KR102171374B1 - 마이크로 소자 리워크 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일실시예는 양품 마이크로 소자를 기판에 용이하게 전사할 수 있는 마이크로 소자 리워크 방법을 제공한다. 여기서, 마이크로 소자 리워크 방법은 기판에 전사되었던 불량 마이크로 소자가 제거된 재작업 영역에 양품 마이크로 소자를 전사하는 방법으로서, 전사필름의 점착층에 점착된 양품 마이크로 소자를 재작업 영역의 상측에 위치시키고, 전사필름을 하강시켜 재작업 영역에 마련된 솔더에 양품 마이크로 소자를 위치시켜 가고정하는 마이크로 소자 가고정 단계와, 점착층에서 양품 마이크로 소자가 점착된 점착영역에 제1레이저빔을 조사하여 점착영역의 점착층이 휘발되어 분해되도록 함으로써 점착층과 양품 마이크로 소자 사이의 점착력을 제거하는 점착력 제거단계와, 양품 마이크로 소자가 솔더에 가고정된 상태에서 양품 마이크로 소자로부터 전사필름을 분리하는 전사필름 분리단계와, 솔더에 제2레이저빔을 조사하여 솔더와 양품 마이크로 소자를 접합하는 접합단계를 포함한다.
Description
본 발명은 마이크로 소자 리워크 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 양품 마이크로 소자를 기판에 용이하게 전사할 수 있는 마이크로 소자 리워크 방법에 관한 것이다.
전자부품은 인쇄회로기판에 다양한 소자를 탑재하는 공정을 통하여 제조된다. 예를 들어, 컴퓨터에 사용되는 메모리 카드는 다수의 메모리 소자를 인쇄회로기판에 실장하는 공정을 통하여 제조될 수 있다.
마이크로 LED와 같이 소자의 크기는 마이크로 단위까지 작아지고 있는데, 소자의 크기가 수십 ㎛ 이하로 줄어듦에 따라서 플립칩 방식에 의한 접합 기술이 개발되고 있다.
한편, 제조된 전자부품은 그 성능을 확인하기 위한 검수 공정을 거치는데, 불량으로 판별된 마이크로 소자는 인쇄회로기판으로부터 제거되고 불량 마이크로 소자가 제거된 곳에 양품 마이크로 소자를 다시 접합하는 리워크 공정을 거치게 된다.
종래의 마이크로 소자의 리워크 방법은 불량 마이크로 소자 부근 전체를 가열하여 불량 마이크로 소자를 떼어내거나, 불량 마이크로 소자를 제거한 후 양품 마이크로 소자를 실장하는 과정에서 양품 마이크로 소자 부근이 광범위하게 가열될 수 있다. 이 경우, 이미 실장된 다른 양품 마이크로 소자에도 열 영향을 미칠 수 있기 때문에 양품 마이크로 소자가 오작동할 위험성이 발생한다.
최근 나노 기술이 발달함에 따라 소자의 크기는 점점 더 작아지고 있으나, 종래의 마이크로 소자의 리워크 장치는 관련된 구성장치의 물리적 크기의 소형화가 이를 따라가지 못하고 있어 크기가 아주 작은 마이크로 소자에는 적용이 어려워지고 있다.
