JP2023042847A - 過渡電圧保護デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】高ＥＳＤ耐量及び長寿命化を両立することができる過渡電圧保護デバイスを提供する。【解決手段】過渡電圧保護デバイス１は、素体２と、空洞Ｓが内部に形成されている素体２と、素体２内に設けられ、第一方向Ｄ１に沿って延在している一対の内部電極５，６と、一対の内部電極５，６のうち対応する内部電極にそれぞれ接続されている一対の外部電極３，４と、を備える。一対の内部電極５，６は、第一方向Ｄ１において互いに対向している先端部５ｂ，６ｂをそれぞれ有する。第一方向Ｄ１に直交する第二方向から見て、先端部５ｂ，６ｂは、第一方向Ｄ１と、第一方向Ｄ１及び第二方向に直交する第三方向Ｄ３とに対して傾斜している傾斜辺５ｇ，６ｇを有する。傾斜辺５ｇの両端部５ｉ，５ｈを除いた部分５ｊは、空洞Ｓに露出している。傾斜辺６ｇの両端部６ｉ，６ｈを除いた部分６ｊは、空洞Ｓに露出している。【選択図】図３

Description

本開示は、過渡電圧保護デバイスに関する。

特許文献１には、空洞部が内部に形成されている磁性基材と、空洞部内において互いに対向して配置された一対の対向電極と、一対の対向電極と接続された一対の外部電極と、を備えるＥＳＤ（Electro-Static Discharge）保護デバイスが記載されている。このＥＳＤ保護デバイスでは、空洞部により放電が生じ易いので、高ＥＳＤ耐量を実現することができる。

国際公開第２０１２／０５００７３号

特許文献１に記載のＥＳＤ保護デバイスでは、対向電極の先端部に電界が集中するため、対向電極の先端部が劣化し易い。よって、ＥＳＤ保護デバイスの長寿命化を図ることができない。

本開示の一態様は、高ＥＳＤ耐量及び長寿命化を図ることができる過渡電圧保護デバイスを提供する。

本開示の一態様に係る過渡電圧保護デバイスは、空洞が内部に形成されている素体と、素体内に設けられ、第一方向に沿って延在している一対の内部電極と、一対の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ接続されている一対の外部電極と、を備え、一対の内部電極は、第一方向において互いに対向している先端部をそれぞれ有し、第一方向に直交する第二方向から見て、先端部は、第一方向と、第一方向及び第二方向に直交する第三方向とに対して傾斜している傾斜辺を有し、傾斜辺の両端部を除いた部分は、空洞に露出している。

上記過渡電圧保護デバイスでは、互いに対向している内部電極の先端部が傾斜辺を有している。このため、一対の先端部において、互いに対向し、放電する部分の長さを長くすることができる。傾斜辺の両端部を除いた部分は空洞に露出しているので、電界が集中し易い傾斜辺の両端部における放電が抑制される結果、先端部の劣化が抑制される。よって、高ＥＳＤ耐量及び長寿命化を図ることができる。

上記過渡電圧保護デバイスは、一対の内部電極と接するように素体内に設けられている放電補助部を更に備え、第二方向から見て、放電補助部は、傾斜辺の両端部を除いた部分と接していてもよい。この場合、放電補助部により放電が生じ易くなるので、更なる高ＥＳＤ耐量を実現できる。第二方向から見て、放電補助部は、傾斜辺の両端部を除いた部分と接しているので、電界が集中し易い傾斜辺の両端部における放電が抑制される。よって、長寿命化を図りながら、更なる高ＥＳＤ耐量を実現できる。

放電補助部は、空洞に露出していてもよい。この場合、放電が更に生じ易くなるので、更なる高ＥＳＤ耐量を容易に実現できる。

一対の内部電極は、第三方向の中心位置が互いに一致するように配置されていてもよい。この場合、素体を第三方向において小型化し易い。

一対の内部電極の第三方向の長さは、素体の第三方向の長さの６％以上６５％以下であってもよい。６５％以下の場合、製造誤差などにより内部電極が素体から露出することを抑制できる。６％以上の場合、放電特性を向上させ、高いＥＳＤ耐量を実現できる。

