JP2022507303A - レイアウト適応型パッケージングの動的生成 - Google Patents
レイアウト適応型パッケージングの動的生成 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022507303A JP2022507303A JP2021525799A JP2021525799A JP2022507303A JP 2022507303 A JP2022507303 A JP 2022507303A JP 2021525799 A JP2021525799 A JP 2021525799A JP 2021525799 A JP2021525799 A JP 2021525799A JP 2022507303 A JP2022507303 A JP 2022507303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- coordinate data
- connection pattern
- offset
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 75
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 42
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims description 22
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 21
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- DKCRDQKHMMPWPG-UHFFFAOYSA-N 3-methylpiperidine-2,6-dione Chemical compound CC1CCC(=O)NC1=O DKCRDQKHMMPWPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000010438 granite Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Claims (15)
- マスクレスリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法であって、
設計状態の構成要素の座標データ及び前記構成要素への接続パターンを取得することと、
前記リソグラフィシステムに関連付けられた少なくとも1つの走査デバイスの範囲内に前記構成要素を配置することと、
前記少なくとも1つの走査デバイスを用いて前記構成要素を走査して、前記構成要素についての座標データの第2のセットを生成することと、
取得された前記構成要素の前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較して、前記走査デバイスを用いて走査された前記構成要素と前記設計状態とのオフセットを判定することと、
前記オフセットのデータ、前記座標データの第2のセットを生成するために使用された前記構成要素の走査の視覚画像、及び前記構成要素についての前記座標データの第2のセットのうちの1つに少なくとも部分的に基づいて、前記構成要素への前記接続パターンを拡張すること
を含む方法。 - 前記構成要素が基板上に配置され、前記基板が前記リソグラフィシステムの割り付けテーブル上に配置される、請求項1に記載の方法。
- 前記接続パターンを拡張することが、コンピュータ分析によって実行される、請求項1に記載の方法。
- 取得された前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較することが、前記オフセットを閾値と比較することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記オフセットが前記閾値未満である場合、前記オフセットをゼロに設定することをさらに含む、請求項4に記載の方法。
- 取得された前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較することが、前記オフセットを閾値と比較することをさらに含むことと、
前記比較することが前記閾値より大きい場合、前記閾値を超えたというユーザへの警告を生成すること
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 拡張された前記接続パターンのデータに基づいて、前記接続パターンを作製することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- マスクレスマイクロリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法であって、
設計状態の構成要素の位置データ及び前記構成要素への電気接続パターンを取得することと、
マイクロリソグラフィシステムのステージ上に前記構成要素を配置することと、
前記マイクロリソグラフィシステムの少なくとも1つの走査デバイスの範囲内に前記ステージを配置することと、
前記少なくとも1つの走査デバイスを用いて前記構成要素を含む前記ステージを走査して、前記構成要素及び前記電気接続パターンについての座標データの第2のセットを生成することと、
取得された前記構成要素の前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較して、前記走査デバイスを用いて走査された前記構成要素と前記設計状態とのオフセットを判定することと、
前記オフセットのデータに少なくとも部分的に基づいて、前記構成要素への前記電気接続パターンを拡張すること
を含む方法。 - 拡張された接続パターンのデータに基づいて、接続パターンを作製することをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 前記構成要素が基板上に配置される、請求項8に記載の方法。
- 前記接続パターンを拡張することが、コンピュータ分析によって実行され、又は、
取得された前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較することが、前記オフセットを閾値と比較することを含む、
請求項8に記載の方法。 - 前記マイクロリソグラフィシステムが、マスクレスシステムであり、又は、
取得された前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較することが、前記オフセットを閾値と比較することをさらに含む、
請求項8に記載の方法。 - マスクレスマイクロリソグラフィシステムにおいて基板を処理するための方法であって、
少なくとも1つの構成要素、及び前記少なくとも1つの構成要素への少なくとも1つの配線接続パターンに関係する、設計状態における座標データを取得することであって、前記構成要素が、前記基板上にある構成要素又は前記基板の中にある構成要素のうちの1つである、設計状態における座標データを取得することと、
前記マイクロリソグラフィシステム内のステージ上に前記基板を配置することと、
前記ステージ上の前記基板をリソグラフィシステムの走査デバイスへと移動させることと、
前記走査デバイスを用いて前記構成要素を含む前記基板を走査して、前記構成要素についての座標データの第2のセットを生成することと、
取得された前記ステージの前記構成要素の前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較して、前記走査デバイスを用いて走査された前記構成要素と前記設計状態とのオフセットを判定することと、
前記オフセットのデータ、前記座標データの第2のセットを生成するために使用された前記構成要素の走査の視覚画像、及び前記構成要素についての前記座標データの第2のセットのうちの1つに少なくとも部分的に基づいて、前記構成要素への前記少なくとも1つの配線接続パターンを拡張すること
