JP7451001B2 - 半導体部品分離装置並びにこれを用いた半導体部品分離及び取付方法 - Google Patents

Description

この発明は半導体部品分離装置並びにこれを用いた半導体部品分離及び取付方法に関する。

半導体部品分離装置については従来から種々の提案が行われている。

例えば、特許文献１には、プリント配線板基板に実装されているBall Grid Array（ＢＧＡ）のパッケージ構造を持つ半導体部品、例えば、半導体集積回路、半導体装置などのＩＣを、周囲の電子部品に悪影響を及ぼすおそれを無くしてプリント配線板基板から能率良く剥がせるとする半導体装置のリペア方法が提案されている。

剥離対象の半導体部品の上面よりも面積が大きい良伝熱性の伝熱板を熱硬化性樹脂を用いて半導体部品上面の全面に密着させて接着させ、前記伝熱板にヒータツールを押圧する。これにより伝熱板および半導体部品を加熱し、アンダーフィルを軟化させかつハンダを溶融させると共に熱硬化性樹脂を硬化させる。こうして熱硬化性樹脂を硬化させた状態で、引き剥がし具を半導体部品上面より外側へ突出している伝熱板の突出部に係合させ、伝熱板を半導体部品と一体にしてプリント配線板から剥がすものである。

また、特許文献２には、プリント配線板基板に実装されているＢＧＡ構造のＣＰＵ（Central Processing Unit）や、ＭＣＰ（Multi Chip Package）などのＩＣチップ（半導体部品）を、損傷することなく、プリント配線板基板から分離するという半導体部品分離方法が提案されている。

分離対象となる半導体部品と基板との間隔の５０％～９０％の直径を有する線状部材を基板との間に配置された樹脂材の端部に接触させて、前記半導体部品と前記基板との間に配置されたはんだと前記樹脂材とを軟化させる。線状部材を樹脂材の端部に接触させた状態で基板の表面に沿って移動させるものである。線状部材を基板の表面に沿って移動させる際は、樹脂材の端部に接触させた線状部材を基板側へ押し付けるとしている。

特開２００６－３０３２６６号公報 特開２０１６－１１９３３６号公報

半導体集積回路、等の半導体部品が、プリント配線板基板、等の基板に実装される場合には、Ball Grid Array（ＢＧＡ）構造が採用されることがある。ＢＧＡ構造で実装されている場合、基板と半導体部品との間は、はんだボールと、樹脂（アンダーフィル）とによって接続、固定が行われているのが一般的である。

また、電子回路基板上にはんだ接続された表面実装のPackage On Package（POP）構造など２段重ねを含む集積回路などでは、半導体部品の下面に電極が配列されている構造になる。図１は、半導体部品２の下面に複数個の電極６が配列されている状態の一例を示すものである。

プリント配線基板、等の基板に実装されている半導体集積回路、等の半導体部品を前記基板から分離する方法については上述したように種々の提案が行われている。

しかし、基板に実装されている半導体部品を前記基板から分離することは今日においても容易なことではない。

例えば、上述したＰＯＰ構造の場合、はんだ接合部であるバンプに対してはんだごてなどで外部から直接アプローチすることは困難である。

プリント配線板基板、等の基板１と、半導体集積回路、等の半導体部品２との間のはんだ接合部３に外部から衝撃などが加えられると、図２に示したように、はんだ接合部３にクラック４などが発生し、接続不良となる可能性がある。

このため、ＢＧＡ構造では、はんだ接続された半導体部品２と基板１とのの隙間に、図３図示のように、アンダーフィル（封止材）５が充填される。

アンダーフィル５は半導体部品２の接続を保護し衝撃に強くなるが、半導体部品２の不具合などで半導体部品２の交換を必要とする場合にはアンダーフィル５が存在していることで交換作業が簡単ではなくなる。

例えば、熱を加えることで、はんだは熱溶融により液状になるが、アンダーフィルは加熱してもやや軟化するものの、半導体部品を容易に剥がすことができる状態にまでは軟化しない。

このため、上述したような半導体部品の交換作業には加熱に加え力学的な方法によりアンダーフィルを破壊することが必用になる。

上述したように、従来から種々の提案が行われているが、現状では、加熱した上で、図３に示すように、手作業によりピンセットなど薄く先端の細い硬質な金属を用いて取り外しを行うことが現実的な取り外し方法になっている。

しかし、このような、手作業による取り外しでは、作業者による感覚的なセンスや、高度な技術習得が必要になる。このため、作業を行うことのできる人を選ぶことが必要になっていた。

そこで、この発明は、電子回路基板に実装されている半導体部品を、破壊することなく再利用可能な形で電子回路基板から自動的に取り外すことのできる半導体部品分離装置を提案することを目的にしている。また、この発明は、前述の半導体部品分離装置を用いた半導体部品分離方法及び、半導体部品取付方法を提案することを目的にしている。