本開示の一態様によれば、高ＥＳＤ耐量及び長寿命化を両立することができる。

図１は、実施形態に係る過渡電圧保護デバイスを示す斜視図である。 図２は、図１の過渡電圧保護デバイスの分解斜視図である。 図３は、図１の過渡電圧保護デバイスを積層方向から見た透視図である。 図４は、図３のIV-IV線に沿った断面図である。

以下、添付図面を参照して、実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１～図４に示される本実施形態に係る過渡電圧保護デバイス１は、図示しない電子機器に実装され、ＥＳＤなどの過渡電圧から電子機器を保護する電子部品である。過渡電圧保護デバイス１が保護する電子機器は、例えば、回路基板又は電子部品を含む。過渡電圧保護デバイス１は、素体２と、一対の外部電極３，４と、一対の内部電極５，６と、放電補助部７とを備える。内部電極５，６は、放電するように構成された放電電極である。内部電極５，６は、放電補助部７と共に、過渡電圧サプレッサを構成している。過渡電圧サプレッサは、過渡電圧吸収性能を有する。

素体２は、直方体形状を呈している。直方体形状には、例えば、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。素体２は、外表面として、互いに対向している一対の端面２ａ，２ｂと、互いに対向している一対の側面２ｃ，２ｄと、互いに対向している一対の側面２ｅ，２ｆと、を有している。四つの側面２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆは、それぞれ端面２ａ及び端面２ｂと隣り合うと共に、端面２ａと端面２ｂとを接続するように、端面２ａ，２ｂの対向方向に延在している。四つの側面２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆのうちの一側面は、保護対象の電子機器と対向する実装面として規定されている。

本実施形態では、端面２ａ，２ｂの対向方向を第一方向Ｄ１、側面２ｃ，２ｄの対向方向を第二方向Ｄ２、側面２ｅ，２ｆの対向方向を第三方向Ｄ３とする。第一方向Ｄ１は、素体２の長さ方向であり、第二方向Ｄ２は、素体２の高さ方向であり、第三方向Ｄ３は、素体２の幅方向である。素体２の長さ（素体２の第一方向Ｄ１の長さ）は、例えば、０．４ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である。素体２の高さ（素体２の第二方向Ｄ２の長さ）は、例えば、０．２ｍｍ以上１．２ｍｍ以下である。素体２の幅（素体２の第三方向Ｄ３の長さ）は、例えば、０．２ｍｍ以上１．２ｍｍ以下である。本実施形態では、素体２の長さは、１．６ｍｍであり、素体２の高さは、０．８ｍｍであり、素体２の幅は、０．８ｍｍである。

素体２の内部には、空洞Ｓが形成されている。空洞Ｓは、素体２の外表面から離間して形成されている。空洞Ｓは、素体２において第一方向Ｄ１、第二方向Ｄ２、及び第三方向Ｄ３のそれぞれの略中央部に形成されている。図３に示されるように、空洞Ｓは、平面視で（すなわち、第二方向Ｄ２から見て）、矩形状を呈している。空洞Ｓの第一方向Ｄ１の長さは、例えば、０．０１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。空洞Ｓの第三方向Ｄ３の長さは、例えば、０．０４ｍｍ以上０．２５ｍｍ以下である。空洞Ｓは、内部電極５，６の間に位置しているギャップ領域Ｓｇを含んでいる。放電ギャップ寸法は、０．０１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。放電ギャップ寸法は、第二方向Ｄ２から見て、後述の傾斜辺５ｇ又は傾斜辺６ｇに直交する方向におけるギャップ領域Ｓｇの長さである。

