1はプリフォーム層の全面積であり、Ｓ2はプリフォーム層中の空孔部分の面積である。
Ｐ（％）＝ （Ｓ2／Ｓ1）×１００ （Ａ）
但し、式（Ａ）中、Ｐはプリフォーム層の空孔度であり、Ｓ1はプリフォーム層の全面積であり、Ｓ2はプリフォーム層中の空孔部分の面積である。
また、上述した銅ナノ粒子の平均粒径は、多孔質のプリフォーム層をＢＥＴ法により測定される。ＢＥＴ法の測定は、Ｍａｃｓｏｒｂ社製 ＨＭ－ｍｏｄｅｌ－１２０１を用いて行われる。プリフォーム層付きの銅シートを２ｍｍ角に切断し、測定セルに充填しＢＥＴ１点法で測定を行う。測定値から銅シートの質量を差し引き、プリフォーム層自体の質量で換算した。算出したＢＥＴ測定値から、以下の式（Ｂ）に基づいて、銅ナノ粒子の粒径を算出する。なお、下記式（Ｂ）における係数３３５．９５は、銅の密度、銅ナノ粒子の表面積、銅ナノ粒子の体積の理論値から算出した値である。銅ナノ粒子の平均粒径（ｄ）は、ＢＥＴ法により３回測定し、その平均値である。
ｄ（ｎｍ）＝３３５．９５／（ＢＥＴ測定値 （ｍ2／ｇ）） （Ｂ）
ｄ（ｎｍ）＝３３５．９５／（ＢＥＴ測定値 （ｍ2／ｇ）） （Ｂ）
〔接合用シートを用いて接合体を製造する第１の方法〕
上記接合用シート１０を用いて接合体を製造する第１の方法について説明する。
図４（ａ）に示すように、先ず、基材１６として、無酸素銅板、各種放熱基板、ＦＲ４(Flame Retardant Type 4)基板、コバール等の基板を準備し、電子部品１７として、シリコンチップ素子、ＬＥＤチップ素子等の電子部品を準備する。次いで、接合用シート１０を基材１６上の所定の位置に配置し、図４（ｂ）に示すように、電子部品１７を基材１６上の接合用シート１０の上に配置する。この状態で、加熱炉にて窒素雰囲気下、２５０℃～３５０℃の温度で、１分～３０分間保持して、接合用シート１０を加熱する。場合によっては、基材１６と電子部品１７とを１ＭＰａ～２０ＭＰａの圧力を加えながら接合してもよい。これにより、図４（ｃ）に示すように、接合用シート１０が接合層１５となって、この接合層１５が基材１６に電子部品１７を接合し、接合体１８が得られる。
上記接合用シート１０を用いて接合体を製造する第１の方法について説明する。
図４（ａ）に示すように、先ず、基材１６として、無酸素銅板、各種放熱基板、ＦＲ４(Flame Retardant Type 4)基板、コバール等の基板を準備し、電子部品１７として、シリコンチップ素子、ＬＥＤチップ素子等の電子部品を準備する。次いで、接合用シート１０を基材１６上の所定の位置に配置し、図４（ｂ）に示すように、電子部品１７を基材１６上の接合用シート１０の上に配置する。この状態で、加熱炉にて窒素雰囲気下、２５０℃～３５０℃の温度で、１分～３０分間保持して、接合用シート１０を加熱する。場合によっては、基材１６と電子部品１７とを１ＭＰａ～２０ＭＰａの圧力を加えながら接合してもよい。これにより、図４（ｃ）に示すように、接合用シート１０が接合層１５となって、この接合層１５が基材１６に電子部品１７を接合し、接合体１８が得られる。
〔接合用基板を用いて接合体を製造する第２の方法〕
接合用基板を用いて接合体を製造する第２の方法について説明する。
図５に示すように、この方法では、基板４６の表面に多孔質のプリフォーム層８が形成された接合用基板４０を用いて接合体４４を形成する。
接合用基板を用いて接合体を製造する第２の方法について説明する。
図５に示すように、この方法では、基板４６の表面に多孔質のプリフォーム層８が形成された接合用基板４０を用いて接合体４４を形成する。