특히, 기판에 실장된 다수의 마이크로 소자에 포함된 불량 마이크로 소자가 제거된 후, 불량 마이크로 소자가 제거된 곳에 양품 마이크로 소자를 효과적으로 전사시키기 위한 기술이 요구된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 양품 마이크로 소자를 기판에 용이하게 전사할 수 있는 마이크로 소자 리워크 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 기판에 전사되었던 불량 마이크로 소자가 제거된 재작업 영역에 양품 마이크로 소자를 전사하는 마이크로 소자 리워크 방법으로서, 전사필름의 점착층에 점착된 상기 양품 마이크로 소자를 상기 재작업 영역의 상측에 위치시키고, 상기 전사필름을 하강시켜 상기 재작업 영역에 마련된 솔더에 상기 양품 마이크로 소자를 위치시켜 가고정하는 마이크로 소자 가고정 단계; 상기 점착층에서 상기 양품 마이크로 소자가 점착된 점착영역에 제1레이저빔을 조사하여 상기 점착영역의 점착층이 휘발되어 분해되도록 함으로써 상기 점착층과 상기 양품 마이크로 소자 사이의 점착력을 제거하는 점착력 제거단계; 상기 양품 마이크로 소자가 상기 솔더에 가고정된 상태에서 상기 양품 마이크로 소자로부터 상기 전사필름을 분리하는 전사필름 분리단계; 그리고 상기 솔더에 제2레이저빔을 조사하여 상기 솔더와 상기 양품 마이크로 소자를 접합하는 접합단계를 포함하는 마이크로 소자 리워크 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 마이크로 소자 가고정 단계 이전에, 상기 재작업 영역에 마련된 상기 솔더를 상기 솔더의 용융온도 미만의 미리 설정된 예열온도로 가열하는 예열단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 예열온도는 185 내지 195℃일 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 점착층은 트리아젠 중합체(Triazene Polymer)로 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1레이저빔으로 점착층을 분해하여 제거함에 따라, 양품 마이크로 소자와 점착층 간의 점착력을 확실하게 제거할 수 있다. 따라서, 양품 마이크로 소자가 솔더에 가고정된 상태에서 양품 마이크로 소자로부터 전사필름이 확실하게 분리될 수 있으며, 이에 따라, 전사필름을 분리하는 공정 시에 양품 마이크로 소자가 솔더에 확실하게 가고정될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 마이크로 소자의 리워크 공정이 시작됨과 동시에 예열단계를 진행하여 솔더를 미리 예열함으로써, 솔더가 용융온도까지 도달하도록 하기 위해 제2레이저빔을 조사하는 시간을 단축할 수 있으며, 이를 통해, 마이크로 소자의 리워크에 소요되는 시간을 단축하고 고속 공정이 가능하다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 공정을 나타낸 예시도이다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 공정을 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 방법에서 가열온도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 공정을 나타낸 예시도이다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 공정을 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 방법에서 가열온도를 설명하기 위한 그래프이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결(접속, 접촉, 결합)”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 “간접적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, “포함하다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 공정을 나타낸 예시도이다.
본 발명에 따른 마이크로 소자 리워크 방법은 기판에 전사되었던 불량 마이크로 소자가 제거된 재작업 영역에 양품 마이크로 소자를 전사하는 방법일 수 있다.
도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 마이크로 소자 리워크 방법은 마이크로 소자 가고정 단계(S110), 점착력 제거단계(S120), 전사필름 분리단계(S130) 그리고 접합단계(S140)를 포함할 수 있다.
마이크로 소자 가고정 단계(S110)는 전사필름(300)에 점착된 양품 마이크로 소자(400)를 재작업 영역(RP)의 상측에 위치시키고, 전사필름(300)을 하강시켜 재작업 영역(RP)에 마련된 솔더(210)에 양품 마이크로 소자(400)를 가고정하는 단계일 수 있다.
재작업 영역(RP)은 기판(200)에 실장된 마이크로 소자 중 불량 마이크로 소자가 제거된 영역일 수 있다. 그리고, 불량 마이크로 소자가 제거된 후 재작업 영역(RP)에는 양품 마이크로 소자가 전기적으로 연결되도록 새로운 솔더(210)가 마련될 수 있다.
전사필름(300)은 베이스층(310) 및 점착층(320)을 가질 수 있다.
베이스층(310)은 전사필름(300)의 베이스를 이루는 층으로 강성을 제공할 수 있다. 베이스층(310)은 유리나, 폴리머 기판으로 이루어질 수 있다.
점착층(320)은 베이스층(310)의 일면에 마련될 수 있으며, 양품 마이크로 소자(400)가 점착되도록 하는 점착력을 제공할 수 있다.
도 2의 (a)에서 보는 바와 같이, 마이크로 소자 가고정 단계(S110)에서 전사필름(300)은 기판(200)의 상측에 위치될 있으며, 전사필름(300)에는 양품 마이크로 소자(400)가 점착된 상태일 수 있다. 그리고, 이때, 양품 마이크로 소자(400)는 재작업 영역(RP)의 수직 상방에서 재작업 영역(RP)의 솔더(210)와 마주보게 배치하여 정렬될 수 있다.