空洞Ｓは、たとえば、絶縁体グリーンシート上に付与された有機ラッカーを、絶縁体グリーンシートと共に焼成することにより形成される。空洞Ｓは、有機ラッカーの焼失により形成される。有機ラッカーは、有機溶剤及び有機バインダを含む。有機ラッカーは、たとえば、印刷により、絶縁体グリーンシート上に付与される。

図２に示されるように、素体２は、第二方向Ｄ２において積層された複数の絶縁体層１０を有している。本実施形態では、素体２は、複数の絶縁体層１０が積層されて構成されている。各絶縁体層１０は、矩形板状を呈している。各絶縁体層１０は、電気絶縁性を有する絶縁体であり、絶縁体グリーンシートの焼結体から構成される。実際の素体２では、各絶縁体層１０は、その間の境界が視認できない程度に一体化されている。

絶縁体層１０は、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｎＣＯ_３、ＳｒＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＢａＣＯ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３などのセラミック材料によって構成される。絶縁体層１０は、単独のセラミック材料によって構成されてもよいし、二種類以上のセラミック材料を混合させることによって構成されてもよい。絶縁体層１０は、ガラスを含有していてもよい。絶縁体層１０は、低温焼結を可能とするために酸化銅（ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ）を含有していてもよい。

図１及び図３に示されるように、外部電極３，４は、素体２の外表面に設けられている。外部電極３，４は、第一方向Ｄ１において互いに対向するように素体２に配置されている。外部電極３，４は、素体２の第一方向Ｄ１の両端部に設けられている。外部電極３，４は、第一方向Ｄ１において互いに離間している。図２では、外部電極３，４の図示が省略されている。

外部電極３は、端面２ａに設けられ、内部電極５に接続されている。外部電極３は、端面２ａを覆うと共に、その一部が側面２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ上に回り込むように形成されている。外部電極３は、端面２ａの全面と、側面２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆの端面２ａ側の端部とに設けられている。

外部電極４は、端面２ｂに設けられ、内部電極６に接続されている。外部電極４は、端面２ｂを覆うと共に、その一部が側面２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ上に回り込むように形成されている。外部電極４は、端面２ｂの全面と、側面２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆの端面２ｂ側の端部とに設けられている。

図２～図４に示されるように、内部電極５，６は、互いに離間して素体２内に設けられている。内部電極５，６は、第一方向Ｄ１に沿って延在している。内部電極５，６は、ギャップ領域Ｓｇを介して互いに対向している。内部電極５，６は、第二方向Ｄ２において同じ高さ位置（すなわち、同じ積層位置）に配置されている。内部電極５，６は、互いに同じ絶縁体層１０上に配置されている。内部電極５，６は、積層方向（第二方向Ｄ２）の略中央に設けられている。

内部電極５，６は、素体２の第三方向Ｄ３の略中央に設けられている。内部電極５，６は、第三方向Ｄ３の中心位置が互いに一致するように配置されている。内部電極５の第三方向Ｄ３の中心位置とは、内部電極５において最も第三方向Ｄ３の一方側に位置する点と、内部電極５において最も第三方向Ｄ３の他方側に位置する点との中間位置である。内部電極６の第三方向Ｄ３の中心位置とは、内部電極６において最も第三方向Ｄ３の一方側に位置する点と、内部電極６において最も第三方向Ｄ３の他方側に位置する点との中間位置である。第二方向Ｄ２から見て、内部電極５の第三方向Ｄ３の中心線は、内部電極６の第三方向Ｄ３の中心線とは、互いに一致している。第一方向Ｄ１から見て、内部電極５，６は、互いに完全に重なっている。

内部電極５は、平面視で（すなわち、第二方向Ｄ２から見て）、四角形状を呈している。内部電極５は、接続端（接続端面）５ａと、先端部５ｂと、側縁（側面）５ｃと、側縁５ｄと、主面５ｅと、主面５ｆと、を有している。接続端５ａは、端面２ａに露出し、外部電極３と接続されている。先端部５ｂは、外部電極３と反対側に位置している。先端部５ｂは、端面２ｂから離間している。接続端５ａと先端部５ｂとは、第一方向Ｄ１において互いに対向している。

各側縁５ｃ，５ｄは、接続端５ａと先端部５ｂとを接続するように第一方向Ｄ１において延在している。側縁５ｃは、第三方向Ｄ３において側面２ｅと対向している。側縁５ｄは、第三方向Ｄ３において側面２ｆと対向している。側縁５ｃ及び側縁５ｄは、第三方向Ｄ３において互いに対向している。第二方向Ｄ２から見て、側縁５ｃ及び側縁５ｄは、互いに平行である。側縁５ｃの第一方向Ｄ１の長さは、側縁５ｄの第一方向Ｄ１の長さよりも短い。

主面５ｅ，５ｆは、第二方向Ｄ２において互いに対向している。主面５ｅは、第二方向Ｄ２において側面２ｃ（図１参照）と対向している。主面５ｅは、放電補助部７と接している部分を含んでいる。主面５ｆは、第二方向Ｄ２において側面２ｄ（図１参照）と対向している。主面５ｆは、空洞Ｓに露出している部分を含んでいる。各主面５ｅ，５ｆは、接続端５ａ、側縁５ｃ、及び側縁５ｄのそれぞれと隣り合っている。

第二方向Ｄ２から見て、先端部５ｂは、第一方向Ｄ１と第三方向Ｄ３とに対して傾斜している傾斜辺（傾斜面）５ｇを有している。傾斜辺５ｇの一方の端部５ｈは、側縁５ｃと傾斜辺５ｇとの間に形成される角部に含まれる。側縁５ｃと傾斜辺５ｇとは、鈍角をなしている。側縁５ｃと傾斜辺５ｇとの間に形成される角部は、丸められた形状を呈していてもよい。傾斜辺５ｇの他方の端部５ｉは、側縁５ｄと傾斜辺５ｇとの間に形成される角部に含まれる。側縁５ｄと傾斜辺５ｇとは、鋭角をなしている。側縁５ｄと傾斜辺５ｇとの間に形成される角部は、丸められた形状を呈していてもよい。

内部電極６は、平面視で（すなわち、第二方向Ｄ２から見て）、四角形状を呈している。内部電極６は、接続端（接続端面）６ａと、先端部６ｂと、側縁（側面）６ｃと、側縁６ｄと、主面６ｅと、主面６ｆと、を有している。接続端６ａは、端面２ｂに露出し、外部電極４と接続されている。先端部６ｂは、外部電極４と反対側に位置している。先端部６ｂは、端面２ａから離間している。接続端６ａと先端部６ｂとは、第一方向Ｄ１において互いに対向している。

各側縁６ｃ，６ｄは、接続端６ａと先端部６ｂとを接続するように第一方向Ｄ１において延在している。側縁６ｃは、第三方向Ｄ３において側面２ｅと対向している。側縁６ｄは、第三方向Ｄ３において側面２ｆと対向している。側縁６ｃ及び側縁６ｄは、第三方向Ｄ３において互いに対向している。第二方向Ｄ２から見て、側縁６ｃ及び側縁６ｄは、互いに平行である。側縁６ｃの第一方向Ｄ１の長さは、側縁６ｄの第一方向Ｄ１の長さよりも長い。

主面６ｅ，６ｆは、第二方向Ｄ２において互いに対向している。主面６ｅは、第二方向Ｄ２において側面２ｃと対向している。主面６ｅは、放電補助部７と接している部分を湯含んでいる。主面６ｆは、第二方向Ｄ２において側面２ｄと対向している。主面６ｆは、空洞Ｓに露出している部分を含んでいる。各主面６ｅ，６ｆは、接続端６ａ、側縁６ｃ、及び側縁６ｄのそれぞれと隣り合っている。