図５に示される多孔質のプリフォーム層８は図２に示される多孔質のプリフォーム層８と同じである。基板４６は、基板表面が銅又はニッケルからなる。例えば、この基板４６は、無酸素銅板であるか、又は基板表面が銅メタライズされたＳｉ基板であるか、或いは、基板表面がＮｉめっきをした無酸素銅板等である。図５に示される電子部品４７は図４に示される電子部品１７と同じである。
先ず、図５（ａ）に示すように、基板表面が銅又はニッケルからなる基板４６を準備し、図５（ｂ）に示すように、所定の間隔で開口部４６ａを有するように基板４６の表面をレジスト膜４１でマスキングしてパターニングする。この状態で、上述した酸性電解銅めっき液中に入れて、図５（ｃ）に示すように、開口部４６ａ上に多孔質のプリフォーム層８を形成する。その後、図５（ｄ）に示すように、レジスト膜４１を除去することにより、基板４６上に多孔質のプリフォーム層８が形成された接合用基板４０が作られる。この電解銅めっきは、上述した方法で行うことができる。なお、上記説明では、開口部４６ａのみにプリフォーム層８を形成したが、レジスト膜４１を設けずに、基板４６の全面にプリフォーム層８を形成してもよい。
図５（ｅ）に示すように、接合用基板４０の多孔質のプリフォーム層８上に電子部品４７を接合する。具体的には、多孔質のプリフォーム層８が形成された接合用基板４０を加圧板４２の上に載置し、図５（ｆ）に示すように、プリフォーム層８上に電子部品４７を載置して積層体を得た後、図５（ｇ）に示すように、加圧板４２と加圧板４３により接合用基板４０と電子部品４７とからなる積層体を積層方向に加圧する。この加圧条件は、図４（ａ）に示した基材１６と電子部品１７の加圧条件と同じである。これにより、図５（ｈ）に示すように、プリフォーム層８が接合層４５となって接合用基板４０と電子部品４７が接合され、接合体４４が得られる。
なお、図示しないが、基板には、その表面にプリフォーム層を形成していない、無酸素銅板であるか、又は接合面が銅メタライズされた基板を準備し、電子部品には、その接合面に、プリフォーム層を形成しておいてもよい。また、図示しないが、基板にプリフォーム層を形成した上に、電子部品の接合面にもプリフォーム層を形成しておいてもよい。双方にプリフォーム層を形成することにより、基板と電子部品との接合強度がより一層高めることができ、好ましい。
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。以下に示す、実施例１～２０及び比較例１～１０では、図５に示される方法によりパターニングされたＳｉウェハ上に、銅めっきを行った。
初めに、実施例１～２０及び比較例１～１０で用いられる銅イオン電析抑制剤の種類、構造式及び化合物名を以下の表１に示す。
上記表１において、銅イオン電析抑制剤である、種類No.10のテトラゾール及び種類No.11の５－アミノ－１Ｈ－テトラゾールは、それぞれ式（14）及び式（15）で示される。これらのアゾール化合物は、上述した式（１）～（４）に属しない。
＜実施例１＞
先ず、被めっき物として、表面に銅層が厚さ５００ｎｍ程度にスパッタリング法により形成されたＳｉウェハ（厚さ：１．２ｍｍ）を用いた。このＳｉウェ表面をフォトレジストで１ダイ（１５ｍｍ角）当たり径７５μｍの真円形状の開口部が６００２個有するようにパターニングした。このＳｉウェハの銅めっきを行う前の処理として、プラズマクリーナーによる親水化処理をした。次いでＳｉウェハを純水でプリウェットした後、濃度１０質量％の硫酸水溶液に浸漬し、酸洗浄した。酸洗浄したＳｉウェハを水洗し、Ｓｉウェハのパターン面に、以下に示す銅めっき液の入った、図３に示すめっき装置１を用いて、Ｓｉウェハの片面に銅めっきを行った。
先ず、被めっき物として、表面に銅層が厚さ５００ｎｍ程度にスパッタリング法により形成されたＳｉウェハ（厚さ：１．２ｍｍ）を用いた。このＳｉウェ表面をフォトレジストで１ダイ（１５ｍｍ角）当たり径７５μｍの真円形状の開口部が６００２個有するようにパターニングした。このＳｉウェハの銅めっきを行う前の処理として、プラズマクリーナーによる親水化処理をした。次いでＳｉウェハを純水でプリウェットした後、濃度１０質量％の硫酸水溶液に浸漬し、酸洗浄した。酸洗浄したＳｉウェハを水洗し、Ｓｉウェハのパターン面に、以下に示す銅めっき液の入った、図３に示すめっき装置１を用いて、Ｓｉウェハの片面に銅めっきを行った。
下記液組成で銅めっき浴を建浴した。また、めっき条件も併せて示す。以下の表２に実施例１のめっき浴の組成及びめっき条件のうち、特徴ある項目を示す。実施例１では、銅イオン電析抑制剤として、表１に示されるNo.８の上述した式（12）の３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾールを用いた。
［めっき浴組成］
硫酸銅五水和物（Ｃｕ2+として）：０．１ｍｏｌ／Ｌ
銅イオン電析抑制剤（３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾール）：１０ｍｍｏｌ／Ｌ
塩化物イオン：０ｐｐｍ
イオン交換水：残部
［めっき条件］
浴温：２６℃
浴のｐＨ：２．５
カソード電流密度：０．４Ａ／ｄｍ2
硫酸銅五水和物（Ｃｕ2+として）：０．１ｍｏｌ／Ｌ
銅イオン電析抑制剤（３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾール）：１０ｍｍｏｌ／Ｌ
塩化物イオン：０ｐｐｍ
イオン交換水：残部
［めっき条件］
浴温：２６℃
浴のｐＨ：２．５
カソード電流密度：０．４Ａ／ｄｍ2
上記銅めっき液中にＳｉウェハを浸漬して、上記めっき条件にてめっきを行うことで、Ｓｉウェハ上に銅粒子からなる多孔質のプリフォーム層が形成された。図６（ａ）及び（ｂ）に実施例１のプリフォーム層表面の走査型電子顕微鏡写真図を示す。
＜実施例２～２０及び比較例４～１０＞
実施例２～２０及び比較例４～１０では、硫酸銅五水和物の濃度を実施例１と同一にするか、又は変更し、銅イオン電析抑制剤の種類を実施例１と同一にするか、又は変更し、銅イオン電析抑制剤の濃度を実施例１と同一にするか、又は変更し、塩化物イオン濃度を実施例１と同一にするか、又は変更した。また、めっき時のカソード電流密度を実施例１と同一にするか、又は変更した。それ以外は実施例１と同様にして、銅めっきを行った。実施例２～２０及び比較例４～１０のめっき浴の組成及びめっき条件のうち、特徴ある項目を上記の表２及び下記の表３にそれぞれ示す。
実施例１と同様にしてめっきを行うことで、実施例２～２０及び比較例４、５では、Ｓｉウェハ上に、銅めっき皮膜として、銅粒子からなる多孔質のプリフォーム層が形成された。しかし、比較例６～１０では、銅イオンの電析が不良であったため、Ｓｉウェハ上に、銅めっき皮膜は均一に形成されなかった。
実施例２～２０及び比較例４～１０では、硫酸銅五水和物の濃度を実施例１と同一にするか、又は変更し、銅イオン電析抑制剤の種類を実施例１と同一にするか、又は変更し、銅イオン電析抑制剤の濃度を実施例１と同一にするか、又は変更し、塩化物イオン濃度を実施例１と同一にするか、又は変更した。また、めっき時のカソード電流密度を実施例１と同一にするか、又は変更した。それ以外は実施例１と同様にして、銅めっきを行った。実施例２～２０及び比較例４～１０のめっき浴の組成及びめっき条件のうち、特徴ある項目を上記の表２及び下記の表３にそれぞれ示す。
実施例１と同様にしてめっきを行うことで、実施例２～２０及び比較例４、５では、Ｓｉウェハ上に、銅めっき皮膜として、銅粒子からなる多孔質のプリフォーム層が形成された。しかし、比較例６～１０では、銅イオンの電析が不良であったため、Ｓｉウェハ上に、銅めっき皮膜は均一に形成されなかった。
＜比較例１＞
比較例１では、硫酸銅五水和物の濃度を１．０ｍｏｌ／Ｌとし、めっき時のカソード電流密度を３．０Ａ／ｄｍ2として、実施例１と同様にして、Ｓｉウェハ上に銅めっきを行った。比較例１では、銅イオン電析抑制剤は用いなかった。銅めっき液中の塩化物イオン濃度は８０ｐｐｍであった。
比較例１では、硫酸銅五水和物の濃度を１．０ｍｏｌ／Ｌとし、めっき時のカソード電流密度を３．０Ａ／ｄｍ2として、実施例１と同様にして、Ｓｉウェハ上に銅めっきを行った。比較例１では、銅イオン電析抑制剤は用いなかった。銅めっき液中の塩化物イオン濃度は８０ｐｐｍであった。
＜比較例２＞
比較例２では、硫酸銅五水和物の濃度を１．０ｍｏｌ／Ｌとし、めっき時のカソード電流密度を３．０Ａ／ｄｍ2として、実施例１と同様にして、Ｓｉウェハ上に銅めっきを行った。比較例１では、銅イオン電析抑制剤は用いなかった。銅めっき液中の塩化物イオン濃度は５ｐｐｍであった。
比較例２では、硫酸銅五水和物の濃度を１．０ｍｏｌ／Ｌとし、めっき時のカソード電流密度を３．０Ａ／ｄｍ2として、実施例１と同様にして、Ｓｉウェハ上に銅めっきを行った。比較例１では、銅イオン電析抑制剤は用いなかった。銅めっき液中の塩化物イオン濃度は５ｐｐｍであった。
＜比較例３＞
比較例３では、硫酸銅五水和物の濃度を１．０ｍｏｌ／Ｌとし、めっき時のカソード電流密度を３．０Ａ／ｄｍ2として、実施例１と同様にして、Ｓｉウェハ上に銅めっきを行った。比較例３では、銅イオン電析抑制剤として、アゾール化合物以外の有機化合物と比較するために、３，３－ジチオビス（１－プロパンスルホン酸）二ナトリウムを５０ｐｐｍと、ポリエチレングリコール（Ｍｗ：３４００）を３００ｐｐｍ含む一般的な添加剤を用いた。銅めっき液中の塩化物イオン濃度は８０ｐｐｍであった。
比較例３では、硫酸銅五水和物の濃度を１．０ｍｏｌ／Ｌとし、めっき時のカソード電流密度を３．０Ａ／ｄｍ2として、実施例１と同様にして、Ｓｉウェハ上に銅めっきを行った。比較例３では、銅イオン電析抑制剤として、アゾール化合物以外の有機化合物と比較するために、３，３－ジチオビス（１－プロパンスルホン酸）二ナトリウムを５０ｐｐｍと、ポリエチレングリコール（Ｍｗ：３４００）を３００ｐｐｍ含む一般的な添加剤を用いた。銅めっき液中の塩化物イオン濃度は８０ｐｐｍであった。
＜比較評価＞
＜塩化物イオン濃度の測定＞
建浴後の銅めっき液について、イオンクロマト分析（Ｔｈｅｒｍｏ ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社製、装置名：Ｄｉｏｎｅｘ ＩＣＳ－２１００、分離カラム：Ｄｉｏｎｅｘ ＩｏｎＰａｃＴＭ ＡＳ１２Ａ（４×２００ｍｍ)）により塩化物イオン濃度の測定を行った。
＜塩化物イオン濃度の測定＞
建浴後の銅めっき液について、イオンクロマト分析（Ｔｈｅｒｍｏ ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社製、装置名：Ｄｉｏｎｅｘ ＩＣＳ－２１００、分離カラム：Ｄｉｏｎｅｘ ＩｏｎＰａｃＴＭ ＡＳ１２Ａ（４×２００ｍｍ)）により塩化物イオン濃度の測定を行った。
＜多孔質のプリフォーム層の平均空孔度と銅ナノ粒子の平均粒径＞
実施例１～２０及び比較例１～５で得られた２５種類の接合用基板の多孔質のプリフォーム層の平均空孔度と、このプリフォーム層を構成する銅粒子を被覆する銅ナノ粒子の平均粒径を上述した方法でそれぞれ求めた。これらの結果を上記表２及び表３に示す。
実施例１～２０及び比較例１～５で得られた２５種類の接合用基板の多孔質のプリフォーム層の平均空孔度と、このプリフォーム層を構成する銅粒子を被覆する銅ナノ粒子の平均粒径を上述した方法でそれぞれ求めた。これらの結果を上記表２及び表３に示す。
＜接合体の製造＞
図５（ｆ）に示すように、実施例１～２０及び比較例１～５で得られた２５種類の接合用基板４０のプリフォーム層８上にチップ４７を配置して、図５（ｇ）に示すように、加圧し加熱して接合体４４を得た。チップ４７は、最表面に銅メタライズを施した２．５ｍｍ角のＳｉウエハ（厚さ：１．２ｍｍ）からなる。
この接合は、加圧加熱接合装置（アルファデザイン製；ＨＴＢ－ＭＭ）を使用して窒素雰囲気下、３００℃の温度で３０ＭＰａの圧力で３０分間保持することにより、行った。２２種類の接合体のシェア強度を次のように測定した。
図５（ｆ）に示すように、実施例１～２０及び比較例１～５で得られた２５種類の接合用基板４０のプリフォーム層８上にチップ４７を配置して、図５（ｇ）に示すように、加圧し加熱して接合体４４を得た。チップ４７は、最表面に銅メタライズを施した２．５ｍｍ角のＳｉウエハ（厚さ：１．２ｍｍ）からなる。
この接合は、加圧加熱接合装置（アルファデザイン製；ＨＴＢ－ＭＭ）を使用して窒素雰囲気下、３００℃の温度で３０ＭＰａの圧力で３０分間保持することにより、行った。２２種類の接合体のシェア強度を次のように測定した。
＜接合体のシェア強度の測定方法＞
接合体のシェア強度は、せん断強度評価試験機（(株)ノードソンアドバンストテクノロジー社製ボンドテスター；Ｄａｇｅ Ｓｅｒｉｅｓ ４０００）を用いて測定した。具体的には、シェア強度の測定は、接合体の基板であるＳｉウェハを水平に固定し、接合層の表面（上面）から５０μｍ上方の位置でシェアツールにより、チップを横から水平方向に押して、チップが破断されたときの強度を測定することによって行った。なお、シェアツールの移動速度は０．１ｍｍ／秒とした。１条件に付き３回強度試験を行い、それらの算術平均値を接合強度の測定値とした。２２種類の接合体のシェア強度を上記の表２に示す。接合強度が１５ＭＰａ以上であれば「良好」とし、１．７ＭＰａ以上１５ＭＰａ未満であれば「やや不良」とし、１．７ＭＰａ未満であれば「不良」とした。なお、表２の接合強度において「－」は、チップ４７と接合用基板４０とを接合しようとしたが接合されていなかった場合、又は接合強度を測定する前にチップ４７が剥離してしまったことを意味する。この結果を上記表２に示す。
接合体のシェア強度は、せん断強度評価試験機（(株)ノードソンアドバンストテクノロジー社製ボンドテスター；Ｄａｇｅ Ｓｅｒｉｅｓ ４０００）を用いて測定した。具体的には、シェア強度の測定は、接合体の基板であるＳｉウェハを水平に固定し、接合層の表面（上面）から５０μｍ上方の位置でシェアツールにより、チップを横から水平方向に押して、チップが破断されたときの強度を測定することによって行った。なお、シェアツールの移動速度は０．１ｍｍ／秒とした。１条件に付き３回強度試験を行い、それらの算術平均値を接合強度の測定値とした。２２種類の接合体のシェア強度を上記の表２に示す。接合強度が１５ＭＰａ以上であれば「良好」とし、１．７ＭＰａ以上１５ＭＰａ未満であれば「やや不良」とし、１．７ＭＰａ未満であれば「不良」とした。なお、表２の接合強度において「－」は、チップ４７と接合用基板４０とを接合しようとしたが接合されていなかった場合、又は接合強度を測定する前にチップ４７が剥離してしまったことを意味する。この結果を上記表２に示す。
表３から明らかなように、比較例１及び比較例２では、多孔質の銅めっき皮膜を形成する機能を有する銅イオン電析抑制剤が含まれていなかった。また、比較例３では、添加された銅イオン電析抑制剤が多孔質の銅めっき皮膜を形成する機能を有していなかった。このため、比較例１～３では、銅めっき皮膜は形成されたが、平均空孔度がそれぞれ「０％」であり、銅めっき皮膜は多孔質ではなかった。このため、比較例１及び比較例２では、チップと接合用基板とは接合されておらず、判定はともに「不良」であった。また比較例３では、接合強度が「１２．４ＭＰａ」と低く、判定は「やや不良」であった。
比較例４では、銅イオンの濃度が「０．０１ｍｏｌ／Ｌ」と低過ぎたため、十分な電析が行われず、平均空孔度が「８％」と低く、銅ナノ粒子の平均粒径は４２ｎｍであって、銅めっき皮膜として、多孔質の程度が低いプリフォーム層であった。このため接合強度が「９．２ＭＰａ」と低く、判定は「やや不良」であった。
比較例５では、銅イオン電析抑制剤である３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾールの濃度が「５ｍｍｏｌ／Ｌ」と低過ぎたため、銅イオンの電析が十分に抑制されず、平均空孔度が「５％」と低く、銅ナノ粒子の平均粒径は７７ｎｍであって、銅めっき皮膜として、多孔質の程度が低いプリフォーム層であった。このため接合強度が「６．３ＭＰａ」と低く、判定は「やや不良」であった。
比較例６では、銅イオン電析抑制剤である３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾールの濃度が「７５ｍｍｏｌ／Ｌ」と高過ぎたため、銅イオンの電析が殆ど起こらず、銅めっき皮膜は形成されなかった。このため接合強度の測定は行わなかった。判定は「不良」であった。
比較例７では、塩化物イオン濃度が「２５ｐｐｍ」と高過ぎた。このため、塩化物イオンが銅面に吸着し、多孔質を形成するためのアゾール化合物の銅面への吸着が阻害されたため、多孔質な銅めっき皮膜は形成されなかった。このため接合強度の測定は行わなかった。判定は「不良」であった。
比較例８では、塩化物イオン濃度が「５０ｐｐｍ」と高過ぎた。このため、塩化物イオンが銅面に吸着し、銅めっき皮膜としてのプリフォーム層の形成が阻害された。また銅イオン電析抑制剤である３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾールの濃度が「０．１５ｍｍｏｌ／Ｌ」と低過ぎたため、多孔質の銅めっき皮膜を形成するのに十分な表面吸着が得られず、多孔質な銅めっき皮膜は形成されなかった。このため接合強度の測定は行わなかった。判定は「不良」であった。
比較例９及び比較例１０では、銅イオン電析抑制剤として、式（１）～式（４）に属しないテトラゾール（No.10、式（14））及び５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール（No.11、式（15））を用いたため、銅表面への銅イオン電析抑制剤の吸着が強過ぎ、銅イオンの電析が殆ど起こらず、銅めっき皮膜は形成されなかった。このため接合強度の測定は行わなかった。判定は「不良」であった。