を含む方法。 - 拡張された接続パターンのデータに基づいて、前記少なくとも1つの配線接続パターンを作製することをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 前記接続パターンを拡張することが、コンピュータ分析によって実行され、又は、
取得された前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較することが、前記オフセットを閾値と比較することをさらに含み、又は、
前記構成要素が、半導体構成要素である、
請求項13に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023109686A JP2023145447A (ja) | 2018-11-15 | 2023-07-04 | レイアウト適応型パッケージングの動的生成 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/192,448 | 2018-11-15 | ||
US16/192,448 US10678150B1 (en) | 2018-11-15 | 2018-11-15 | Dynamic generation of layout adaptive packaging |
PCT/US2019/048627 WO2020101786A1 (en) | 2018-11-15 | 2019-08-28 | Dynamic generation of layout adaptive packaging |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023109686A Division JP2023145447A (ja) | 2018-11-15 | 2023-07-04 | レイアウト適応型パッケージングの動的生成 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022507303A true JP2022507303A (ja) | 2022-01-18 |
JP7308943B2 JP7308943B2 (ja) | 2023-07-14 |
Family
ID=70728200
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021525799A Active JP7308943B2 (ja) | 2018-11-15 | 2019-08-28 | レイアウト適応型パッケージングの動的生成 |
JP2023109686A Pending JP2023145447A (ja) | 2018-11-15 | 2023-07-04 | レイアウト適応型パッケージングの動的生成 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023109686A Pending JP2023145447A (ja) | 2018-11-15 | 2023-07-04 | レイアウト適応型パッケージングの動的生成 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10678150B1 (ja) |
JP (2) | JP7308943B2 (ja) |
KR (2) | KR102616685B1 (ja) |
CN (1) | CN113056706A (ja) |
TW (2) | TWI794536B (ja) |
WO (1) | WO2020101786A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10809637B1 (en) * | 2019-05-30 | 2020-10-20 | Applied Materials, Inc. | Learning based digital corrections to compensate variations on lithography systems with multiple imaging units |
TWI752617B (zh) * | 2020-09-04 | 2022-01-11 | 劉大有 | 無光罩曝光機之晶片偏移校正方法 |
CN117120934A (zh) * | 2021-04-09 | 2023-11-24 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及布线图案形成方法 |
US20230288822A1 (en) * | 2022-03-12 | 2023-09-14 | Applied Materials, Inc. | Package imaging for die location correction in digital lithography |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003186173A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
JP2004056068A (ja) * | 2002-05-28 | 2004-02-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線形成システムおよびその方法 |
JP2005310958A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法およびその装置ならびに設計データの補正方法およびその装置 |
US20070249067A1 (en) * | 2003-07-28 | 2007-10-25 | Harry Hedler | Method for Applying Rewiring to a Panel While Compensating for Position Errors of Semiconductor Chips in Component Positions of the Panel |
JP2012208237A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Ibiden Co Ltd | 描画装置の検査装置、描画装置、プログラム、描画装置の検査方法、及びプリント配線板の製造方法 |
JP2013058520A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置、データ補正装置、再配線層の形成方法、および、データ補正方法 |
JP2014011264A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 配線データの生成装置、生成方法、そのプログラム、および描画装置 |
JP2017067992A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置、露光装置のアライメント方法、およびプログラム |
JP2017215483A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | キヤノン株式会社 | 決定方法、形成方法、プログラム、および物品の製造方法 |
WO2018059474A1 (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种半导体重布线方法 |
US20180322237A1 (en) * | 2015-10-19 | 2018-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to correct for patterning process error |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4783695A (en) | 1986-09-26 | 1988-11-08 | General Electric Company | Multichip integrated circuit packaging configuration and method |