本願発明は、以下に例示する態様を含むものである。
[１]
電子回路基板に実装されている半導体部品に対して前記半導体部品の上側から加熱を行う加熱機構と、
取り外し治具と、
前記電子回路基板と、前記半導体部品との間に、前記取り外し治具を挿入させる治具挿入機構と、
前記電子回路基板と前記半導体部品との間に挿入されている前記取り外し治具を、前記半導体部品を上側に支持している状態で、前記電子回路基板の上方向への上昇動作を行わせる治具昇降機構と
を備えている半導体部品分離装置。
[２]
前記半導体部品に対して前記取り外し治具が傾斜している角度を調整する角度調整機構を更に備えている[１]の半導体部品分離装置。
[３]
前記取り外し治具が、前記治具挿入機構によって前記電子回路基板と前記半導体部品との間に挿入される際に、前記取り外し治具が挿入される前記半導体部品の側に対向する側において前記半導体部品が移動しないように前記半導体部品を支持する半導体部品支持機構を更に備えている[１]又は[２]の半導体部品分離装置。
[４]
前記取り外し治具を加温すると共に前記取り外し治具の加温状態を調整する第一の加温機構が前記取り外し治具に付帯されている[１]～[３]のいずれかの半導体部品分離装置。
[５]
前記取り外し治具が、前記半導体部品を上側に支持している状態で、前記治具昇降機構によって前記上昇動作を行う際に、前記取り外し治具と共同して前記半導体部品を前記取り外し治具との間で保持しつつ前記上昇動作を行う半導体部品保持機構を更に備えている[１]～[４]のいずれかの半導体部品分離装置。
[６]
前記半導体部品保持機構は、バキューム吸着保持機構である[５]の半導体部品分離装置。
[７]
前記半導体部品保持機構は、前記取り外し治具と共同して前記半導体部品を前記取り外し治具との間で保持する平板状の板状保持機構である[５]の半導体部品分離装置。
[８]
前記板状保持機構を加温すると共に前記板状保持機構の加温状態を調整する第二の加温機構が前記板状保持機構に備えられている[７]の半導体部品分離装置。
[９]
前記板状保持機構は、前記半導体部品の上側面との間にわずかなクリアランスを存在させて前記半導体部品の上側面と対向し、前記取り外し治具と共同して前記半導体部品を前記取り外し治具との間で保持する[７]の半導体部品分離装置。
[１０]
前記加熱機構による前記半導体部品に対する加熱は、前記半導体部品のサイズと同等の範囲での局所的な加熱である[１]～[９]のいずれかの半導体部品分離装置。
[１１]
加熱が行われている前記半導体部品が実装されている位置の前記電子回路基板の下面側から、加熱が行われている前記半導体部品が実装されている位置における前記電子回路基板の温度状態を調整する温度調整機構を更に備えている[１]～[１０]のいずれかの半導体部品分離装置。
[１２]
前記温度調整機構は、加熱が行われている前記半導体部品が実装されている位置における前記電子回路基板を下側から加温する第二の加温機構である[１１]の半導体部品分離装置。
[１３]
前記温度調整機構は、加熱が行われている前記半導体部品が実装されている位置における前記電子回路基板に対して冷却効果を与える冷却機構である[１１]の半導体部品分離装置。
[１４]
前記冷却機構は、加熱が行われている前記半導体部品が実装されている位置における前記電子回路基板に対して下側から風を吹き付ける空冷機構である[１３]の半導体部品分離装置。
[１５]
前記冷却機構は、加熱が行われている前記半導体部品が実装されている位置における前記電子回路基板に下側から取り付けられて放熱による冷却を行う放熱冷却機構である[１３]の半導体部品分離装置。
[１６]
前記電子回路基板の下面側を加温する第三の加温機構を更に備えている[１]～[１５]のいずれかの半導体部品分離装置。
[１７]
[１]～[１６]のいずれかの半導体部品分離装置を用いて、電子回路基板に実装されている取り外し対象の半導体部品に対して上側から加熱を行いつつ、前記取り外し治具を、取り外し対象の前記半導体部品と、前記電子回路基板との間に挿入させ、前記取り外し治具を上昇させることで取り外し対象の前記半導体部品を前記電子回路基板から取り外す半導体部品分離方法。
[１８]
半導体部品の取り外しが行われた後の電子回路基板における前記半導体部品取り外し後の基板側パターン面におけるはんだ及びアンダーフィル残渣を除去する工程と、
前記電子回路基板から取り外された前記半導体部品に替えて新たに前記電子回路基板の前記基板側パターン面に取り付ける新規半導体部品へのはんだ印刷又ははんだ転写を行う工程、及び／又は、
前記電子回路基板における前記基板側パターン面にはんだ印刷又はディスペンス供給を行う工程と、
前記電子回路基板における前記基板側パターンと、前記新規半導体部品の電極の位置合わせを行う工程と、
位置合わせ後の前記新規半導体部品に対して、[１]～[１６]のいずれかの半導体部品分離装置を用いて加熱を行う工程
とを備えている電子回路基板への半導体部品取付方法。

この発明によれば、電子回路基板に実装されている半導体部品を、破壊することなく再利用可能な形で電子回路基板から自動的に取り外すことのできる半導体部品分離装置を提供することができる。また、この発明によれば、前述の半導体部品分離装置を用いた半導体部品分離方法及び、半導体部品取付方法を提供することができる。

電子回路基板上にはんだ接続された表面実装のPackage On Package（POP）構造で半導体部品の下面に複数個の電極が配列されている状態の一例を表す図。 基板と半導体部品との間のはんだ接合部に外部から衝撃などが加えられる等してはんだ接合部にクラックが発生した状態を説明する一部を省略して表す断面図。 ピンセットなど薄く先端の細い硬質な金属を用いて半導体部品を手作業で基板から取り外す状態を説明する図。 本発明の一実施形態に係る半導体部品分離装置の全体構成の一例を表す一部を省略した側面図。 本発明の一実施形態に係る半導体部品分離装置における治具挿入機構、半導体部品保持機構、半導体部品支持機構による各動作の一例を説明する一部を省略した正面図。 本発明の一実施形態に係る半導体部品分離装置における治具挿入機構、治具上昇機構、半導体部品保持機構、半導体部品支持機構による各動作の他の例を説明する一部を省略した正面図。 本発明の一実施形態に係る半導体部品分離装置において、基板に実装されている取り外し対象の半導体部品に対して、取り外し治具が、基板と半導体部品との間に挿入されるべく移動する状態を説明する一部を省略した平面図。 本発明の一実施形態に係る半導体部品分離装置において、第一の加温機構が取り外し治具に付帯されている構造の一例を説明する一部を省略した側面図。 半導体部品を基板から取り外す際に生じることがあるはんだフラッシュなどの発生メカニズムを説明する概念図。

この実施形態の半導体部品分離装置は、加熱機構７と、取り外し治具８を備えている半導体部品取り外し機構９とを備えている。

加熱機構７は、電子回路基板１に実装されている取り外し対象の半導体部品２に対して半導体部品２の上側から加熱を行って、電子回路基板１と半導体部品２との間に存在しているはんだがその融点を越えるまで加熱する加熱手段である。取り外し対象の半導体部品２に対する加熱機構７による加熱は、半導体部品２のサイズと同等の範囲での局所的な加熱である。なお、図４～図６では、電子回路基板１上にはんだ接続された表面実装のＰＯＰ構造からなる半導体部品を例示している。そこで、図４～図６では、各半導体部品をそれぞれ符号２ａ、２ｂ、２ｃで表しているが、本明細書、図面において、電子回路基板１に実装される半導体集積回路、等の半導体部品を総称して「半導体部品２」と表示することがある。

取り外し対象の半導体部品２に対する加熱機構７による上述した局所的な加熱は、取り外し対象となる半導体部品２の上部から加熱を行って、取り外し対象の半導体部品２と電子回路基板１との間に存在しているはんだが融点を超える温度まで温度上昇させるものである。

なお、加熱機構７による上述の加熱により、取り外し対象の半導体部品２と電子回路基板１との間に存在しているアンダーフィルは、その種類にもよるが、所定の温度まで加熱されることである程度まで軟化する。

