JP2022533844A - 部品の光誘起型の選択的転写 - Google Patents

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    • H01L2224/8012—Aligning
    • H01L2224/80136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H01L2224/80138—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
    • H01L2224/8014—Guiding structures outside the body
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    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/809—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding with the bonding area not providing any mechanical bonding
    • H01L2224/80901—Pressing a bonding area against another bonding area by means of a further bonding area or connector
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    • H01L2224/81001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
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    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI] involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
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    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
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    • H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
    • H01L2224/83048—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled pre-heating or pre-cooling
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Abstract

本願は、マイクロＬＥＤのような部品（１１、１２、１３）を転写する方法と装置に関する。第１の基板（１０）には、部品（１１、１２、１３）が設けられる。第２の基板（２０）には、ホットメルト接着材料（２０ｍ）を含む接着層（２０ａ）が設けられる。第１の基板（１０）上の部品（１１、１２、１３）を、第２の基板（２０）上の接着層（２０ａ）が溶融されている間に接着層（２０ａ）に接触させる。接着層（２０ａ）を固化させることにより、部品（１１、１２、１３）と第２の基板（２０）との間に接着接続が形成される。第１及び第２の基板（１０、２０）を離間させて、部品（１１、１２、１３）を第１の基板（１０）から第２の基板（２０）へ転写する。接着層（２０ａ）に光（Ｌ）を照射して、部品（１１）を運ぶ溶融された接着剤のジェット（２１ｊ）を形成することによって、部品（１１）の少なくともサブセットは、第２の基板（２０）から第３の基板（３０）へ転写される。第３の基板（３０）には、転写された部品（１０）を受け入れるための凹部（３１）が設けられてもよい。部品（１１）が第３の基板（３０）上に配置された状態で、部品（１１）に導電性材料（５０ｓ）が塗布されてもよい。第３の基板（３０）は、転写後の部品（１１）を保持するためのホットメルト接着層（３１ａ）を備えてもよい。部品（１１）又はそのサブセットは、例えば、光（Ｌ）によって選択的に照らすことで、第３の基板（３０）から第４の基板（４０）へ転写されてもよい。【選択図】図１Ｄ

Description

本開示は、基板間の部品の光誘起型の選択的転写のための方法及び装置に関連する。
従来のピックアンドプレース技術は、ミリサイズの部品を低精細の位置合わせ精度（１００μｍ）で大量に組み立てるのに適した技術である。残念ながら、従来のピックアンドプレース技術は、小さな部品（５０μｍ未満）を高精細の位置合わせ精度（２μｍ未満）で、より高いスループット速度（１秒間に１０万ユニットより多く）を実現するためにはスケールダウンしてしまう。そのため、微細な部品を大量に配置する必要がある場合、適さないことがある。例えば、マイクロＬＥＤ（μＬＥＤ）ディスプレイは、将来のディスプレイの候補である。その明るさのため、高輝度ディスプレイでは、画素領域の小さな面積だけが発光すればよい。換言すると、比較的低いカバー率が必要である。そのため、比較的高いディスプレイ解像度、例えば７０～６００ピクセルパーインチ（ＰＰＩ）でも、用途に応じて、ＬＥＤは非常に小さな寸法とする、例えば３０μｍ未満とすることができる。しかし、μＬＥＤは、サファイアのような高価な基板上に高温で成長させると高価となることがあり、可能な限り多くのウエハ面積をＬＥＤの製造に利用することが好ましい。従って、成長基板から製品基板に部品を選択的に移し、部品間のピッチ（間隔）を広げることが望まれている。
このような理由及び他の理由のため、例えば、ディスプレイ又は他のデバイスを製造するため、高精細な配置及び精度と、高いスループットとを両立させて、μＬＥＤのような小型部品の組み立て方法を改善することが望まれている。
本開示の様々な態様は、部品の光誘起型の選択的転写に包含される方法及びシステムに関連する。接着層は（少なくとも部分的に）熱により溶融される間に、第１の基板上の部品は第２の基板上の接着層に接触する。次に、接着層を固化し、部品と第２の基板との間に接着接続を形成する。第１及び第２の基板を離間させ、接着層の接着接続により部品を第１の基板から第２の基板へ転写させる。その後、例えば、部品を保持する接着領域上への光の照射によって、第２の基板からの部品を第３の基板に転写することができる。
第２の基板上にホットメルト接着層を用いることで、第１の基板から第２の基板へ、続いて第３の基板へと、（選択的）光誘起型の前方転写を用いて容易に部品を転写することができる。これは、例えばピックアンドプレース方式と比較して、より汎用的である可能性がある。特に、部品を備える第１の基板が、光誘起型の前方転写に適さない場合に有効である可能性がある。例えば、第１の基板自体が、例えば不透明であって、適さない。例えば、部品と第１の基板との接続は、光によって好適に影響を受けない、又は少なくとも現在想定されている接着層よりも好適でない。有利には、接着層を溶かす光による転写は、例えば、ドライアブレーション、ブリスター形成、又は熱膨張係数の不一致に依存するＬＩＦＴの他の方法と比較して、転写に対する改善された制御を更に提供することができる。
第３の基板に凹部を設けることで、いくつかの部品の転写について位置合わせを向上させることができる。更に、第３の基板上の突起と接触することで、隣接する部品の不用意な転写を防ぐことができる。例えば、接触によって、それらの位置での転写を物理的にブロックすることができる。例えば、第３の基板への接触は、接触位置での部品の加熱を少なくとも部分的に減少させるためのヒートシンクとして機能することができる。また、凹部は、転写を更に促進することができる。例えば、第３の基板に接触することなく、部品が第２の基板から放出され、第３の基板に移動してもよい。移動距離は、規定された接触点及び／又は凹部の深さによって十分に制御できることが理解されるだろう。これにより、転写プロセスの制御を改善することができる。更に、第３の基板への接触のヒートシンク効果がなければ、吊り下げられた部品は、例えば、接触位置での接着反応又は他の反応の弱化によって、それらの放出を引き起こす比較的高い温度まで加熱される可能性がある。
本開示の装置、システム及び方法のこれら及び他の特徴、態様、及び利点は、以下の説明、添付の請求項、及び添付の図面から、よりよく理解されるだろう。
図１Ａは、第１の基板から第２の基板への部品の転写と、第２の基板から第３の基板への部品の第１のサブセットの転写とを説明する図である。 図１Ｂは、第１の基板から第２の基板への部品の転写と、第２の基板から第３の基板への部品の第１のサブセットの転写とを説明する図である。 図１Ｃは、第１の基板から第２の基板への部品の転写と、第２の基板から第３の基板への部品の第１のサブセットの転写とを説明する図である。 図１Ｄは、第１の基板から第２の基板への部品の転写と、第２の基板から第３の基板への部品の第１のサブセットの転写とを説明する図である。 図２Ａは、第３の基板の凹部への部品の転写を説明する図である。 図２Ｂは、第３の基板の凹部への部品の転写を説明する図である。 図２Ｃは、第３の基板の凹部への部品の転写を説明する図である。 図３Ａは、いくつかの実施形態に係る熱の流れを説明する図である。 図３Ｂは、いくつかの実施形態に係る熱の流れを説明する図である。 図４Ａは、第３の基板へ部品を電気的に接続することを説明する図である。 図４Ｂは、第３の基板へ部品を電気的に接続することを説明する図である。 図４Ｃは、第３の基板へ部品を電気的に接続することを説明する図である。 図５Ａは、更なる転写のために、第３の基板上に部品を準備することを説明する図である。 図５Ｂは、更なる転写のために、第３の基板上に部品を準備することを説明する図である。 図５Ｃは、更なる転写のために、第３の基板上に部品を準備することを説明する図である。 図６Ａは、部品を第４の基板に転写することを説明する図である。 図６Ｂは、部品を第４の基板に転写することを説明する図である。 図６Ｃは、部品を第４の基板に転写することを説明する図である。 図７Ａは、光を用いて第３の基板と第４の基板との間の転写を説明する図である。 図７Ｂは、光を用いて第３の基板と第４の基板との間の転写を説明する図である。 図７Ｃは、光を用いて第３の基板と第４の基板との間の転写を説明する図である。 図８Ａは、電気回路と共に部品を転写することを説明する図である。 図８Ｂは、電気回路と共に部品を転写することを説明する図である。 図８Ｃは、電気回路と共に部品を転写することを説明する図である。 図９Ａは、それぞれの第２の基板から共通する第３の基板に異なる部品を転写することを説明する図である。 図９Ｂは、それぞれの第２の基板から共通する第３の基板に異なる部品を転写することを説明する図である。 図９Ｃは、それぞれの第２の基板から共通する第３の基板に異なる部品を転写することを説明する図である。 図１０Ａは、いくつかの実施形態に係る可能な形状、サイズ、及び距離を説明する図である。 図１０Ｂは、いくつかの実施形態に係る可能な形状、サイズ、及び距離を説明する図である。 図１０Ｃは、いくつかの実施形態に係る可能な形状、サイズ、及び距離を説明する図である。 図１１Ａは、第２の基板から第３の基板への部品のサブセットの転写の平面図写真を示す。 図１１Ｂは、第２の基板から第３の基板への部品のサブセットの転写の平面図写真を示す。 図１１Ｃは、第２の基板から第３の基板への部品のサブセットの転写の平面図写真を示す。
