JP2023044214A - 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム - Google Patents

基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム Download PDF

Info

Publication number
JP2023044214A
JP2023044214A JP2021152122A JP2021152122A JP2023044214A JP 2023044214 A JP2023044214 A JP 2023044214A JP 2021152122 A JP2021152122 A JP 2021152122A JP 2021152122 A JP2021152122 A JP 2021152122A JP 2023044214 A JP2023044214 A JP 2023044214A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vibration
information
substrate processing
sound
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021152122A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7288486B2 (ja
Inventor
晃生 吉野
Akio Yoshino
直史 大橋
Tadashi Ohashi
寿朗 越巻
Toshiaki Kosumaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP2021152122A priority Critical patent/JP7288486B2/ja
Priority to TW111103234A priority patent/TWI837575B/zh
Priority to CN202210150202.9A priority patent/CN115831833A/zh
Priority to US17/682,436 priority patent/US11841343B2/en
Priority to KR1020220026257A priority patent/KR20230041566A/ko
Publication of JP2023044214A publication Critical patent/JP2023044214A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7288486B2 publication Critical patent/JP7288486B2/ja
Priority to US18/499,589 priority patent/US20240142409A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
    • G01H3/00—Measuring characteristics of vibrations by using a detector in a fluid
    • G01H3/005—Testing or calibrating of detectors covered by the subgroups of G01H3/00
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • G01M99/005—Testing of complete machines, e.g. washing-machines or mobile phones
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/14—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object using acoustic emission techniques
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/44—Processing the detected response signal, e.g. electronic circuits specially adapted therefor
    • G01N29/4409—Processing the detected response signal, e.g. electronic circuits specially adapted therefor by comparison
    • G01N29/4436—Processing the detected response signal, e.g. electronic circuits specially adapted therefor by comparison with a reference signal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/08—Mouthpieces; Microphones; Attachments therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/26—Scanned objects
    • G01N2291/269—Various geometry objects
    • G01N2291/2697—Wafer or (micro)electronic parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67793—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations with orientating and positioning by means of a vibratory bowl or track

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing And Monitoring For Control Systems (AREA)

Abstract

【課題】基板を搬送する搬送装置の異常及び故障検出を行う基板処理方法、基板処理装置及びプログラムを提供する。【解決手段】半導体装置の基板を搬送する搬送ロボットと、搬送ロボットを有する搬送室と、基板を処理する処理室と、搬送ロボットの振動情報を受信する振動情報受信部、搬送ロボットの音情報を受信する音情報受信部及び各構成を制御することが可能に構成された制御部を含むコントローラ２０１、を備える。製造方法において、コントローラは、基板を搬送する搬送装置から発生した音を拾い、音データの波形と予め設定した閾値とを比較して搬送装置の異常を検出する異常検出工程と、搬送装置の振動を拾い、振動データの波形と予め設定した閾値とを比較して搬送装置の故障を検出する故障検出工程と、を実行する。【選択図】図４