上述した加熱機構７としては、熱風、赤外線、レーザーなどの熱源を用いることができる。いずれの熱源を加熱機構７として用いる場合であっても、取り外し対象となる半導体部品２のサイズと同等の範囲で上部から局所的な加熱を、所定の加熱時間行う。これにより、取り外し対象となる半導体部品２の周辺に存在している他の部品に対する熱伝播を最小値に抑えた加熱を行う。

上述した局所的な加熱を行うことに必用な温度プロファイル条件を電子回路基板１、取り外し対象の半導体部品２、電子回路基板１と取り外し対象の半導体部品２との間に存在しているはんだ、アンダーフィルの特性などに基づいてあらかじめ設定しておき、不図示の制御手段からの制御によって、熱風、赤外線、レーザーなどの熱源からなる加熱機構７に上述した局所的な加熱を行わせることができる。

上述した熱風、赤外線、レーザーなどの種々の熱源からなる加熱機構７を用いて、上述したように、取り外し対象の半導体部品２に対して、上側から、局所的に加熱を行う際、後述するように、電子回路基板１の下面から調温（加熱や、冷却）を行う機構を組み合わせることができる。

取り外し治具８は、先端部におけるその厚み（図４、図８における取り外し治具８の先端部の上下方向のサイズ）が、電子回路基板１と半導体部品２との間に挿入できる程度の薄い薄板状又は針状の治具である。図４～図６に図示されているように、少なくとも、薄板状又は針状の取り外し治具８の先端における図面中で上下方向になる厚みは、電子回路基板１に実装されている半導体部品２の下側面と、電子回路基板１の上側面との間に形成されている上下方向の隙間に挿入できる薄さを持った厚みである。

薄板状又は針状の取り外し治具８は、図５～７に矢印３０で示す方向で、電子回路基板１と半導体部品２との間に挿入される。この挿入方向に直交する方向の大きさである取り外し治具８の幅は、取り外し対象の半導体部品２の周辺で電子回路基板１に配備されている部品のサイズや、取り外し対象の半導体部品２に対して矢印３０で示す方向でアプローチする隙間の大きさに合わせて決定される。

図７図示のように、取り外し対象となる半導体部品２の周辺には、０４０２部品（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）などの微細なチップ部品１０が隙間なく実装されていることが多い。そこで、取り外し治具８が、縦に実装され、隣接している０４０２部品同士の間を通過して、矢印３０で示す方向で取り外し対象となる半導体部品２にアクセスするときには、取り外し治具８の幅は、０４０２部品（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）が縦に実装されたときの０．２ｍｍ＋実装クリアランス幅（隣のチップ部品１０との間の隙間）に対応する為、０．２ｍｍ未満であることが望ましいものとなる。ただし、周辺部品の環境が許せばこれよりも大きな幅でも良い。

このように、先端が薄く、幅が小さい薄板状又は針状の取り外し治具８は、後述するように、電子回路基板１と取り外し対象となる半導体部品２との間に挿入して、取り外し対象となる半導体部品２を電子回路基板１から取り外す際に大きな力を受ける。そこで、これに堪え得る硬質な金属製とすることが望ましい。

加熱機構７による上述した加熱により、取り外し対象の半導体部品２と電子回路基板１との間に存在しているはんだは融点を超える温度まで温度上昇することが可能である。一方、同じく、取り外し対象の半導体部品２と電子回路基板１との間に存在しているアンダーフィルは、ある程度までの軟化にとどまっていることが考えられる。このため、電子回路基板１と取り外し対象となる半導体部品２との間への後述する取り外し治具８の挿入動作や、取り外し治具８の上に半導体部品２を支持しての後述する上昇動作によって、取り外し対象の半導体部品２を電子回路基板１から取り外すための、アンダーフィルの完全破壊が行われることになる。

これらの点を考慮して、取り外し治具８は、電子回路基板１と取り外し対象となる半導体部品２との間に挿入して、取り外し対象となる半導体部品２を電子回路基板１から取り外す際に受ける大きな力に堪え得る硬質な金属製とすることが望ましい。

半導体部品取り外し機構９は、治具挿入機構と、治具昇降機構とを備えている。

治具挿入機構は、取り外し治具８を矢印３０（図５）で示す方向に移動させて、取り外し治具８を電子回路基板１と、半導体部品２ｂとの間に挿入させる機構である。

治具昇降機構は、電子回路基板１と半導体部品２ｂとの間に挿入されている取り外し治具８を、図６図示のように、半導体部品２ｂを上側に支持している状態で、矢印３１で示す電子回路基板１の上方向への上昇動作を行わせる機構である。また、上昇動作を行わせた後、治具挿入機構によって取り外し治具８を矢印３０で示す方向に移動させて電子回路基板１と半導体部品２ｂとの間に挿入させる動作が行われる位置まで取り外し治具８を下降させる動作を行わせる機構である。

治具挿入機構、治具昇降機構としてはリニア駆動方式の治具挿入機構、治具昇降機構を採用することができる。リニア駆動方式であれば、精密で、なお且つ、高い剛性を発揮させることができる。

そこで、取り外し治具８が電子回路基板１と半導体部品２ｂとの間に挿入される際に大きな力を受ける場合でも半導体部品取り外し機構９に変形が生じる、等の不具合が発生することを防止できる。

また、精密で、なお且つ、高い剛性を発揮できるリニア駆動方式の治具挿入機構、治具昇降機構を採用することで、取り外し治具８を矢印３０方向で挿入させ、矢印３１方向で上昇させる際に、取り外し治具８の挿入角度と高さを維持しながら行うことができる。取り外し治具８の挿入角度と高さを維持しながら矢印３０方向に挿入させ、矢印３１方向に上昇させることができるので、取り外し治具８の先端側が電子回路基板１の側に向かって傾く、変形する、等によって電子回路基板１を損傷させる可能性を未然に防止することもできる。

リニア駆動方式による治具昇降機構は、上述した取り外し治具８の上昇及び下降動作をスライド方式で行わせるものにすることができる。

半導体部品取り外し機構９は、更に、取り外し対象の半導体部品２に対して取り外し治具８が傾斜している角度を調整する角度調整機構を備えている構成にすることができる。

図６図示の実施形態は、取り外し治具８の基端が、電子回路基板１の上側平面に対して平行に伸びている回転支持軸１１に回転可能に支持されているものである。図６図示の実施形態では、不図示のリニア駆動機構によって、取り外し治具８が回転支持軸１１を中心として、図８に矢印３２ａ、３２ｂで示されているように回動できるようになっている。これによって、取り外し対象の半導体部品２に対して取り外し治具８が傾斜している角度を調整する角度調整機構である。取り外し対象の半導体部品２に対して取り外し治具８が傾斜している角度を調整するものであることから、上述した角度調整機構は、電子回路基板１と取り外し対象の半導体部品２との間の隙間に先端を挿入させる取り外し治具８の挿入角度を調整するものでもある。