US4835704A (en) | 1986-12-29 | 1989-05-30 | General Electric Company | Adaptive lithography system to provide high density interconnect |
US5357403A (en) | 1990-06-29 | 1994-10-18 | General Electric Company | Adaptive lithography in a high density interconnect structure whose signal layers have fixed patterns |
US6519759B2 (en) * | 2000-04-19 | 2003-02-11 | Nec Corporation | Photomask pattern shape correction method and corrected photomask |
JP2004327660A (ja) | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US7116398B2 (en) | 2003-11-07 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060066649A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for recording images on deformed image-recordable object |
JP5106747B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2012-12-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | パターン形成方法、半導体装置の製造方法及び露光用マスクセット |
DE102005003183B4 (de) * | 2005-01-19 | 2011-06-16 | Qimonda Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen auf einem Wafer |
WO2007058188A1 (ja) | 2005-11-15 | 2007-05-24 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2007312750A (ja) | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Daikin Ind Ltd | 改良された化学物質の検出方法 |
JP2008058797A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Fujifilm Corp | 描画装置及び描画方法 |
JP2008139688A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toshiba Corp | 半導体集積回路の製造方法、マスクの製造方法、半導体マスクデータ製造装置、マスクパターンの修正方法、及び設計レイアウトの修正方法 |
JP2009014830A (ja) | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターンデータ生成装置、露光システム、パターンデータ生成方法、およびプログラム |
US8130366B2 (en) | 2008-03-21 | 2012-03-06 | Asml Netherlands B.V. | Method for coarse wafer alignment in a lithographic apparatus |
WO2010063827A1 (en) | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Micronic Laser Systems Ab | Gradient assisted image resampling in micro-lithographic printing |
US8799845B2 (en) | 2010-02-16 | 2014-08-05 | Deca Technologies Inc. | Adaptive patterning for panelized packaging |
JP5496041B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-05-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 変位算出方法、描画データの補正方法、描画方法および描画装置 |
KR101678039B1 (ko) | 2010-10-01 | 2016-11-21 | 삼성전자 주식회사 | 마스크리스 노광 장치, 마스크리스 노광에서 노광 시작 위치와 자세를 결정하는 방법 |
KR101984898B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2019-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크리스 노광 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법 및 그 표시 장치 |
NL2013249A (en) * | 2013-08-20 | 2015-02-23 | Asml Netherlands Bv | Lithography system and a machine learning controller for such a lithography system. |
WO2015060972A1 (en) | 2013-10-22 | 2015-04-30 | Applied Materials, Inc. | Roll to roll mask-less lithography with active alignment |
US10331038B2 (en) | 2015-03-24 | 2019-06-25 | Applied Materials, Inc. | Real time software and array control |
KR20160121206A (ko) * | 2015-04-10 | 2016-10-19 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 에러의 검출 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2017223887A (ja) * | 2016-06-17 | 2017-12-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びフォトマスク |
JP6295355B1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-03-14 | 株式会社ピーエムティー | 露光装置、露光方法、半導体モジュールの製造方法、パターン形成装置、及びパターン形成方法 |
US10935892B2 (en) * | 2017-05-15 | 2021-03-02 | Applied Materials, Inc. | Freeform distortion correction |
US10792756B2 (en) * | 2017-08-13 | 2020-10-06 | Richard A Comunale | Additive metal manufacturing system for in-situ metrology and process control |
-
2018
- 2018-11-15 US US16/192,448 patent/US10678150B1/en active Active
-
2019
- 2019-08-28 US US17/285,741 patent/US11599032B2/en active Active