Description

本開示は、基板処理方法、基板処理装置、及びプログラムに関する。
従来、基板の搬送機構に振動を検出する振動センサを設けた基板処理装置がある（例えば、文献１）。従来の基板処理装置では、ウエハの搬送に支障が生じるか否かを、振動センサで稼働時の搬送機構の振動を検出することで搬送機構の状態を検出している。
国際公開第２０１８／０６１１４５号
従来の基板処理装置では、搬送機構の状態を検出していたが、装置の異常、または故障を検出することについては課題があった。
本開示は、基板を搬送する搬送装置の異常の検出、または、故障検出を行うことを目的とする。
本開示の一態様によれば、基板を搬送する搬送装置から発生した音を拾い、音データの波形と予め設定した閾値とを比較して前記搬送装置の異常を検出する異常検出工程と、前記搬送装置の振動を拾い、振動データの波形と予め設定した閾値とを比較して前記搬送装置の故障を検出する故障検出工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
以上説明したように、本開示によれば、基板を搬送する搬送装置の異常の検出、または故障検出を行うことができる。
本開示の第１の実施に係る基板処理装置の概要を示す平面図である。 基板処理装置の概要を示す一部を断面にした側面図である。 （Ａ）は真空ロボットを示す縦断面図であり、（Ｂ）は真空ロボットを示す平面図である。 （Ａ）は制御系を示すブロック図であり、（Ｂ）は制御部の構成の一例を示す図である。 波形データと閾値との関係を示すグラフである。 第１の実施形態に係る検出処理を示すフローチャートである。 第２の実施形態に係る検出処理の前半を示すフローチャートである。 第２の実施形態に係る検出処理の後半を示すフローチャートである。 第２の実施形態に係る記憶部が授受する情報を説明する説明図である。 閾値の補正を説明する説明図である。
以下、本開示の一実施形態に係る基板処理装置１０について図１乃至図６を用いて説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。
（基板処理装置の概要）
先ず、図１及び図２に基づいて本実施形態の基板処理装置１０の概要を説明する。
基板処理装置１０は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧） に耐える真空搬送室１０３を備えている。真空搬送室１０３には負圧下で基板２００を移載する搬送装置の一例としての真空搬送ロボット１１２が設置されている。
（真空搬送室）
真空搬送室１０３は、真空搬送室１０３へ基板２００を搬入する搬入用の予備室１２２及び真空搬送室１０３からの基板２００を搬出する搬出用の予備室１２３とゲートバルブ２４４及び１２７を介してそれぞれ連結されており、予備室１２２及び１２３の前側には、略大気圧下で用いられる大気搬送室１２１がゲートバルブ１２８及び１２９を介して連結されている。
（真空搬送ロボット）
図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、本実施形態の真空搬送ロボット１１２は、箱状のロボット台座１５０を有しており、ロボット台座１５０には、モータ１５２で駆動される昇降エレベータ１５４が設けられている。
昇降エレベータ１５４の上部には、昇降エレベータ１５４の上部に設けた第１アーム駆動装置１５６によって水平方向に旋回可能な第１アーム１５８が設けられている。
第１アーム１５８の先端には、第１アーム１５８の先端に設けた第２アーム駆動装置１６０によって 水平方向に旋回可能な第２アーム１６２が設けられている。
第２アーム１６２の先端には、第２アーム１６２の先端に設けたツイーザ駆動装置１６４によって水平方向に旋回可能なツイーザ１６６が設けられている。基板２００は、ツイーザ１６６に載置された状態で搬送される。
第１アーム１５８、第２アーム１６２、昇降エレベータ１５４、及びロボット台座１５０は、各々が密閉された中空構造とされ、内部に気体（一例として空気）が充填されている。
本実施形態では、第１アーム１５８の内部に第１マイクロフォン１６８が設けられており、第２アーム１６２の内部に第２マイクロフォン１７０が設けられており、昇降エレベータ１５４の内部に第３マイクロフォン１７７が設けられている。
図３（Ａ）に示すように、第１マイクロフォン１６８は、第１アーム１５８の外殻を構成している筐体１５８Ａの内壁にゴム、スプリング等の弾性体１７２を介して取り付けられており、筐体１５８Ａの振動を拾わないようになっている。第１マイクロフォン１６８は、第１アーム１５８の内部の音を拾うことができ、第１マイクロフォン１６８から出力される音情報（音声信号）は、後述する音情報受信部２３１へ、有線、または無線により送信されるようになっている。
第２マイクロフォン１７０は、第２アーム１６２の外殻を構成している筐体１６２Ａの内壁にゴム、スプリング等の弾性体１７４を介して取り付けられている。第２マイクロフォン１７０は、第２アーム１６２の内部の音（ツイーザ駆動装置１６４の音）を拾うことができ、音情報（音声信号）は、後述する音情報受信部２３１に、有線、または無線により送信されるようになっている。
第３マイクロフォン１７７は、昇降エレベータ１５４の外殻を構成している筐体１５４Ａの内壁にゴム、スプリング等の弾性体１７９を介して取り付けられている。第３マイクロフォン１７７は、昇降エレベータ１５４の内部の音（第１アーム駆動装置１５６の音）を拾うことができ、音情報（音声信号）は、後述する音情報受信部２３１に、有線、または無線により送信されるようになっている。
ツイーザ１６６には、振動センサ１７６が取り付けられている。振動センサ１７６は、ツイーザ１６６の振動を検出し、振動検出情報は、後述する振動情報受信部２３０に、有線、または無線により送信されるようになっている。なお、振動センサ１７６は、例えば、加速度センサで構成される。
真空搬送ロボット１１２は、ツイーザ１６６を用いて基板２００を正確に受け取り、かつ受け渡す必要がある。ツイーザ１６６が想定以上に振動している場合には、基板２００を正確に受け取り、かつ受け渡すことが困難であると判断することが好ましい。そのため、真空搬送ロボット１１２による基板２００の搬送時にツイーザ１６６の振動を検出し、振動の状態（振動波形の違い、振動の大きさ等）によって真空搬送ロボット１１２の故障を検出することが好ましい。
（大気搬送室）
図１、及び図２に示すように、大気搬送室１２１には基板２００移載する、搬送装置の一例としての大気搬送ロボット１２４が設置されている。大気搬送室１２１には、基板２００大気搬送室１２１ に対して搬入出するための基板搬入搬出口１３４と、基板搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２と、ポッドオープナ１０８とがそれぞれ設置されている。大気搬送室１２１には、左側にオリフラ合わせ装置（orientation flat aligner）１０６が設置されている。
ポッドオープナ１０８は、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及び基板搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２を開閉することにより、ポッド１００に対して基板２００の出し入れを可能にする。
真空搬送室１０３には、ゲートバルブ１３０を介してコールドウォール式の処理炉によってそれぞれ構成されている第一の処理炉２０２及び第二の処理炉１３７と、処理済の基板２００を冷却するようにそれぞれ構成されている第一のクーリングユニット１３８及び第二のクーリングユニット１３９とがそれぞれ連結されている。
（大気搬送ロボット）
本実施形態の大気搬送ロボット１２４は、真空搬送ロボット１１２と同様の構成であるため、詳細な説明は省略する。なお、本実施形態の大気搬送ロボット１２４は、真空搬送ロボット１１２と同様に、基板２００を搬送可能に構成されているが、大気搬送室１２１の内部を自走可能（図１の図面左右方向）とされている。
大気搬送ロボット１２４の第１アーム１５８の第１マイクロフォン１６８、第２アーム１６２の第２マイクロフォン１７０、ツイーザ１６６の振動センサ１７６は、真空搬送ロボット１１２と同様に、後述する音情報受信部２３１に、有線、または無線により音情報、及び振動情報を送信するようになっている。
（処理炉）
図１に示すように、処理炉２０２は、枚葉式ＣＶＤ炉（枚葉式コールドウォール型ＣＶＤ炉）として構成されており、基板２００を処理する処理室を内部に形成したチャンバ２０４を備えている。
基板２００は、真空搬送ロボット１１２によって基板搬入搬出口（図示省略）を介して処理炉２０２内に搬入出される。
チャンバ２０４には、冷却水が流通可能な冷却パイプ（図示せず）が埋め込まれており、該冷却パイプは、処理炉２０２の外部に設けられた冷却水供給装置１７８と配管１８０を介して接続されている。なお、配管１８０には、流体の流れを制御するバルブ１８２、流量計１８３が設けられており、配管１８０（またはバルブ１８２）には、振動センサ１８４、及びマイクロフォン１８６が取り付けられている。なお、配管１８０に設けられる各構成は、フランジ等の継手を介して配管１８０に接続される。
振動センサ１８４は、配管１８０（またはバルブ１８２）の振動を検出し、マイクロフォン１８６は、配管１８０（またはバルブ１８２）からの音を拾うことができる。なお、振動検出情報は、振動情報受信部２３０に有線、または無線により送信され、音検出情報は、音情報受信部２３１に有線、または無線により送信される。
更に、チャンバ２０４には、基板２００を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給装置１８８が配管１９０を介して接続されていると共に、内部の処理ガスを排気する排気装置１９２が配管１９４を介して接続されている。
（コントローラ）
図４（Ａ）に示すように、基板処理装置１０は、コントローラ２０１を備えている。