取り外し対象の半導体部品２の周辺における微細なチップ部品１０などの周辺部品の実装密度が高い場合、周辺部品の高さが取り外し治具８に干渉する可能性がある。

上述した角度調整機構を備えていることで、このような場合に、周辺部品の高さによる干渉を避けるように、取り外し対象の半導体部品２に対して取り外し治具８が傾斜している角度を調整し、実装環境に合わせて作業を行うことができる。

また、この角度調整機構により、電子回路基板１と取り外し対象の半導体部品２との間の隙間に取り外し治具８の先端を挿入させる挿入角度を適切な挿入角度に調整することもできる。挿入角度が、図６に図示されているような、電子回路基板１に対して水平に近い状態になるほど取り外し治具８は、電子回路基板１と取り外し対象の半導体部品２との間の隙間に入り込みやすくなる。

なお、周辺部品の干渉や作業性に問題がない場合は、半導体部品取り外し機構９が、角度調整機構を備えていない構成にすることもできる。

取り外し対象の半導体部品２に対して取り外し治具８が傾斜している角度を上述したように調整できるものであれば、角度調整機構は上記で説明したものに限られず種々の機構、構成のものを採用することができる。

この実施形態の半導体部品分離装置は、更に、半導体部品支持機構１２を備えている構成にすることができる。

半導体部品支持機構１２は、図４、図５図示のように、取り外し治具８が、治具挿入機構によって電子回路基板１と半導体部品２との間に挿入される際に、取り外し治具８が挿入される半導体部品２の側に対向する側において半導体部品２が移動しないように半導体部品２を支持する。

取り外し治具８を、治具挿入機構によって電子回路基板１と半導体部品２との間に挿入する際に押し込む力が逃げてしまうと取り外し治具８の先端がスムーズに電子回路基板１と半導体部品２との間に入り込めないことがある。

このような現象が発生することを未然に防止すべく、治具挿入機構によって、取り外し治具８が電子回路基板１と半導体部品２との間に挿入される際に、図４、図５に示すように、取り外し対象の半導体部品２の反対側に半導体部品支持機構１２が配置されるものである。

このような半導体部品支持機構１２を更に備えていることで、取り外し治具８が矢印３０で示す方向に押された際に、同時に、電子回路基板１が矢印３０で示す方向にズレてしまうことを防止できる。

また、取り外し治具８が、電子回路基板１と半導体部品２との間に押し込まれたことで、半導体部品２が電子回路基板１から取り外された後にも、取り外された半導体部品２が矢印３０方向へ移動し続ける取り外し治具８によって一緒に移動することを確実に防止できる。そこで、取り外された半導体部品２が、矢印３０方向へ移動し続ける取り外し治具８によって一緒に移動することで、取り外し対象の半導体部品２の反対側に位置している周辺部品への接触を防止し二次的な周辺部品の位置ズレを防止することができる。

なお、半導体部品支持機構１２の、少なくとも半導体部品２と接触する部分は、比熱の小さな材料で形成されていることが望ましい。

上述したように、加熱機構７によって、取り外し対象の半導体部品２に対して局所的な加熱が行われるが、半導体部品支持機構１２の半導体部品２に接触している部分によって取り外し対象の半導体部品２から熱が奪われるようなことになると、半導体部品２の熱分布に温度差が生まれて、取り外しに影響が生じるおそれがある。

半導体部品支持機構１２の、少なくとも半導体部品２と接触する部分を、比熱の小さな材料で形成することにより、このような可能性を防止することができる。

上述したこの実施形態の半導体部品分離装置において、図８図示のように、第一の加温機構１３が取り外し治具８に付帯されている構成にすることができる。

第一の加温機構１３は、取り外し治具８を加温し、取り外し治具８の加温状態を調整するものである。

上述したように、加熱機構７によって、取り外し対象の半導体部品２に対して、上側から、局所的な加熱を行っても、アンダーフィルの軟化状態が不確実な場合がある。例えば、アンダーフィル材の種類によって軟化する温度の違いがあることや、複数の量の作業を行う場合に、僅かな個体差によって、アンダーフィルの軟化状態が不確実になるものである。

アンダーフィルの軟化が不十分な場合、等の原因で、取り外し治具８の先端を、電子回路基板１と半導体部品２との間に押し込み、挿入することが困難になることがある。

上述したように、取り外し治具８を加温し、取り外し治具８の加温状態を調整する第一の加温機構１３が取り外し治具８に付帯されていることで、取り外し治具８が加温され、その加温状態が調整される。これにより、取り外し対象の半導体部品２におけるはんだ、アンダーフィルも取り外し治具８を介して加温され、それらの加温状態が調整される。そこで、アンダーフィルを破壊しながら、取り外し治具８の先端を、電子回路基板１と半導体部品２との間に押し込み、挿入することが容易に行えるようになる。

これによって、取り外し対象の半導体部品２を、より確実に、また、より効率よく、電子回路基板１から取り外せるようになり、作業効率を向上させることができる。

第一の加温機構１３は、半導体部品分離装置に配備されている不図示の制御手段からの制御の下で、取り外し治具８を加温すると共に取り外し治具８の加温状態を調整する。

第一の加温機構１３を取り外し治具８に付帯する位置は図８に例示した位置に限られず、上述した取り外し治具８を加温すると共に取り外し治具８の加温状態を調整することのできる種々の位置で取り外し治具８に付帯させることができる。

なお、上述したように、加熱機構７によって、取り外し対象の半導体部品２に対して、上側から、局所的な加熱を行うことで、取り外し対象の半導体部品２におけるはんだの溶融とアンダーフィルの軟化が十分にみられる場合は、第一の加温機構１３による上述した加温調整を行うことなく半導体部品２の取り外しを行うことができる。そこで、取り外し治具８に第一の加温機構１３が付帯されていない半導体部品分離装置とすることもできる。

上述したこの実施形態の半導体部品分離装置は、更に、半導体部品保持機構を備えている構成にすることができる。

半導体部品保持機構は、取り外し治具８が、取り外し対象の半導体部品２ｂを図６図示のように、上側に支持している状態で、上述した治具昇降機構によって矢印３１で示す方向の上昇動作を行う際に、取り外し治具８と共同して取り外し対象の半導体部品２を取り外し治具８との間で保持しつつ、矢印３１で示す方向の上昇動作を行うものである。