- 2019-08-28 JP JP2021525799A patent/JP7308943B2/ja active Active
- 2019-08-28 KR KR1020217017879A patent/KR102616685B1/ko active IP Right Grant
- 2019-08-28 WO PCT/US2019/048627 patent/WO2020101786A1/en active Application Filing
- 2019-08-28 CN CN201980075424.5A patent/CN113056706A/zh active Pending
- 2019-08-28 KR KR1020237043506A patent/KR20240000631A/ko active Application Filing
- 2019-08-30 TW TW108131184A patent/TWI794536B/zh active
- 2019-08-30 TW TW112103431A patent/TW202319844A/zh unknown
-
2023
- 2023-01-23 US US18/158,293 patent/US11899379B2/en active Active
- 2023-07-04 JP JP2023109686A patent/JP2023145447A/ja active Pending
- 2023-11-29 US US18/523,620 patent/US20240094648A1/en active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003186173A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
JP2004056068A (ja) * | 2002-05-28 | 2004-02-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線形成システムおよびその方法 |
US20070249067A1 (en) * | 2003-07-28 | 2007-10-25 | Harry Hedler | Method for Applying Rewiring to a Panel While Compensating for Position Errors of Semiconductor Chips in Component Positions of the Panel |
JP2005310958A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法およびその装置ならびに設計データの補正方法およびその装置 |
JP2012208237A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Ibiden Co Ltd | 描画装置の検査装置、描画装置、プログラム、描画装置の検査方法、及びプリント配線板の製造方法 |
JP2013058520A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置、データ補正装置、再配線層の形成方法、および、データ補正方法 |
JP2014011264A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 配線データの生成装置、生成方法、そのプログラム、および描画装置 |
JP2017067992A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置、露光装置のアライメント方法、およびプログラム |
US20180322237A1 (en) * | 2015-10-19 | 2018-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to correct for patterning process error |
JP2017215483A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | キヤノン株式会社 | 決定方法、形成方法、プログラム、および物品の製造方法 |
WO2018059474A1 (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种半导体重布线方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI794536B (zh) | 2023-03-01 |
TW202319844A (zh) | 2023-05-16 |
US11899379B2 (en) | 2024-02-13 |
JP7308943B2 (ja) | 2023-07-14 |
US10678150B1 (en) | 2020-06-09 |
KR102616685B1 (ko) | 2023-12-20 |
US20210341849A1 (en) | 2021-11-04 |
WO2020101786A1 (en) | 2020-05-22 |
US20200159132A1 (en) | 2020-05-21 |
US20240094648A1 (en) | 2024-03-21 |
KR20210074403A (ko) | 2021-06-21 |
US11599032B2 (en) | 2023-03-07 |
CN113056706A (zh) | 2021-06-29 |
JP2023145447A (ja) | 2023-10-11 |
KR20240000631A (ko) | 2024-01-02 |
US20230161274A1 (en) | 2023-05-25 |
TW202026767A (zh) | 2020-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7308943B2 (ja) | レイアウト適応型パッケージングの動的生成 | |
US10379450B2 (en) | Apparatus and methods for on-the-fly digital exposure image data modification | |
JP2023162226A (ja) | リソグラフィシステムのための自己整合システム及び方法 | |
US10459341B2 (en) | Multi-configuration digital lithography system | |
US10908507B2 (en) | Micro LED array illumination source | |
KR102400527B1 (ko) | 회절-제한 광학 시스템을 위한 렌즈 수차의 실증적 검출 | |
KR102197572B1 (ko) | 조명 소스로서의 마이크로 led 어레이 | |
US10114297B2 (en) | Active eye-to-eye with alignment by X-Y capacitance measurement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210802 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220510 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230501 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230613 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230704 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7308943 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |