KR100314974B1 - 부품 탈부착 방법 및 그 장치 - Google Patents

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포만 제프리 엘
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Abstract

본 발명은 땜납 볼 그리드 어레이를 구비하는 부품을 회로화된 기판으로부터 탈착시키는 방법 및 장치에 관한 것이다. 땜납 볼은 제 1 온도에서 용융된다. 부품은 제 1 온도보다 높은 제 2 온도 이상에서는 손상된다. 이 방법은 부품 위에 열 차폐체(thermal shield)를 위치시키는 단계를 포함한다. 다음 단계에서, 땜납 볼 그리드 어레이를 구비하는 부품과 회로화된 기판을 제 1 온도보다 낮은 제 3 온도로 가열한다. 다음 단계에서, 땜납 볼이 제 1 온도에 도달하여 땜납 결합부 혹은 볼을 리플로우시키는 반면, 부품의 다른 부분은 제 2 온도 미만에 도달하도록 기결정된 시간 동안 제 4 온도의 고온 가스 흐름을 열 차폐체 주변 주위에 공급한다. 이때, 부품은 회로화된 기판에 부착되거나 기판으로부터 탈착된다. 땜납 볼 그리드 어레이를 구비하는 부품을 회로화된 기판에 부착하기 위한 상기 방법과 유사한 방법 또한 제공된다.

Description

부품 탈부착 방법 및 그 장치{METHOD AND APPARATUS FOR INSULATING MOISTURE SENSITIVE PBGA'S}
본 발명은 전자 패키징(electronic packaging) 분야에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 습기에 민감한 플라스틱 볼 그리드 어레이(plastic ball grid array : PBGA) 모듈을 회로화된 기판에 부착하거나 기판으로부터 탈착시키는 동안에 절연시키는 방법 및 장치에 관한 것이다.
전형적으로, 하나 이상의 반도체 칩 혹은 그와 유사한 전자 소자는 제 1 회로화된 기판(반도체 칩 캐리어(chip carrier) 혹은 보다 일반적으로 제 1 레벨 전자 패키지 혹은 모듈로 명명됨) 상에 탑재되고, 제 1 회로화된 기판은 인쇄 회로 카드 혹은 인쇄 회로 기판(printed circuit board : PCB)과 같은 제 2 회로화된 기판(보다 일반적으로 제 2 레벨 전자 패키지 혹은 모듈로 명명됨) 상에 탑재된다. 제 1 레벨 전자 모듈 상에 탑재된 전자 소자는 제 1 레벨 모듈의 회로를 통해 제 2 전자 모듈의 회로에 전기적으로 접속된다. 이 결과 형성된 구조는 컴퓨터 또는 그와 유사한 장비의 일부분으로 사용될 수 있다.
반도체 칩 혹은 그와 유사한 전자 소자는 패드 상에 탑재될 수 있으며, 패드는 칩 캐리어 상에 형성된 회로의 일부분이다. 칩 캐리어를 반도체 칩에 탑재시키기 위해 통상적인 기법들이 사용된다. 하나의 그러한 기법은 패드에 대응하는 땜납 볼과 같은 땜납 범프(bump)를 사용하는 땜납 리플로우(reflow)로 명명된다. 칩 캐리어 상의 각각의 접촉 패드가 칩 상의 적절한 땜납 볼 상에 위치하게 하고, 땜납을 액화시키고 칩 캐리어 상의 각각의 접촉 패드를 칩 상의 마주보는 땜납 범프에 본딩(bonding)시키기 위하여 그 조립품을 가열한다. 패드 및 범프 혹은 볼은 전형적으로 볼 그리드 어레이(ball grid array : BGA)라 불리는 면어레이(area array) 내에 위치한다. 칩, 칩 캐리어, BGA는 함께 제 1 레벨 전자 패키지 혹은 모듈을 형성한다. 이어서, 제 1 레벨 모듈은 PCB 상의 도전성 패드 어레이에 대응하는 땜납 볼 그리드를 사용하여 거의 같은 방법으로 PCB에 부착된다.