이후, 도 2의 (b)에서 보는 바와 같이, 전사필름(300)이 하향 이동되고, 양품 마이크로 소자(400)의 단자(410)는 재작업 영역(RP)에 마련된 솔더(210)에 위치될 수 있다. 여기서, 솔더(210)는 페이스트 상태일 수 있으며, 솔더(210)가 가지는 점도에 의해 양품 마이크로 소자(400)의 단자(410)는 솔더(210)에 가고정될 수 있다.
점착력 제거단계(S120)는 점착층(320)에서 양품 마이크로 소자(400)가 점착된 점착영역(321)에 제1레이저빔((510)을 조사하여 점착영역(321)의 점착층(320)이 휘발되어 분해되도록 함으로써 점착층(320)과 양품 마이크로 소자(400) 사이의 점착력을 제거하는 단계일 수 있다.
도 2의 (c)를 참조하면, 전사필름(300)의 상측에는 조사부(500)가 마련되고, 조사부(500)는 제1레이저빔(510)을 전사필름(300)으로 조사할 수 있다.
제1레이저빔(510)은 점착층(320)에서 양품 마이크로 소자(400)가 점착된 점착영역(321)에 조사될 수 있다.
전사필름 분리단계(S130)에서 제1레이저빔(510)이 점착층(320)의 점착영역(321)에 조사되면, 점착영역(321)은 휘발되어 분해될 수 있다. 그리고, 점착영역(321)이 휘발되어 분해됨에 따라, 점착층(320)과 양품 마이크로 소자(400) 사이의 점착력은 제거될 수 있다.
제1레이저빔(510)은 점착영역(321)에 집중되도록 조사될 수 있으며, 점착층(320)이 휘발되기에 충분한 온도를 제공하되, 양품 마이크로 소자(400)에 열충격이 가해지지 않을 정도의 열을 가할 수 있다.
점착층(320)은 트리아젠 중합체(Triazene Polymer)로 이루어질 수 있다.
그리고, 제1레이저빔(510)은 자외선 파장을 가질 수 있다.
전사필름 분리단계(S130)는 양품 마이크로 소자(400)가 솔더(210)에 가고정된 상태에서 양품 마이크로 소자(400)로부터 전사필름(300)을 분리하는 단계일 수 있다.
점착력 제거단계(S120)에서 점착층(320)과 양품 마이크로 소자(400) 사이의 점착력은 제거되기 때문에, 도 2의 (d)에서 보는 바와 같이, 전사필름(300)이 양품 마이크로 소자(400)로부터 분리되더라도 양품 마이크로 소자(400)는 솔더(210)에 가고정된 상태를 유지할 수 있다.
종래에는 불량 마이크로 소자가 제거된 곳에 양품 마이크로 소자를 전사할 때, 기판에 가고정된 양품 마이크로 소자와 전사필름 간의 점착력이 완전하게 제거되지 못해서, 전사필름을 제거하는 과정에서 양품 마이크로 소자가 전사필름에 붙어 함께 떨어져 나올 수 있었다.
그러나, 본 발명에서는 제1레이저빔(510)으로 점착영역(321)의 점착층(320)을 분해하여 제거함에 따라, 양품 마이크로 소자(400)와 점착층(320) 간의 점착력이 확실하게 제거될 수 있다. 따라서, 양품 마이크로 소자(400)가 솔더(210)에 가고정된 상태에서 양품 마이크로 소자(400)로부터 전사필름(300)이 확실하게 분리될 수 있으며, 이에 따라, 전사필름(300)을 분리하는 공정 시에 양품 마이크로 소자(400)가 솔더(210)에 확실하게 가고정될 수 있다.
접합단계(S140)는 솔더(210)에 제2레이저빔(520)을 조사하여 솔더(210)와 양품 마이크로 소자(400)를 접합하는 단계일 수 있다.