特定の実施形態を説明するために使用される用語は、本発明を限定することを意図しない。本明細書で使用される場合、単数形「a」、「an」及び「the」は、文脈が明確に他を示さない限り、複数形も含むことが意図される。用語「及び／又は」は、関連する列挙された項目のうちの１つ以上の任意の及び全ての組み合わせを含む。用語「備える」及び／又は「含む」は、記載された特徴の存在を特定するが、１つ以上の他の特徴の存在又は追加を排除しないことが理解されるであろう。方法の特定のステップが他のステップに後続すると言及される場合、それは、他に指定されない限り、当該他のステップに直接続くことができる、又は特定のステップを実施する前に１つ以上の中間ステップが実施されることができることが更に理解されよう。同様に、構造又は構成要素間の接続が説明されるとき、この接続は、他に指定されない限り、直接又は中間構造若しくは構成要素を介して確立され得ることが理解されよう。
本明細書に記載のいくつかの態様によれば、接触型及び／又は非接触型の光誘起型の転写プロセスが提供される。例えば、ベアダイチップ、マイクロＬＥＤ、又は他の部品を転写することができる。いくつかの実施形態では、全ての部品は、まず、ホットメルト接着剤の薄層を用いて、ウエハ又は青色テープから透明キャリア上に接着される。その後、機械的又は光学的な剥離方法を用いて、青色テープ又はウエハから部品を剥離する。その後、キャリアはレーザーシステムの下に置くことができる。ビームレーザーを部品に照射することで、高速、選択的、且つ非接触の部品の転写が実現される。部品が損傷しないようにするため、光学的に高密度のホットメルトを使用することができる。これは、ホットメルト層に添加物を組み込むことで実現可能である。その結果、レーザーのエネルギーはホットメルトに分散され、それを溶融し、その過程で部品を比較的低速且つ高精度で転写することができる。
いくつかの実施形態では、部品（例えば、マイクロＬＥＤ、ＩＣ）は、ウエハ又はブルーテープ上で搬送され、透明なキャリア基板に転写される。キャリア基板は、液体（ホットメルト）接着剤でコーティングされている。ホットメルト層を、ウエハ又はブルーテープ上の部品と接触させる。ホットメルトを再加熱して溶かし、例えば、部品が液体にわずかに浸るようにする。冷却後、部品はホットメルトに固定され、部品が付着したキャリアは、部品を剥離することによって、又は、例えばレーザーリフトオフ処理を使用して、最初に部品を解放することによって、ウエハ／ブルーテープから分離されることができる。例えば、キャリアは、レーザーに対して透明な基板、例えば、ホウケイ酸ガラス、石英、又はサファイアを含む基板であってもよい。ドナー受容体上のマイクロ部品の更なる位置合わせを可能にするため、多数の位置合わせマーカーを予めパターン化して、位置合わせプロセスを容易にすることができる。この場合、ウエハはガラスキャリア上に高精度に位置合わせされる。部品が取り付けられたキャリアは、成膜のためにレーザーシステム内に配置することができる。例えば、部品の背面にレーザーパルスを適用することで、部品をキャリア基板から外すことができる。例えば、層の厚さが厚すぎる場合、その光吸収が高すぎる場合、及び／又はその結果、発射速度が速く、正確な配置を困難にするアブレーションプロセスとなる場合、ブルーテープからの直接ＬＩＦＴは、一般に実現不可能であることが理解されるであろう。この場合、例えばスキャニングミラー又は他の光源により、高いスループット速度（例えば、１０～１０００ＫＨｚ）で、部品を選択的に転写することができる。例えば、これは、ｘ－ｙスキャニングミラーシステム、又はポリゴンスキャニングミラーシステムのいずれかを使用することによって、達成することができる。高密度パターンについては、ポリゴンミラーシステムがより高いスループットを達成できる。
従前の光誘起型の転写プロセスは、部品の接着界面でのドライ接着剤のアブレーションプロセスに依存していた可能性がある。アブレーションの閾値に到達するまでに高いエネルギーが必要となるため、これは、一般的に非常に高い発射速度につながり、結果として、位置合わせが困難となる。部品は、形成されたガスによって跳ねる又は飛ばされることさえある。あるいは、従来のプロセスは、アブレーションによるＰＩ内の気泡の形成（ＬＥＡＰ）に依存していた可能性がある。これは、例えば、気泡の形状がスケールダウンしないために、スケールダウンが困難である。また、部品をＰＩに接着させることも容易ではない。アクセプタとドナーとの温度膨張係数の不一致を利用するプロセスでは、レーザーがＰＤＭＳ基板を通して部品に直接作用する可能性がある。これは、レーザーが部品自体にダメージを与える可能性があるため、望ましくない可能性がある。
反対に、本開示の解決は、レーザービームを必ずしも部品に接触させない熱処理に依存する。加熱は、固体から液体へのホットメルトに特異的に向けられることができ、ジェットを形成することを可能にし、それがドナーからゆっくりと排出される間、部品を安定化させることができる。換言すると、本方法はアブレーションに代えてホットメルトの溶融を使用し、部品の速度を制限することを可能にするが、安定化ジェットの形成も可能にすることができる。従来のピックアンドプレースと比較して、そのようなレーザープロセスは、桁違いに高速である。
本発明の実施形態が示された添付図面を参照しながら、本発明をより詳細に説明する。図面において、システム、構成要素、層、及び領域の絶対的及び相対的な大きさは、明確にするために誇張されている可能性がある。実施形態は、本発明のおそらく理想化された実施形態及び中間構造の概略図及び／又は断面図を参照して説明されてもよい。本明細書及び図面において、同様の番号は、全体を通して同様の要素を指す。相対的な用語及びその派生語は、説明された又は議論中の図面に示されたような方向性を指すように解釈されるべきである。これらの相対的な用語は、説明の便宜のためであり、特に他が示されていない限り、システムを特定の方向性で構築又は動作させることを要求するものではない。
図１Ａ～１Ｄは、第１の基板１０から第２の基板２０に部品１１、１２、１３を転写し、第２の基板２０から第３の基板３０に部品の第１のサブセット１１を転写することを示す。
いくつかの実施形態において、例えば図１Ａに示すように、第１の基板１０は、部品１１、１２、１３が設けられる。１つの実施形態において、第１の基板１０は、部品１１、１２、１３を保持する接着箔を備える。例えば、第１の基板１０は、ウエハダイシングの際に使用される、つまりウエハ微細加工に続く半導体材料の断片を切り離す際に使用されるバッキングテープ又はダイシングテープによって形成されてもよい。別の実施形態において、第１の基板１０は、例えば、部品を有するウエハによって形成されてもよい。別の又は更なる実施形態において、第１の基板１０は、それ自体がダイシングテープとしても機能してもよい。
いくつかの実施形態では、例えば図１Ａに示すように、第２の基板２０は、接着材料２０ｍを含む接着層２０ａが設けられる。好ましくは、接着材料２０ｍは、ホットメルト接着剤を含む。ホットメルト接着剤（ＨＭＡ）は、ホットグルーとも呼ばれ、高温の影響下で相転移、特に溶融を起こす熱可塑性接着剤の一形態として説明することができる。接着剤が溶融する場合、その接着強度は、その固体形態と比較して、例えば、１０倍、２０倍、５０倍、１００倍、又はそれより大きく、著しく低下する可能性がある。接着剤の溶融は、材料の粘度の増加、例えば、（固化した接着剤と比較して）２倍、３倍、５倍、１０倍、２０倍、５０倍、１００倍又はそれより大きい増加を含む、又はそれからなることができる。溶融は、例えば温度に応じて、接着材料の濡れ及び／又は流動を引き起こしてもよい。いくつかの実施形態において、接着層は、部品との接着接続を形成するために、濡れるまで溶融されてもよい。他の又は更なる実施形態において、接着剤は、部品を転写するために流動するまで溶融されてもよい。ホットメルト接着剤は、一般に、様々な添加剤を有する基材から構成されている。例えば、一般的な基材は、エチレン－酢酸ビニル（ＥＶＡ）コポリマー、ポリオレフィン（ＰＯ）、ポリアミド及びポリエステル、ポリウレタン等を含むことができる。例えば、添加剤は、粘着付与剤、ワックス、安定剤等の材料を含むことができる。基材及び添加剤の性質は、相互の分子間相互作用及び基板との相互作用の性質に影響を及ぼし得る。組成物は、最低使用温度及び融点を下回る適切なガラス転移温度（脆性の開始）を有するように配合されてもよい。溶融粘度と結晶化速度と対応するオープンタイムとは、用途に応じて調整することができる。
いくつかの実施形態では、例えば図１Ｂに示すように、第１の基板１０上の部品１１、１２、１３は、接着層２０ａが熱Ｈによって（少なくとも部分的に）溶融された状態で第２の基板２０上の接着層２０ａに接触させられる。例えば、第２の基板２０は第１の基板１０に積層される。例えば、接着層２０ａは、部品１１、１２、１３と接触する前及び／又は接触している間に溶融されてもよい。一実施形態において、熱Ｈは、例えば、接触前に、接着層２０ａに光を照射することにより、例えば、図示のように第２の基板２０を介して、又は接着層２０ａの側面（図示せず）から光を照射することにより、提供される。また、熱は、他の方法で提供することもでき、例えば、オーブンを使用して、接触前及び／又は接触中に接着層２０ａを加熱することができる。
好ましい実施形態では、ホットメルト接着材料は、少なくとも室温より高い、例えば４０、５０、又は６０℃を上回る融点を有するため、加熱源が除去された際に接着剤が容易に固化することができる。一方、必要な場合に、例えば転写中に、接着力を容易に除去でき、部品を損傷させないように、融点が高すぎないことも好ましい場合がある。例えば、接着層は、２５０℃未満、好ましくは２００℃未満、より好ましくは１５０℃未満、例えば８０℃～１２０℃の間の融点を有する。
いくつかの実施形態では、接着層２０ａを固化させて、部品１１、１２、１３と第２の基板２０との間に接着接続を形成することができる。例えば、固化は、図１Ｂにおける熱（Ｈ）を除去した後に行われる。例えば、接着層２０ａは、その融点及び／又はガラス転移温度を下回るまで能動的に又は受動的に冷却されてもよい。