PBGA 모듈은 습기에 민감하다. PBGA를 PCB로부터 탈착하거나 PCB에 부착하는 사양(specification)에 따르면 정렬된 양호한 PBGA를 PCB에 부착하거나 결함있는 PBGA를 PCB로부터 탈착하기 위한 리플로우 중에 PBGA의 하단부 상의 땜납 볼이 대략 200℃에 이르는 반면 칩 상부의 보호판(cover plate)은 220℃를 초과할 수 없다. 220℃를 초과하는 온도에 노출되면 칩이 손상될 수 있다.
이러한 공정에 사용되는 재생 기구(rework tool)의 구조상의 한계 때문에 어려움이 야기된다. 인쇄 회로 기판(PCB)은 PCB와 PCB의 제 1 레벨 모듈을 상온과 135℃ 사이의 어떤 온도로 가열하는 바이어스 베이(bias bay)에 잠입된다. 바이어스 베이는 PCB를 150℃까지 균일하게 가열하도록 제한된다. PBGA와 PCB 사이의 땜납 결합부(탈착시키는 경우) 혹은 땜납 볼(부착하는 경우)을 가열하기 위해, 고온 가스가 PBGA 상부로 공급되어야 한다. 고온 가스의 요구되는 온도는 최소 230℃이다.
PBGA 상에 부착된 보호판이 이 구조물 중에서 고온 가스를 제일 먼저 접하는 부분이라는 것 때문에 문제가 발생한다. 용융될 땜납 결합부 혹은 볼은 이 구조내에서 많은 층 하부에 위치한다. 이 기구 구조에 따르면 보호판 온도를 220℃ 미만으로 유지시키면서 땜납 결합부 혹은 볼을 200℃까지 가열하는 것은 불가능하다. 양면 제품(카드의 상부 및 하부 상 모두에 PBGA가 존재함)은 탈부착면(site)을 재생하는 데에 어려움을 가중시킨다. 또한, 칩을 가로질러 고온 가스가 흐르기 때문에, 제 1 레벨 모듈 상에서 칩을 캐리어에 결합시키는 땜납 볼이 PCB에 제 1 레벨 모듈을 부착하거나 탈착시키는 동안에 리플로우할 수 있다. 이에 따라 칩과 캐리어 사이가 개방될 수 있으며, 혹은 궁극적으로 땜납 결합부의 장애를 가져올 과도한 인터메탈릭 성장(excessive intermetallic growth)이 초래될 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 습기 민감형 PBGA의 탈착 혹은 부착 중에 PBGA를 절연시킴으로써 칩이 고온에 노출됨으로 인해 손상되는 것을 방지하기 위한 방법 및 구조를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 습기 민감형 PBGA의 탈착 혹은 부착 중에 PBGA를 절연시킴으로써 제 1 레벨 모듈을 부착하거나 탈착시키는 동안에 제 1 레벨 모듈의 땜납 볼이 리플로우하는 것을 방지하기 위한 방법 및 구조를 제공하는 것이다.
이에 따라, 땜납 볼 그리드 어레이를 구비하는 부품을 회로화된 기판에 부착하는 방법이 제공된다. 땜납 볼은 제 1 온도에서 용융된다. 부품은 제 1 온도보다 높은 제 2 온도 이상에서 손상된다. 이 방법은 제 1 온도보다 낮은 제 3 온도로 회로화된 기판을 예열하는 제 1 단계를 포함한다. 제 2 단계에서는 부품을 회로화된 기판 상에 위치시킨다. 제 3 단계에서는 부품 위에 열 차폐체를 위치시킨다. 제 4 단계에서는 땜납 볼이 제 1 온도에 도달하여 땜납 결합부를 형성하되, 부품의 다른 부분은 제 2 온도 미만의 온도를 갖도록 기결정된 시간 동안 제 4 온도의 고온 가스 흐름을 열 차폐체 주변 주위로 공급한다.
이와 유사하게, 땜납 결합부 그리드 어레이를 구비하는 부품을 회로화된 기판으로부터 탈착시키는 방법 또한 제공된다. 이 방법은 부품 위에 열 차폐체를 위치시키는 제 1 단계를 포함한다. 제 2 단계에서는 땜납 결합부 그리드 어레이를 구비하는 부품과 회로화된 기판을 제 1 온도보다 낮은 제 3 온도로 가열한다. 제 3 단계에서는 땜납 결합부가 제 1 온도에 도달하여 땜납 결합부를 해체하되, 부품의 다른 부분은 제 2 온도 미만의 온도를 갖도록 기결정된 시간 동안 제 4 온도의 고온 가스 흐름을 열 차폐체 주변 주위로 공급한다. 제 4 단계에서는 회로화된 기판으로부터 부품을 탈착시킨다.