접합단계(S140)에서, 조사부(500)는 제2레이저빔(520)이 솔더(210)에 집중되도록 조사할 수 있다. 솔더(210)에 조사되는 제2레이저빔(520)은 솔더(210)를 용융온도 이상의 온도로 가열할 수 수 있는데, 바람직하게는 솔더(210)의 용융온도인 225℃ 이상으로 가열할 수 있다.
용융된 솔더(210)가 경화되면 양품 마이크로 소자(400)의 단자(410)는 솔더(210)와 견고하게 결합될 수 있다.
제2레이저빔(520)은 양품 마이크로 소자(400)에 대해서는 투과도가 높고, 솔더(210)에 대해서는 흡수도가 높은 파장을 가질 수 있으며, 이를 통해, 양품 마이크로 소자의 손상을 방지하고, 솔더(210)를 효과적으로 가열할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 공정을 나타낸 예시도이고, 도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 리워크 방법에서 가열온도를 설명하기 위한 그래프이다. 본 실시예는 예열단계를 더 포함할 수 있으며, 다른 구성은 전술한 제1실시예와 동일하므로, 반복되는 내용은 가급적 생략한다.
도 3 내지 도 5에서 보는 바와 같이, 마이크로 소자 리워크 방법은 예열단계(S100)를 더 포함할 수 있다.
예열단계(S100)는 재작업 영역(RP)에 마련된 솔더(210)를 솔더(210)의 용융온도 미만의 미리 설정된 예열온도로 가열하는 단계일 수 있다. 예열단계(S100)는 마이크로 소자 가고정 단계(S110) 이전에 진행될 수 있다.
도 4의 (a)에서 보는 바와 같이, 기판(200)의 하측에는 가열부(600)가 마련될 수 있다. 가열부(600)는 기판(200)의 하면과 이격되어 구비될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(200)의 하면에 밀착되어 구비될 수도 있다.
가열부(600)는 기판(200)의 임의의 위치에 이동 가능하게 구비될 수 있으며, 이에 따라 가열부(600)는 해당되는 재작업 영역으로 이동될 수 있다.
가열부(600)는 기판(200)을 통해 해당 솔더(210)를 가열할 수 있으며, 가열부(600)는 해당 솔더(210)를 용융온도(TM) 미만의 미리 설정된 예열온도(TP)로 가열할 수 있다.
예열단계(S100)는 마이크로 소자 가고정 단계(S110) 이전에 진행이 시작될 수 있으며, 예열단계(S100)는 솔더가 설정된 예열온도(TP)로 예열이 될 때까지 지속될 수 있다.
예열온도(TP)는 가열부(600)에 의해 솔더(210)의 가열 효율이 극대화되도록 설정될 수 있는데, 솔더(210)의 용융온도(TM) 미만이면서 양품 마이크로 소자(400)에 열 충격이 가해지지 않도록 하는 온도 중에 가장 높은 온도로 설정될 수 있다.
본 실시예에서는 솔더의 용융온도(TM)인 225℃ 보다 낮은 185 내지 195℃가 예열온도로 설정될 수 있다.
이와 같이 예열단계(S100)를 진행하여 솔더(210)를 미리 예열함으로써, 접합단계(S140)에서 제2레이저빔(520)을 통해 솔더(210)를 용융하여 솔더(210)와 양품 마이크로 소자(400)의 단자(410)를 접합하는데 소요되는 시간이 줄어들도록 할 수 있다.
만일, 예열단계(S100)가 병행되지 않는다면, 전사필름 분리단계(S130) 이후에 솔더(210)를 용융시키기 위해서는 제1시간(T1) 및 제2시간(T2)을 더한 시간만큼 제2레이저빔(520)을 조사하는 시간이 소요되기 때문에, 마이크로 소자의 리워크 공정 속도가 느려질 수 있다. 또한, 솔더(210)를 상온에서 용융온도(TM)까지 가열해야 하므로 제2레이저빔(520)은 상대적으로 높은 파워를 가져야 한다.
