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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025033469A1 (ja) * 2023-08-10 2025-02-13 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 窒化物系半導体発光素子
WO2025258310A1 (ja) * 2024-06-10 2025-12-18 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 半導体レーザ素子

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09222619A (ja) * 1996-02-20 1997-08-26 Toshiba Corp 導波型光半導体装置
JP3420028B2 (ja) * 1997-07-29 2003-06-23 株式会社東芝 ＧａＮ系化合物半導体素子の製造方法
KR19990014304A (ko) * 1997-07-30 1999-02-25 아사구사 나오유끼 반도체 레이저, 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JPH11340580A (ja) * 1997-07-30 1999-12-10 Fujitsu Ltd 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
JP2000138419A (ja) * 1998-11-04 2000-05-16 Hitachi Ltd 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2000236142A (ja) * 1998-12-15 2000-08-29 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子
JP2000196143A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sharp Corp 半導体発光素子
JP2000244069A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体ヘテロ構造
JP4342134B2 (ja) * 2000-12-28 2009-10-14 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
JP4441563B2 (ja) * 2000-12-28 2010-03-31 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
US6879612B1 (en) * 2001-01-23 2005-04-12 Optical Communication Products, Inc. Temperature insensitive VCSEL
EP1453160B1 (en) * 2001-11-05 2008-02-27 Nichia Corporation Semiconductor element
JP2003318492A (ja) * 2002-02-19 2003-11-07 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ装置および半導体レーザモジュール
JPWO2003075425A1 (ja) * 2002-03-01 2005-06-30 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子
JP2004134486A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 回折格子を備えた半導体レーザ
JP5781032B2 (ja) * 2012-07-30 2015-09-16 株式会社東芝 半導体発光素子
JP2014183120A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法並びに半導体ウェハ
JP6192378B2 (ja) * 2013-06-18 2017-09-06 学校法人 名城大学 窒化物半導体発光素子
PL228535B1 (pl) * 2015-11-10 2018-04-30 Inst Wysokich Cisnien Polskiej Akademii Nauk Dioda laserowa na bazie stopu AllnGaN
DE102016117477B4 (de) * 2016-09-16 2026-03-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterschichtenfolge und optoelektronischer Halbleiterchip
US10135227B1 (en) * 2017-05-19 2018-11-20 Palo Alto Research Center Incorporated Electron beam pumped non-c-plane UV emitters
JP7116291B2 (ja) * 2017-05-25 2022-08-10 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子
JPWO2019106931A1 (ja) * 2017-12-01 2020-11-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体発光素子
JP2019186262A (ja) * 2018-04-02 2019-10-24 ウシオオプトセミコンダクター株式会社 窒化物半導体発光素子
WO2020039904A1 (ja) * 2018-08-24 2020-02-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子
JP7323786B2 (ja) * 2019-01-17 2023-08-09 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子

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