또한, 땜납 볼 그리드 어레이를 구비하는 부품을 회로화된 기판에 부착하기 위한 장치가 제공되며, 이 장치는 부품을 회로화된 기판 상에 위치시키는 수단과, 부품 위에 위치하는 열 차폐체와, 회로화된 기판을 제 1 온도보다 낮은 제 3 온도로 예열하는 수단과, 땜납 볼이 제 1 온도에 도달하여 땜납 결합부를 형성하되, 부품의 다른 부분은 제 2 온도 미만의 온도를 갖도록 기결정된 시간 동안 제 4 온도의 고온 가스 흐름을 열 차폐체 주변 주위로 공급하는 수단을 포함한다.
이와 유사하게, 땜납 결합부 그리드 어레이를 구비하는 부품을 회로화된 기판으로부터 탈착시키는 장치 또한 제공된다. 이 장치는 부품 위에 위치하는 열 차폐체와, 땜납 결합부 그리드 어레이를 구비하는 부품과 회로화된 기판을 제 1 온도보다 낮은 제 3 온도로 예열하는 수단과, 땜납 결합부가 제 1 온도에 도달하여 땜납 결합부를 해체하되, 부품의 다른 부분은 제 2 온도 미만의 온도를 갖도록 기결정된 시간 동안 제 4 온도의 고온 가스 흐름을 열 차폐체 주변 주위에 공급하는 수단과, 부품을 회로화된 기판으로부터 탈착시키는 수단을 포함한다.
본 발명에 따른 방법 및 장치의 바람직한 실시예에서, 회로화된 기판은 인쇄 회로 기판이고 부품은 반도체 칩과 칩 캐리어 모듈이다.
도 1은 본 발명에 따른 PBGA 모듈의 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 PBGA 장치의 개략도,
도 3은 본 발명에 따라 회로화된 기판에 부품을 부착하는 방법의 흐름도,
도 4는 본 발명에 따라 회로화된 기판으로부터 부품을 탈착시키는 방법의 흐름도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100 : 부품 150 : 회로화된 기판
200 : 부품 부착 장치 202 : 진공 튜브
204 : 진공 제공부 206, 218 : 도관
208 : 스테이지 210 : 가열된 분위기
212 : 몸체 214 : 노즐
216 : 고온 가스 공급부 220 : 펌프
본 발명의 장치 및 방법의 이들 및 다른 특성, 측면, 장점은 다음의 상세한 설명, 첨부된 특허 청구 범위, 첨부된 도면을 참조하면 보다 잘 이해될 것이다.
본 발명이 많은 다양한 유형의 부품 및 회로화된 기판에 적용 가능하나, 본 발명자들은 본 발명이 특히 인쇄 회로 기판과 반도체 칩 및 칩 캐리어 모듈의 환경에서 유용한 것을 발견하였다. 그러므로, 본 발명의 적용성을 인쇄 회로 기판과 반도체 칩 및 칩 캐리어 모듈로 한정하지 않고 그러한 환경에서 본 발명을 설명할 것이다.
도 1을 참조하면, 일반적으로는 참조 번호(100)에 의해 표시되며, 한편으로는 부품으로 지칭되는 PBGA 모듈을 도시하고 있다. 부품(100)은 바람직하게는 PCB인 회로화된 기판(150) 상부에 위치한다. 부품(100)은 C4 공정과 같이 기술분야에서 잘 알려진 공정을 통해 제 1 BGA(106)에 의해 칩 캐리어(104)에 부착된 반도체칩(102)을 구비한다. 반도체 칩(102)과 칩 캐리어(104)는 제 1 레벨 패키지 혹은 모듈을 구성한다. 제 1 레벨 모듈은 반도체 칩(102)에 부착된 보호판(108)도 포함하는 것이 바람직하고, 칩의 기계적 신뢰성, 열적 장벽, 물리적 외형을 위해 보호판(108)은 스테인레스 스틸로 만드는 것이 바람직하다. 제 1 레벨 모듈은 또한 바람직하게 하부 충진부(underfill)(110)를 포함하며, 하부 충진부(110)는 바람직하게는 제 1 땜납 볼(106)과 그에 대응하는 칩 캐리어(104) 상의 도전성 패드(도시 안됨) 사이에 위치하는 땜납 결합부 내의 기계적 응력을 감소시키기 위한 충진제를 포함하는 에폭시이다.