この半導体部品保持機構は、図５に図示されているバキューム吸着保持機構１４とすることができる。取り外し治具８が、取り外し対象の半導体部品２ｂを図６図示のように、上側に支持している状態で、治具昇降機構によって矢印３１で示す方向の上昇動作を行う際に、取り外し対象の半導体部品２をバキューム吸着保持機構１４でバキューム吸引し、取り外し治具８と共同して取り外し対象の半導体部品２を取り外し治具８との間で保持しつつ、矢印３１で示す方向の上昇動作を行うものである。

また、上述の半導体部品保持機構は、図６に図示しているように、取り外し治具８と共同して取り外し対象の半導体部品２を、取り外し治具２との間で保持する平板状の板状保持機構にすることもできる。平板状の板状保持機構は、金属製または合成樹脂製にすることができる。

図６図示の平板状の板状保持機構１５は、取り外し対象の半導体部品２の上側面との間に、図6図示のように、わずかなクリアランス１６を存在させて半導体部品２の上側面と対向し、取り外し治具８と共同して半導体部品２を取り外し治具８との間で保持するものである。

平板状の板状保持機構１５の下側面と、取り外し対象の半導体部品２の上側面とがわずかなクリアランス１６を介在させて対向していることで、取り外し治具８が、取り外し対象の半導体部品２ｂを図６図示のように、上側に支持している状態で、矢印３１で示す方向の上昇動作を行う際に、取り外し治具８と共同して取り外し対象の半導体部品２を取り外し治具８との間で保持しつつ、矢印３１で示す方向の上昇動作を行うことができる。クリアランス１６の大きさはこのような動作を可能とする範囲に設定される。

また、図示していないが、図６図示のようなクリアランス１６を存在させずに、平板状の板状保持機構１５の下側面が、直接、取り外し対象の半導体部品２の上側面に当接する形態で上述した平板状の板状保持機構にすることもできる。

なお、このように、平板状の板状保持機構の下側面が、取り外し対象の半導体部品２の上側面に、直接、当接する形態で、取り外し治具８と共同して取り外し対象の半導体部品２を、取り外し治具２との間で保持する板状保持機構の場合には、当該板状保持機構を加温すると共に板状保持機構の加温状態を調整する第二の加温機構（不図示）が板状保持機構に備えられている構成にすることができる。

第二の加温機構（不図示）は、半導体部品分離装置に配備されている不図示の制御手段からの制御の下で、上述した平板状の板状保持機構を加温すると共にその加温状態を調整する。

平板状の板状保持機構の下側面が、取り外し対象の半導体部品２の上側面に、直接、当接する場合、取り外し対象の半導体部品２から熱が奪われ、加熱機構７によって加熱されている取り外し対象の半導体部品２と電子回路基板１との間に存在しているはんだ、アンダーフィルが硬化してしまうと取り外しが困難になる場合がある。

図６に図示しているように、わずかなクリアランス１６が存在している場合にはこのような問題は生じないが、平板状の板状保持機構の下側面が、取り外し対象の半導体部品２の上側面に、直接、当接する場合には、上述した第二の加温機構（不図示）が板状保持機構に備えられていることで、このような不具合が生じることを防止できる。

半導体部品分離装置が、取り外し対象の半導体部品２を電子回路基板１から取り外して上昇させる際に、半導体部品２が矢印３０で示す取り外し治具８の挿入方向に対して左右又は手前へ傾くことで、取り外し対象の半導体部品２の周辺部品と接触してしまうおそれがある。このような時に、加熱手段７によって取り外し対象の半導体部品２に対して上側から局所的に行っていた加熱により周辺部品にも熱が伝わって、ときにははんだの溶融が生じることがある。そこで、上昇移動する半導体部品２が前述したように傾く等して周辺の部品に接触すると周辺部品が位置ズレを起こすことになる。

半導体部品分離装置が上述した半導体部品保持機構を備えていることで、このような問題が生じる可能性を未然に防止することができる。

上述したように、半導体部品分離装置が半導体部品支持機構１２を備えていることで、取り外し治具８が半導体部品２の方向に向かってくる矢印３０で示す方向での半導体部品２のズレは抑制することができる。

半導体部品保持機構が、取り外し治具８が、取り外し対象の半導体部品２ｂを図６図示のように、上側に支持している状態で、矢印３１で示す方向の上昇動作を行う際に、取り外し治具８と共同して取り外し対象の半導体部品２を取り外し治具８との間で保持しつつ、矢印３１で示す方向の上昇動作を行うようにする。これによって、取り外し対象の半導体部品２が電子回路基板１から取り外されて、取り外し治具８に支持されて上昇する際の、上述した矢印３０で示す取り外し治具８の挿入方向に対して左右又は手前へ半導体部品２が傾くことを防止できる。

半導体部品保持機構を上述したバキューム吸着保持機構１４（図５）にする場合は、取り外し対象の半導体部品２の上側から下降させ、半導体部品２を吸着・保持しながら取り外し治具８と一緒に上昇させる形態にすることができる。

バキューム吸着保持機構１４によって吸着・保持する。そこで、電子回路基板１と取り外し対象となる半導体部品２との間への取り外し治具８の挿入動作や、取り外し治具８の上に半導体部品２を支持しての上昇動作によって、取り外し対象の半導体部品２を電子回路基板１から取り外すための、アンダーフィルの完全破壊に関して、バキューム吸着保持機構１４からの吸引力も作用することになる。

なお、バキューム吸着保持機構１４（図５）は、取り外し対象となる半導体部品２に対する加熱機構７による局所的な加熱に邪魔にならない位置で待機させ、加熱機構７からの加熱によってはんだ溶融温度に到達する前、あるいは、はんだ溶融後に、バキューム吸着保持機構１４を半導体部品２の上側から下降させる形態にすることができる。

半導体部品保持機構を上述した平板状の板状保持機構にする場合も、取り外し対象となる半導体部品２に対する加熱機構７による局所的な加熱に邪魔にならない位置で板状保持機構を待機させ、加熱機構７からの加熱によってはんだ溶融温度に到達する前、あるいは、はんだ溶融後に、図６図示の状態にまで板状保持機構１５を半導体部品２の上側から下降させる、あるいは、図示していないが、板状保持機構１５の下側面が半導体部品２の上側面に当接するまで下降させる。そして、治具昇降機構によって取り外し治具８が、取り外し対象の半導体部品２ｂを図６図示のように、上側に支持している状態で、矢印３１で示す方向の上昇動作を行う際に、取り外し治具８と共同して取り外し対象の半導体部品２を取り外し治具８との間で保持しつつ、矢印３１で示す方向の上昇動作を行うことで、取り外し対象の半導体部品２が電子回路基板１から取り外されて、取り外し治具８に支持されて上昇する際の、上述した矢印３０で示す取り外し治具８の挿入方向に対して左右又は手前へ半導体部品２が傾くことを防止できる。

上述したこの実施形態の半導体部品分離装置は、更に、加熱が行われている半導体部品２が実装されている位置の電子回路基板１の下面側から、加熱が行われている半導体部品２が実装されている位置における電子回路基板１の温度状態を調整する温度調整機構を備えている構成にすることができる。

この実施形態の半導体部品分離装置を用いて電子回路基板１から取り外す対象となる半導体部品は、集積回路部品が主で、その実装位置の電子回路基板１の真裏や、周辺に実装された別の集積回路部品には、取り外し対象になっている半導体部品と同じようにアンダーフィルが充填されていることが多い。

この実施形態の半導体部品分離装置を用いて半導体部品２を電子回路基板１から取り外す際には、上述したように、加熱機構７によって取り外し対象の半導体部品２に対する局所的な加熱が上側から行われるが、この加熱によって、取り外し対象の半導体部品２と電子回路基板１との間に存在しているはんだが溶融する際に、はんだフラッシュなどの不具合が生起されることがある。

図１０を用いてこのメカニズムを説明する。はんだが熱膨張する体積変化に対しアンダーフィルの流動化が起きない為、膨張したはんだが行き場を失いアンダーフィル材と半導体部品２又は電子回路基板１の界面を破り、図１０に符号１７で示しているブリッジ（ショート）や、符号１８で示しているオープン（はんだ未接続）を発生させ、２次的な不具合を引き起こしてしまうものである。

そこで、取り外し対象ではない部品に対しては、当該部品と電子回路基板１との間に存在しているはんだを溶融温度に到達させない温度管理を行うことが望ましい。

上述したように、加熱機構７による加熱は、取り外し対象となる半導体部品２のサイズと同等の範囲で上部から局所的な加熱を、所定の加熱時間行い、これによって、取り外し対象となる半導体部品２の周辺に存在している他の部品に対する熱伝播を最小値に抑えたものであるので、この状態で周辺への熱影響が確認されないものであれば、上述した温度調整機構を設ける必要はない。

ただし、周辺部品への熱影響が懸念される場合には、上述した２次的な不具合が発生するおそれがあるので、これを未然に防止すべく、上述した温度調整機構を設けておくことが望ましい。

上述した温度調整機構を設けておくことで、電子回路基板１と周辺部品の温度上昇を防ぎ、熱伝播を抑えて、取り外し対象の半導体部品２と、周辺部品との温度差を確保することができる。

加熱が行われている半導体部品２が実装されている位置の電子回路基板１の下面側から、加熱が行われている半導体部品２が実装されている位置における電子回路基板１の温度状態を調整する上述の温度調整機構としては、加熱が行われている半導体部品２が実装されている位置における電子回路基板１を下側から加温する第二の加温機構１９（図４）を採用することができる。

上述した温度調整機構は、電子回路基板１と周辺部品の温度上昇を防ぎ、熱伝播を抑えて、取り外し対象の半導体部品２と、周辺部品との温度差を確保するものであるから、一般的には、冷却を行うことになる。上述したように、電子回路基板１を下側から加温する第二の加温機構１９（図９）を用いるのは、完全な冷却効果だけの場合、温度を引き過ぎてしまい取り外し対象の半導体部品２の温度が上述したようにハンダを溶融させることに必要な温度にまで上がらなくなってしまうことがあるからである。

電子回路基板１を下側から加温する第二の加温機構１９（図４）を用いることでこのようになることを防ぐことができる。

上述したように、加熱機構７からの加熱を行う際には、必用な温度プロファイル条件をあらかじめ設定しておき、不図示の制御手段からの制御によって加熱機構７に局所的な加熱を行わせている。第二の加温機構１９によって電子回路基板１を下側から加温する場合も、必用な温度プロファイル条件をあらかじめ設定しておき、不図示の制御手段からの制御によって第二の加温機構１９による上述の加温を行うことができる。

また、加熱が行われている半導体部品２が実装されている位置の電子回路基板１の下面側から、加熱が行われている半導体部品２が実装されている位置における電子回路基板１の温度状態を調整する上述の温度調整機構としては、加熱が行われている半導体部品２が実装されている位置における電子回路基板１に対して下側から冷却効果を与える冷却機構を採用することもできる。

電子回路基板１が比熱が大きな基板である場合には、冷却効果を与える冷却機構を採用することが望ましい。

この冷却機構としては、加熱が行われている半導体部品２が実装されている位置における電子回路基板１の下側面に対して風を吹き付ける空冷機構（不図示）を採用することができる。空冷機構による冷却も、必用な温度プロファイル条件をあらかじめ設定しておき、不図示の制御手段からの制御によって空冷機構（不図示）から電子回路基板１の下側面に対して所望の風量、風速で風を吹き付ける構成にすることができる。

また、冷却機構として加熱が行われている半導体部品２が実装されている位置における電子回路基板１の下側面に取り付けられて放熱による冷却を行う放熱冷却機構(不図示)を採用することもできる。放熱冷却機構としては、ヒートシンクや熱伝導材などを採用することができ、これらが、加熱が行われている半導体部品２が実装されている位置における電子回路基板１の下側面に貼り付け、等によって取り付けられている構成を採用することができる。

なお、空冷機構（不図示）と、放熱冷却機構(不図示)とを併用することもできる。

また、上述した、第二の加温機構１９と、冷却機構（空冷機構あるいは、放熱冷却機構、又はこれらの双方）とを併用することもできる。

この実施形態の半導体部品分離装置は、更に、電子回路基板１の下面側を加温する第三の加温機構を備えている構成にすることができる。

上述したように、加熱機構７による上からの局所的な加熱と、電子回路基板１の下側からの温度調整機構による上述した温度調整を行っても取り外し対象の半導体部品２内で温度のばらつきが生じることがあるある。これは、取り外し対象の半導体部品２のグランドラインが、電子回路基板１の内装のグランド層（ベタ層）に接続されている為、取り外し対象の半導体部品２に対して局所的に加熱を行っても、内層に熱が逃げてしまい半導体部品２のグランドライン電極の温度だけが上がらずにコールドソルダーが引き起こされるものである。

このコールドソルダーは、取り外し対象の半導体部品２を取り外す際に基板パターンのピールオフを引き起こす原因となる。そこで、この対策を行っておくことが望ましい。この対策としては、電子回路基板１全体のプリヒート効果が有効である。