いくつかの実施形態では、例えば図１Ｃに示すように、第１及び第２の基板１０、２０を離して、例えば剥離して、接着層２０ａの接着接続により部品１１、１２、１３を第１の基板１０から第２の基板２０に転写する。好ましくは、部品１１、１２、１３と第２の基板２０との間の接着層２０ａによって形成される接着接続は、部品１１、１２、１３が第１の基板１０に対して有することができる任意の接続（接着又は他の方法）よりも強く、例えば少なくとも２、３、５、１０倍又はそれより大きい強さである。いくつかの実施形態において、部品１１、１２、１３の第１の基板１０への接続又は接着は、転写の前に除去される又は低下していてもよい。例えば、ＵＶダイシングテープを第１の基板１０として使用することができ、そこでは、部品が第２の基板２０によって引き剥がされる前に、接着結合がＵＶ光の曝露によって破壊される。また、第２の基板２０上の接着層２０ａが固化している間、第１の基板１０上の接着層が依然として溶融するように、融点の低い別のホットメルト接着剤を使用することも想定され得る。図では、第２の基板２０が第１の基板１０の上に示されているが、これは必須ではない。例えば、第１の基板と第２の基板を上下反転させた構成でもよいし、左右反転させた構成でもよい。任意に、第２の基板２０は、第１の基板１０からの部品の転写後、例えば以下に説明するような後続のステップのために、任意の所望の方向に反転又は位置決めすることができる。
いくつかの実施形態では、例えば図１Ｄに示すように、部品１１の少なくとも第１のサブセットは、第２の基板２０から第３の基板３０に転写される。好ましくは、転写は、部品１１の少なくとも第１のサブセットを保持する接着層２０ａの接着領域２１ａの少なくとも第１のセットに光Ｌを放射することによって開始される。好ましくは、第２の基板２０は、少なくとも部品を放出するために使用される光Ｌに対して、透明である。好ましい実施形態において、例えば図示のように、光Ｌは第２の基板２０を透過して、すなわち部品の背面から向けられる。したがって、第２の基板２０は、好ましくは光Ｌに対して透明である。例えば、第２の基板２０は、光の大部分を、例えば５０％、６０％、７０％、８０％より多く、又は更には９０％を超えて透過させる。別の又は更なる実施形態では、接着層２０ａは部品と光源との間にある。最も好ましくは、接着層２０ａは光Ｌを吸収する。代替的に、光の一部は、接着剤を間接的に加熱することもできる部品によって吸収されてもよい。例えば、部品が熱に敏感である場合、この後者の加熱モードは、あまり好ましくない可能性がある。
いくつかの実施形態では、例えば図示のように、光Ｌは接着層２０ａのサブ領域に排他的に放射される。従って、接着層２０ａは、１つ以上の部品１１の選択された第１のサブセットのみを放出するように局所的に溶融され得る。図示の実施形態では、例えば指向性レーザービームを使用して、一度に単一の部品が転写される。代替的に又は付加的に、複数のレーザービームを使用して、複数の部品を同時に選択的に転写することができる。好ましい実施形態（図示せず）において、光源、例えばフラッシュランプと第２の基板２０との間にマスクを配置し、接着層２０ａに光パターンを投影し、これにより同時に対応する部品のパターンを転写する。いくつかの用途は、部品のサブセットの選択的な光誘起転写のオプションから特に利益を得ることができるが、全ての部品が第３の基板３０に転写されることも想定され得る。
いくつかの実施形態では、光Ｌは、接着材料が流れ始める温度まで接着材料を加熱し、例えば、部品を導くことができる。理論に縛られることなく、結果として生じる流れの方向は、加熱プロファイルによって決定されてもよい。例えば、接着材料を急速に加熱すると、圧力波が発生することがある。好ましい実施形態において、光Ｌは、加熱を引き起こし、転写を開始させるための比較的短いパルスで照射される。例えば、光パルスは、１００ミリ秒未満、１０ミリ秒未満、又は更に１ミリ秒未満とすることができる。より短いパルスを使用することで、熱が放散する時間を有する前に、十分に速い温度上昇を引き起こす可能性がある。他の又は更なる実施形態において、複数のパルスを使用することができ、又は接着材料及び／又は部品を加熱し続けるより長いパルスを使用することができる。いくつかの実施形態において、例えば図示のように、光Ｌは、接着領域２１ａの少なくとも第１のセットを溶融させ、溶融した接着材料１１ｍの１つ以上のそれぞれジェット２１ｊを形成し、部品１１の少なくとも第１のサブセットは、第２の基板２０から第３の基板３０に向かって延びるジェット２１ｊによって第３の基板３０に転写される。
好ましくは、ホットメルト接着層又は材料は、部品との接着を確立するために湿潤相で溶融したときに比較的低い粘度を有し、例えば１０００Ｐａ・ｓ未満（ピーナッツバターと同様）、好ましくは５００Ｐａ・ｓ未満、より好ましくは２００Ｐａ・ｓ未満、最も好ましくは１００Ｐａ・ｓ未満であり、一般に、１０Ｐａ・ｓより大きい。一方、粘度は、接着を確立することが可能なように、例えば部品を層内に沈めることが可能なように十分低いことが好ましく、他方、この段階で材料が基板から滴り始めないように十分高いことが好ましい。粘度は、光誘起転写段階の間、より低くてもよく、例えば、１０Ｐａ・ｓ未満（蜂蜜と同様）、好ましくは１Ｐａ・ｓ未満、より好ましくは１００ｍＰａ・ｓ未満、最も好ましくは１０ｍＰａ・ｓ未満、又は更に１ｍＰａ・ｓ未満（水と同様）であってもよい。この段階での粘度が低いほど、部品は基材間をより容易に及び／又はより速く移動することができる。一般的に、接着材料は、非ニュートン流体として作用することができ、例えば、好ましくは、ジェット形成を促進することができる剪断減粘性である。材料が（再）固化する際、粘度は、例えば１０５Ｐａ・ｓを超え、１０６Ｐａ・ｓを超えるまで増加してもよく、及び／又は材料は固体として効果的に作用してもよい。
いくつかの実施形態において、１つ以上のジェット２１ｊは、第２の基板２０上の接着層２０ａと第３の基板３０上の部品１１との間に部分的に又は完全に（少なくとも瞬間的に）延在することができる。例えば、それぞれの部品１１は、溶融した接着材料のそれぞれのジェット又は液滴によって、第３の基板３０に運ばれることができる。溶融したジェットによるこの転写方法は、例えば接着層の（爆発的な）アブレーションと比較して、より良好な制御を提供することができる。他の又は更なる実施形態では、接着材料のジェット２１ａは、転写後に少なくとも部分的に接着層２０ａに後退してもよい。例えば、ジェットは、転写中又は転写後にばらばらになってもよい。また、接着材料のいくつかは、それぞれの部品と共に転写されてもよく、必要に応じて、任意に部品から洗浄することができる。
好ましい実施形態では、例えば図示のように、第３の基板３０と第２の基板２０との間で少なくとも部品１１の第１のサブセットを転写する間は、第３の基板３０は、第２の基板２０の下方に（重力ベクトルに沿って）配置される。例えば、部品１１の第１のサブセットは、第３の基板３０に向かってある距離（ＤＺ）にわたって落下する重力ベクトルによって（非接触の方法で）助けられることができる。また、他の構成も想定することができ、例えば、第３の基板３０が上部にあり、第２の基板２０が下部にあることができ、又はこれらの基板は互いに横向きに向き合うことができる。例えば、ジェット又は液滴は、例えば、光の（急激な）加熱によって生じる運動量に応じて、任意の方向に部品を運ぶことができる。
いくつかの実施形態において、光Ｌを照射することによる転写の間、第２の基板２０上の部品１１、１２、１３と前記第３の基板３０上のそれらの目的となる面との間の（非ゼロの）距離ＤＺは、部品１１、１２、１３の（最大の）断面直径Ｘの２倍よりも小さい。例えば、距離ＤＺは、部品の直径Ｘ（基板との平面内）の５パーセント（０．０５倍）～２００パーセント（２倍）、好ましくは２０～１００パーセントの間、より好ましくは３０～５０パーセントの間である。このような範囲内であれば、部品の配置は比較的正確でありながらも、完全に転写するために十分な距離を有し、ジェットをバラバラにすることができ、非転写部品１２、１３と第３の基板３０との不用意な接触を防止することができる。例えば、３５０μｍの断面サイズを有する部品を、約２０μｍ～５００μｍの間のギャップサイズにわたって転写することができる。
いくつかの実施形態において、接着層２０ａは、光Ｌが部品に到達する前に、比較的高い割合の光Ｌを（直接）吸収するように構成される。このようにして、エネルギーは、少なくとも最初は、溶融を引き起こすための接着剤において直接放散され、部品の過熱が緩和され得る。好ましい実施形態において、接着層２０ａは、光Ｌの少なくとも１０パーセントを吸収する、好ましくは少なくとも３０パーセント、より好ましくは少なくとも５０パーセント、又は更に８０又は９０パーセントより多く吸収するように構成される。光が層によって直接的に吸収されるほど、部品を損傷からよりよく保護することができる。
いくつかの実施形態において、部品１１、１２、１３と光Ｌの光源との間の接着層２０ａの層厚ＤＡが、所望の光吸収を達成するように設定される。例えば、層厚ＤＡは、用途に応じて、１０マイクロメートルより大きく、２０マイクロメートルより大きく、５０マイクロメートルより大きく、１００マイクロメートルより大きく、又はそれより大きく、例えば、１ミリメートル又は２ミリメートルまでである。例えば、層厚ＤＡは、部品の厚みと同じ又は同程度であってもよく、例えばこの厚みの０．１～１０倍数であってもよい。また、層厚は、転写中に部品と一緒に流れる可能性のある材料の量を決定してもよい。例えば、部品が接着層に部分的に沈んでいる場合、接着層の元の層厚は、部品と光源との間の材料の厚さＤＡよりも大きくてもよい。
いくつかの実施形態において、光Ｌに対する接着層２０ａの吸収係数は、比較的高い。いくつかの実施形態において、ホットメルト接着材料は、それ自体で透明であってもよい。吸収を増加させるため、光Ｌの波長で光を吸収する色素又は吸収剤を添加することができる。例えば、３５５ｎｍのＵＶレーザーのためにＴｉＯ２を添加することができる。このプロセスは主に熱的に進められ、アブレーションベースではないので、異なるタイプのレーザーに対して異なる吸収剤を考慮することができる。例えば、緑色レーザーはRodamine吸収剤と組み合わせて使用することができ、ＮＩＲレーザー１０６４はEpolight 9837のようなＮＩＲ吸収色素と組み合わせて使用することができる。プロセスは主に熱的に進められ、アブレーションベースではないことが予想されるため、異なる種類のレーザーに対して異なる吸収剤を考慮することができる。例えば、緑色レーザーは、Rodamine吸収剤と組み合わせて、又は、ＮＩＲレーザー１０６４とEpolight 9837のようなＮＩＲ吸収色素とを組み合わせて使用することができる。
図２Ａ～２Ｃは、転写された部品１０を受けるための凹部３１が設けられた第３の基板３０を説明する図である。例えば、これにより又は第３の基板の他の適応により、部品配置の精度を向上させることができる。