부품(100)은 또한 제 2 볼 그리드 어레이(112)를 포함하는데, 제 2 볼 그리드 어레이(112)는 칩 캐리어(104)에 부착되어 있고 제 2 BGA(112)를 구성하는 개개의 땜납 볼이 바람직하게는 PCB인 회로화된 기판(150) 상의 땜납 패드(도시 안됨)에 대응하도록 정렬된다. 제 2 땜납 볼(112)은 바람직하게는 200℃인 제 1 온도에서 용융된다. 반도체 칩(102)은 제 1 온도보다 높은 제 2 온도 이상에서는 손상될 수 있다. 제 2 온도는 220℃보다 높지 않는 것이 바람직하다.
제 2 땜납 볼(112)을 리플로우하여 부품(100)을 PCB(150)에 결합시키기 전에, 열 차폐체(114)를 부품(100) 위에 위치시킨다. 열 차폐체(114)는 부품(100) 상의 보호판(108)을 절연시켜 제 2 BGA(112)를 리플로우(이하에서 설명함)하는 데에 사용되는 고온 가스가 제 2 BGA(112)의 리플로우 중에 보호판(108)을 가열하는 것을 방지한다. 열 차폐체(114)는 바람직하게는 실리콘이고 보호판(108)보다는 크지만 너무 커서 캐리어(104)를 지나치게 덮지 않도록 설계된다. 제 2 BGA(112)의균일한 가열을 위해 칩 캐리어(104)가 고온 가스에 노출되도록 하는 것이 중요하다. 바람직하게, 부품(100), 보다 구체적으로는 보호판(108)과 열 차폐체(114) 사이에 제공되는 단열성을 향상시키기 위해 그 사이에 공극(116)이 존재하도록 열 차폐체(114)를 제조한다. 본 발명의 열 차폐체(114)가 부품(100)의 부착 및 이미 부착된 부품(100)을 PCB(150)로부터 탈착시키는 데에 사용될 수 있다는 것은 당업자에게는 너무나 자명한 것이다.
본 발명에 의한 장치를 도 2를 참조하여 설명하는데, 도 2의 장치는 일반적으로 참조 번호(200)에 의해 표시되며 부품(100)을 회로화된 기판(150)에 부착시킬 목적을 가지고 있다. 부품(100)을 회로화된 기판(150) 상으로 위치시키는 수단이 제공되며, 그 수단은 바람직하게는 적절한 도관(206)에 의해 진공 제공부(204)에 연결된 진공 튜브(202)이다. 진공을 가하면 진공 튜브가 부품(100)과 접촉하여 진공의 흡인 작용에 따라 부품을 홀딩(holding)한다. 이어서, 회로화된 기판(150)의 도전성 패드가 부품(100)의 제 2 BGA(112)의 대응하는 땜납 볼과 정렬되는 위치로 부품(100)을 회로화된 기판(150) 상으로 하강시킨다. 바람직하게, 부품은 정렬 시스템으로부터 정렬 정보를 인가받는 스테이지(stage)(208)에 의해 하강되고 정렬된다. 정렬 시스템은 이안 카메라(two point vision camera) 혹은 분리 광학 시스템(split optic system)과 같이 본 기술분야에서 일반적으로 사용되는 것과 같은 것이다.
또한, 제 1 온도보다 낮은 제 3 온도로 회로화된 기판(150)을 예열하는 수단이 장치(200)에 제공된다. 예열은 PCB(150) 내의 열적 응력을 감소시키고PCB(150)가 휘는 것을 최소화하기 위해 이루어진다. 제 3 온도는 135℃인 것이 바람직하다. 바람직하게, 몸체(212)와 PCB(150)간의 전도성 열 전달에 의해 PCB(150)가 제 3 온도에 도달하도록 PCB(150)를 제 3 온도보다 높은 제 5 온도를 갖는 몸체(212)와 접촉시킬 수 있다. 이와 달리, 바이어스 베이와 같은 가열된 분위기(210) 내에 부품(100)과 PCB(150)를 위치시킴으로써 예열처리가 이루어지는데, 그러한 분위기에서 부품(100)과 PCB(150)는 가열된 분위기(210)의 유지 온도인 135℃에 서서히 도달하게 된다.