第二方向Ｄ２から見て、先端部６ｂは、第一方向Ｄ１と第三方向Ｄ３とに対して傾斜している傾斜辺（傾斜面）６ｇを有している。傾斜辺６ｇの一方の端部６ｈは、側縁６ｃと傾斜辺６ｇとの間に形成される角部に含まれる。側縁６ｃと傾斜辺６ｇとは、鋭角をなしている。側縁６ｃと傾斜辺６ｇとの間に形成される角部は、丸められた形状を呈していてもよい。傾斜辺６ｇの一方の端部６ｉは、側縁６ｄと傾斜辺６ｇとの間に形成される角部に含まれる。側縁６ｄと傾斜辺６ｇとは、鈍角をなしている。側縁６ｄと傾斜辺６ｇとの間に形成される角部は、丸められた形状を呈していてもよい。

内部電極５，６は、例えば、互いに同じ形状を呈している。内部電極５，６（内部電極５，６の第一方向Ｄ１の長さ）は、例えば、０．２ｍｍ以上１．８ｍｍ以下である。本実施形態では、内部電極５の長さは、側縁５ｄの長さであり、内部電極６の長さは、側縁６ｃの長さである。側縁５ｃの長さ及び側縁６ｄの長さは、例えば、０．８ｍｍ以上１．２ｍｍ以下である。

内部電極５，６の幅（内部電極５，６の第三方向Ｄ３の長さ）は、例えば、素体２の幅（素体２の第三方向Ｄ３の長さ）の６％以上６５％以下である。内部電極５，６の幅は、空洞Ｓの幅（空洞Ｓの第三方向Ｄ３の長さ）よりも長い。内部電極５，６の幅は、例えば、０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。傾斜辺５ｇ，６ｇの長さは、内部電極５，６の幅よりも長く、例えば、内部電極５，６の幅の１００％以上２００％以下である。傾斜辺５ｇ，６ｇの長さは、例えば、０．０５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下である。内部電極５，６の厚さ（内部電極５，６の第二方向Ｄ２の長さ）は、例えば、３μｍ以上２０μｍ以下である。

先端部５ｂ及び先端部６ｂは、第一方向Ｄ１において互いに対向している。傾斜辺５ｇ及び傾斜辺６ｇは、互いに平行である。傾斜辺５ｇ及び傾斜辺６ｇは、互いに対向している。端部５ｈ及び端部６ｈは、第一方向Ｄ１において互いに対向している。端部５ｉ及び端部６ｉは、第一方向Ｄ１において互いに対向している。傾斜辺５ｇのうち、両端部５ｈ，５ｉを除いた部分５ｊが空洞Ｓに露出している。傾斜辺６ｇのうち、両端部６ｈ，６ｉを除いた部分６ｊが空洞Ｓに露出している。

外部電極３，４及び内部電極５，６は、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、又は、Ｗを含有する導体材料によって構成される。外部電極３，４及び内部電極５，６は、例えば、Ａｇ／Ｐｄ合金、Ａｇ／Ｃｕ合金、Ａｇ／Ａｕ合金、又は、Ａｇ／Ｐｔ合金によって構成されていてもよい。外部電極３，４及び内部電極５，６は、互いに同じ材料によって構成されていてもよいし、互いに異なる材料によって構成されていてもよい。

外部電極３，４は、例えば、上記導電材料を含む導体ペーストを素体２の外表面に付与した後、導体ペーストを焼き付けることにより形成される。外部電極３，４は、めっき層を有していてもよい。内部電極５，６は、例えば、上記導電材料を含む導体ペーストを印刷により絶縁体グリーンシート上に付与した後、絶縁体グリーンシートと共に導体ペーストを焼成することにより形成される。