いくつかの実施形態において、例えば図２Ａに示すように、部品１１の第１のサブセットは、第１の部品レイアウトＡに従って、第２の基板２０上に配置される。別の又は更なる実施形態において、第３の基板３０は、少なくとも第１の部品レイアウトＡ対応する相対位置Ａ’に配置された凹部３１を含む。いくつかの実施形態において、例えば図２Ｂに示すように、第２及び第３の基板１０、２０は、第３の基板３０に接触せずに部品１１の第１のサブセットが対応する凹部３１上に吊り下げられるように整列される。他の又は更なる実施形態では、光Ｌを、第２の基板２０上の少なくとも第１の部品レイアウトＡに投影し、部品１１の第１のサブセットを第３の基板３０の対応する凹部３１にわたって、その中に転写する。いくつかの実施形態では、例えば図２Ｃに示されるように、基板は、転写後に離されてもよい。
いくつかの実施形態では、例えば図示のように、第２の基板２０上の部品１１、１２、１３は、第２の部品レイアウトＢに従って配置された部品１２の第２のサブセットを含む異なるサブセット、例えば排他的なサブセットに分割されている。他の又は更なる実施形態において、第３の基板３０は、少なくとも第２の部品レイアウトＢに対応する相対位置Ｂ’に配置された第３の基板３０の非凹部によって形成された突起３５を含む。一実施形態において、第２及び第３の基板１０、２０の位置合わせにおいて部品１２の第２のサブセットは第３の基板３０の対応する突起３５に接触している。別の又は更なる実施形態では、第１の部品１１の第１のサブセットの転写後、部品１２の第２のサブセットは、第２の基板２０に付着したままである。
いくつかの実施形態において、部品１１の第１のサブセットは、第１の部品転写の間に転写するために選択され、第１の部品レイアウト「Ａ」に従って配置される。図示の実施形態において、部品１２の第２のサブセットは、第１の部品の転写の間に第２の基板２０上に留まるように選択され、第２の部品レイアウト「Ｂ」に従って配置される。また、更なるサブセットを定義してもよく、例えば、図示の実施形態において、部品１３の第３のサブセットは、レイアウト「Ｃ」に従って配置され、この場合も、第１の部品の転写の間、第２の基板上に留まるように選択される。もちろん、残りの部品１２及び１３も、この点では単一のレイアウトの一部と考えることができる。
好ましい実施形態において、第３の基板３０は、少なくとも第１の部品レイアウト「Ａ」に対応する相対位置Ａ’に配置された凹部３１を備える。換言すると、凹部３１間の距離は、部品１１の第１のサブセット間の距離に対応する。また、凹部３１のサイズ、例えば直径は、以下に更に説明するように、部品１１が凹部に収まるように、部品１１のサイズに対応する。本明細書で使用される凹部の概念は、一般に、そのレベルが第３の基板３０平均表面レベルより低い第３の基板３０の凹み又は領域を指す。
好ましい実施形態において、第３の基板３０は、突起３５を備える。突起３５は、少なくとも第２の部品レイアウト「Ｂ］に対応する相対位置Ｂ’に配置される。換言すると、突起３５の寸法間の距離は、部品１２の第２のサブセット（この場合、部品１３の第３のサブセットも）の寸法間の距離に対応する。例えば、突起は、第３の基板３０の非凹部又は別の形状によって形成されることができる。本明細書で使用する突起の概念は、一般に、そのレベルが第３の基板３０の平均表面レベルよりも高い第３の基板３０の凸部又は領域を指す。第３の基板３０の表面の突起は、その間に凹部を規定することができ、及び／又はその逆もまた然りである。
一実施形態において、例えば図２Ｂに示すように、第２及び第３の基板１０、２０は位置合わせされる、つまり、相対的に配置される。図示の実施形態において、部品１１の第１のサブセットは、第３の基板３０に接触することなく、対応する凹部３１の上に吊り下げられている。更に、図示するように、好ましくは（少なくとも）部品１２の第２のサブセットは、第３の基板３０の対応する突起３５に接触している。
いくつかの実施形態では、光「Ｌ」は、例えば第１部品の転写において、第２の基板２０上の少なくとも第１の部品レイアウト「Ａ」に投影される。好ましくは、光が第２の基板２０を透過して接着層２０ａ及び／又は部品１１を背面から照らすことができるように、光「Ｌ」に対して第２の基板２０は透明である。代替的に又は付加的に、光を他の方向から照らすこともでき、例えば、部品を加熱し、次に、当該加熱された部品が放出のために第２の基板の領域又はそれらの間にある層を加熱することができる。図示の実施形態において、光は、部品１１の第１のサブセットの全てを、対応する凹部３１を横切って、その中に配置させる、又は転写する。同時に（少なくとも）、部品１２の第２のサブセットは、第２の基板２０に付着したままであることができる。図示の実施形態において、また、部品１３の第３のサブセットは、第２の基板２０に留まる。対応する突起３５との接触は、第１の部品転写における部品１２の第２のサブセット（ここでは部品１３も）の転写を阻止し得ることが理解されよう。例えば、接触は、転写を物理的に阻止する。
図示の実施形態において、光「Ｌ」の少なくとも一部は、第２の部品レイアウト「Ｂ」にも投影される。例えば、第２の基板２０の全体又は重要な領域が照らされてもよい。別の又は更なる実施形態（ここでは示されていない）において、光は、例えば、部品１１の第１のサブセットを選択的に又は限定的に照らすようにパターン化されることもできる。その場合でも、本発明の方法は、例えば、特に部品及びその間の距離がマイクロメートル領域である場合に、第２の基板２０を介して間接的に加熱され得る近くの部品の不注意な転写を防止する点で有利であり得る。
いくつかの実施形態（図示せず）において、部品１２の第２のサブセットは、第２の部品転写の間に転写するために選択される。第２の部品転写は、第１の部品転写とは別個であることができ、例えば、起こる時間及び／又は場がの異なる。例えば、第２の部品転写は、少なくとも第２の部品レイアウト「Ｂ」に対応する相対位置に配置された凹部を含む第３の基板（図示せず）上に、残りの部品１２の第２のサブセットを備える第２の基板２０を位置合わせすることを含む。そのようないくつかの実施形態において、第２の部品転写のための第３の基板は、他の凹部を備える別の基板である。そのような他の実施形態では、例えば、第１の部品転写において使用されなかった追加の凹部を含む同じ基板が第２の部品転写において使用される。例えば、第２の部品転写において、第２の基板上の少なくとも第２の部品レイアウトに光が投射され、部品１２の第２のサブセットを、対応する凹部をわたって、その中に転写する。
図示の実施形態において、複数の部品は、部品１３の第３のサブセット、例えば、第１及び第２の部品転写（図示せず）の間に第２の基板２０上に留まるように選択された部品を含む。実施形態において、部品１３の第３のサブセットは、第３の部品レイアウトＣに従って配置される。例えば、第２の部品転写における転写用の第３の基板は、第２の部品転写の間に部品１３の第３のサブセットに接触するために、第３の部品レイアウトＣに対応する相対位置に少なくとも配置された突起を備える。例えば、部品１３の第３のサブセットは、第３の部品転写ステップ（図示せず）間の転写のために選択される。当然ながら、部品は、２つのサブセットのみに分割されてもよく、又は３より多い部品のサブセット、例えば、４、５、１０又はそれより多いサブセットに分割されてもよい。
一般に、部品の異なるサブセットを、異なる転写ステップで、同じ又は異なる第３の基板上の異なる凹部内に転写することができる。好ましくは、各転写ステップは、光「Ｌ」の別々の（単一の）パルス又はパルスの別々のシーケンスによって行われる。あるいは、連続光源も原理的には使用可能である。
いくつかの実施形態において、部品１１の第１のサブセットは、第２の基板２０上の部品１２の第２のサブセットの部品に散在している。従って、第２の基板２０上の部品の密度を、第３の基板３０上の密度と比較して相対的に高くすることができる。図示の実施形態において、第２のサブセットの部品１２は、第１のサブセットの部品１１と同じ相対位置を有する。換言すると、第２の部品レイアウト「Ｂ」は、第１の部品レイアウト「Ａ」と同じであるが、シフトされている。これにより、同じ目標レイアウトの凹部を、部品レイアウト「Ａ」又は「Ｂ」のいずれかで充填することができるという利点を有することができる。例えば、凹部を備える第１の第３の基板に部品１１の第１のサブセットを充填し、同一の凹部レイアウトを備える第２の第３の基板に部品１２の第２のサブセットを充填することができる。
図示の実施形態では、第２のサブセットの部品１２は、第２の基板２０上で第１のサブセットの部品１１に（直接）隣接する。特にそのような隣接する部品について、特に小さな部品及び／又は高密度の場合、第２の基板２０における局所的な熱堆積を制御することが困難である場合があることが理解されよう。従って、本発明の方法及びシステムは、そのような隣接する部品の不注意な転写を防止することができる。
いくつかの実施形態（ここでは図示しない）において、部品は、それと接続するための回路に転写される。例えば、はんだ材料又は導電性接着剤が第３の基板上に配置され、部品と回路（例えば、電極）とを接続する。代替的に又は付加的に、はんだ材料又は他の材料は、第２の基板上の部品の下に配置され、部品と共に転写されてもよい。はんだ付け又は他の種類の接続は、いくつかの実施形態において、１つのステップで実行することができる。例えば、光からの熱によって、転写とはんだ付けとの両方が行われてもよい。代替的に、又は付加的に、転写後に部品も回路に接続することができる。いくつかの実施形態において、部品は、上部、つまり第３の基板から離れる方向を向いた１つ以上の電気的接続を備える。例えば、上部に有利に接続する第３の基板の上に電極を堆積する、例えば印刷することによって、そのような部品に接続することができる。凹型の部品は、いくつかの実施形態において部品と同一平面にすることができる第３の基板の隣接する（相対的に上昇した）レベルから上部へより容易に接続することができることが理解されよう。また、部品の側面への接続も想定され得る。側面の接続は、傾斜したエッジを凹部に設けることによって更に容易になり得ることが理解されよう。
図３Ａ及び３Ｂは、いくつかの実施形態に係る熱Ｈの流れを説明する図である。いくつかの実施形態では、例えば図示するように、転写のために指定された部品１１に加熱の範囲を限定することが困難である、又は非現実的である場合がある。例えば、部品（例えばマイクロＬＥＤ）及び／又はそれらの間の距離は、比較的小さくすることができる。従って、熱Ｈは、基板上に留まるはずの隣接する部品１２にも広がる可能性がある。第３の基板上の接触する突起は、接着層２０ａが仮に（部分的に）溶けた場合でも、隣接する部品１２を接着層２０ａに効果的に接触させ続けることができることが理解されよう。更に、この接触により、被転写部品１１よりも隣接する部品１２の方が熱の放散が良好になる可能性がある。転写後、図３Ｂに示すように、接着層及び／又は部品が冷却されて接着層２０ａが再固化し、隣接する部品１２が第２の基板２０に再接着することができる。