제 2 BGA(112)가 제 1 온도(제 2 BGA의 용융 온도임)에 도달하여 부품(100)을 PCB(150)에 결합시키는 땜납 결합부를 형성하는 반면, 부품(100)의 다른 부분, 즉 칩(102) 및 제 1 BGA(106)는 제 2 온도(칩이 손상될 수 있음) 미만의 온도에 도달하도록 제 4 온도의 고온 가스 흐름을 기결정된 시간 동안 열 차폐체 주변 주위로 공급하는 수단이 제공된다. 제 4 온도는 바람직하게는 230℃보다 높은 온도이며, 보다 바람직하게는 260℃이다.
바람직하게, 고온 가스 흐름을 공급하는 수단은 부품(100)을 둘러싸고 PCB(150)와 접촉하는 노즐(nozzle)(214)을 포함한다. 고온 가스는 고온 가스 공급부(216)로부터 공급되고, 적절한 도관(218)과 필요하다면 도관(218) 내에 설치된 공급부(216)로부터 제공된 고온 가스를 노즐(214)을 통과해 궁극적으로는 부품(100)을 가로질러 전달하기 위한 펌프(220)에 의해 노즐에 공급된다. 이와 달리, 고온 가스 공급부(216)가 가압될 수 있는 있으며, 이 경우에는 가스를 부품(100)에 전달하기 위해 펌프(220)를 사용할 필요가 없다.
동일한 장치가 회로화된 기판(150)으로부터 부품(100)을 탈착시키는 데에 사용될 수도 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 이러한 구성에서, 부품(100)을 가로질러 고온 가스를 공급하게 되면, 땜납 결합부를 형성하는 대신에, 이미 형성된 땜납 결합부가 리플로우하게 되어 PCB(150)로부터 부품(100)을 탈착시킴에 따라 땜납 결합부를 해체시킬 수 있게 된다. PCB(150)로부터의 부품(100)의 탈착은 전술한 바와 동일한 진공 튜브(202)와 스테이지(208)를 사용하여 이루어질 수 있다. 땜납 결합부를 리플로우시킨 후, 진공 튜브(202)를 부품(100)과 접촉하도록 스테이지(208)를 이용해 하강시키고, 그 다음 진공의 흡인 작용 하에서 PCB(150)로부터 들어올린다. 물론, 이 상황에서, BGA를 대응하는 패드에 정렬시키는 정렬 시스템은 필요없다.
요약하여, 본 발명의 방법에 따른 단계를 도 3 및 4에 도시한 흐름도에서 개략적으로 설명한다. 도 3은 PCB(150)에 부품(100)을 부착시키는 방법을 도시하고 있으며, 도 4는 PCB(150)로부터 부품(100)을 탈착시키는 방법을 도시하고 있다.
이제 도 3을 참조하면, 부품을 PCB에 부착하는 방법에 대한 흐름도를 도시하고 있으며, 이 방법은 일반적으로 참조 번호(300)에 의해 나타낸다. 단계(301)에서는 전술한 바와 같이 회로화된 기판(150)을 제 3 온도로 예열한다. 단계(302)에서는 회로화된 기판(150) 상에 부품(100)을 위치시킨다. 이는 바람직하게는 부단계(302a-302c)에 의해 달성된다. 단계(302a)에서는 위치시키기 위해 부품을 홀딩하거나 그래스핑(grasping)하고, 단계(302b)에서 홀딩된 부품을 회로화된 기판 상으로 하강시키고, 단계(302c)에서는 제 2 BGA(112)를 회로화된 기판(150) 상의 대응하는 도전성 패드 어레이에 정렬시킨다.
단계(304)에서는 전술한 바와 같이 열 차폐체(114)를 부품(100) 위에 위치시킨다. 단계(308)에서는 제 2 BGA(112)가 제 1 온도에 도달하여 땜납 결합부를 형성하도록 고온 가스 흐름을 기결정된 시간 동안 열 차폐체(114) 주변 주위에 공급한다. 단계(308)는 부단계(308a 및 308b)에 의해 바람직하게 수행된다. 단계(308a)는 부품(100) 위에 노즐(214)을 제공하는 것을 포함하며, 단계(308b)는 노즐을 통해 부품(100) 위로 고온 가스를 흘려 보내는 것을 포함한다.