これらに対して、表２から明らかなように、実施例１～２０では、プリフォーム層の平均空孔度とＢＥＴ値から算出される平均粒径が適切に制御され、Ｓｉウェハ上に形成されたプリフォーム層の平均空孔度が前述した１１％以上７８％以下の範囲内であり、またＢＥＴ値から算出される銅ナノ粒子の平均粒径も前述した９．５９ｎｍ～８５０ｎｍの範囲内にある銅粒子からなる多孔質のプリフォーム層が形成され、実施例１～２０の接合用基板とチップを接合すると、接合用基板とチップは堅牢に接合し、接合評価はすべて「良好」であった。
本発明の酸性電解銅めっき液は、電子部品の組立てや実装等において、２つの部材を接合するための多孔質のプリフォーム層を形成するに利用できる。
８ プリフォーム層
１０ 接合用シート
１１ 銅シート
１２ 銅粒子
１２ａ 銅ナノ粒子
１５、４５ 接合層
１６ 基材
１７、４７ 電子部品
１８、４４ 接合体
２０、４０ 接合用基板
４６ 基板（Ｓｉウェハ）
１０ 接合用シート
１１ 銅シート
１２ 銅粒子
１２ａ 銅ナノ粒子
１５、４５ 接合層
１６ 基材
１７、４７ 電子部品
１８、４４ 接合体
２０、４０ 接合用基板
４６ 基板（Ｓｉウェハ）
Claims (6)
- 可溶性銅塩と、下記の式（１）～式（４）に示される銅イオン電析抑制剤である五員環中に２個以上３個以下の窒素原子を有するアゾール化合物と、酸と、水とを含む酸性電解銅めっき液であって、
銅濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以上であり、前記アゾール化合物濃度が１０ｍｍｏｌ／Ｌ以上５０ｍｍｏｌ／Ｌ以下であり、塩化物イオン濃度が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする酸性電解銅めっき液。
- 請求項１記載の酸性電解銅めっき液内のカソード側に銅シート又は基板を配置して、酸性電解銅めっきを行うことにより、前記銅シート又は前記基板の片面又は両面に、銅めっき皮膜として、銅粒子からなる平均空孔度が１１％～１７％である多孔質のプリフォーム層を形成する方法であって、
前記銅粒子の表面が、前記銅粒子の平均粒径より小さい銅ナノ粒子で被覆されており、前記銅ナノ粒子のＢＥＴ値より算出される平均粒径が９．５９ｎｍ以上８５０ｎｍ以下であり、
前記プリフォーム層の平均空孔度が、前記プリフォーム層の断面を走査型電子顕微鏡で画像解析することにより算出されたプリフォーム層の全面積（Ｓ1）と、プリフォーム層中の空孔部分の面積（Ｓ2）とに基づいて下記式（Ａ）で求められた空孔度（Ｐ）の算術平均であることを特徴とするプリフォーム層の形成方法である。
Ｐ（％）＝ （Ｓ2／Ｓ1）×１００ （Ａ） - 前記銅シートの片面又は両面に請求項２の方法により多孔質のプリフォーム層が形成された接合用シートの製造方法。
- 請求項３に記載の方法で製造された接合用シートを介して基材と電子部品とを積層し、前記基材と電子部品とを積層方向に加圧し加熱して接合体を製造する方法。
- 前記基板の片面に請求項２の方法により多孔質のプリフォーム層が形成された接合用基板の製造方法。
- 請求項５に記載の方法で製造された接合用基板と電子部品とを多孔質のプリフォーム層を介して積層し、前記接合用基板と電子部品とを積層方向に加圧し加熱して接合体を製造する方法。
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