いくつかの実施形態において、接触する第３の基板３０は、部品１２の第２のサブセットのためのヒートシンクとして機能することができる。例えば、光、例えばパルスによって生成された熱のかなりの割合が、第３の基板３０との接触を通じて、例えば２０％より多く、５０％より多く、又は更に８０％若しくは９０％より多く放散される。これは、光「Ｌ」の少なくとも一部が部品１２の第２のサブセットに当たる、例えば部品１２の第２のサブセットを直接加熱する場合に、有用であり得る。代替的に、又は付加的に、光「Ｌ」の少なくとも一部が部品１２の第２のサブセットの近くに当たる、例えば第２の基板２０を介して部品１２の第２のサブセットを間接的に加熱する場合に有用であり得る。
図示の実施形態において、光「Ｌ」により、部品１１の第１のサブセットを第１の温度Ｔ１まで加熱し、部品１２の第２のサブセットを第２の温度Ｔ２まで加熱する。本明細書に記載された方法によると、第２の温度Ｔ２が第１の温度Ｔ１よりも低いことが発生する可能性がある。好ましくは、第１の温度Ｔ１は、第２の基板２０から部品１１の第１のサブセットを放出させるための閾値超である。いくつかの実施形態において、第２の基板２０と部品１１の第１のサブセット１１との間の接着層２０ａは、部品１１の第１のサブセットを放出するために弱められる。他の又は更なる実施形態において、第２の基板２０と部品１２の第２のサブセットとの間の接着剤は、部品１２の第２のサブセットを放出するために十分に弱められない。代替的に又は付加的に、光「Ｌ」が消えた後に接着剤が冷却され、部品１２の第２のサブセットが依然として第２の基板２０に接触している間にその接着強度が回復されてもよい。
いくつかの実施形態において、第３の基板３０は、少なくとも接触界面において、比較的高い熱伝導率を有することが好ましい。例えば、第３の基板３０の熱伝導率及び／又は熱容量は、第２の基板２０の熱伝導率及び／又は熱容量と比較して相対的に高く、例えば１０％よりも高く、例えば２倍である。第２の基板２０を比較的低い熱伝導率とすることにより、熱Ｈの側方伝導を低下させる、及び／又は部品１１の加熱を容易にするという更なる利点を提供することも可能である。
図４Ａ～４Ｃは、第３の基板３０へ部品１１を電気的に接続することを説明する図である。
いくつかの実施形態において、例えば図示のように、部品１１が第３の基板３０上に配置された状態で、部品１１に導電性材料５０ｓが塗布される。いくつかの実施形態において、部品は、上部に、つまり第３の基板３０から離れる方向に面する電気入力／出力接続を有し、導電性材料５０ｓは上部にも塗布され得る。例えば、部品は、第３の基板３０を介して他方の側に光を向けるように構成されたマイクロＬＥＤを備えてもよい。他の又は更なる実施形態において、部品接続部は、側面及び／又は底面にあることができる。いくつかの実施形態において、はんだ又は他の材料を部品接続部に適用することができ、これにより、ここに示すように、第３の基板３０上の回路の電極３０ｅに電気接続を確立する、又は以下に示すように、別の基板に電気接続を確立するために役立つことができる。例えば、第３の基板３０は、例えば最終製品に使用される最終基板であってもよいし、後続の転写のための中間（テンプレート）基板として使用されてもよい。
いくつかの実施形態において、例えば図示のように、凹部３１及び／又は突起３５は、被転写部品１１とのそれぞれの電気的接続を形成するための１つ以上の電極３０ｅを備える。導電性材料５０ｓは、凹部（図示せず）又は電極３０ｅを備えない基板上の部品に適用することができるが、部品１０をそれぞれの凹部３１内に有することは、導電性材料５０ｓを適用すること及び／又は電極３０ｅと電気接続を確立することに役立ち得ることは理解されるであろう。例えば、部品は、少なくとも部分的に、又は完全に凹部３１内に沈むことができ、又は突起の表面と同一平面になることができる。
いくつかの実施形態において、例えば図示のように、導電性材料５０ｓが適用されるべき位置に一致するそれぞれの開口部を有するスクリーン５０が使用される。例えば、開口部は、導電性材料５０ｓを塗布する前に、凹部又は他の部品位置に位置合わせされる。例えば、スクリーン印刷又は類似のプロセスを用いて、導電性材料５０ｓを容易に塗布することができる。
いくつかの実施形態において、例えば図示のように、第３の基板３０、又は少なくとも凹部３１は、凹部に転写された部品を保持するための接着層３１ａを備える。例えば、第３の基板３０は（も）、転写後の部品１１を保持するためのホットメルト接着層３１ａを備える。いくつかの実施形態において、第３の基板３０上の接着層３１ａは、転写の前に溶融されてもよい。他の又は更なる実施形態において、接着層３１ａは、まだ温度が上昇しているその熱を放散させる部品を受け取って結果として溶融してもよい。他の又は更なる実施形態において、接着層３１ａは、転写中及び／又は転写後に熱を加えることによって溶融されてもよい。ホットメルト接着剤に代えて、また他の種類の接着剤を接着層３１ａに使用することができ、又は、例えば、その後の電気接続が十分である場合、若しくは部品が後続のステップでピックアップされる場合、接着層３１ａを省略することも可能である。
いくつかの実施形態において、接着層３１ａ（ホットメルト又はその他）は、電気的接続を確立する間及び／又は確立した後に部品を保持するのに役立つ場合がある。他の又は更なる実施形態において、例えば、接着層３１ａがホットメルト接着剤である又はその後の（光誘起型）転写に適した他の層である場合、部品１１は、以下に説明するように、更に別の基板に転写されることができる。
図５Ａ～５Ｃは、第３の基板３０上の部品１１を更に転写するための準備について説明する図である。いくつかの実施形態において、部品が第３の基板３０から第４の基板（ここでは図示しない）に転写される前に、部品１１に導電性材料が（凹部内に又は他に）塗布される。例えば、後続の転写中又は転写後に溶融させることが可能なはんだ材料を適用することができる。それ以外に、導電性材料を塗布するプロセスは、上述した説明と同様であってもよく、例えば、例えばスクリーン印刷を使用する。
図６Ａ～６Ｃは、第４の基板４０への部品１１ｒ、１１ｇ、１１ｂの転写を説明する図である。部品は全て同じであってもよく、又は異なっていてもよく、例えば、第３の基板３０上に所定の構成で配置された赤、緑及び青の（マイクロ）ＬＥＤであってもよい。
いくつかの実施形態では、例えば図示のように、部品は第４の基板４０によってピックアップされてもよい。他の又は更なる実施形態では、部品は、導電性材料５０ｓによって第４の基板上の電極４０ｅに接着されてもよい。例えば、電極４０ｅに接触しながら、導電材料５０ｓの付着が活性化される。有利には、部品１１を転写するために第３の基板３０を反転させる必要はないため、任意に、部品１１を第３の基板３０に付着させる必要はなく、例えば、凹部３１によって保持するだけでよい。
いくつかの実施形態において、例えば、はんだ又は他の導電性材料５０ｓを溶融するために、熱Ｈを適用することができる。他の又は更なる実施形態において、熱は、例えばホットメルト又は同様の接着剤が使用される場合、第３の基板３０への接着性を低下させる又は除去することができる。図示のように、凹部３１におけるそれらの存在によって、部品をピックアップすることが比較的容易になり得ることが理解されよう。代わりに、部品を、非凹部領域からピックアップすることもできる。本実施形態において、第３の基板３０上の全ての部品１１が、第４の基板４０に転写されることを示しているが、部品のサブセットを選択的に第４の基板に転写することも想定され得る。
図７Ａ～７Ｃは、光Ｌを用いた第３の基板３０と第４の基板４０との間での転写を説明する図である。
いくつかの実施形態において、例えば図示のように、光Ｌによる選択的な照射を用いて、第３の基板３０から第４の基板４０へ選択的に部品が転写される。いくつかの実施形態において、例えば順次又は同時に、各部品は第４の基板へ転写される。他の実施形態において、部品のサブセットのみが転写される。そのため、原則として、第１、第２、第３、及び第４の基板間の各転写ステップは、部品の全て又はサブセットの転写を含んでもよいことが理解されよう。好ましくは、第１の基板から第２の基板への転写、及び第３の基板から第４の基板への転写は、全ての部品の転写を含み、一方、第２の基板と第３の基板との間では、部品のサブセットのみが転写される。これにより、光による選択的な転写によって、例えば、部品の密度を低下させる、及び／又は第３の基板上で異なる部品を組み合わせることができ、その上、部品を同時に所望の配置で最終的な基板に転写することができる。
好ましい実施形態において、部品をそれぞれの基板３０、４０に電気的に接続するためのはんだ等の導電性材料５０ｓは、部品１１の転写に使用したものと同じ光パルスＬによって溶融される。例えば、転写を開始するための接着材料及び／又は部品を加熱するために、単一の光パルスを使用することができ、その熱によって、目的の基板に到達する前又は後に導電材料５０ｓも溶融させることができる。代わりに、異なる光パルスを使用することができ、又は、導電性材料５０ｓを別の方法で加熱する又は他の方法で活性化することができる。
いくつかの実施形態において、凹部３１を備える第３の基板３０は、部品１１の一部又は全部を１つ以上の更なる基板４０に転写した後に再使用される。例えば、第３の基板３０は、それぞれの製品を繰り返し製造するために、予め定義された形状の凹部を有する再使用可能なテンプレートとして機能することができる。任意に、接着材料、例えばホットメルトも再使用することができ、又は再使用の間に再び塗布することができる。
図８Ａ～８Ｃは、電気回路と共に部品を転写することを説明する図である。
いくつかの実施形態において、第３の基板３０は、ホットメルト接着層３０ａを備える。一実施形態において、図示するように、部品１１は、第３の基板３０のそれぞれの凹部３１内の接着層３０ａの領域によって保持される。別の又は更なる実施形態において、図示するように、部品１１に接続された電気回路部品３０ｅは、第３の基板３０のそれぞれの突起３５上の接着層３０ａの領域によって保持される。従って、電気回路部品３０ｅに接続された部品１１を、第４の基板４０に１つのステップで転写することができる。
いくつかの実施形態において、例えば図８Ｂに示すように、例えば光又は他の加熱手段を用いて接着層３０ａが溶融している間、回路と第４の基板４０との間で接触が形成される。例えば、第４の基板４０は感圧接着剤を備え、又は第４の基板４０との接続が別の方法で確立される。他の又は更なる実施形態において、部品と共に回路を、例えば光パルスを用いて非接触で転写することができる。