이제 도 4를 참조하면, PCB로부터 부품을 탈착시키는 방법에 대한 흐름도를 도시하고 있으며, 이 방법은 일반적으로 참조 번호(400)에 의해 나타낸다.
단계(402)에서 전술한 바와 같이 열 차폐체(114)를 부품(100) 위에 위치시킨다. 단계(404)에서는 회로화된 기판(150)과 부품(100)을 전술한 바와 같이 제 3 온도로 예열한다. 단계(406)에서는 제 2 BGA(112)가 제 1 온도에 도달하여 땜납 결합부를 해체시키도록 고온 가스 흐름을 기결정된 시간 동안 열 차폐체(114) 주변 주위에 공급한다. 바람직하게 단계(406)는 부단계(406a 및 406b)에 의해 수행된다. 단계(406a)는 부품(100) 위에 노즐(214)을 제공하는 것을 포함하고 단계(406b)는 노즐을 통해 부품(100) 위로 고온 가스를 흘려 보내는 것을 포함한다. 부품(100)과 PCB(150) 사이의 땜납 결합부가 해체된 후, 단계(408)에서 회로화된 기판(150)으로부터 부품(100)을 탈착시킨다. 이는 바람직하게 부단계(408a 및 408b)에 의해 달성된다. 단계(408a)에서는 탈착을 위해 부품을 홀딩하거나 그래스핑하고, 단계(408b)에서는 홀딩된 부품을 회로화된 기판으로부터 들어올린다.
본 발명의 바람직한 실시예로 고려된 것을 도시하고 설명하였으나, 당연히 본 발명의 사상을 벗어남이 없이 형태 혹은 세부적인 면에서 다양한 변경과 변화가 용이하게 이루어질 수 있음이 이해될 것이다. 그러므로, 본 발명이 개시되고 도시된 정확한 형태로 한정되는 것이 아니라, 첨부된 특허 청구 범위 내에 속하는 모든 변경을 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명은 칩을 탈착시키거나 부착하는 동안에 습기 민감형 PBGA를 절연하는 방법 및 구조를 제공함으로써 칩이 고온에 노출됨으로 인해 손상되는 것을 막아 주는 장점이 있다. 또한, 본 발명은 제 1 레벨 모듈을 부착하거나 탈착시키는 동안에 습기 민감형 PBGA를 절연하는 방법 및 구조를 제공함으로써 제 1 레벨 모듈을 부착하거나 탈착시키는 동안에 제 1 레벨 모듈의 땜납 볼의 리플로우를 방지할 수 있는 장점이 있다.

Claims (22)

  1. 회로화된 기판에 땜납 볼 그리드 어레이를 구비하는 부품을 부착하되, 상기 땜납 볼은 제 1 온도에서 용융되고, 상기 부품은 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도 이상에서는 손상되는 부품 부착 방법에 있어서,
    (a) 상기 회로화된 기판을 상기 제 1 온도보다 낮은 제 3 온도로 예열하는 단계와,
    (b) 상기 부품을 상기 회로화된 기판 상에 위치시키는 단계와,
    (c) 상기 부품 위에 열 차폐체를 위치시키는 단계와,
    (d) 상기 땜납 볼이 상기 제 1 온도에 도달하여 땜납 결합부를 형성하는 반면, 상기 부품의 다른 부분은 상기 제 2 온도 미만의 온도에 도달하도록 제 4 온도의 고온 가스 흐름을 기결정된 시간 동안 상기 열 차폐체 주변 주위에 제공하는 단계
    를 포함하는 부품 부착 방법.