上述した、電子回路基板１の下面側を加温する第三の加温機構は、電子回路基板１全体のプリヒート効果を発揮させるために採用されるものである。

図４図示の実施形態では、電子回路基板１の下側に、第三の加温機構として、赤外線ヒーター２０を配置している。赤外線ヒーター以外の熱源を採用することもできるが、赤外線ヒーターのように、熱の浸透性の高い熱源を採用することが望ましい。

赤外線ヒーター２０によって、例えば、電子回路基板１全体の温度を１５０℃以上に保持しつつ、半導体部品分離装置による、上述した、半導体部品２の取り外しを行う。このようにすることで、取り外し対象の半導体部品２に対して局所的に与えた熱が半導体部品２から逃げず、電子回路基板１内のΔtをまとめてコールドソルダーのない取り外しを行える。

以上に説明したこの実施形態の半導体部品分離装置により、電子回路基板に実装されている半導体部品を、破壊することなく、再利用可能な形で電子回路基板から自動的に取り外すことができる。また、半導体部品の取り外しが行われた後の電子回路基板における半導体部品取り外し後の基板側パターン面に対して新しい半導体部品を取り付けることができる。以下に、これらの一例を紹介する。

＜半導体部品の分離方法＞
上述した実施形態の半導体部品分離装置を用いた半導体部品分離方法は次のようにして行われる。

（取り外し対象の半導体部品に対する局所的な加熱工程）
上述した実施形態の半導体部品分離装置における加熱機構７により、上記で説明した種々の実施形態で、取り外し対象の半導体部品２に対して、取り外し対象の半導体部品２の周辺に存在している周辺部品への熱伝搬を最小値に抑えた、局所的な加熱を行う。

これによって、取り外し対象の半導体部品２と電子回路基板１との間に存在しているはんだがその融点を越えるようになるまで加熱する。

また、この加熱によって、取り外し対象の半導体部品２と電子回路基板１との間に存在しているアンダーフィルを軟化させる。

（取り外し治具の挿入）
引き続いて、半導体部品取り外し機構９が備えている治具挿入機構、治具昇降機構による上述した動作により、取り外し治具８を、取り外し対象の半導体部品２と電子回路基板１との間に挿入させる。

この際、必要があれば、上述した角度調整機構により、電子回路基板１と取り外し対象の半導体部品２との間の隙間に先端を挿入させる取り外し治具８の挿入角度を適宜調整する。

また、取り外し対象の半導体部品２が移動しないように、半導体部品支持機構１２を上述したように動作させる。

なお、取り外し治具８、はんだ、アンダーフィルに対する第一の加温機構１３による加温、調温は、必要に応じて、適宜実施する。

（取り外し対象の半導体部品２の分離）
引き続いて、取り外し対象の半導体部品２を上側に支持している状態の取り外し治具８を半導体部品取り外し機構９が備えている治具昇降機構による上述した上昇動作により、電子回路基板１から分離させる。

取り外し対象の半導体部品２と電子回路基板１との間に取り外し治具８が挿入された際にアンダーフィルが部分的にしか破壊されていないときには、この上昇動作によってアンダーフィルが全壊されることになる。

なお、上述した半導体部品保持機構を使用し、半導体部品保持機構と取り外し治具８とが共同して、半導体部品保持機構と取り外し治具８との間に半導体部品２を保持しつつ上昇動作を行うことで、半導体部品２を電子回路基板１から分離させることもできる。

また、上述した温度調整機構によって、温度状態が、半導体部品２の取り外しに好適になるように調温を行いつつ取り外し治具の挿入、取り外し対象の半導体部品２の分離を行う。すなわち、取り外し対象の半導体部品２に対する、加熱機構７による上側からの局所的な加熱と、取り外し対象の半導体部品２の周辺の部品に対する熱影響を抑制するための上述した調温機構による電子回路基板１の下側からの上述した加温あるいは冷却による調温、更には、上述した第三の加温機構による電子回路基板１の下面側に対する全体的な加温を行いつつ、上述した取り外し治具の挿入、取り外し対象の半導体部品２の分離を行う。

＜半導体部品の取付方法＞
上述した実施形態の半導体部品分離装置を用いた半導体部品取付方法は次のようにして行われる
半導体部品２の取り外しが行われた後の電子回路基板１における半導体部品取り外し後の基板側パターン面におけるはんだ及びアンダーフィル残渣を除去する。

電子回路基板１から取り外された半導体部品２に替えて新たに電子回路基板１の基板側パターン面に取り付ける新規半導体部品へのはんだ印刷又ははんだ転写を行う。

あるいは、
電子回路基板１における前記基板側パターン面にはんだ印刷又はディスペンス供給を行う。

なお、新規半導体部品へのはんだ印刷又ははんだ転写と、電子回路基板１における基板側パターン面にはんだ印刷又はディスペンス供給との双方を行うことにしてもよい。

次に、電子回路基板１における前記基板側パターンと、前記新規半導体部品の電極の位置合わせを行う。

その後、位置合わせ後の前記新規半導体部品に対して、上述した実施形態の半導体部品分離装置における加熱機構７により局所的な加熱を行って、新規半導体部品を電子回路基板１に取り付ける。

なお、加熱は周辺部品への熱影響により不具合が発生することが課題となるため、取り外しを行うときと同じように、上述した温度調整機構によって、温度状態が、半導体部品の取り付けに好適になるように調温を行う。すなわち、取り付け位置に上述したように位置合わせされた前記新規半導体部品に対する、加熱機構７による上側からの局所的な加熱と、周辺の部品に対する熱影響を抑制するための上述した調温機構による電子回路基板１の下側からの上述した加温あるいは冷却による調温、更には、上述した第三の加温機構による電子回路基板１の下面側に対する全体的な加温を行いつつ、新規半導体部品の電子回路基板１への取り付けを行う。

以上、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲の記載から把握される技術的範囲において種々に変更可能である。

Claims (21)