いくつかの実施形態（図示せず）において、第３の基板３０は、第４の基板４０上の光硬化性材料を露出するために使用されるマスクパターンを備える。例えば、マスクパターンは、部品の接続に使用される回路パターンを備える。例えば、光硬化性材料は、露光により導電性が変化してもよい。このようにすれば、露光により電気的な経路を形成することができる。代替的に又は付加的に、光硬化性材料は、露光後、場合によっては部品が配置される前に硬化されてもよい。いくつかの実施形態において、電気的接続、例えばはんだ付けは、後で確立することができる。有利なことに、これにより、部品と目的の回路レイアウトとの間の自動的な位置合わせが可能になる場合がある。
いくつかの実施形態（図示せず）において、第１、第２、第３又は第４の基板のうちの１つ以上は、例えば、凹部を有する部品の又は目的の回路を備える凹部を有する部品の相対的位置合わせのための位置合わせマークを備える。例えば、位置合わせマークは、露光により、それぞれの基板を通して検出可能であってもよい。
図９Ａ～９Ｃは、異なる部品１１ｒ、１１ｂ、１１ｇを、それぞれ第２の基板２０ｒ、２０ｇ、２０ｂから共通する第３の基板へ転写することを説明する図である。
図示の実施形態では、光「Ｌ」は、第１の部品レイアウト「Ａ」に従ってパターン化される。換言すると、光「Ｌ」は、部品１１の第１のサブセットに排他的に投影される、及び／又は光「Ｌ」が、他の任意の部品レイアウト（ここではレイアウト「Ｂ」～「Ｇ」）へ投影されることが阻止される。例えば、光源（ここでは図示せず）と第２の基板２０との間にマスクが配置される。マスクは、フラッシュランプのような光源に特に有用であり得る。例えば、マスクは、第１の部品レイアウト「Ａ」に投影する光を通過させる又は反射させる一方、少なくとも第２の部品レイアウト「Ｂ」に光が投影されることを防ぎ、この場合、任意の他のレイアウトに光が投影されることも防ぐ。マスクに代えて又は加えて、光をパターン化することができ、又は別の方法で局所化させることができ、例えば、１つ以上の比較的狭い、又は集束した（レーザー）光ビームを使用することができる。
図９Ａは、いくつかの実施形態に係る第１の部品転写を示し、第１の部品Ｈｒが第２の基板２０ｒから第３の基板３０上の第１の凹部３１ｒに転写されることを説明する。また、当然ながら、複数の同じ第１の部品１１ｒは、第１の部品レイアウトＡに応じて異なる位置で転写されることができる。図示の実施形態において、例えば部品１２ｒ、１３ｒは、第３の基板３０と接触しているため、第２の基板２０ｒ上に留まる。図示の実施形態において、第２の基板２０ｒ上の別の部品１４ｒは、第２の凹部３１ｇ上に吊り下げられているが、光「Ｌ」により照らされていないため、第２の凹部３１ｇへの第１の部品転写中に転写されない。ここで、部品１７ｒについても同様である。いくつかの実施形態において、例えば図示のように、光ビーム中にマスクＭが配置され、光が他の部品１４ｒに到達するのを選択的に遮断する。代わりに、光は、例えばミラーによって、選択的に方向付けられる。
図９Ｂは、いくつかの実施形態に係る第２の部品転写を説明し、第２の部品１１ｇの第２の凹部３１ｇへの転写を説明する。いくつかの実施形態において、第２の部品１１ｇは、別の第２の基板２０ｇから転写される。例えば、第２の基板２０ｇは、第２の基板２０ｒとは異なり、例えば、これらは、異なる部品を備える。図示の実施形態において、第２の基板２０ｇ上の別の部品１７ｇは、第１の凹部３１ｒ内に先に載置された第１の部品１１ｒ’の上に吊り下げられる。好ましくは、必ずしもではないが、他の部品１７ｇは、先に載置された第１の部品１１ｒ’と接触していない。例えば、第１の凹部３１ｒは、先に載置された第１の部品１１ｒ’の厚みよりも深い。これにより、他の部品１７ｇの不用意な転写を防ぐことができる。更に、図示のように、第２の部品転写の間、第２の基板２０ｇ上の更に別の部品１４ｇが第３の凹部３１ｂ上に吊り下げられていてもよいが、光「Ｌ」により照らされないため、第２の凹部３１ｇ内に転写されない。
図９Ｃは、いくつかの実施形態に係る第３の転写ステップを示し、第３の部品１１ｂが、更に別の第２の基板２０ｂから第３の基板３０上の第３の凹部３１ｂ内に転写されることを示す。図示の実施形態において、第２の基板２０ｂ上の他の部品１４ｂ、１７ｂは、それぞれの第１及び第２の凹部内に以前に載置された第１及び第２の部品１１ｒ’、１１ｇ’の上方に吊り下げられている。
いくつかの実施形態（図示せず）において、第３の基板３０は、例えば、壊れた画素を有するディスプレイスクリーンのような壊れた部品を有するデバイスを修復するため、追加の部品を載置するために使用できる余剰な凹部を備える。本開示のいくつかの態様は、例えば、本明細書に記載の方法又は他の方法に従って以前に製造された、凹部３１内に事前に載置された部品１１を有する第３の基板３０を修理するための方法を提供することができる。例えば、いくつかの実施形態において、第３の基板３０は、以前に載置された部品１１を有する凹部３１に隣接する余剰の空の凹部を備える。従って、修理方法は、例えば、以前に載置された部品１１の中から壊れた部品の位置を見つけることと、本明細書に記載のような方法を用いて、壊れた部品に隣接する余剰の凹部に別の部品を追加することと、を含むことができる。余剰の凹部を使用する代わりに、任意の方法で壊れた部品を除去することによって、及び、本明細書に記載の方法に従って、壊れた部品が除かれた凹部に新しい部品を挿入することを進めることによって、基板を修理してもよい。
これらの又は他の修理方法は、例えば、１つ以上の初期転写ステップの後に、第３の基板上の壊れた部品の存在を検査する及び／又は位置を見つけ出すことによって、製造プロセスの一部として組み込むこともできる。壊れた部品が検出された及び／又は位置が見つけ出された場合、本明細書に記載の方法を用いて、壊れた部品を修理又は補って第３の基板を修理することができる。例えば、ディスプレイスクリーンの製造方法は、本明細書に記載の方法に従って凹部内に部品を有する第３の基板を製造することを含むことができ、部品は画素を形成する発光装置である。壊れた画素が見つかった場合、付加的な部品を追加することによって、説明したようにこれらを修理することができる。余剰の凹部を使用する代わりに、又はそれに加えて、壊れた部品を、それぞれの凹部から除去し、本明細書に記載の方法によって交換することができる。
図１０Ａは、第２の基板２０上の部品間の相対的な大きさと距離（第１の基板１０上で同じ可能性がある）とを模式的に説明する。
いくつかの実施形態において、例えば図示のように、第２の基板２０上の隣接する部品１１、１２は、部品間の間隔Ｓｃだけ離間する。例えば、部品間の間隔Ｓｃは、１０マイクロメートル未満、好ましくは５マイクロメートル未満、又はそれより小さく、例えば１～３マイクロメートルである。有利には、部品間の間隔Ｓｃが小さいほど、第２の基板２０又は前駆体基板の表面、例えば成長基板の表面をより効果的に利用することができる。
図示の実施形態において、部品１１、１２は、（第２の基板２０の表面に沿う）部品直径Ｗｃを有する。例えば、部品直径Ｗｃは、１００マイクロメートル未満、好ましくは５０マイクロメートル未満、又は更に５マイクロメートル未満、例えば０．１～１００μｍである。有利には、部品が小さいほど、より多くの部品が表面に適合し、従って、表面を部品転写のためのソースとしてより効率的に使用することができる。
図示の実施形態において、部品１１、１２は、部品厚さＨｃ（第２の基板２０の表面に対して横方向）を有する。例えば、部品厚さＨｃは、１０マイクロメートル未満、好ましくは５マイクロメートル未満、又は更に３マイクロメートル未満、例えば０．１～１０μｍの間である。有利には、部品が薄いほど、製造に必要な材料が少なくなり、より安価な生産を可能とすることができる。
いくつかの実施形態において、図示のように、部品直径Ｗｃが部品厚さＨｃよりも大きい、例えば少なくとも２倍、３倍、５倍、又はそれより大きいことが好ましい場合がある。有利には、厚さに比べて相対的に大きい直径を有する部品は、本明細書に記載されるような転写により適していてもよく、例えば、光によってより迅速に加熱され、空中で転写中に回転しにくくなる。
図１０Ｂは、凹部３１に配置された部品１１を備える第３の基板３０の実施形態を模式的に説明する図である。
図示の実施形態において、凹部３１の底部は、少なくとも部品径Ｗｃと等しい底部径Ｗｂを有する。そうでない場合、凹部に部品を適合させることが困難となる可能性がある。好ましくは、凹部３１の底部は、部品直径Ｗｃの１．３倍未満、好ましくは１．２倍未満、より好ましくは１．１倍未満、例えば、部品直径Ｗｃの１．００～１．０５倍の間の底部直径Ｗｂを有する。有利には、部品直径Ｗｃと底部直径Ｗｂとの間の適合が緊密であればあるほど、目標位置がより正確に定義され得る。
図示の実施形態において、凹部３１の上部は、底部直径Ｗｂと少なくとも等しい、好ましくは少なくとも１．１倍、より好ましくは少なくとも１．２倍大きい上部直径Ｗｔを有し、例えば上部直径Ｗｔは底部直径Ｗｂの１．２倍～１．５倍の間である。有利には、底部直径と比較して相対的に広い上部直径を凹部に設けることによって、凹部への部品の転写をより容易とすることができる。他の又は更なる実施形態において、図示のように、凹部３１の外縁は、第３の基板３０及び／又は底部の表面法線に対して角度θで傾斜している。例えば、角度θは、１０度より大きく、好ましくは２０度より大きく又は３０度より大きく、例えば４０度～７０度である。有利には、第２の基板上の部品レイアウトが凹部に対してわずかにずれている場合であっても、傾斜した外縁によって、部品を凹部内に導くことを保持することができる。いくつかの実施形態において、傾斜した縁は、凹部内の部品により放出される光を反射する等の更なる機能を提供してもよい。
好ましくは、凹部は、部品厚さＨｃの半分に少なくとも等しい深さＨｒを有し、好ましくはより深い。十分な凹部の深さを設けることにより、効果的な部品転写のために第３の基板を十分に除去することができる。いくつかの実施形態において、図示のように、凹部は、部品厚さＨｃに少なくとも等しい深さＨｒを有し、好ましくはより深く、例えば少なくとも１．０１倍以上であり、例えば凹部深さＨｒは部品厚さの１．１倍～１．５倍の間である。部品の厚さよりも大きい深さを凹部に設けることによって、部品は、第３の基板面よりも完全に低い位置に存在することができ、例えば、その後の転写ステップにおいて、又は第３の基板の上面と同一平面である部品の上面に電極を接続するため、等、様々な理由で有益であることができる。
図１０Ｃは、例えば図９Ａ～９Ｃを参照して説明されるように製造された異なる部品１１ｒ、１１ｇ、１１ｂを備える第３の基板３０の実施形態を模式的に説明する図である。
いくつかの実施形態において、例えば図示のように、第３の基板３０上の部品の周期的距離又はピッチＰｔは、第２の基板２０上の部品の周期的距離又はピッチＰｄよりも大きく、例えば少なくとも２倍、３倍、５倍、又はそれより大きい倍数である。例えば、第２の基板２０上の部品のピッチＰｄは１０マイクロメートルであるのに対し、第３の基板３０上の部品のピッチＰｔは２０マイクロメートルより大きく、例えば最大で１００マイクロメートル、又はそれより大きい。