  2. 회로화된 기판으로부터 땜납 결합부 그리드 어레이를 구비하는 부품을 탈착시키되, 상기 땜납 결합부는 제 1 온도에서 용융되고, 상기 부품은 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도 이상에서는 손상되는 부품 탈착 방법에 있어서,
    (a) 상기 부품 위에 열 차폐체를 위치시키는 단계와,
    (b) 상기 회로화된 기판과 상기 땜납 결합부 그리드 어레이를 구비하는 상기 부품을 상기 제 1 온도보다 낮은 제 3 온도로 예열하는 단계와,
    (c) 상기 땜납 결합부가 상기 제 1 온도에 도달하여 상기 땜납 결합부가 해체되는 반면, 상기 부품의 다른 부분은 상기 제 2 온도 미만의 온도에 도달하도록 제 4 온도의 고온 가스 흐름을 기결정된 시간 동안 상기 열 차폐체 주변 주위에 제공하는 단계와,
    (d) 상기 회로화된 기판으로부터 상기 부품을 탈착시키는 단계
    를 포함하는 부품 탈착 방법.
  3. 회로화된 기판에 땜납 볼 그리드 어레이를 구비하는 부품을 부착시키되, 상기 땜납 볼은 제 1 온도에서 용융되고, 상기 부품은 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도 이상에서는 손상되는 부품 부착 장치에 있어서,
    상기 회로화된 기판을 상기 제 1 온도보다 낮은 제 3 온도로 예열하는 수단과,
    상기 부품을 상기 회로화된 기판 상에 위치시키는 수단과,
    상기 부품 위에 위치하는 열 차폐체와,
    상기 땜납 볼이 상기 제 1 온도에 도달하여 땜납 결합부를 형성하는 반면, 상기 부품의 다른 부분은 상기 제 2 온도 미만의 온도에 도달하도록 제 4 온도의 고온 가스 흐름을 기결정된 시간 동안 상기 열 차폐체의 주변 주위에 제공하는 수단
    을 포함하는 부품 부착 장치.
  4. 제 21 항에 있어서,
    상기 부품을 상기 회로화된 기판 상에 위치시키는 수단이,
    상기 부품을 홀딩하는 수단과,
    상기 홀딩된 부품을 상기 회로화된 기판 상으로 하강시키는 수단과,
    상기 회로화된 기판 상의 대응하는 도전성 패드 어레이에 상기 볼 그리드 어레이를 정렬시키는 수단
    을 포함하는 부품 부착 장치.
  5. 제 22 항에 있어서,
    상기 부품을 홀딩하는 수단이 상기 부품에 접촉하는 진공 튜브를 포함함으로써, 상기 진공 튜브에 가해진 진공의 흡인 작용에 의해 상기 부품을 홀딩하는 부품 부착 장치.
  6. 제 23 항에 있어서,
    상기 홀딩된 부품을 상기 회로화된 기판 상으로 하강시키는 수단이, 상기 진공 튜브에 부착되어 있으며 적어도 상기 부품을 하강시키는 방향으로 이동할 수 있는 스테이지를 포함하는 부품 부착 장치.
  7. 제 22 항에 있어서,
    상기 회로화된 기판 상의 상기 대응하는 도전성 패드 어레이에 상기 볼 그리드 어레이를 정렬시키는 수단이 이안 카메라(two point vision camera)를 포함하는 부품 부착 장치.
  8. 제 22 항에 있어서,
    상기 회로화된 기판 상의 상기 대응하는 도전성 패드 어레이에 상기 볼 그리드 어레이를 정렬시키는 수단이 분리 광학 시스템(split optic system)을 포함하는 부품 부착 장치.
  9. 제 21 항에 있어서,
    상기 열 차폐체에 의해 제공되는 상기 단열성을 향상시키기 위해 상기 부품과 상기 열 차폐체 사이에 공극을 더 포함하는 부품 부착 장치.
  10. 제 21 항에 있어서,
    상기 회로화된 기판을 예열하는 수단이, 상기 제 3 온도를 갖고 있으며 그 내부에 상기 회로화된 기판이 위치하는 가열 분위기를 포함하는 부품 부착 장치.
  11. 제 21 항에 있어서,
    상기 회로화된 기판을 예열하는 수단이 몸체를 포함하되, 상기 몸체와 상기 기판간의 전도성 열 전달에 의해 상기 기판이 상기 제 3 온도를 얻게 되도록 상기 몸체가 상기 제 3 온도보다 높은 제 5 온도를 갖고 있으며 상기 기판에 접촉되게 위치하고 있는 부품 부착 장치.
  12. 제 21 항에 있어서,
    상기 고온 가스 흐름을 공급하는 수단이,
    상기 부품 위에 위치하는 노즐과,
    상기 노즐을 통해 상기 부품 위로 상기 고온 가스를 흘려 보내는 수단
    을 포함하는 부품 부착 장치.