コントローラ２０１には、基板処理装置１０の機構部の振動情報を取得する振動情報受信部２３０と機構部の動作時に発生する音情報を取得する音情報受信部２３１が備えられている。
基板処理装置１０では、コントローラ２０１により装置全般（搬送系コントローラ２１１、プロセス系コントローラ２１２等）の制御が行われる。
コントローラ２０１は、外部接続機器との接続を管理する外部記憶部２２３、操作者からの各種指示を受け付ける操作部２２７ｂ、基板処理状況等の各種情報を表示する表示部２２７ａ、真空搬送ロボット１１２、大気搬送ロボット１２４、及び配管１８０等に設置されている振動センサ１７６、１８４より振動情報を受信する振動情報受信部２３０、真空搬送ロボット１１２、大気搬送ロボット１２４、及び配管１８０等に設置されている第１マイクロフォン１６８、第２マイクロフォン１７０、第３マイクロフォン１７７、マイクロフォン１８６から音情報を受信する音情報受信部２３１、振動情報受信部２３０や音情報受信部２３１からの情報を分析する分析部２２９、基板処理装置１０全体を制御することが可能な制御部２２０、振動情報受信部２３０や音情報受信部２３１で受信した振動情報、及び音情報を蓄積保存する記憶部２２２等を含んで構成されている。なお、分析部２２９は、異常検出部と、故障検出部の少なくとも１つ以上を含む様に構成されていても良い。なお、図４では、分析部２２９は、制御部２２０と別の構成の様に示したが、分析部２２９は、制御部２２０の一部として構成しても良い。例えば、分析部２２９を分析プログラムとして構成し、分析プログラムを制御部２２０に設けられたＣＰＵ２２０Ａ演算する様に構成して良い。また、異常検出部と、故障検出部をそれぞれ、プログラムとして構成しても良い。これらプログラムもＣＰＵ２２０Ａで演算する様に構成しても良い。なお、これらのプログラムは記憶部２２２に記録可能に構成されている。
一例として、制御部２２０は、図４（Ｂ）に示すように、ＣＰＵ２２０Ａ、ＲＯＭ２２０Ｂ、ＲＡＭ２２０Ｃ等を含んで構成されたコンピュータを用いることができるが、専用の制御回路で構成されていてもよい。
なお、操作者とは、装置オペレータのほか、装置管理者、装置エンジニア、保守員、作業者を含む。
記憶部２２２には、振動情報受信部２３０、及び音情報受信部２３１より受信した振動情報や音情報の他に振動情報や音情報を蓄積保存する条件となるイベント情報が記憶される。イベント情報は、例えば、真空搬送ロボット１１２、大気搬送ロボット１２４の機構部が、動作を開始及び停止するタイミングで発生する情報であり、また、冷却水供給装置１７８では、例えば、流体の流れを制御するバルブ１８２が開閉動作するタイミングで発生する情報を示す。
通信部２２８は、搬送系コントローラ２１１、プロセス系コントローラ２１２、外部コンピュータ等との間で、情報の受け渡しを行うことができる。
これら振動情報受信部２３０、分析部２２９、外部記憶部２２３、操作部２２７ｂ、表示部２２７ａ、通信部２２８、音情報受信部２３１、制御部２２０、記憶部２２２は、バス２３２によって相互に接続されており、各種情報やコマンド等の受け渡しを行うことができるようになっている。
なお、外部記憶部２２３は、一例として、外部記録媒体（ＵＳＢメモリ等）２２４を接続可能に構成されていてもよい。外部記録媒体２２４には、次に説明する基板処理工程、異常検出工程、及び故障検出工程等を実行するためのプロブラムを記憶することができる。
（作用、効果）
まず最初に、本実施形態の基板処理装置１０の基板処理工程の一例を説明する。
図１及び図２に示すように、複数枚の基板２００を収納した状態でポッド１００がＩＯステージ１０５上に載置され、ポッドオープナ１０８により開放されて、大気搬送室１２１の大気搬送ロボット１２４により基板２００がピックアップされ、開放されたゲートバルブ１２８から予備室１２２に搬入される。
次に、ゲートバルブ１２８が閉じられ、排気装置（図示省略）により予備室１２２が負圧に排気され、予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ２４４及びゲートバルブ１３０が開かれて、予備室１２２、真空搬送室１０３及び第一の処理炉２０２が連通する。真空搬送ロボット１１２により予備室１２２から基板搬入搬出口２５０を介して第１の処理炉２０２に基板２００が搬入される。
真空搬送ロボット１１２が第１の処理炉２０２から退出した後、基板搬入搬出口２５０がゲートバルブ２４４によって閉じられる。その後、基板２００を収容している第１の処理炉２０２の気体が排気装置１９２により排気される。
次に、処理炉２０２の第１冷却水パイプ２ａ及び第２冷却水パイプ２ｂに冷却水供給装置１７８からの冷却水が流されるとともに、ヒータ（図示省略）により基板２００が加熱される。基板２００の温度が処理温度まで上昇すると、処理ガス供給装置１８８から処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理が基板２００に対して行われる。
予め設定された処理時間が経過すると、処理炉２０２内の気体が排気装置１９２により排気される。次に、ゲートバルブ１３０が開かれ、処理済の基板２００は、真空搬送ロボット１１２により真空搬送室１０３に搬送された後、第一のクーリングユニット１３８へ搬入され、冷却される。
第一のクーリングユニット１３８において予め設定された冷却時間が経過すると、基板２００は真空搬送ロボット１１２により第一のクーリングユニット１３８から真空搬送室１０３へ搬送される。
その後、ゲートバルブ１２７が開き、基板２００は真空搬送ロボット１１２により予備室１２３へ搬送され、ゲートバルブ１２７が閉じられ、予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。
次に、ポッドオープナ１０８により蓋１４２とポッド１００のキャップが開かれ、大気搬送ロボット１２４によって基板２００が空のポッド１００に収納される。以上の動作が繰り返されることにより、基板２００が順次処理されていく。
（振動情報、音情報）
本実施形態の基板処理装置１０では、上記の基板処理工程と並行して、基板処理装置１０の異常検出工程、及び故障検出工程が行われる。
以下に、代表して、真空搬送ロボット１１２のツイーザ１６６の動作の異常検出工程、及び故障検出工程について以下に説明する。
先ず、コントローラ２０１の記憶部２２２には、一例として、図５のグラフで示すように、ツイーザ駆動装置１６４の音の閾値（１点鎖線で示す上側の波形と下側の波形との範囲が閾値であり、閾値は所定の幅を有している。）が予め格納されていると共に、図６に示すように、振動の閾値（１点鎖線で示す上側の波形と下側の波形との範囲が閾値であり、閾値は所定の幅を有している。）が予め格納されている。
図５のグラフには、音の閾値の波形データの他に、実際に第２マイクロフォン１７０で拾った正常時（一例として、新品時）の音の正常波形（実線で図示）と、実際に第２マイクロフォン１７０で拾った異常時の音の異常波形（点線で図示）とが示されている。
なお、図示を省略するが、記憶部２２２には、図５と同様に、振動の閾値が格納されている。
（検出処理の一例）
次に、図６に示すフローチャートにしたがって異常検出工程、及び故障検出工程の一例を説明する。
この検出処理は、ツイーザ１６６の一つのイベント（一つの動作）が行われるタイミングで開始され、該イベントが終了するまで続けられる。
先ず、ステップ１００では、第２マイクロフォン１７０で、ツイーザ１６６を駆動するツイーザ駆動装置１６４の音情報が取得されると共に、振動センサ１７６でツイーザ１６６の振動情報取得が取得される。音情報、及び振動情報は、音情報受信部２３１へ送信される。
ステップ１０２では、分析部２２９が、転送された音情報と、閾値との比較を行う。分析部２２９において、音情報の波形が、閾値を外れているか否かを判断し、音情報の波形が閾値を外れている（一例として、転送された音情報の波形が図５の点線の異常波形となった場合）と判断するとステップ１０４へ進む。
なお、ここでの異常とは、一例として、正常時（一例として新品時）に比較して音の波形が異なっているということであり、通常の動作には何ら問題を生じていないものである。
異常時の音とは、一例として、ツイーザ１６６を駆動するツイーザ駆動装置１６４に小さなガタなどが発生した際のガタつきの音や、潤滑油が切れかかっているときに発生する異音等を挙げることができる。
ステップ１０４では、ツイーザ駆動装置１６４の音が異常であることを知らせるメッセージが表示部２２７ａに表示され、その後、ステップ１０６へ進む。
一方、ステップ１０２で、音情報の波形が閾値を外れていないと判断した場合にはステップ１０８へ進み、ツイーザ駆動装置１６４の音は正常であることを知らせるメッセージが表示部２２７ａに表示され、その後、ステップ１００へ戻る。
ステップ１０６では、分析部２２９において、音情報の場合と同様にして、振動情報の波形が、閾値を外れているか否かを判断し、振動情報の波形が閾値を外れていると判断する（言い換えれば、故障が生じていると判断する）とステップ１１０へ進み、閾値を外れていないと判断する（言い換えれば、搬送動作等に支障がない軽度の振動である）とステップ１１２へ進む。
ステップ１１０では、ツイーザ駆動装置１６４の振動が異常である、即ち、ツイーザ駆動装置１６４が故障していることを知らせる故障メッセージが表示部２２７ａに表示され、その後、処理を終了する。なお、振動が異常である場合に、真空搬送ロボット１１２の動作を停止し、警報装置等でアラーム音を出してもよい。
ステップ１１２では、ツイーザ駆動装置１６４の振動は正常の範囲内であることを知らせるメッセージが表示部２２７ａ表示され、その後、ステップ１００へ戻る。
ここでは、代表して真空搬送ロボット１１２のツイーザ１６６の異常検出工程、及び故障検出工程について説明したが、真空搬送ロボット１１２のその他の駆動部分（第１アーム駆動装置１５６、第２アーム駆動装置１６０等）についても同様の処理が行われる。