1. 電子回路基板に実装されている半導体部品に対して前記半導体部品の上側から加熱を行い、前記電子回路基板と前記半導体部品との間に存在しているはんだが少なくともその融点を超えるまで加熱する加熱機構と、
   取り外し治具と、
   前記加熱機構による前記加熱によって軟化しているアンダーフィルが存在している、前記電子回路基板と、前記半導体部品との間に、前記取り外し治具を挿入させて前記アンダーフィルを破壊する治具挿入機構と、
   前記電子回路基板と前記半導体部品との間に挿入されている前記取り外し治具を、前記半導体部品を上側に支持している状態で、前記電子回路基板の上方向への上昇動作を行わせる治具昇降機構と
   を備えている半導体部品分離装置。
2. 前記半導体部品に対して前記取り外し治具が傾斜している角度を調整する角度調整機構を更に備えている請求項１記載の半導体部品分離装置。
3. 前記取り外し治具が、前記治具挿入機構によって前記電子回路基板と前記半導体部品との間に挿入される際に、前記取り外し治具が挿入される前記半導体部品の側に対向する側において前記半導体部品が移動しないように前記半導体部品を支持する半導体部品支持機構を更に備えている請求項１又は２記載の半導体部品分離装置。
4. 前記取り外し治具を加温すると共に前記取り外し治具の加温状態を調整する第一の加温機構が前記取り外し治具に付帯されている請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体部品分離装置。
5. 前記取り外し治具が、前記半導体部品を上側に支持している状態で、前記治具昇降機構によって前記上昇動作を行う際に、前記取り外し治具と共同して前記半導体部品を前記取り外し治具との間で保持しつつ前記上昇動作を行う半導体部品保持機構を更に備えている請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体部品分離装置。
6. 前記半導体部品保持機構は、バキューム吸着保持機構である請求項５記載の半導体部品分離装置。
7. 前記半導体部品保持機構は、前記取り外し治具と共同して前記半導体部品を前記取り外し治具との間で保持する平板状の板状保持機構である請求項５記載の半導体部品分離装置。
8. 前記板状保持機構を加温すると共に前記板状保持機構の加温状態を調整する第二の加温機構が前記板状保持機構に備えられている請求項７記載の半導体部品分離装置。
9. 前記板状保持機構は、前記半導体部品の上側面との間にわずかなクリアランスを存在させて前記半導体部品の上側面と対向し、前記取り外し治具と共同して前記半導体部品を前記取り外し治具との間で保持する請求項７記載の半導体部品分離装置。
10. 前記加熱機構による前記半導体部品に対する加熱は、前記半導体部品のサイズと同等の範囲での局所的な加熱である請求項１～９のいずれか一項に記載の半導体部品分離装置。
11. 加熱が行われている前記半導体部品が実装されている位置の前記電子回路基板の下面側から、加熱が行われている前記半導体部品が実装されている位置における前記電子回路基板の温度状態を調整する温度調整機構を更に備えている請求項１～１０のいずれか一項に記載の半導体部品分離装置。
12. 前記温度調整機構は、加熱が行われている前記半導体部品が実装されている位置における前記電子回路基板を下側から加温する第三の加温機構である請求項１１記載の半導体部品分離装置。
13. 前記温度調整機構は、加熱が行われている前記半導体部品が実装されている位置における前記電子回路基板に対して冷却効果を与える冷却機構である請求項１１記載の半導体部品分離装置。
14. 前記冷却機構は、加熱が行われている前記半導体部品が実装されている位置における前記電子回路基板に対して下側から風を吹き付ける空冷機構である請求項１３記載の半導体部品分離装置。
15. 前記冷却機構は、加熱が行われている前記半導体部品が実装されている位置における前記電子回路基板に下側から取り付けられて放熱による冷却を行う放熱冷却機構である請求項１３記載の半導体部品分離装置。
16. 前記電子回路基板の下面側を加温する第四の加温機構を更に備えている請求項１～１５のいずれか一項に記載の半導体部品分離装置。
17. 電子回路基板に実装されている半導体部品を前記電子回路基板から取り外す方法及び、半導体部品の取り外しが行われた後の前記電子回路基板における半導体部品取り外し後の基板側パターン面に新しい半導体部品を取り付ける方法との双方に使用できる請求項１～請求項１６のいずれか一項に記載の半導体部品分離装置。
18. 電子回路基板に実装されている半導体部品に対して前記半導体部品の上側から加熱を行い、少なくとも前記電子回路基板と前記半導体部品との間に存在しているはんだがその融点を超えるまで加熱する加熱機構と、
    取り外し治具と、
    前記加熱機構による前記加熱によって軟化しているアンダーフィルが存在している、前記電子回路基板と、前記半導体部品との間に、前記取り外し治具を挿入させて前記アンダーフィルの少なくとも一部を破壊する治具挿入機構と、
    前記電子回路基板と前記半導体部品との間に挿入されている前記取り外し治具を、前記半導体部品を上側に支持している状態で、前記電子回路基板の上方向への上昇動作を行わせて前記アンダーフィルを全壊する治具昇降機構と
    を備えている半導体部品分離装置。
19. 電子回路基板に実装されている半導体部品に対して前記半導体部品の上側から加熱を行う加熱機構と、
    取り外し治具と、
    前記電子回路基板と、前記半導体部品との間に、前記取り外し治具の先端を挿入させる治具挿入機構と、
    前記電子回路基板と前記半導体部品との間に挿入されている前記取り外し治具を、前記半導体部品を上側に支持している状態で、前記電子回路基板の上方向への上昇動作を行わせる治具昇降機構と、
    前記取り外し治具に付帯されている、前記取り外し治具を加温すると共に前記取り外し治具の加温状態を調整することで、前記電子回路基板と前記半導体部品との間に存在しているはんだ、アンダーフィルを、前記取り外し治具を介して加温する第一の加温機構と
    を備えている半導体部品分離装置。
20. 請求項１～請求項１６のいずれか一項に記載されている半導体部品分離装置を用いて、前記加熱機構によって、電子回路基板に実装されている取り外し対象の半導体部品に対して上側から加熱を行って前記電子回路基板と前記半導体部品との間に存在しているはんだを少なくともその融点を超えるまで加熱すると共に前記電子回路基板と前記半導体部品との間に存在しているアンダーフィルを軟化させつつ、前記取り外し治具を、取り外し対象の前記半導体部品と、前記電子回路基板との間に挿入させ、前記取り外し治具を上昇させることで軟化している前記アンダーフィルを破壊して、取り外し対象の前記半導体部品を前記電子回路基板から取り外す半導体部品分離方法。
21. 請求項１～請求項１６のいずれか一項に記載されている半導体部品分離装置を用いて、前記加熱機構によって、電子回路基板に実装されている取り外し対象の半導体部品に対して上側から加熱を行って前記電子回路基板と前記半導体部品との間に存在しているはんだを少なくともその融点を超えるまで加熱すると共に前記電子回路基板と前記半導体部品との間に存在しているアンダーフィルを軟化させつつ、前記取り外し治具を、取り外し対象の前記半導体部品と、前記電子回路基板との間に挿入させて前記アンダーフィルの少なくとも一部を破壊し、前記取り外し治具を上昇させることで前記アンダーフィルを全壊して、取り外し対象の前記半導体部品を前記電子回路基板から取り外す半導体部品分離方法。

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