그러나, 마이크로 소자의 리워크 공정이 시작됨과 동시에 예열단계(S100)를 진행하여 제1시간(T1)동안 솔더(210)를 미리 예열하면, 제2레이저빔(520)을 제2시간(T2)동안만 더 조사하여도 솔더(210)가 용융온도(TM)까지 도달하도록 할 수 있으며, 이를 통해, 마이크로 소자의 리워크에 소요되는 시간을 단축하고 고속 공정이 가능하다. 그리고 솔더(210)를 가열하는 시간이 단축됨에 따라 양품 마이크로 소자(400) 및 기판(200)으로 열이 전달되는 시간을 줄여 양품 마이크로 소자(400) 및 기판(200)에 과도한 열응력이 작용하지 않도록 할 수 있다. 또한, 제2레이저빔(520)으로 낮은 파워의 레이저 소스가 이용 가능하므로, 공정의 운용비용을 절감할 수 있다.
도 4의 (a) 내지 (d)에서 보는 바와 같이, 가열부(600)가 솔더(210)를 예열온도로 예열하는 공정은 마이크로 소자 가고정 단계(S110), 점착력 제거단계(S120) 및 전사필름 분리단계(S130) 중 솔더가 예열온도(TP)로 예열이 될 때까지 계속될 수 있다. 만일, 솔더(210)가 미리 설정된 예열온도로 예열이 완료되면 예열 공정은 중지될 수 있다.
재작업 영역이 복수 곳인 경우, 어느 하나의 재작업 영역에서의 접합공정이 이루어지는 동안 다른 재작업 영역에서 예열 공정이 동시에 진행될 수 있으며, 이를 통해, 리워크 공정에 소요되는 시간을 줄일 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
200: 기판
210: 솔더
300: 전사필름
310: 베이스층
320: 점착층
321: 점착영역
400: 양품 마이크로 소자
410: 단자
500: 조사부
510: 제1레이저빔
520: 제2레이저빔
600: 가열부
210: 솔더
300: 전사필름
310: 베이스층
320: 점착층
321: 점착영역
400: 양품 마이크로 소자
410: 단자
500: 조사부
510: 제1레이저빔
520: 제2레이저빔
600: 가열부
Claims (4)
- 기판에 전사되었던 불량 마이크로 소자가 제거된 재작업 영역에 양품 마이크로 소자를 전사하는 마이크로 소자 리워크 방법으로서,
전사필름에 점착된 상기 양품 마이크로 소자를 상기 재작업 영역의 상측에 위치시키고, 상기 전사필름을 하강시켜 상기 재작업 영역에 마련된 솔더에 상기 양품 마이크로 소자를 위치시켜 가고정하는 마이크로 소자 가고정 단계;
상기 양품 마이크로 소자가 점착된 점착영역에 제1레이저빔을 조사하여 상기 전사필름과 상기 양품 마이크로 소자 사이의 점착력을 제거하는 점착력 제거단계;
상기 양품 마이크로 소자가 상기 솔더에 가고정된 상태에서 상기 양품 마이크로 소자로부터 상기 전사필름을 분리하는 전사필름 분리단계; 그리고
상기 솔더에 제2레이저빔을 조사하여 상기 솔더와 상기 양품 마이크로 소자를 접합하는 접합단계를 포함하고,
상기 전사필름은 베이스를 이루는 층으로 강성을 제공하는 베이스층 및 상기 양품 마이크로 소자가 점착되도록 하는 점착력을 제공하는 점착층을 가지고,
상기 마이크로 소자 가고정 단계에서 상기 양품 마이크로 소자는 상기 점착층에 점착된 상태로 마련되며,
상기 점착층은 트리아젠 중합체(Triazene Polymer)로 이루어지고,
상기 점착력 제거단계에서, 상기 제1레이저빔은 상기 점착층의 상기 점착영역에 조사되고, 상기 점착층이 휘발되어 분해됨으로써 상기 점착층과 상기 양품 마이크로 소자 사이의 점착력이 제거되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 리워크 방법. - 제1항에 있어서,
상기 마이크로 소자 가고정 단계 이전에,
상기 재작업 영역에 마련된 상기 솔더를 상기 솔더의 용융온도 미만의 미리 설정된 예열온도로 가열하는 예열단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 리워크 방법. - 제2항에 있어서,
상기 예열온도는 185 내지 195℃ 인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 리워크 방법. - 삭제
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