このように、本実施形態の真空搬送ロボット１１２では、各駆動部分のイベント毎に音の異常の有無、故障の有無が表示部２２７ａに表示されるので、オペレーターは、表示部２２７ａに表示されるメッセージを見て真空搬送ロボット１１２の各部の動作状況を把握することができる。
なお、本実施形態の大気搬送ロボット１２４においても、真空搬送ロボット１１２と同様にして異常検出工程、及び故障検出工程を行うことができる。
さらに、本実施形態の基板処理装置１０では、冷却系の配管１８０（またはバルブ１８２）には、マイクロフォン１８６、及び振動センサ１８４が取り付けられている。このため、マイクロフォン１８６、及び振動センサ１８４でバルブ１８の音、及び振動を検出し、真空搬送ロボット１１２と同様に異常検出工程、及び故障検出工程を行い、バルブ１８２の異常や故障を検出することもできる。
このように、本実施形態によれば、装置の故障を発見することができ、装置が故障する前に、搬送装置の異常を発見することができる。そして、装置が発する異音を検出することで、不具合箇所の発見、点検、修理の準備等を前もってより早く行うことができる。
［第２の実施形態］
次に、図７乃至図１０にしたがって、第２の実施形態に係る基板処理装置１０の異常検出工程、及び故障検出工程について説明する。第２の実施形態に係る基板処理装置１０の装置構成（ハードウエア）は、第１の実施形態に係る基板処理装置１０と同様なので、その説明は省略する。
第２の実施形態に係る基板処理装置１０は、第１の実施形態とは異常検出工程、及び故障検出工程が異なっている。第１の実施形態では、音情報、及び振動情報の閾値が各々固定されていたが、本実施形態では、蓄積した過去の波形データとの差分（例えば、前回の波形データや、過去の波形データの平均値など）から補正値を算出し、算出した補正値を閾値に加えることで、より精度の高い閾値を得ることができ、精度の高い閾値を用いて異常検出や振動検出を行うことができるようになっている。
例えば、製造メーカーで工場出荷時に行う慣らし運転や最終試験（動作確認試験等）において、各部の音情報、及び振動情報を得て、該音情報、及び振動情報に基づいて閾値を設定することができるが、基板処理装置１０（真空搬送ロボット１１２、大気搬送ロボット１２４、その他）を分解してユーザーが使用する場所で再組立てした場合に、組立誤差、その他の要因により、各部で発生する音や振動が、ユーザー使用時に変わってしまう場合がある。
そのため、ユーザーが最初に使用（一例として、ユーザーのラインで使用する前の試験的な使用）をする際に、音情報や振動情報が、製造メーカーで出荷時に設定した閾値から外れてしまう場合があり、異常や故障ではないにも関わらず、異常や故障の表示がされてしまう懸念がある。
このため、本実施形態に係る基板処理装置１０では、音や振動の閾値を自動で補正するようになっている。
以下に、第２の実施形態に係る基板処理装置１０における異常検出工程、及び故障検出工程の一例を図７、及び図８に示すフローチャートにしたがって説明する。
先ず、ステップ２００では、第２マイクロフォン１７０で、ツイーザ１６６を駆動するツイーザ駆動装置１６４の音情報が取得されると共に、振動センサ１７６でツイーザ１６６の振動情報取得が取得される。音情報、及び振動情報は、音情報受信部２３１へ送信される。
ステップ２０２では、前回のイベントで記憶しておいた音情報を取得する。
なお、一例として、ユーザー側で最初に装置を駆動した場合、前回のイベントとは、工場出荷時に記憶部２２２に記憶させておいた音情報（音データ（波形））となる。また、ユーザー側で装置を複数回駆動した場合、前回のイベントとは、ユーザー側で装置を駆動した際の音情報（音データ（波形））となる（図９参照）。
ステップ２０４では、ステップ２００で取得した音情報と、前回の音情報との差異があるかないか判断し、差異がある場合にはステップ２０６へ進み、差異がない場合はステップ２１０へ進む。
ステップ２１０では、ステップ２００で取得した音情報（閾値の範囲内）を記憶部２２２へ送る。
そして、次のステップ２１２では、音情報を記憶部２２２に保存する。なお、該音情報はイベント毎に蓄積することができる（図９参照）。また、記憶部２２２に保存した音情報は、閾値の補正に用いることができる。
一方、ステップ２０６では、ステップ２００で取得した音情報と、記憶部２２２に保存されている音情報との差分から補正値を算出し、算出した補正値を閾値に加えることで、新たな閾値を生成し、ここで生成した閾値を分析部２２９が取得する。
一例として、図１０の左側のグラフには、第１波形（一例として、工場出荷時に記憶した波形）と第２波形（一例として、ユーザー側の最初のイベントで取得した波形）と、工場出荷時の閾値との関係が示されている。図１０の左側で示す例では、第１波形、第２波形共に工場出荷時の閾値の範囲内にあることが示されている。なお、第２波形の形状は、第１波形の形状と異なっており、第２波形の一部分は閾値の下限の波形に接近している。
このように、第２波形の形状が第１波形の形状と異なっている場合、補正値を算出し、算出した補正値を閾値に加えることで、新たな閾値を生成し、ここで生成した閾値を分析部２２９で取得し、次の検出工程で利用することができる。
図１０の右側のグラフには、第２波形（一例として、ユーザー側の最初のイベントで取得した波形）と、第３波形（ユーザー側で２回目のイベントで取得した波形）と、補正した閾値との関係が示されている。図１０の右側のグラフで記載されている閾値は、ユーザー側の２回目のイベントで取得した波形を考慮して補正した閾値であるため、２回目のイベントで取得した情報の波形は、補正した閾値の上限値と下限値との中央に位置している。
なお、図１０の右側のグラフでは、第３波形が補正した閾値から外れている様子を表している。
ステップ２０８では、ステップ２００で取得した音情報と、閾値との比較を行う。分析部２２９において、音情報の波形が、閾値を外れているか否かを判断し、音情報の波形が閾値を外れていると判断するとステップ２１４へ進み、閾値を外れていないと判断するとステップ２１０へ進む。
ステップ２１４では、ステップ２００で取得した音情報は、閾値を外れた音情報であるとして記憶部２２２へ送る。
ステップ２１６では、閾値を外れた音情報を取得することで、音異常情報を生成する。
次のステップ２１８では、前回のイベントで記憶しておいた振動情報を取得する。
なお、一例として、ユーザー側で最初に装置を駆動した場合、前回のイベントとは、工場出荷時に記憶部２２２に記憶させておいた振動情報（振動データ（波形））となる。また、ユーザー側で装置を複数回駆動した場合、前回のイベントとは、ユーザー側で装置を駆動した際の振動情報（振動データ（波形））となる（図９参照）。
図８に示すように、ステップ２２０では、ステップ２００で取得した振動情報と、前回の振動情報との差異があるかないか判断し、差異がある場合はステップ２２２へ進む。
ステップ２２２では、分析部２２９が記憶部２２２に保存されている振動の閾値情報を取得する。
ステップ２２４では、ステップ２００で取得した振動情報と、閾値との比較を行う。分析部２２９において、振動情報の波形が、閾値を外れているか否かを判断し、振動情報の波形が閾値を外れていると判断するとステップ２２６へ進み、閾値を外れていないと判断するとステップ２２８へ進む。
そして、次のステップ２３２では、振動情報を記憶部２２２に保存する。この振動情報は、次のイベント時に、ステップ２０２で用いる音情報となる。
ステップ２２６では、ステップ２００で取得したツイーザ駆動装置１６４の振動情報は、閾値を外れた振動音情報であるとして記憶部２２２へ送る。
ステップ２３０では、閾値を外れた振動情報を取得することで、故障情報を生成する。
ステップ２３２では、振動情報を記憶部２２２に保存する。この振動情報は、次のイベント時に、ステップ２１８で用いる振動情報となる。
ステップ２３４では、音異常情報（ステップ２１４で得る音情報検出結果）の有無を判断し、音が異常である（音異常情報がある。）場合にステップ２３８へ進み、音が正常である（音異常情報はない。閾値の範囲内の音情報あり。）場合にステップ２３６へ進む。
ステップ２３８では、ツイーザ駆動装置１６４の音は異常であることを知らせるメッセージが表示部２２７ａ表示される。
ステップ２３６では、故障情報（ステップ２３０で得る）の有無を判断し、故障情報がある場合にステップ２４２へ進んで故障メッセージが表示部２２７ａに表示され、故障情報がない場合にステップ２４０へ進んでツイーザ駆動装置１６４の振動は正常の範囲内であることを知らせるメッセージが表示部２２７ａ表示される。
本実施形態では、最新の波形データと蓄積した過去の波形データとの差分に基づいて補正値を算出し、算出した補正値を閾値に加えているので、精度の高い閾値を得ることができ、精度の高い閾値を用いて異常検出や振動検出を行うことができる。これにより、誤検出を抑制することができる。
以上、第２の実施形態に係る真空搬送ロボット１１２の異常検出工程、及び故障検出工程について説明したが、大気搬送ロボット１２４、及びバルブ１８２においても、真空搬送ロボット１１２と同様にして異常検出工程、及び故障検出工程を行うことができる。
［その他の実施形態］
以上、本開示の一実施形態について説明したが、本開示は、上記に限定されるものでなく、上記以外にも、その主旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施可能であることは勿論である。
上記実施形態の真空搬送ロボット１１２では、第１アーム１５８、第２アーム１６２、昇降エレベータ１５４、及びロボット台座１５０が、各々中空構造とされ、密閉された筐体１５８Ａの内部に気体（一例として空気）が充填されていたが、内部が外部と連通して内部が真空状態となっている場合もある。このような場合には、駆動装置の近傍に気体を充填した気体充填容器を配置し、その気体充填容器の内部にマイクロフォンを設置すれば、駆動装置から発生する音を間接的に拾うことができる。
大気搬送ロボット１２４においては、ロボット内部ではなく、ロボット外部にマイクロフォン（図１の符号１８１）を設けて駆動装置の動作音を拾うようにしてもよい。大気搬送ロボット１２４の近傍にマイクロフォン１８１を設けることで、大気搬送ロボット１２４の各駆動装置から発生する音を一つのマイクロフォン１８１で拾うことが可能となり、マイクロフォンの数を削減することができる。