いくつかの実施形態において、部品１１は、発光デバイス、例えばμＬＥＤを備える。他の又は更なる実施形態において、部品はグループ化されている。例えば、各グループは、異なる色、例えば赤、緑及び青を放出するように構成された発光デバイスを備える。図示の実施形態において、部品１１ｒ、１１ｇ、１１ｂのグループは、ここではｐｉｘ１及びｐｉｘ２として示される画素を形成する。例えば、第３の基板３０は、ディスプレイ画面、例えば、モノクロ又はカラーディスプレイの一部である。図示された実施形態において、部品のグループ、例えば画素は、部品間の間隔Ｓｃよりも大きい画素間の間隔Ｓｐで離間されているが、これは必須ではない。一般に、画素は４０～４００マイクロメートルの、又はそれより大きいピッチＰｐを有する。例えば、７０ピクセル／インチＰＰＩの解像度は、２５４００／７０＝３６３μｍのピッチに対応することができる。例えば、６００ＰＰＩの解像度は、４２μｍのピッチに対応することができる。従って、６００ＰＰＩの解像度について、グループ化された部品のピッチＰｔは更に小さくなる可能性があり、例えば、４２μｍ／３部品＝１４μｍ／部品以下となる可能性がある。当然ながら、他の解像度も可能である。
図１１Ａ～１１Ｃは、第２の基板２０から第３の基板３０への部品１１の選択的な転写を示す平面写真である。図１１Ａは、レーザーシステムを用いた部品への光（Ｌ）の位置合わせを説明する図である。図１１Ｂは、（透明な）第２の基板２０がまだ上にある状態で、第３の基板３０に部品を転写した後の画像を示す図である。図１１Ｃは、第２の基板２０を除去した後の第３の基板３０上の転写された部品１１を説明する図である。
明確かつ簡潔な説明のために、本明細書では、特徴を同一又は個別の実施形態の一部として説明するが、本発明の範囲は、説明した特徴の全て又は一部の組み合わせを有する実施形態を含み得ることが理解されるであろう。例えば、実施形態は、構成要素の列を有する断面図で示されているが、当然ながら、基板及びレイアウトは、二次元のものであってもよく、例えば、様々なレイアウトで部品の追加の列を含む。また、同様の機能及び結果を達成するために、本開示の利益を有する当業者によって代替的な方法が想定され得る。例えば、異なるレイアウトの特徴は、１つ以上の代替的な実施形態に組み合わせられ又は分割されてもよい。
本明細書に記載された接触／非接触のハイブリッドアプローチは、対象となる部品にとって利点を有することができ、例えば、部品の寸法に適合したキャビティの設計により、高い配置精度を確保するための機械的なセルフアライメントが提供される。これは、任意に、キャビティ内のリフローセルフアライメントによって更に強化することができる。非対象部品の場合は、転写プロセス中に非対象部品は受理基板と接触したままであり、一方では、望ましくない／偶発的な転写に対する機械的停止を提供する。一方、部品と受理基板とが物理的に接触することで、選択的な転写を行うための新たなアプローチが可能になる。いくつかの転写方法では、対象となる部品にのみ光を向けるパターン化された光源を使用するが、部品が物理的に接触することで、対象ではない位置にヒートシンクができ、パターン化されていない光源を用いても選択的な部品転写が可能となる。また、基板に接触している非対象部品は、対象部品に対して明確に離れた高さを確保することができる。
従って、議論され、示されたような実施形態の様々な構成要素は、第３の基板が非移動部品に接触する部分が物理的なブロック及びヒートシンクによってそれらの移動を防止し得るという利点、第２の反復において（例えば異なるＬＥＤを用いて）、以前に配置された部品が新しい部品を妨げないという利点、凹部が配置された部品の位置合わせ及び抑制を提供し得るという利点、凹部の傾斜した端が更に配置に役立ち、例えばＬＥＤについての反射面を提供してもよいという利点、を含む種々の利点を提供する。当然ながら、上記の実施形態又はプロセスのいずれか１つを、１つ以上の他の実施形態又はプロセスと組み合わせて、設計及び利点を見出すこと並びに一致させることにおける更なる改善を提供することができることを理解されたい。本開示は、特に顕微鏡サイズのＬＥＤを用いたディスプレイの製造及び修理に特に利点を提供し、一般に、部品が光によって選択的に転写される任意の用途に適用できることが理解される。
本開示の態様は、本方法を実行するように構成及び／又はプログラムされた装置によって具現化され得る。例えば、装置は、様々な基板を提供し、それらを互いに対して及び／又は基板に光を供給するための光源に対して相対的に位置決めするためのそれぞれの基板ハンドラを備える。いくつかの実施形態では、基板ハンドラ、光源、及び／又は光源と１つ以上の基板との間の任意のマスクは、１つ以上の作動及び／又は位置合わせ機構によって移動させることができる。また、他の構成要素、例えば、レーザービームを向けるためのミラーも制御され得る。これら及び他の構成要素の動作は、例えばハードウェア及び／又はソフトウェア構成要素を有するコントローラによって決定され、本方法に従った動作行為を実行することができる。本開示の態様は、１つ以上のプロセッサによって実行される場合、本明細書に記載の方法を装置に実行させる命令を格納する（非一時的な）コンピュータが読み取り可能な媒体としても具現化され得る。
以下に続く添付の特許請求の範囲の解釈において、単語「を備える」は、所定の請求項に記載されたもの以外の他の要素又は行為の存在を排除しないこと、要素に先行する単語「a」又は「an」は、そのような複数の要素の存在を排除しないこと、請求項のいずれの参照符号もその範囲を制限しないこと、複数の「手段」が同一若しくは異なる１つ以上の項目又は実装された構造若しくは機能によって表され得ること、開示された装置又はその一部分が、特に別段の記載なしに一緒に結合又は更なる部分へ分離できることは、理解されるべきである。
［付記］
［付記１］
部品（１１、１２、１３）を転写する方法であって、
第１の基板（１０）に前記部品（１１、１２、１３）を設けること、
第２の基板（２０）にホットメルト接着材料（２０ｍ）を含む接着層（２０ａ）を設けること、
前記接着層（２０ａ）が溶融している間に、前記第１の基板（１０）上の前記部品（１１、１２、１３）を、前記第２の基板（２０）上の前記接着層（２０ａ）に接触させること、
前記接着層（２０ａ）を固化させて、前記部品（１１、１２、１３）と前記第２の基板（２０）との間の接着接続を形成すること、
前記第１及び第２の基板（１０、２０）を動かして離して、前記接着層（２０ａ）の前記接着接続によって、前記第１の基板（１０）から前記第２の基板（２０）へ前記部品（１１、１２、１３）を転写すること、及び、
前記部品（１１）の少なくとも第１のサブセットを保持する前記接着層（２０ａ）の接着領域（２１ａ）の少なくとも第１のセット上に光（Ｌ）を照射することによって、前記部品（１１）の前記少なくとも第１のサブセットを、前記第２の基板（２０）から第３の基板（３０）へ転写すること、
を含み、
前記光（Ｌ）は、前記接着領域（２１ａ）の前記第１のセットの前記接着材料（２０ｍ）を溶融させ、前記第３の基板（３０）への転写のために、前記部品（１１）の前記少なくとも第１のサブセットを放出させることを特徴とする、
方法。
［付記２］
前記光（Ｌ）は、接着領域（２１ａ）の少なくとも前記第１のセットを溶融させ、溶融された接着材料（１１ｍ）の１つ以上のそれぞれのジェット（２１ｊ）を形成し、前記部品（１１）の前記少なくとも１つの第１のサブセットは、距離（ＤＺ）にわたって、前記部品（１１）の前記第１のサブセットを前記第２の基板（２０）から前記第３の基板（３０）へと運ぶ前記ジェット（２１ｊ）によって前記第３の基板（３０）へ転写される、
ことを特徴とする付記１に記載の方法。
［付記３］
前記第２の基板（２０）から前記第３の基板（３０）への転写の間、前記第３の基板（３０）は、前記第２の基板（２０）の下に配置され、前記部品（１１）の前記第１のサブセットは、非接触の状態で、距離（ＤＺ）にわたって前記第２の基板（２０）から前記第３の基板（３０）へ落下する、
ことを特徴とする付記１又は２に記載の方法。
［付記４］
光（Ｌ）を照射することによる転写の間、前記第２の基板（２０）上の前記部品（１１、１２、１３）と前記第３の基板（３０）上のそれらの目的となる表面との間の距離（ＤＺ）は、前記部品（１１、１２、１３）の断面直径（Ｘ）の２倍未満である、
ことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１つに記載の方法。
［付記５］
前記接着層（２０ａ）は、前記部品に到達する前に前記光（Ｌ）の少なくとも３０％を吸収するように構成されている、
ことを特徴とする付記１乃至４のいずれか１つに記載の方法。
［付記６］
前記部品（１１）の前記第１のサブセットは、前記第２の基板（２０）上に第１の部品レイアウト（Ａ）に従って配置され、
前記第３の基板（３０）は、前記第１の部品レイアウト（Ａ）に対応する少なくとも相対位置（Ａ’）に配置された凹部（３１）を備え、
前記第２及び第３の基板（１０、２０）は、対応する前記凹部（３１）にわたって、前記第３の基板（３０）に接触せずに前記部品（１１）の前記第１のサブセットを吊り下げられるように位置合わせされ、
前記光（Ｌ）は、前記第２の基板（２０）上の少なくとも前記第１の部品レイアウト（Ａ）に投影され、前記第３の基板（３０）の対応する前記凹部（３１）にわたって、その中に、前記部品（１１）の前記第１のサブセットを転写する、
ことを特徴とする付記１乃至５のいずれか１つに記載の方法。
［付記７］
前記第２の基板（２０）上の前記部品（１１、１２、１３）は、第２の部品レイアウト（Ｂ）に従って配置された部品（１２）の第２のサブセットを含む異なるサブセットに分割され、
前記第３の基板（３０）は、前記第２の部品レイアウト（Ｂ）に対応する少なくとも相対位置（Ｂ’）に配置された前記第３の基板（３０）の非凹部領域により形成された突起（２５）を備え、
前記第２及び第３の基板（１０、２０）の前記位置合わせにおいて、前記部品（１２）の前記第２のサブセットは、前記第３の基板（３０）の対応する前記突起（２５）と接触しており、
前記部品（１１）の前記第１のサブセットの転写後に、前記部品（１２）の前記第２のサブセットは、前記第２の基板（２０）に付着したままである、
ことを特徴とする付記１乃至６のいずれか１つに記載の方法。
［付記８］
前記部品（１１）が前記第３の基板（３０）上に配置されている間に、導電性材料（５０ｓ）が、前記部品（１１）に適用される、
ことを特徴とする付記１乃至７のいずれか１つに記載の方法。
［付記９］
前記部品をそれぞれの基板（３０、４０）に電気的に接続するための導電性材料（５０ｓ）は、前記部品（１１）を転写するために使用されるものと同じ光パルス（Ｌ）によって溶融される、
ことを特徴とする付記１乃至８のいずれか１つに記載の方法。
［付記１０］
前記第３の基板（３０）は、転写後の前記部品（１１）を保持するためのホットメルト接着層（３１ａ）を備える、