  13. 제 30 항에 있어서,
    상기 노즐을 통해 상기 부품 위로 상기 고온 가스를 흘려 보내는 수단이, 고온 가스 공급부, 상기 고온 가스 공급부를 상기 노즐과 연결시키는 도관, 상기 고온 가스를 상기 공급부로부터 상기 노즐을 통해 상기 부품에 전달하도록 상기 도관 내에 위치하는 펌프를 포함하는 부품 부착 장치.
  14. 회로화된 기판으로부터 땜납 결합부 그리드 어레이를 구비하는 부품을 탈착시키되, 상기 땜납 결합부는 제 1 온도에서 용융되고, 상기 부품은 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도 이상에서는 손상되는 부품 탈착 장치에 있어서,
    상기 부품 위에 위치하는 열 차폐체와,
    상기 회로화된 기판과 상기 땜납 결합부 그리드 어레이를 구비하는 상기 부품을 상기 제 1 온도보다 낮은 제 3 온도도 예열하는 수단과,
    상기 땜납 결합부가 상기 제 1 온도에 도달하여 상기 땜납 결합부가 해체되는 반면, 상기 부품의 다른 부분은 상기 제 2 온도 미만의 온도에 도달하도록 제 4 온도의 고온 가스 흐름을 기결정된 시간 동안 상기 열 차폐체를 구비한 상기 부품의 주변 주위에 공급하는 수단과,
    상기 회로화된 기판으로부터 상기 부품을 탈착시키는 수단
    를 포함하는 부품 탈착 장치.
  15. 제 36 항에 있어서,
    상기 회로화된 기판으로부터 상기 부품을 탈착시키는 수단이,
    상기 부품을 홀딩하는 수단과,
    상기 회로화된 기판으로부터 상기 홀딩된 부품을 들어올리는 수단
    을 포함하는 부품 탈착 장치.
  16. 제 37 항에 있어서,
    상기 부품을 홀딩하는 수단이 상기 부품에 접촉하는 진공 튜브를 포함함으로써, 상기 진공 튜브에 가해진 진공의 흡인 작용에 의해 상기 부품을 홀딩하는 부품 탈착 장치.
  17. 제 38 항에 있어서,
    상기 회로화된 기판으로부터 상기 홀딩된 부품을 들어올리는 수단이, 상기 진공 튜브에 접착되어 있으며 적어도 상기 부품을 들어올리는 방향으로 이동할 수 있는 스테이지를 포함하는 부품 탈착 장치.
  18. 제 36 항에 있어서,
    상기 열 차폐체에 의해 제공되는 상기 단열성을 향상시키기 위해 상기 부품과 상기 열 차폐체 사이에 공극을 더 포함하는 부품 탈착 장치.
  19. 제 36 항에 있어서,
    상기 회로화된 기판과 상기 부품을 예열하는 수단이, 상기 제 3 온도를 갖고 있으며 그 내부에 상기 회로화된 기판과 상기 부품이 위치하는 가열 분위기를 포함하는 부품 탈착 장치.
  20. 제 36 항에 있어서,
    상기 회로화된 기판을 예열하는 수단이 몸체를 포함하되, 상기 몸체와 상기기판간의 전도성 열 전달에 의해 상기 기판이 상기 제 3 온도를 얻게 되도록 상기 몸체가 상기 제 3 온도보다 높은 제 5 온도를 갖고 있으며 상기 기판에 접촉되게 위치하고 있는 부품 탈착 장치.
  21. 제 36 항에 있어서,
    상기 고온 가스 흐름을 공급하는 수단이,
    상기 부품 위에 위치하는 노즐과,
    상기 노즐을 통해 상기 부품 위로 상기 고온 가스를 흘려 보내는 수단
    을 포함하는 부품 탈착 장치.
  22. 제 43 항에 있어서,
    상기 노즐을 통해 상기 부품 위로 상기 고온 가스를 흘려 보내는 수단이, 고온 가스 공급부, 상기 고온 가스 공급부를 상기 노즐과 연결시키는 도관, 상기 고온 가스를 상기 공급부로부터 상기 노즐을 통해 상기 부품에 전달하도록 상기 도관 내에 위치하는 펌프를 포함하는 부품 탈착 장치.
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