本開示の実施の形態にかかるコントローラ２０１は、専用のシステム（回路）によらず、通常のコンピュータシステムを用いても実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するための制御プログラムを格納した外部記録媒体（ＵＳＢメモリ、外付けＨＤＤ等）から制御プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行するコントローラ２０１を構成することができる。
なお、プログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、ネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
上記実施形態では、基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えば、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。
本開示は、搬送、その他の動作を伴う装置（機械）であれば、基板処理装置以外の装置（機械）にも適用可能である。
なお、本開示において、搬送ロボット等の振動情報とは、主に機械的振動を意味する。機械的振動とは、例えば、真空搬送ロボット１１２等が有するモータの動作等により生じる動的な力により、機械的に振動することを意味する。また、本開示において、振動情報とは、機械的振動の情報を意味する。この機械的振動の測定は、その振動する物の加速度を測定することにより可能である。すなわち、振動情報を測定する対象（機械）またはその周囲に加速度センサの様な振動センサを取り付けることにより、対象の振動情報を得ることができる。
なお、本開示において、音情報とは、物の振動によって生じた音波を、音響機器（マイクロフォン）によって、電気信号に変換されたものである。
なお、本開示において、振動情報と音情報は、共に振動の情報であるが、振動情報（機械的振動の情報）の周波数は、音情報の周波数に比べて低いという差異がある。なお、マイクロフォンの様な音響機器では検出することができない可能性がある振動情報を加速度センサの様な振動センサで検出することが可能であり、また、加速度センサの様な振動センサでは検出できない可能性がある音情報をマイクロフォンの様な音響機器で検出することが可能である。例えば、振動センサは振動センサを取り付けた位置から離れた場所の振動情報の検出はできないが、音響機器では離れた場所の音情報を検出することができる。また、振動センサは、遅い動作時の振動情報の検出や振動に対する反応速度が遅く、動作に追従できない場合があるが、音響機器では、わずかな音情報でも検出することが可能である。このように、二種類の振動センサを用いて、二種類の情報（振動情報と音情報）を得ることにより、機械の異常の検出・異常の予知の少なくとも１つ以上の精度を向上させることが可能となる。なお、二種類の振動センサとは、マイクロフォンの様な音響機器と、加速度センサの様な振動センサを意味する。
（付記１）基板処理装置
基板を搬送する搬送ロボットと、
前記搬送ロボットを内包する搬送室と、
前記基板を処理する処理室と、
前記搬送ロボットの振動情報を受信する振動情報受信部と、
前記搬送ロボットの音情報を受信する音情報受信部と、
各構成を制御することが可能な制御部と、
を有する基板処理装置。
付記１に記載の基板処理装置では、大気雰囲気だけでなく、真空雰囲気内の搬送ロボットの可動部動作時の振動センサ情報や、振動音の取得ができ、これらの振動や音により、それぞれの部位での異常の検知が可能となり、重大な装置故障を未然に防ぐことが可能となる。
（付記２）真空搬送室
前記搬送室は真空搬送室であり、前記真空搬送室には真空中で動作することのできる前記搬送ロボット(真空搬送ロボット)が配置される、
付記１に記載の基板処理装置。
付記２に記載の基板処理装置では、搬送ロボット(真空搬送ロボット)で、真空搬送室の真空中で、基板を搬送することができる。
（付記３）真空搬送ロボットの振動センサの配置
前記真空搬送ロボットには振動を検知するセンサが設置され、
前記振動を検知するセンサは前記真空搬送ロボットの可動部に配置され、
前記振動を検知するセンサで検知した振動情報を前記振動情報受信部で受信することができる、
付記２に記載の基板処理装置。
付記３に記載の基板処理装置では、各種機構部が動作するときの振動を振動センサで検知することができる。振動センサは真空搬送ロボットの内側、または外側に配置される。 なお、機構部とは、例えば、駆動部分を意味する。また、可動部とは、駆動部分や、ツイーザ、アーム等の少なくとも１つ以上を意味する。
（付記４）真空搬送ロボットのマイクロフォンの配置
前記真空搬送ロボットには音情報を収集するマイクロフォンが設置され、
前記マイクロフォンは真空中でも音情報を収集可能な様に前記真空搬送ロボット内部に配置され、
前記マイクロフォンで収集した音情報を前記音情報受信部で受信することができる、
付記２に記載の基板処理装置。
真空中は音の伝達ができないため、マイクロフォンは真空搬送ロボットの気体が充填された内部の可動部付近に配置される。付記４に記載の基板処理装置では、真空搬送ロボットが真空中に配置されていても真空搬送ロボットの各種機構部が動作するときの振動音を検知することができる。
（付記５）大気搬送室
前記搬送室は大気搬送室であり、前記大気搬送室には大気中で動作することのできる前記搬送ロボット(大気搬送ロボット)が配置される、
付記１に記載の基板処理装置。
付記５に記載の基板処理装置では、搬送ロボット(大気搬送ロボット)が、大気中で基板を搬送することができる。
（付記６）大気搬送ロボットの振動センサの配置
前記大気搬送ロボットには振動を検知するセンサが設置され、
前記振動を検知するセンサは前記大気搬送ロボットの可動部に配置され、
前記振動センサで検知した振動情報を前記振動情報受信部で受信することができる、
付記５に記載の基板処理装置。
付記６に記載の基板処理装置では、各種機構部が動作するときの振動を検知することができる。振動センサは大気搬送ロボットの内側または外側に配置することができる。
（付記７）大気搬送ロボットのマイクロフォンの配置
前記大気搬送ロボットには音情報を収集するマイクロフォンが設置され、
前記マイクロフォンは前記大気搬送ロボットの可動部の音を受信するために前記大気搬送ロボットの周囲に配置され、
前記マイクロフォンで収集した音情報を前記音情報受信部で受信することができる、
付記５に記載の基板処理装置。
付記７に記載の基板処理装置では、大気搬送ロボットの各種機構部が動作するときの振動音をマイクロフォンで検知することができる
（付記８）流体が流れる配管
さらに、流体が流れる配管と、
前記配管の振動情報を受信する振動情報受信部と、
前記配管の音情報を受信する音情報受信部と、
を有する、
付記１に記載の基板処理装置。
付記８に記載の基板処理装置では、流体が流れる配管での流体の振動と音を、振動情報受信部と音情報受信部で受信することにより、配管の異常を検知することができ、また、配管の故障を検知することができる。
（付記９）流体の定義
前記流体は冷却水や処理ガス、パージガスのいずれかを含む、
付記８に記載の基板処理装置。
流体の種類によっては、配管、バルブ、冷却水供給装置の少なくとも１つ以上に不純物や腐食等が発生する場合があり、配管、バルブ、冷却水供給装置の少なくとも１つ以上の中を流体が正しく流れなくなる可能性がある。
付記９に記載の基板処理装置では、流体の流れを振動情報や音情報で監視を行うことにより、配管、バルブ、冷却水供給装置の少なくとも１つ以上の異常を早期に検知することができ、また、配管の故障を検知することができる。
（付記１０）配管の定義
前記配管は流量計やバルブ、フランジ等の継ぎ手と接続し、前記流体を流すことのできる、
付記８または付記９に記載の基板処理装置。
流量計の接続部やバルブ接続部、フランジ周囲は締め付け等により、管の径が他の場所と異なる場合があり、流体の流れに影響が出る場合がある。また、それらの部分に、不純物や腐食等による沈殿物がたまり、流体の流れを阻害する場合がある。
付記１０に記載の基板処理装置では、流体の流れを振動情報や音情報で監視を行うことにより、配管の異常を早期に検知することができ、また、配管の故障を検知することができる。
（付記１１）配管の形状
さらに前記配管は装置の形状に合わせて曲げ加工される場合がある、
付記１０に記載の基板処理装置。
装置の形状に合わせて流体の配管を曲げ加工する場合があるが、配管を曲げ加工した部分は配管形状が他の部分と異なり、流体の流れに影響がでる場合がある。それらの部分に、不純物や腐食等による沈殿物がたまり、流体の流れを阻害する場合がある。
付記１１に記載の処理装置では、流体の流れを振動情報や音情報で監視を行うことにより、配管の異常を早期に検知することができ、また、配管の故障を検知することができる。
（付記１２）配管の振動センサの配置
前記配管の前記振動情報受信部は前記流量計や前記バルブ、前記フランジ等の継ぎ手、前記曲げ加工された、前記流体の流れに影響を与える部分の周囲に配置することを可能とする、
付記１０または付記１１に記載の基板処理装置。
付記１２に記載の基板処理装置では、振動センサを流量計出口側、バルブ出口側、フランジ出口側に配置することにより、流体の異常振動を検知することができる。なお、振動センサは、配管の周囲に取り付けることができる。
（付記１３）配管のマイクロフォンの配置
前記配管の前記音情報受信部は前記流量計や前記バルブ、前記フランジ等の継ぎ手、前記曲げ加工された、流体の流れに影響を与える部分の周囲に配置することを可能とする、
付記１０または付記１１に記載の基板処理装置。
付記１３に記載の基板処理装置では、マイクロフォンを流量計出口側、バルブ出口側、フランジ出口側等に配置することにより、流体の異常音を検知することができる。なお、マイクロフォンは、配管の周囲に取り付けることができる。
（付記１４）分析部の定義
さらに、前記振動受信部で受信した前記振動情報及び前記音情報受信部で受信した前記音情報を分析する分析部を有する、
付記１に記載の基板処理装置。
・分析部は振動受信部で振動情報を受信した場合、または音情報受信部で音情報を受信した場合、蓄積部にある履歴情報とを波形データとして重ね合わせを行い、データの差異を確認することができる。
重ね合わせた結果、波形データに差異がある場合、求めた差異が予め定められた閾値の範囲を超える場合は異常と判断し、差異がない、または閾値の範囲内であれば正常と判断することができる。
異常と判断した場合は制御部に通知を行い、制御部は機構の動作停止、あるいは流体の供給を停止することができる。
また、異常があることを表示部にて表示を行い、部品のメンテナンスを促すことができる。
・波形データは、例えば搬送ロボットの場合、機構の動作開始時から動作停止までの間に発生する振動情報とすることができる。
・機構の動作開始及び動作停止は、搬送系コントローラからのイベント情報を受信したタイミング（動作開始を示すイベント、動作停止を示すイベント）で行うことができる。
・配管の場合の波形データは、例えば処理ガス配管の場合、配管に接続されているバルブの開閉タイミング（バルブ開閉を示すイベント）にて情報の収集開始・終了を判断することができる。
付記１４に記載の基板処理装置では、波形データでの差異を比較することにより、異常の検知が容易である。
振動情報や音情報の収集タイミングを各種イベント情報とすることにより、蓄積部や分析部でのデータの有効範囲が明確となる。
（付記１５）表示部の定義(振動情報)
前記制御部は、前記分析部が分析した前記振動情報が異常値であった場合、前記搬送ロボットあるいは前記配管の異常状態を表示部に表示する、
付記１４に記載の基板処理装置。
付記１６に記載の基板処理装置では、振動情報の波形データの比較で異常が発生した場合、表示部に当該部位の異常を示すメッセージを表示する。また、異常発見時のイベント情報より該当部位もメッセージに含めることができる。
付記１６に記載の基板処理装置では、異常を検知した場合のメッセージ表示により、操作者に異常を認識させる。
音情報での異常検知の場合は、当該部位が今後故障する恐れがあると認識でき、予防予知に貢献できる。
（付記１６）表示部の定義(音情報)
前記制御部は、前記分析部が分析した前記音情報が異常値であった場合、前記搬送ロボットあるいは前記配管の異常状態を表示部に表示する、
付記１４に記載の基板処理装置。
付記１６に記載の基板処理装置では、音情報の波形データの比較で異常が発生した場合、表示部に当該部位の異常を示すメッセージを表示する。また、異常発見時のイベント情報より該当部位もメッセージに含める
付記１６に記載の基板処理装置では、異常を検知した場合のメッセージ表示により、操作者に異常を認識させる。
音情報での異常検知の場合は、当該部位が今後故障する恐れがあると認識でき、予防予知に貢献できる。
（付記１７）記憶部の定義
さらに、前記制御部は振動情報受信部及び音情報受信部が受信した振動情報あるいは音情報の履歴を記憶する記憶部を有し、
前記分析部は受信した振動情報あるいは音情報と前記記憶部が記憶した前記履歴とを比較し、異常判定する、
付記１４に記載の基板処理装置。
付記１７に記載の基板処理装置では、イベント情報毎に振動情報及び音情報を記憶部に記憶する。振動情報及び音情報の収集期間は、当該イベントの開始から停止までの間とする。
＜効果＞
付記１７に記載の基板処理装置では、イベント毎の開始/終了タイミングでの情報収集のため、波形データの開始時期が明確になっており、波形データを容易に比較することができる。
（付記１８）振動あるいは音情報の更新
前記記憶部は前記分析部が比較した結果を受け、正常と判定された場合に前記履歴の振動情報あるいは音情報を保存する、
付記１７に記載の基板処理装置。
付記１８に記載の基板処理装置では、分析部で、記憶部に記憶されている振動情報あるいは音情報と波形の比較を行った結果、正常である場合、対象の情報を記憶部のイベント情報毎に定められたエリアに履歴データとして上書き保存する。なお、過去の履歴を確認する必要がある場合は、上書き保存するのではなく、既にあるデータとは別に保存すればよい。
付記１８に記載の基板処理装置では、上書き保存することで、常に最新の振動情報あるいは音情報の波形データが記憶部に記憶されており、波形の比較が容易である。
なお、振動情報あるいは音情報の波形データを上書き保存ではなく、別に保存した場合は、波形データを履歴情報として記憶することで、記憶した過去の波形データを重ね合わせることにより単位時間当たりのデータの差を求めることが可能となり、求めたデータの差から閾値の補正を行う補正値を算出し、算出した補正値を閾値にフィードバックすることでより精度の高い異常判定が可能となる。
（付記１９）半導体処理装置の製造方法
基板を搬送する搬送ロボットの搬送工程と、
前記搬送ロボットを内包する搬送室の大気あるいは真空状態を保持する工程と、
前記基板の処理を行う工程と、
前記搬送ロボットの振動情報を受信する振動情報受信部の受信工程と、
前記搬送ロボットの音情報を受信する音情報受信部の受信工程と、
前記振動情報部または前記音情報部から受信した情報より分析を行った結果、異常と判定された場合に、制御部が装置の異常の通知と動作の停止の少なくとも１つ以上を行う工程と、
を有する半導体処理装置の製造方法。
（付記２０）半導体処理装置の製造方法
基板を搬送する搬送ロボットの搬送工程と、
前記搬送ロボットを内包する搬送室の大気あるいは真空状態を保持する工程と、
前記基板の処理を行う工程と、
前記搬送ロボットの振動情報を受信する振動情報受信部の受信工程と、
前記搬送ロボットの音情報を受信する音情報受信部の受信工程と、
前記振動情報部または前記音情報部から受信した情報より分析する工程と、
を有する半導体処理装置の製造方法。
（付記２１）基板処理装置が有するコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム
基板を搬送する搬送ロボットの搬送手順と、
前記搬送ロボットを内包する搬送室の大気あるいは真空状態を保持する手順と、
前記基板の処理を行う手順と、
前記搬送ロボットの振動情報を受信する振動情報受信部の受信手順と、
前記搬送ロボットの音情報を受信する音情報受信部の受信手順と、
前記振動情報または前記音情報から受信した情報を用いて分析を行い、その結果、異常と判断された場合は装置の異常を通知と、装置の動作を停止の少なくとも１つ以上を行わせる制御手順と、
を有する基板処理装置の実行プログラム。
付記２１に記載のプログラムにより、装置の異常を通知したり、装置の動作を停止するように、基板処理装置のコンピュータに種々の制御を行わせることができる。
（付記２２）
基板を搬送する搬送装置から取得した稼働音波形データと前記搬送装置が正常に稼働しているときの正常音波形データとを比較して、前記稼働音波形データが前記正常音波形データを中心とした閾値範囲内にあるか判定し前記搬送装置が正常か異常かを判定する異常判定工程と、
前記搬送装置から取得した稼働振動データと前記搬送装置が正常に稼働しているときの正常振動データとを比較して、前記稼働振動データが前記正常振動データを中心とした閾値範囲内にあるか判定し前記搬送装置が故障か否かを判定する故障判定工程と、
を有する基板処理方法。
付記２２に記載の基板処理方法では、異常検出工程で、基板を搬送する搬送装置の稼働音波形データが前記正常音波形データを中心とした閾値範囲内にあるか判定することで、搬送装置の異常を検出することができる。
また、故障検出工程では、基板を搬送する搬送装置の稼働振動データが前記正常振動データを中心とした閾値範囲内にあるか判定することで、搬送装置の故障を検出することができる。
１０ 基板処理装置
１０３ 真空搬送室（真空室）
１１２ 真空搬送ロボット（搬送装置）
１２４ 大気搬送ロボット（搬送装置）
１５４Ａ 筐体（気体充填容器）
１５８Ａ 筐体（気体充填容器）
１６２Ａ 筐体（気体充填容器）
１６８ マイクロフォン
１７０ マイクロフォン
１８１ マイクロフォン
１８６ マイクロフォン
２００ 基板
２２０Ａ ＣＰＵ（コンピュータ）
２２０Ｂ ＲＯＭ（コンピュータ）
２２０Ｃ ＲＡＭ（コンピュータ）
２２４ 記録媒体（プログラム）
２２９ 分析部（異常検出部、故障検出部）
２３０ 振動情報受信部
２３１ 音情報受信部
本開示は、基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラムに関する。
次に、処理炉２０２の冷却水パイプ（図示省略）に冷却水供給装置１７８からの冷却水が流されるとともに、ヒータ（図示省略）により基板２００が加熱される。基板２００の温度が処理温度まで上昇すると、処理ガス供給装置１８８から処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理が基板２００に対して行われる。
先ず、コントローラ２０１の記憶部２２２には、一例として、図５のグラフで示すように、ツイーザ駆動装置１６４の音の閾値（１点鎖線で示す上側の波形と下側の波形との範囲が閾値であり、閾値は所定の幅を有している。）が予め格納されている。
先ず、ステップ１００では、第２マイクロフォン１７０で、ツイーザ１６６を駆動するツイーザ駆動装置１６４の音情報が取得されると共に、振動センサ１７６でツイーザ１６６の振動情報取得が取得される。音情報、及び振動情報は、音情報受信部２３１、及び振動情報受信部２３０へ送信される。
さらに、本実施形態の基板処理装置１０では、冷却系の配管１８０（またはバルブ１８２）には、マイクロフォン１８６、及び振動センサ１８４が取り付けられている。このため、マイクロフォン１８６、及び振動センサ１８４でバルブ１８２の音、及び振動を検出し、真空搬送ロボット１１２と同様に異常検出工程、及び故障検出工程を行い、バルブ１８２の異常や故障を検出することもできる。

Claims (5)

  1. 基板を搬送する搬送装置から発生した音を拾い、音データの波形と予め設定した閾値とを比較して前記搬送装置の異常を検出する異常検出工程と、
    前記搬送装置の振動を拾い、振動データの波形と予め設定した閾値とを比較して前記搬送装置の故障を検出する故障検出工程と、
    を有する、基板処理方法。
  2. 基板を搬送する搬送装置と、
    前記搬送装置の音情報を受信する音情報受信部と、
    前記搬送装置の振動情報を受信する振動情報受信部と、
    受信した前記音情報に基づき、前記搬送装置の異常を検出する異常検出部と、
    受信した前記振動情報に基づき、前記搬送装置の故障を検出する故障検出部と、
    を有する基板処理装置。
  3. 前記搬送装置の内部、または前記搬送装置の外部で、かつ前記搬送装置から離間した位置に設けられ、前記搬送装置から発生した音を拾って前記音情報を生成するマイクロフォンを有する、
    請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記搬送装置は、内部が真空とされる真空室の内部に設けられ、
    前記搬送装置には、マイクロフォンが内部に設けられ、かつ内部に気体が充填された気体充填容器が設けられている、
    請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 請求項１に記載の前記異常検出工程、及び前記故障検出工程を、コンピュータに実行させるプログラム。
JP2021152122A 2021-09-17 2021-09-17 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム Active JP7288486B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021152122A JP7288486B2 (ja) 2021-09-17 2021-09-17 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム
TW111103234A TWI837575B (zh) 2021-09-17 2022-01-26 基板處理方法、基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
CN202210150202.9A CN115831833A (zh) 2021-09-17 2022-02-18 基板处理方法、基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
US17/682,436 US11841343B2 (en) 2021-09-17 2022-02-28 Method of processing substrate, substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor processing apparatus, and recording medium
KR1020220026257A KR20230041566A (ko) 2021-09-17 2022-02-28 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 반도체 처리 장치의 제조 방법 및 프로그램
US18/499,589 US20240142409A1 (en) 2021-09-17 2023-11-01 Method of processing substrate, substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor processing apparatus, and recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021152122A JP7288486B2 (ja) 2021-09-17 2021-09-17 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023044214A true JP2023044214A (ja) 2023-03-30
JP7288486B2 JP7288486B2 (ja) 2023-06-07

Family

ID=85522396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021152122A Active JP7288486B2 (ja) 2021-09-17 2021-09-17 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11841343B2 (ja)
JP (1) JP7288486B2 (ja)
KR (1) KR20230041566A (ja)
CN (1) CN115831833A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116810825B (zh) * 2023-08-30 2023-11-03 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 一种真空环境下晶圆传送机械臂异常监测方法及系统

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02262993A (ja) * 1989-04-03 1990-10-25 Toshiba Corp ロボットの部品劣化検出装置
JP2006278396A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びプログラム
JP2008033532A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Denso Corp 可動部を備えた設備の異常を検出する方法及び異常検出装置
WO2009034967A1 (ja) * 2007-09-11 2009-03-19 Tokyo Electron Limited 情報処理装置、情報処理方法、及びプログラム
WO2009038164A1 (ja) * 2007-09-20 2009-03-26 Ulvac, Inc. 搬送装置の停止検知方法
WO2013027744A1 (ja) * 2011-08-23 2013-02-28 日本電気株式会社 故障予測方法及び故障予測システム
WO2018110337A1 (ja) * 2016-12-12 2018-06-21 ローツェ株式会社 波形解析装置、及び波形解析方法
WO2019167171A1 (ja) * 2018-02-28 2019-09-06 日産自動車株式会社 異常検出装置及び異常検出方法
WO2020157967A1 (ja) * 2019-02-01 2020-08-06 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2021054632A (ja) * 2019-10-02 2021-04-08 株式会社荏原製作所 搬送異常予測システム

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3795137A (en) * 1972-09-12 1974-03-05 Johnson & Son Inc S C Leak detection apparatus for aerosol containers
US5575310A (en) * 1986-03-04 1996-11-19 Deka Products Limited Partnership Flow control system with volume-measuring system using a resonatable mass
US6601054B1 (en) * 1999-08-16 2003-07-29 Maryland Technology Corporation Active acoustic and structural vibration control without online controller adjustment and path modeling
US7891935B2 (en) * 2002-05-09 2011-02-22 Brooks Automation, Inc. Dual arm robot
JP4364032B2 (ja) * 2004-03-26 2009-11-11 学校法人同志社 熱音響装置
TWI291084B (en) 2005-03-22 2007-12-11 Welltech Semiconductor Inc Security monitoring mechanism for a wafer processing platform
US20060215347A1 (en) 2005-03-28 2006-09-28 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and recording medium
US9185480B2 (en) * 2012-12-14 2015-11-10 Apple Inc. Acoustically actuated mechanical valve for acoustic transducer protection
US20140271097A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
JP6303556B2 (ja) * 2014-02-05 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構の位置検出方法、記憶媒体及び基板搬送機構の位置検出装置
CA3053720A1 (en) * 2016-02-26 2017-08-31 Ventora Technologies Ag Devices and methods for generating radially propogating ultrasonic waves and their use
JP6390652B2 (ja) 2016-03-29 2018-09-19 ブラザー工業株式会社 印刷装置
WO2018061145A1 (ja) 2016-09-29 2018-04-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、振動検出システム及びプログラム

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02262993A (ja) * 1989-04-03 1990-10-25 Toshiba Corp ロボットの部品劣化検出装置
JP2006278396A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びプログラム
JP2008033532A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Denso Corp 可動部を備えた設備の異常を検出する方法及び異常検出装置
WO2009034967A1 (ja) * 2007-09-11 2009-03-19 Tokyo Electron Limited 情報処理装置、情報処理方法、及びプログラム
WO2009038164A1 (ja) * 2007-09-20 2009-03-26 Ulvac, Inc. 搬送装置の停止検知方法
WO2013027744A1 (ja) * 2011-08-23 2013-02-28 日本電気株式会社 故障予測方法及び故障予測システム
WO2018110337A1 (ja) * 2016-12-12 2018-06-21 ローツェ株式会社 波形解析装置、及び波形解析方法
WO2019167171A1 (ja) * 2018-02-28 2019-09-06 日産自動車株式会社 異常検出装置及び異常検出方法
WO2020157967A1 (ja) * 2019-02-01 2020-08-06 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2021054632A (ja) * 2019-10-02 2021-04-08 株式会社荏原製作所 搬送異常予測システム

Also Published As

Publication number Publication date
US11841343B2 (en) 2023-12-12
JP7288486B2 (ja) 2023-06-07
TW202313433A (zh) 2023-04-01
KR20230041566A (ko) 2023-03-24
US20230091846A1 (en) 2023-03-23
US20240142409A1 (en) 2024-05-02
CN115831833A (zh) 2023-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101319250B1 (ko) 진공 라인 및 이를 모니터링 하기 위한 방법
US7751921B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus, method of detecting abnormality, identifying cause of abnormality, or predicting abnormality in the semiconductor manufacturing apparatus, and storage medium storing computer program for performing the method
JP5411498B2 (ja) プロセス真空環境の電子診断システムおよびその方法
TWI454857B (zh) 處理裝置之異常判定系統及其異常判定方法
EP1300874B1 (en) Method for maintaining a processor
KR20020075299A (ko) 회전 기계의 수명 예측 장치와 그 장치를 이용한 장비, 및회전 기계의 수명 예측 방법과 수리 타이밍 판정 방법
US20240142409A1 (en) Method of processing substrate, substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor processing apparatus, and recording medium
KR20110040955A (ko) 처리 장치의 작동 감시 시스템
US20100129940A1 (en) Vibration monitoring of electronic substrate handling systems
US7165443B2 (en) Vacuum leakage detecting device for use in semiconductor manufacturing system
KR20200023220A (ko) 기판 반송 모듈 및 기판 반송 방법
TWI837575B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
JPH0815102A (ja) 設備診断システム
JPH1187318A (ja) ドライエッチング装置およびガス流量制御の検査方法
WO2006016435A1 (ja) 処理システムおよび処理方法、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体およびコンピュータプログラム
JP4975278B2 (ja) 筐体の接合機構
JP7496932B2 (ja) 診断装置、半導体製造装置システム、半導体装置製造システムおよび診断方法
JPH11200053A (ja) 気相成長装置及びクリーニング方法
TWI767326B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法、及預兆偵測程式
WO2023181208A1 (ja) 診断装置、半導体製造装置システム、半導体装置製造システムおよび診断方法
KR100808372B1 (ko) 화학기상증착장치의 진공 시스템 및 이의 제어 방법
JPH08159908A (ja) バルブの性能確認方法及びその装置
JPH0862085A (ja) 液体供給監視装置と液体供給監視方法
JP2010238916A (ja) 基板処理装置
JP2020201090A (ja) 冷媒配管検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220323

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220323

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220701

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230406

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230516

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230526

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7288486

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150