ことを特徴とする付記１乃至９のいずれか１つに記載の方法。
［付記１１］
前記第１、第２、第３又は第４の基板（１０、２０、３０、４０）のうち１つ以上は、相対位置合わせのための位置合わせマークを備える、
ことを特徴とする付記１乃至１０のいずれか１つに記載の方法。
［付記１２］
前記第３の基板（３０）は、ホットメルト接着層（３０ａ）を備え、部品（１１）は前記第３の基板（３０）のそれぞれの凹部（３１）内の前記接着層（３０ａ）の領域によって保持され、前記部品（１１）に接続される電気回路部（３０ｅ）は、前記第３の基板（３０）のそれぞれの突起（３５）上の前記接着層（３０ａ）の領域によって保持され、前記電気回路部（３０ｅ）に接続された前記部品（１１）の前記第１のサブセットは、第４の基板（４０）に転写される、
ことを特徴とする付記１乃至１１のいずれか１つに記載の方法。
［付記１３］
前記第３の基板（３０）は、前記第４の基板（４０）上の光硬化性材料を露出するために使用されるマスクパターンを備える、
ことを特徴とする付記１乃至１２のいずれか１つに記載の方法。
［付記１４］
部品（１２）の第２のサブセットは、第２の部品転写の間の転写のために選択され、前記第２の部品転写は、前記部品（１１）の前記第１のサブセットの第１の部品転写とは別であり、前記第２の部品転写は、前記第２の部品レイアウト（Ｂ）に対応する少なくとも相対位置に配置された凹部を備える同じ又は別の第３の基板上に、残っている前記部品（１２）の前記第２のサブセットを備える前記第２の基板（２０）を位置合わせすることを含み、前記第２の部品転写において、前記部品（１２）の前記第２のサブセットを前記対応する凹部にわたって、その中に転写するために、光（Ｌ）は、前記第２の基板上の少なくとも前記第２の部品レイアウトに投影される、
ことを特徴とする付記１乃至１３のいずれか１つに記載の方法。
［付記１５］
第１の部品転写の間、第１の部品（１１ｒ）は、１つのドナー基板（２０ｒ）から前記第３の基板（３０）上の第１の凹部（２１ｒ）内に転写され、続く第２の部品転写の間、異なる第２の部品（１１ｇ）は、別のドナー基板（２０ｇ）から、第２の凹部（２１ｇ）内に転写され、異なる前記第１及び第２の部品（１１ｒ、１１ｇ）は、共に前記第３の基板（３０）から第４の基板（４０）に転写される、
ことを特徴とする付記１乃至１４のいずれか１つに記載の方法。

Claims (15)

  1. 部品（１１、１２、１３）を転写する方法であって、
    第１の基板（１０）に前記部品（１１、１２、１３）を設けること、
    第２の基板（２０）にホットメルト接着材料（２０ｍ）を含む接着層（２０ａ）を設けること、
    前記接着層（２０ａ）が溶融している間に、前記第１の基板（１０）上の前記部品（１１、１２、１３）を、前記第２の基板（２０）上の前記接着層（２０ａ）に接触させること、
    前記接着層（２０ａ）を固化させて、前記部品（１１、１２、１３）と前記第２の基板（２０）との間の接着接続を形成すること、
    前記第１及び第２の基板（１０、２０）を動かして離して、前記接着層（２０ａ）の前記接着接続によって、前記第１の基板（１０）から前記第２の基板（２０）へ前記部品（１１、１２、１３）を転写すること、及び、
    前記部品（１１）の少なくとも第１のサブセットを保持する前記接着層（２０ａ）の接着領域（２１ａ）の少なくとも第１のセット上に光（Ｌ）を照射することによって、前記部品（１１）の前記少なくとも第１のサブセットを、前記第２の基板（２０）から第３の基板（３０）へ転写すること、
    を含み、
    前記光（Ｌ）は、前記接着領域（２１ａ）の前記第１のセットの前記接着材料（２０ｍ）を溶融させ、前記第３の基板（３０）への転写のために、前記部品（１１）の前記少なくとも第１のサブセットを放出させることを特徴とする、
    方法。
  2. 前記光（Ｌ）は、接着領域（２１ａ）の少なくとも前記第１のセットを溶融させ、溶融された接着材料（１１ｍ）の１つ以上のそれぞれのジェット（２１ｊ）を形成し、前記部品（１１）の前記少なくとも１つの第１のサブセットは、距離（ＤＺ）にわたって、前記部品（１１）の前記第１のサブセットを前記第２の基板（２０）から前記第３の基板（３０）へと運ぶ前記ジェット（２１ｊ）によって前記第３の基板（３０）へ転写される、
    ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 前記第２の基板（２０）から前記第３の基板（３０）への転写の間、前記第３の基板（３０）は、前記第２の基板（２０）の下に配置され、前記部品（１１）の前記第１のサブセットは、非接触の状態で、距離（ＤＺ）にわたって前記第２の基板（２０）から前記第３の基板（３０）へ落下する、
    ことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
  4. 光（Ｌ）を照射することによる転写の間、前記第２の基板（２０）上の前記部品（１１、１２、１３）と前記第３の基板（３０）上のそれらの目的となる表面との間の距離（ＤＺ）は、前記部品（１１、１２、１３）の断面直径（Ｘ）の２倍未満である、
    ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
  5. 前記接着層（２０ａ）は、前記部品に到達する前に前記光（Ｌ）の少なくとも３０％を吸収するように構成されている、
    ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
  6. 前記部品（１１）の前記第１のサブセットは、前記第２の基板（２０）上に第１の部品レイアウト（Ａ）に従って配置され、
    前記第３の基板（３０）は、前記第１の部品レイアウト（Ａ）に対応する少なくとも相対位置（Ａ’）に配置された凹部（３１）を備え、
    前記第２及び第３の基板（１０、２０）は、対応する前記凹部（３１）にわたって、前記第３の基板（３０）に接触せずに前記部品（１１）の前記第１のサブセットを吊り下げられるように位置合わせされ、
    前記光（Ｌ）は、前記第２の基板（２０）上の少なくとも前記第１の部品レイアウト（Ａ）に投影され、前記第３の基板（３０）の対応する前記凹部（３１）にわたって、その中に、前記部品（１１）の前記第１のサブセットを転写する、
    ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
  7. 前記第２の基板（２０）上の前記部品（１１、１２、１３）は、第２の部品レイアウト（Ｂ）に従って配置された部品（１２）の第２のサブセットを含む異なるサブセットに分割され、
    前記第３の基板（３０）は、前記第２の部品レイアウト（Ｂ）に対応する少なくとも相対位置（Ｂ’）に配置された前記第３の基板（３０）の非凹部領域により形成された突起（２５）を備え、
    前記第２及び第３の基板（１０、２０）の前記位置合わせにおいて、前記部品（１２）の前記第２のサブセットは、前記第３の基板（３０）の対応する前記突起（２５）と接触しており、
    前記部品（１１）の前記第１のサブセットの転写後に、前記部品（１２）の前記第２のサブセットは、前記第２の基板（２０）に付着したままである、
    ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
  8. 前記部品（１１）が前記第３の基板（３０）上に配置されている間に、導電性材料（５０ｓ）が、前記部品（１１）に適用される、
    ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
  9. 前記部品をそれぞれの基板（３０、４０）に電気的に接続するための導電性材料（５０ｓ）は、前記部品（１１）を転写するために使用されるものと同じ光パルス（Ｌ）によって溶融される、
    ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
  10. 前記第３の基板（３０）は、転写後の前記部品（１１）を保持するためのホットメルト接着層（３１ａ）を備える、
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
  11. 前記第１、第２、第３又は第４の基板（１０、２０、３０、４０）のうち１つ以上は、相対位置合わせのための位置合わせマークを備える、
    ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
  12. 前記第３の基板（３０）は、ホットメルト接着層（３０ａ）を備え、部品（１１）は前記第３の基板（３０）のそれぞれの凹部（３１）内の前記接着層（３０ａ）の領域によって保持され、前記部品（１１）に接続される電気回路部（３０ｅ）は、前記第３の基板（３０）のそれぞれの突起（３５）上の前記接着層（３０ａ）の領域によって保持され、前記電気回路部（３０ｅ）に接続された前記部品（１１）の前記第１のサブセットは、第４の基板（４０）に転写される、
    ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
  13. 前記第３の基板（３０）は、前記第４の基板（４０）上の光硬化性材料を露出するために使用されるマスクパターンを備える、
    ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
  14. 部品（１２）の第２のサブセットは、第２の部品転写の間の転写のために選択され、前記第２の部品転写は、前記部品（１１）の前記第１のサブセットの第１の部品転写とは別であり、前記第２の部品転写は、前記第２の部品レイアウト（Ｂ）に対応する少なくとも相対位置に配置された凹部を備える同じ又は別の第３の基板上に、残っている前記部品（１２）の前記第２のサブセットを備える前記第２の基板（２０）を位置合わせすることを含み、前記第２の部品転写において、前記部品（１２）の前記第２のサブセットを前記対応する凹部にわたって、その中に転写するために、光（Ｌ）は、前記第２の基板上の少なくとも前記第２の部品レイアウトに投影される、
    ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
  15. 第１の部品転写の間、第１の部品（１１ｒ）は、１つのドナー基板（２０ｒ）から前記第３の基板（３０）上の第１の凹部（２１ｒ）内に転写され、続く第２の部品転写の間、異なる第２の部品（１１ｇ）は、別のドナー基板（２０ｇ）から、第２の凹部（２１ｇ）内に転写され、異なる前記第１及び第２の部品（１１ｒ、１１ｇ）は、共に前記第３の基板（３０）から第４の基板（４０）に転写される、
    ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
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