放電補助部７は、内部電極５，６と接するように素体２内に設けられている。本実施形態では、放電補助部７は、内部電極５，６のうち、先端部５ｂ，６ｂのみと接している。放電補助部７は、素体２の外表面から離間して設けられている。放電補助部７は、内部電極５，６を互いに接続している。放電補助部７は、平面視で（すなわち、第二方向Ｄ２から見て）、傾斜辺５ｇ，６ｇの両端部５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉを除いた部分５ｊ，６ｊと接している。放電補助部７は、第一方向Ｄ１に延在し、部分５ｊと部分６ｊとを接続している。放電補助部７は、内部電極５，６から露出している。放電補助部７は、空洞Ｓに露出している。放電補助部７は、特にギャップ領域Ｓｇに露出している。

放電補助部７は、平面視で、矩形状を呈している。放電補助部７は、平面視で空洞Ｓと同じ形状を呈し、空洞Ｓと重なっている。放電補助部７と空洞Ｓとは、平面視で完全に重なり合っている。放電補助部７の第一方向Ｄ１の長さは、例えば、０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。放電補助部７の第三方向Ｄ３の長さは、例えば、０．０４ｍｍ以上０．２５ｍｍ以下である。放電補助部７の第二方向Ｄ２の長さは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。

放電補助部７は、絶縁体及び金属粒子を含んでいる。絶縁体は、例えば、セラミック材料により構成されている。セラミック材料としては、例えば、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｎＣＯ_３、ＳｒＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＢａＣＯ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、又はＢ_２Ｏ_３が挙げられる。放電補助部７は、これらのセラミック材料のうちの一種類のみを含んでもよいし、二種類以上を混合させて含んでもよい。金属粒子は、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ合金、Ａｇ／Ｃｕ合金、Ａｇ／Ａｕ合金、又は、Ａｇ／Ｐｔ合金により構成されている。放電補助部７は、ＲｕＯ_２などの半導体粒子を含んでもよい。放電補助部７は、ガラスを含んでもよい。

放電補助部７は、例えば、上記セラミック材料及び金属粒子などを含むスラリーを印刷により絶縁体グリーンシート上に付与した後、絶縁体グリーンシートと共にスラリーを焼成することにより形成される。

以上説明したように、過渡電圧保護デバイス１では、互いに対向している内部電極５，６の先端部５ｂ，６ｂが傾斜辺５ｇ，６ｇを有している。このため、先端部５ｂ，６ｂにおいて、互いに対向し、放電する部分の長さを長くすることができる。傾斜辺５ｇの両端部５ｈ，５ｉを除いた部分５ｊと、傾斜辺６ｇの両端部６ｈ，６ｉを除いた部分６ｊが空洞Ｓに露出している。空洞Ｓは、両端部５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉを避けて配置されている。よって、電界が集中し易い両端部５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉにおける放電が抑制される。この結果、先端部５ｂ，６ｂの劣化が抑制される。よって、高ＥＳＤ耐量及び長寿命化を図ることができる。

過渡電圧保護デバイス１は、放電補助部７を備え、第二方向Ｄ２から見て、放電補助部７は、傾斜辺５ｇ，６ｇの両端部５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉを除いた部分５ｊ，６ｊと接している。このため、放電補助部７により放電が生じ易くなるので、更なる高ＥＳＤ耐量を実現できる。放電補助部７は、第二方向Ｄ２から見て、傾斜辺５ｇ，６ｇの両端部５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉを除いた部分５ｊ，６ｊと接している。放電補助部７は、空洞Ｓと同様に、両端部５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉを避けて配置されている。このため、電界が集中し易い両端部５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉにおける放電が抑制される。よって、長寿命化を図りながら、更なる高ＥＳＤ耐量を実現できる。

放電補助部７は、空洞Ｓに露出している。このため、放電が更に生じ易くなる。よって、更なる高ＥＳＤ耐量を容易に実現できる。

内部電極５，６の第三方向Ｄ３の長さが素体２の第三方向Ｄ３の長さの６５％よりも長いと、内部電極５，６を第三方向Ｄ３において側面２ｅ，２ｆから十分に離間させることがない。このため、例えば製造誤差により、内部電極５，６が素体２に対して第三方向Ｄ３にずれて形成された場合、内部電極５，６が側面２ｅ，２ｆから露出するおそれがある。本実施形態では、内部電極５，６の第三方向Ｄ３の長さは、素体２の第三方向Ｄ３の長さの６５％以下である。これにより、内部電極５，６が側面２ｅ，２ｆから露出することを抑制できる。

内部電極５，６の第三方向Ｄ３の長さが短いと、パターン幅が狭くなることにより、パターンの抵抗値が高くなる。また、内部電極５，６と外部電極３，４との接続面積が小さくなるので、接続部の抵抗値も高くなる。このような抵抗値の増加は、放電特性に影響を与えるおそれがある。本実施形態では、内部電極５，６の第三方向Ｄ３の長さは、素体２の第三方向Ｄ３の長さの６％以上である。このため、放電特性に向上させ、高いＥＳＤ耐量を実現できる。また、内部電極５，６と外部電極３，４との電気接続を安定させることができる。内部電極５，６の第三方向Ｄ３の長さは、素体２の第三方向Ｄ３の長さの２５％以上であってもよく、５０％以上であってもよい。

内部電極５，６は、第三方向Ｄ３の中心位置が互いに一致するように配置されている。このため、内部電極５，６の第三方向Ｄ３の中心位置が互いに異なる場合に比べて、内部電極５，６が側面２ｅ，２ｆから露出し難い。よって、素体２を第三方向Ｄ３において小型化し易い。

本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

上記実施形態では、放電補助部７と空洞Ｓとは、平面視で同形状を呈しているが、異なる形状を呈していてもよい。放電補助部７と空洞Ｓとは、平面視で完全に重なり合っているが、互いにずれて配置されていてもよい。放電補助部７は、両端部５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉを避けて配置されているが、放電補助部７は、平面視で両端部５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉと重なっていてもよい。過渡電圧保護デバイス１は、放電補助部７を備えていなくてもよい。

１…過渡電圧保護デバイス、２…素体、３，４…外部電極、５，６…内部電極、５ｂ，６ｂ…先端部、５ｇ，６ｇ…傾斜辺、５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉ…端部、５ｊ，６ｊ…部分、７…放電補助部、Ｄ１…第一方向、Ｄ２…第二方向、Ｄ３…第三方向、Ｓ…空洞。

Claims (5)

1. 空洞が内部に形成されている素体と、
   前記素体内に設けられ、第一方向に沿って延在している一対の内部電極と、
   前記一対の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ接続されている一対の外部電極と、を備え、
   前記一対の内部電極は、前記第一方向において互いに対向している先端部をそれぞれ有し、
   前記第一方向に直交する第二方向から見て、前記先端部は、前記第一方向と、前記第一方向及び前記第二方向に直交する第三方向とに対して傾斜している傾斜辺を有し、
   前記傾斜辺の両端部を除いた部分が空洞に露出している、
   過渡電圧保護デバイス。
2. 前記一対の内部電極と接するように前記素体内に設けられている放電補助部を更に備え、
   前記第二方向から見て、前記放電補助部は、前記傾斜辺の両端部を除いた部分と接している、
   請求項１に記載の過渡電圧保護デバイス。
3. 前記放電補助部は、前記空洞に露出している、
   請求項２に記載の過渡電圧保護デバイス。
4. 前記一対の内部電極は、前記第三方向の中心位置が互いに一致するように配置されている、
   請求項１～３のいずれか一項に記載の過渡電圧保護デバイス。
5. 前記一対の内部電極の前記第三方向の長さは、前記素体の前記第三方向の長さの６％以上６５％以下である、
   請求項１～４のいずれか一項に記載の過渡電圧保護デバイス。

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