JP2023145447A - レイアウト適応型パッケージングの動的生成 - Google Patents
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Abstract
【課題】正確な配線接続を実現するために、構成要素の設計データとフィールド測定データの両方を使用して、配線接続を構成要素に取り付けるための方法を提供する。【解決手段】設計状態における、構成要素の座標データと、前記構成要素への電気接続の態様とを取得し、前記構成要素を測定して、前記構成要素についての座標データの第2のセットを生成し、前記構成要素の取得された前記座標データを、前記構成要素についての前記座標データの第2のセットと比較して、前記デバイスを用いて測定された前記構成要素の前記設計状態に対するオフセットを判定し、前記オフセットと、前記構成要素についての前記座標データの第2のセットを生成するために使用された前記構成要素の画像と、前記構成要素についての前記座標データの第2のセットとのうちの1つに少なくとも部分的に基づいて、前記構成要素への前記電気接続の前記態様を変更する、ことを含む。【選択図】図3
Description
[0001]本開示の実施形態は、概して、1つ又は複数の基板を処理するための装置、システム、及び方法に関し、より具体的には、フォトリソグラフィプロセスを実行するための装置、システム、及び方法に関する。より具体的には、本開示の態様は、適応型パッケージング方法及び装置に関する。
[0002]フォトリソグラフィは、半導体デバイスや表示デバイス(例えば、液晶ディスプレイ(LCD))の製造に広く用いられている。LCDの製造においては、大面積基板が利用されることが多い。LCD又はフラットパネルは、一般的に、コンピュータ、タッチパネルデバイス、携帯情報端末(PDA)、携帯電話、テレビモニタなどのアクティブマトリクスディスプレイに使用される。通常、フラットパネルは、2枚のプレートの間に挟まれた画素を形成する液晶材料の層を含む。電源からの電力が液晶材料にわたって印加されると、液晶材料を通過する光の量が画素の位置において制御され、これにより画像の生成が可能となる。コンピュータ、モニタ、及び視覚出力を与える他のシステムに使用される有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイを製造するために、他の製造技術が利用される。
[0003]画素を形成する液晶材料層の一部として組み込まれる電気的特徴を作製するために、マイクロリソグラフィ技術が利用されてきた。この技法によれば、感光性フォトレジストが基板の少なくとも1つの表面に塗布される。次に、パターン発生器が、パターンの一部として感光性フォトレジストの選択領域を光で露光して、選択領域のフォトレジストに化学変化を引き起こし、これらの選択領域を、電気的特徴を生成するための後続の材料除去工程及び/又は材料追加工程のために準備する。
[0004]消費者が要求する価格でディスプレイデバイス及び他のデバイスを提供し続けるために、大面積基板などの基板上にパターンを正確且つ費用効果的に作製するための新しい装置及びアプローチが必要とされている。
[0005]デジタルリソグラフィツールにおいては、カメラからの画像を使用して、位置合わせマークの位置を見つけ、その結果、既知の位置にわたって処理が起こり得る。画像を取得するために、カメラは、較正され、特に画素サイズ、配向(回転)、及び均一性に関して選択される。
[0006]マイクロリソグラフィシステムの主な課題のうちの1つは、構成要素間の配線の配置である。多くの場合、対象の構成には、画定領域内に配置された構成要素の固定された外周が伴う。配線は、固定された外周(これは別の構成要素への接続点であり得る)から、画定領域内の構成要素の個々の接続点(例えば、ダイ)へと配置しなければならない。
[0007]この画定領域内に構成要素を配置することは重要である。概して、周辺から構成要素までの接続配線は固定(静止)されている。構成要素が、画定領域内の意図された位置に対して位置ずれしている場合、配線構成要素も作製時に位置ずれしてしまう。構成要素が適切に配置され、処理中に動かないように、十分な注意が払わなければならない。このように構成要素を正確に配置することは、非常に問題があり、処理中に位置ずれが生じる恐れがある。これにより生じる問題には、仕様外の構成要素から全く機能しない構成要素までが作製されることが含まれる。このような種類の問題は、リソグラフィプロセスの全体的な経済的実行可能性に影響を及ぼす。
[0008]処理中の構成要素の位置ずれが閾値量まで可能であるような、構成要素の配線システムの作製を可能にする必要がある。
[0009]マスクレスマイクロリソグラフィシステムを用いて、構成要素のより迅速な処理を可能にすることがさらに必要である。
[0010]マスクレスマイクロリソグラフィシステムを用いて、構成要素の処理のより高いスループットを可能にすることがさらに必要である。
[0011]さらに、処理中に、システムが、達成困難な仮想的な精密な位置合わせではなく、「現場」における構成要素の実際の処理に適応できるように、画定されたフィールド内の構成要素の配置のわずかな偏差を許容する必要がある。
[0012]開示の態様は、正確な配線接続を実現するために、構成要素の設計データとフィールド測定データの両方を使用して、配線接続を構成要素に取り付けるための方法を提供する。
[0013]1つの例示的な実施形態では、リソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法が開示されている。当該方法は、設計状態における構成要素の座標データ及び構成要素への接続パターンを取得することと、リソグラフィシステムに関連付けられた少なくとも1つの走査デバイスの範囲内に構成要素を配置することと、少なくとも1つの走査デバイスを用いて構成要素を走査して、構成要素についての座標データの第2のセットを生成することと、取得された構成要素の座標データを座標データの第2のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することと、オフセットのデータ、座標データの第2のセットを生成するために使用された構成要素の走査の視覚画像、及び構成要素についての座標データの第2のセットのうちの1つに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への接続パターンを拡張することを含む。
[0014]別の例示的な実施形態では、マスクレスマイクロリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法が開示されている。当該方法は、設計状態の構成要素の位置データ及び構成要素への電気接続パターンを取得することと、マイクロリソグラフィシステムのステージ上に構成要素を配置することと、マイクロリソグラフィシステムの少なくとも1つの走査デバイスの範囲内にステージを配置することと、少なくとも1つの走査デバイスを用いて構成要素を含むステージを走査して、構成要素及び電気接続パターンのための座標データの第2のセットを生成することと、取得された構成要素の座標データを座標データの第2のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することと、オフセットのデータに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への電気接続パターンを拡張することを含む。
[0015]1つの例示的な実施形態では、マイクロリソグラフィシステムにおいて基板を処理するための方法が開示されている。当該方法は、少なくとも1つの構成要素、及び少なくとも1つの構成要素への少なくとも1つの配線接続パターンに関係する、設計状態における座標データを取得することであって、構成要素が、基板上にある構成要素又は基板の中にある構成要素のうちの1つである、設計状態における座標データを取得することと、マイクロリソグラフィシステム内のステージ上に基板を配置することと、ステージ上の基板をリソグラフィシステムの走査デバイスへと移動させることと、走査デバイスを用いて構成要素を含む基板を走査して、構成要素のための座標データの第2のセットを生成することと、取得されたステージの構成要素の座標データを座標データの第2のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することと、オフセットのデータ、座標データの第2のセットを生成するために使用された構成要素の走査の視覚画像、及び構成要素のための座標データの第2のセットのうちの1つに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への少なくとも1つの配線接続パターンを拡張することを含む。
[0016]本開示の上述の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによって、得ることができる。そのうちの幾つかの実施形態は添付の図面で例示されている。しかし、添付図面は例示的な実施形態のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、その他の等しく有効な実施形態も許容し得ることに留意されたい。
[0026]理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及びフィーチャは、さらなる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込むことができると考えられている。
[0027]以下に説明する態様では、アイ構成(eye configuration)、位置合わせマーク形状、及びセルコードが例を示す。位置合わせマーク画像を取得するためには、任意の数のアイ及び任意の数のステップが存在し得る。位置合わせマークの形状は、十字形状に制限されない。位置合わせマークは、任意の形状であってもよい。マークセルコード(mark cell code)は、OCR、形状変更、又はサイズ変更のいずれかによって実装されてもよい。マークセルコードは、線の太さを変更することによって、又は線に追加のフィーチャを追加することによって、マーク自体に埋め込むこともできる。したがって、例示された実施形態は、実質的に説明的なものに過ぎず、限定的であると見なすべきではない。
[0028]図1Aは、本明細書に開示された実施形態に係るフォトリソグラフィシステム100の斜視図である。当該システム100は、ベースフレーム110、スラブ120、ステージ130、及び処理装置160を含む。ベースフレーム110は、製造施設の床に載置され、スラブ120を支持する。受動空気アイソレータ112が、ベースフレーム110とスラブ120との間に位置付けられる。一実施形態では、スラブ120は、花崗岩製の一体型構成要素であり、ステージ130は、スラブ120上に配置される。基板140が、ステージ130によって支持されている。複数の孔(図示せず)がステージ130に形成されており、それにより、複数のリフトピン(図示せず)がそれらを通って延在することが可能になる。幾つかの実施形態では、リフトピンは、延長位置まで上昇し、1つ又は複数の移送ロボット(図示せず)などから基板140を受け取る。1つ又は複数の搬送ロボットを使用して、基板140をステージ130へとロードし、ステージ130からアンロードする。
[0029]基板140は、任意の適切な材料、例えば、フラットパネルディスプレイの一部として使用される石英を含む。他の実施形態では、基板140は、その他の材料で作られる。幾つかの実施形態では、基板140は、その上にフォトレジスト層が形成されている。フォトレジストは放射線に敏感である。ポジ型フォトレジストは、放射線に露光されたとき、フォトレジスト現像液にそれぞれ溶解するフォトレジストの部分を含む。フォトレジスト現像液は、パターンがフォトレジストに書き込まれた後にフォトレジストに塗布される。ネガ型フォトレジストは、放射線に露光されたとき、フォトレジスト現像液に対してそれぞれ不溶性となるフォトレジストの部分を含む。フォトレジスト現像液は、パターンがフォトレジストに書き込まれた後にフォトレジストに塗布される。フォトレジストの化学組成により、そのフォトレジストがポジ型フォトレジストになるか、それともネガ型フォトレジストになるかが決まる。フォトレジストの例には、ジアゾナフトキノン、フェノールホルムアルデヒド樹脂、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリ(メチルグルタルイミド)、及びSU-8のうちの少なくとも1つが含まれるが、これらに限定されない。この態様では、電子回路を形成するために、パターンが基板140の表面上に生成される。
[0030]システム100は、一対の支持体122、及び一対のトラック124を含む。一対の支持体122は、スラブ120上に配置される。スラブ120と一対の支持体122は、単片の材料である。一対のトラック124は、一対の支持体122に支持されており、ステージ130は、トラック124に沿ってX方向に移動する。一実施形態では、一対のトラック124は、一対の平行な磁気チャネルである。図示されるように、一対のトラック124の各トラック124は線形である。他の実施形態では、1つ又は複数のトラック124は、非線形である。コントローラ(図示せず)に位置情報を提供するために、エンコーダ126がステージ130に連結される。
[0031]処理装置160は、支持体162及び処理ユニット164を含む。支持体162は、スラブ120上に配置され、ステージ130が処理ユニット164の下方を通過ための開口166を含む。処理ユニット164は支持体162によって支持される。一実施形態では、処理ユニット164は、フォトリソグラフィプロセスにおいてフォトレジストを露光させるよう構成された、パターン発生器である。幾つかの実施形態では、パターン発生器は、マスクレスリソグラフィプロセスを実行するように構成される。処理ユニット164は、複数の画像投影装置(図2A及び図2Bに示す)を含む。一実施形態では、処理ユニット164は、84個もの画像投影装置を含む。各画像投影装置は、ケース165内に配置されている。処理装置160は、マスクレス直接パターニングを実施するのに有用である。
[0032]稼働中、ステージ130は、図1Aに示すローディング位置から処理位置へとX方向に移動する。処理位置は、ステージ130が処理ユニット164の下方を通過する際の、ステージ130の1つ又は複数の位置である。稼働中、ステージ130は、複数の空気ベアリング(図示せず)によって持ち上げられ、一対のトラック124に沿ってローディング位置から処理位置まで移動する。複数の垂直誘導空気ベアリング(図示せず)が、ステージ130に連結されており、ステージ130の移動を安定化させるために、各支持体122の内壁128に隣接するように配置される。基板140を処理且つ/又はインデックス付けするために、ステージ130は、トラック150に沿って移動することにより、Y方向にも移動する。ステージ130は、独立した動作が可能であり、一方向に基板140を走査し、他方向に進むことができる。
[0033]計測システムは、リアルタイムで各々のステージ130のX及びYの横方向位置座標を測定し、その結果、複数の画像投影装置の各々は、フォトレジストで覆われた基板に書き込まれているパターンの位置を正確に特定することができる。さらに、計測システムは、垂直軸又はZ軸の周囲のステージ130のそれぞれの角度位置のリアルタイム測定を提供する。角度位置の測定は、サーボ機構を用いた走査中に角度位置を一定に保つために使用することができ、又は、図2Aー2Bに示す画像投影装置270によって、基板140に書き込まれるパターンの位置に補正を加えるために使用することができる。これらの技法は、組み合わせにより使用することができる。
[0034]図1Bは、本明細書に開示される実施形態に係る、フォトリソグラフィシステム200の斜視図である。システム200は、システム100と類似しているが、システム200は、2つのステージ130を含む。2つのステージ130は、それぞれ独立した動作が可能であり、基板140を一方向に走査し、他の方向に進むことができる。幾つかの実施形態では、2つのステージ130のうちの片方のステージが基板140を走査しているとき、2つのステージ130のうちの別のステージが、露光された基板をアンロードし、次に露光される基板をロードする。
[0035]図1A及び図1Bは、フォトリソグラフィシステムの2つの実施形態を示しているが、本明細書では、他のシステム及び構成も意図されている。例えば、任意の適切な数のステージを含むフォトリソグラフィシステムも想定される。
[0036]図2Aは、一実施形態に係る画像投影装置270の概略斜視図であり、システム100又はシステム200などのフォトリソグラフィシステムに有用である。画像投影装置270は、1つ又は複数の空間光変調器280、焦点センサ283及びカメラ285を含む位置合わせ及び検査システム284、並びに投影光学系286を含む。画像投影装置の構成要素は、使用される空間光変調器によって異なる。空間光変調器には、マイクロLED、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、及び液晶ディスプレイ(LCD)が含まれるが、これらに限定されない。
[0037]稼働中、空間光変調器280を使用して、光の1つ又は複数の特性(例えば、振幅、位相、又は偏光)を変調する。この光は、画像投影装置270を通して、基板(例えば、基板140)に投影される。位置合わせ及び検査システム284は、画像投影装置270の構成要素の位置合わせ及び検査のために使用される。一実施形態では、焦点センサ283は、複数のレーザを含む。複数のレーザは、カメラ285のレンズを通り、カメラ285のレンズを通って戻るように方向付けられ、画像投影装置270の焦点が合っているかどうかを検出するためにセンサ上で結像する。画像投影装置270及びフォトリソグラフィシステム100又は200の位置合わせが、確実に、正確に行われるように又は所定の許容範囲内に入るように、カメラ285を使用して、基板(例えば、基板140)を画像化する。投影光学系286(例えば、1つ又は複数のレンズ)を使用して、基板(例えば、基板140)に光を投影する。
[0038]図2Bは、本明細書に記載された実施形態に係る画像投影装置271である。図2Bに示す実施形態では、画像投影装置271は、空間光変調器としての1つ又は複数のマイクロLED287、焦点センサ283、カメラ285、及び投影光学系286を含む。一実施形態では、画像投影装置271は、さらにビームスプリッタ(図示せず)を含む。マイクロLEDは、微小(例えば、約100μm未満の)発光ダイオードであり、これは、アレイ状に配列され、ディスプレイデバイスなどの基板の個々の画素を形成するために使用され得る。マイクロLEDは、無機窒化ガリウム(GaN)材料などの無機材料を含む。マイクロLEDは自己発光性であるので、画像投影装置271には外部光源は必要ない。
[0039]マイクロLEDを使用する実施形態では、カメラ285は、マイクロLEDデバイスで起こる任意の熱膨張を較正するために、1つ又は複数のマイクロLEDの画像画素ピッチを測定するのにも有用である。
[0040]図2Cは、本明細書に記載された実施形態に係る画像投影装置281である。図2Bに示す実施形態では、画像投影装置281は、空間光変調器として1つ又は複数のDMD289を使用する。画像投影装置281は、画像投影システム290の一部であり、画像投影システム290には、位置合わせ及び検査システム284、並びに投影光学系286に加えて、光源272、開孔274、レンズ276、フラストレートプリズムアセンブリ288、1つ又は複数のDMD289(1つが示される)、及び光ダンプ(lightdump)282が含まれる。光源272は、所定の波長の光を生成することが可能な、任意の適切な光源(例えば、発光ダイオード(LED)又はレーザ)である。一実施形態では、所定の波長とは、青色範囲又は近紫外(UV)範囲内(例えば、約450nm未満)のものである。フラストレートプリズムアセンブリ288は、複数の反射面を含む。一例として、投影光学系286は、10倍対物レンズである。図2Cに示す画像投影装置281の動作中に、青色範囲の波長などの所定の波長を有する光ビーム273が光源272によって生成される。光ビーム273は、フラストレートプリズムアセンブリ288によってDMD289へと反射される。DMDは、複数のミラーを含み、ミラーの数は、投影される画素の数に対応する。複数のミラーは個別に制御可能であり、複数のミラーの各マイクロミラーは、コントローラ(図示せず)によってDMD289に提供されるマスクデータに基づいて、オン位置又はオフ位置に設定される。光ビーム273がDMD289のミラーに到達すると、「オン」位置にあるミラーは、光ビーム273を投影レンズ286へと反射する(すなわち、複数の書き込みビームを形成する)。次いで、投影光学系286は、書き込みビームを基板140の表面へと投影する。「オフ」位置にあるミラーは、光ビーム273を、基板140の表面の代わりに光ダンプ282へと反射する。
[0041]リソグラフィシステムを通して材料を処理するにあたって、1つ又は複数のダイを有する構成要素が、処理のためにステージ上に配置される。処理のために構成要素の理想的なレイアウトが達成可能かもしれないが、様々な要因が、そのような理想的なレイアウトに影響を及ぼし得る。リソグラフィシステムが構成要素を取り扱うとき、リソグラフィシステムの処理速度が、構成要素をわずかに動かす場合がある。小型の構成要素については、起点から終点までの配線が短くなり得るため、これらのわずかな動きが、最終製品に大きな影響を与える可能性がある。さらに、各構成要素は、幾つかのダイを有し得るので、「完全な」又は理想的なレイアウトと比べて、構成要素の不正確な位置合わせによって、多くの接続が影響を受ける可能性がある。
[0042]本開示の態様では、パッケージングレイアウト内の1つ又は複数のダイの理想的な配置、及び幾つかの誤りを伴い得る実際の配置を前提として、実際の配置に一致するように理想的な配置を修正又は変形することができ、これにより、より大きなアセンブリへのダイのパッケージングのためのルーティングを適応的に生成することが提供されている。
[0043]図3を参照すると、理想的なレイアウトプロットが示されている。各構成要素が、意図された通りに、処理のために基板上に配置された場合、このような理想的なレイアウトプロットが生じることになる。理解されるように、極めて高い精度で構成要素を配置することは困難であり得る。このため、たとえ構成要素を高精度で配置しても、デジタルリソグラフィシステムが高速で大型基板を動かすので、処理中に移動が起きる可能性がある。
[0044]図4を参照すると、構成要素の実際のレイアウトプロットが示されている。図からわかるように、構成要素は、図3の位置から移動している。したがって、構成要素を正しく動作させるには、構成要素への配線接続を変更する必要がある。このため、配線が適切であるように、拡張配線スキームが生成される。
[0045]図5を参照すると、リソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法500が示されている。第1のステップでは、設計状態502における構成要素上の座標データ、及び構成要素への接続パターンなどのデータが取得され得る。このデータは、例えば、製造図面から得ることができる。構成要素は、プロセッサのような(ただし、これに限定されない)配線取り付けを必要とする任意の種類の構成要素であってもよい。配線は、例えば、構成要素から固定された外部領域へのものであり得、最終的に構成要素が分離されたとき、配線は所定の位置で終端する。
[0046]理解されるように、構成要素は、処理のために画定されたフィールド内に位置付けされる。実際の(x、y)構成要素は、様々な要因によりわずかに変動し得る。この様々な要因には、プラテン(割り付けテーブル)をマイクロリソグラフィ装置にロードする前のプラテンの初期処理中に、このような構成要素を正確に位置特定する能力が含まれる。他の要因(例えば、マイクロリソグラフィ工程中の構成要素の取り扱い)も構成要素の移動を引き起こし得る。固定された外側フィールドへと延びるような構成要素の配線接続を達成するために、プラテン上の構成要素の「インシトゥ(その場の)」位置決めが、少なくとも1つの走査デバイスで走査され、これにより、各構成要素504の正確な位置決めを確認することが可能である。したがって、プラテンは、リソグラフィシステムにおけるある位置に移動させられ、座標データの処理のために走査が起きる。理解されるように、実際の状態の走査は、必要に応じて、別個のプロセスによって達成することができ、データは、使用のためにマイクロリソグラフィ装置に供給される。取得されたデータ、すなわちデータの第2のセットは、必要に応じて記憶され得る。理想的に設計された位置決めと比べて、構成要素の実際の配置に存在し得る任意のオフセットを判定するために、座標データの第2のセットを取得された座標データ(「設計通りのデータ」)と比較することができる(506)。マイクロリソグラフィ装置が構成要素の正確な配置を理解することを可能にするために、508においてオフセットを計算することができる。次に、オフセット計算からのデータを使用して、理想的な設計状態からの接続パターンを拡張することができる(510)。理解されるように、視覚画像データも使用して、接続パターンに必要な違いを判定することができる。
[0047]必要なオフセットを判定するために、データのコンピュータ分析を実行することができる。コンピュータ分析は、オフセットを計算するだけでなく、構成要素と固定周囲との間の新しい接続配線位置を割り出すことができ、したがって、処理を高速化することができる。
[0048]諸実施形態では、ハードウェアアーキテクトは、理想的な配置からのわずかな変動が許容可能であると判断することができる。配線接続及び構成要素の偏差が、許容可能なレベル内であると判断され得る。その場合、配線接続の変更は必要ない。
[0049]このような許容レベルからの偏差が発見された場合、プロセッサに警告を発して、配線の変更/修正が必要であることが通知され得る。他の実施形態では、構成要素の位置及び配向が最大閾値外にある場合、構成要素への接続を効果的に行うことができない。構成要素が許容範囲外であり、配線接続を変更しても、この接続が損なわれ得るという別個の警告をプロセッサに発する場合がある。
[0050]理解されるように、配線接続のための設計では、接続の開始点及び終了点の配置の精度だけでなく、配線接続の長さも考慮され得る。ワイヤの長さが、効果的な動作を行うのには長過ぎて、例えば、過剰な待機時間を生じさせる場合、このような配線が生成されたら仕様外になるという警告がプロセッサに発せられ得る。諸実施形態では、接続とは、マイクロプロセッサのダイなどの構成要素と確立される電気接続を意味すると理解される。
[0051]図6を参照すると、マイクロリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法600が開示される。一実施形態では、設計状態の構成要素の位置データ及び構成要素への電気接続パターンが取得される(602)。次に、604では、構成要素は、マイクロリソグラフィシステムのステージ上に配置される。606では、少なくとも1つの走査デバイスを用いて構成要素を含むステージが走査され、構成要素及び電気接続パターンのための第2のセットの座標データが生成される。608では、取得された構成要素の座標データが、座標データの第2のセットと比較され、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットが判定される。610では、構成要素への電気接続パターンが、オフセットデータに基づいて少なくとも部分的に拡張される。612では、電気接続パターンが製造される。
[0052]図7を参照すると、マイクロリソグラフィシステムにおいて基板を処理するための方法700が開示される。一実施形態では、少なくとも1つの構成要素、及び少なくとも1つの構成要素への少なくとも1つの配線接続パターンに関係する、設計状態の座標データが取得される(702)。構成要素は、基板上にある構成要素又は基板の中にある構成要素のうちの1つである。704では、方法は、マイクロリソグラフィシステム内のステージ上に基板を配置することにより継続する。次いで、方法は、706では、ステージ上の基板をリソグラフィシステムの走査デバイスに移動させることにより継続する。708では、方法は、走査デバイスを用いて構成要素を含む基板を走査して、構成要素についての第2の座標データセットを生成することにより継続する。710では、方法は、取得されたステージの構成要素の座標データを座標データの第2のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することにより継続する。次いで、方法は、712では、オフセットのデータ、座標データの第2のセットを生成するために使用された構成要素の走査の視覚画像、及び構成要素のための座標データの第2のセットのうちの1つに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への少なくとも1つの配線接続パターンを拡張することにより継続する。714では、少なくとも1つの配線接続パターンが製造される。
[0053]1つの例示的な実施形態では、リソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法が開示されている。当該方法は、設計状態における構成要素の座標データ及び構成要素への接続パターンを取得することと、リソグラフィシステムに関連付けられた少なくとも1つの走査デバイスの範囲内に構成要素を配置することと、少なくとも1つの走査デバイスを用いて構成要素を走査して、構成要素のための座標データの第2のセットを生成することと、取得された構成要素の座標データを座標データの第2のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することと、オフセットのデータ、座標データの第2のセットを生成するために使用された構成要素の走査の視覚画像、及び構成要素のための座標データの第2のセットのうちの1つに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への接続パターンを拡張することを含む。
[0054]別の非限定的な実施形態では、構成要素が基板上に配置される方法を実行することができる。
[0055]別の非限定的な実施形態では、基板がリソグラフィシステムの割り付けテーブル上に配置される方法を実行することができる。
[0056]別の非限定的な実施形態では、接続パターンの拡張がコンピュータ分析によって実行される方法を実行することができる。
[0057]別の非限定的な実施形態では、取得された座標データを座標データの第2のセットと比較することが、オフセットを閾値と比較することをさらに含む方法を実行することができる。
[0058]別の非限定的な実施形態では、この方法は、オフセットが閾値未満である場合、オフセットをゼロに設定することをさらに含み得る。
[0059]別の非限定的な実施形態では、方法は、取得された座標データを座標データの第2のセットと比較することが、オフセットを閾値と比較することと、比較が閾値よりも大きい場合、閾値を超えたというユーザへの警告を生成することとをさらに含むことをさらに含み得る。
[0060]別の非限定的な実施形態では、方法は、拡張された接続パターンのデータに基づいて、接続パターンを作製することをさらに含み得る。
[0061]別の例示的な実施形態では、マスクレスマイクロリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法が開示されている。当該方法は、設計状態の構成要素の位置データ及び構成要素への電気接続パターンを取得することと、マイクロリソグラフィシステムのステージ上に構成要素を配置することと、マイクロリソグラフィシステムの少なくとも1つの走査デバイスの範囲内にステージを配置することと、少なくとも1つの走査デバイスを用いて構成要素を含むステージを走査して、構成要素及び電気接続パターンについての座標データの第2のセットを生成することと、取得された構成要素の座標データを座標データの第2のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することと、オフセットのデータに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への電気接続パターンを拡張することを含む。
[0062]例示的な一実施形態では、方法は、拡張された接続パターンのデータに基づいて、接続パターンを作製することをさらに含み得る。
[0063]別の例示的な実施形態では、構成要素が基板上に配置される方法を実行することができる。
[0064]別の例示的な実施形態では、接続パターンの拡張がコンピュータ分析によって実行される方法を実行することができる。
[0065]別の例示的な実施形態では、取得された座標データを座標データの第2のセットと比較することが、オフセットを閾値と比較することをさらに含む方法を実行することができる。
[0066]別の例示的な実施形態では、マイクロリソグラフィシステムがマスクレスシステムである方法を実行することができる。
[0067]別の例示的な実施形態では、取得された座標データを座標データの第2のセットと比較することが、オフセットを閾値と比較することをさらに含む方法を実行することができる。
[0068]例示的な一実施形態では、マイクロリソグラフィシステムにおいて基板を処理するための方法が開示されている。当該方法は、少なくとも1つの構成要素、及び少なくとも1つの構成要素への少なくとも1つの配線接続パターンに関係する、設計状態における座標データを取得することであって、構成要素が、基板上にある構成要素又は基板の中にある構成要素のうちの1つである、設計状態における座標データを取得することと、マイクロリソグラフィシステム内のステージ上に基板を配置することと、ステージ上の基板をリソグラフィシステムの走査デバイスへと移動させることと、走査デバイスを用いて構成要素を含む基板を走査して、構成要素のための座標データの第2のセットを生成することと、取得されたステージの構成要素の座標データを座標データの第2のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することと、オフセットのデータ、座標データの第2のセットを生成するために使用された構成要素の走査の視覚画像、及び構成要素のための座標データの第2のセットのうちの1つに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への少なくとも1つの配線接続パターンを拡張することを含む。
[0069]別の例示的な実施形態では、方法は、拡張された接続パターンのデータに基づいて、少なくとも1つの配線接続パターンを作製することをさらに含み得る。
[0070]別の例示的な実施形態では、接続パターンの拡張がコンピュータ分析によって実行される方法を実行することができる。
[0071]さらに別の例示的な実施形態では、取得された座標データを座標データの第2のセットと比較することが、オフセットを閾値と比較することをさらに含む方法を実行することができる。
[0072]諸実施形態が本明細書に記載されているが、本開示の恩恵を受ける当業者は、本出願の発明の範囲から逸脱しない他の実施形態が想定されることを理解するであろう。したがって、本特許請求の範囲又は後続の関連する特許請求の範囲は、本明細書に記載された実施形態の説明によって過度に限定されるものではない。
Claims (15)
- マスクレスリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法であって、
設計状態の構成要素の座標データ及び前記構成要素への接続パターンを取得することと、
前記リソグラフィシステムに関連付けられた少なくとも1つの走査デバイスの範囲内に前記構成要素を配置することと、
前記少なくとも1つの走査デバイスを用いて前記構成要素を走査して、前記構成要素についての座標データの第2のセットを生成することと、
取得された前記構成要素の前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較して、前記走査デバイスを用いて走査された前記構成要素と前記設計状態とのオフセットを判定することと、
前記オフセットのデータ、前記座標データの第2のセットを生成するために使用された前記構成要素の走査の視覚画像、及び前記構成要素についての前記座標データの第2のセットのうちの1つに少なくとも部分的に基づいて、前記構成要素への前記接続パターンを拡張すること
を含む方法。 - 前記構成要素が基板上に配置され、前記基板が前記リソグラフィシステムの割り付けテーブル上に配置される、請求項1に記載の方法。
- 前記接続パターンを拡張することが、コンピュータ分析によって実行される、請求項1に記載の方法。
- 取得された前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較することが、前記オフセットを閾値と比較することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記オフセットが前記閾値未満である場合、前記オフセットをゼロに設定することをさらに含む、請求項4に記載の方法。
- 取得された前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較することが、前記オフセットを閾値と比較することをさらに含むことと、
前記比較することが前記閾値より大きい場合、前記閾値を超えたというユーザへの警告を生成すること
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 拡張された前記接続パターンのデータに基づいて、前記接続パターンを作製することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- マスクレスマイクロリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法であって、
設計状態の構成要素の位置データ及び前記構成要素への電気接続パターンを取得することと、
マイクロリソグラフィシステムのステージ上に前記構成要素を配置することと、
前記マイクロリソグラフィシステムの少なくとも1つの走査デバイスの範囲内に前記ステージを配置することと、
前記少なくとも1つの走査デバイスを用いて前記構成要素を含む前記ステージを走査して、前記構成要素及び前記電気接続パターンについての座標データの第2のセットを生成することと、
取得された前記構成要素の前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較して、前記走査デバイスを用いて走査された前記構成要素と前記設計状態とのオフセットを判定することと、
前記オフセットのデータに少なくとも部分的に基づいて、前記構成要素への前記電気接続パターンを拡張すること
を含む方法。 - 拡張された接続パターンのデータに基づいて、接続パターンを作製することをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 前記構成要素が基板上に配置される、請求項8に記載の方法。
- 前記接続パターンを拡張することが、コンピュータ分析によって実行され、又は、
取得された前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較することが、前記オフセットを閾値と比較することを含む、
請求項8に記載の方法。 - 前記マイクロリソグラフィシステムが、マスクレスシステムであり、又は、
取得された前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較することが、前記オフセットを閾値と比較することをさらに含む、
請求項8に記載の方法。 - マスクレスマイクロリソグラフィシステムにおいて基板を処理するための方法であって、
少なくとも1つの構成要素、及び前記少なくとも1つの構成要素への少なくとも1つの配線接続パターンに関係する、設計状態における座標データを取得することであって、前記構成要素が、前記基板上にある構成要素又は前記基板の中にある構成要素のうちの1つである、設計状態における座標データを取得することと、
前記マイクロリソグラフィシステム内のステージ上に前記基板を配置することと、
前記ステージ上の前記基板をリソグラフィシステムの走査デバイスへと移動させることと、
前記走査デバイスを用いて前記構成要素を含む前記基板を走査して、前記構成要素についての座標データの第2のセットを生成することと、
取得された前記ステージの前記構成要素の前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較して、前記走査デバイスを用いて走査された前記構成要素と前記設計状態とのオフセットを判定することと、
前記オフセットのデータ、前記座標データの第2のセットを生成するために使用された前記構成要素の走査の視覚画像、及び前記構成要素についての前記座標データの第2のセットのうちの1つに少なくとも部分的に基づいて、前記構成要素への前記少なくとも1つの配線接続パターンを拡張すること
を含む方法。 - 拡張された接続パターンのデータに基づいて、前記少なくとも1つの配線接続パターンを作製することをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 前記接続パターンを拡張することが、コンピュータ分析によって実行され、又は、
取得された前記座標データを前記座標データの第2のセットと比較することが、前記オフセットを閾値と比較することをさらに含み、又は、
前記構成要素が、半導体構成要素である、
請求項13に記載の方法。
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US6519759B2 (en) * | 2000-04-19 | 2003-02-11 | Nec Corporation | Photomask pattern shape correction method and corrected photomask |
JP2003186173A (ja) | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
JP4274784B2 (ja) | 2002-05-28 | 2009-06-10 | 新光電気工業株式会社 | 配線形成システムおよびその方法 |
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DE10334577B3 (de) | 2003-07-28 | 2005-02-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Aufbringen einer Umverdrahtung auf einen Nutzen unter Kompensation von Positionsfehlern und Halbleiterchips in Bauteilpositionen des Nutzens |
US7116398B2 (en) | 2003-11-07 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4493391B2 (ja) | 2004-04-20 | 2010-06-30 | 新光電気工業株式会社 | パターン形成方法およびその装置ならびに設計データの補正方法およびその装置 |
US20060066649A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for recording images on deformed image-recordable object |
JP5106747B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2012-12-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | パターン形成方法、半導体装置の製造方法及び露光用マスクセット |
DE102005003183B4 (de) * | 2005-01-19 | 2011-06-16 | Qimonda Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen auf einem Wafer |
WO2007058188A1 (ja) | 2005-11-15 | 2007-05-24 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
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JP2008058797A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Fujifilm Corp | 描画装置及び描画方法 |
JP2008139688A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toshiba Corp | 半導体集積回路の製造方法、マスクの製造方法、半導体マスクデータ製造装置、マスクパターンの修正方法、及び設計レイアウトの修正方法 |
JP2009014830A (ja) | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターンデータ生成装置、露光システム、パターンデータ生成方法、およびプログラム |
US8130366B2 (en) | 2008-03-21 | 2012-03-06 | Asml Netherlands B.V. | Method for coarse wafer alignment in a lithographic apparatus |
US20100142838A1 (en) | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Micronic Laser Systems Ab | Gradient assisted image resampling in micro-lithographic printing |
US8799845B2 (en) | 2010-02-16 | 2014-08-05 | Deca Technologies Inc. | Adaptive patterning for panelized packaging |
JP5496041B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-05-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 変位算出方法、描画データの補正方法、描画方法および描画装置 |
KR101678039B1 (ko) | 2010-10-01 | 2016-11-21 | 삼성전자 주식회사 | 마스크리스 노광 장치, 마스크리스 노광에서 노광 시작 위치와 자세를 결정하는 방법 |
JP2012208237A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Ibiden Co Ltd | 描画装置の検査装置、描画装置、プログラム、描画装置の検査方法、及びプリント配線板の製造方法 |
JP2013058520A (ja) | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置、データ補正装置、再配線層の形成方法、および、データ補正方法 |
JP5779145B2 (ja) | 2012-06-28 | 2015-09-16 | 株式会社Screenホールディングス | 配線データの生成装置、生成方法、そのプログラム、および描画装置 |
KR101984898B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2019-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크리스 노광 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법 및 그 표시 장치 |
NL2013249A (en) * | 2013-08-20 | 2015-02-23 | Asml Netherlands Bv | Lithography system and a machine learning controller for such a lithography system. |
KR20160073415A (ko) | 2013-10-22 | 2016-06-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 능동 정렬을 이용하는 롤 투 롤 마스크-없는 리소그래피 |
US10331038B2 (en) | 2015-03-24 | 2019-06-25 | Applied Materials, Inc. | Real time software and array control |
KR20160121206A (ko) * | 2015-04-10 | 2016-10-19 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 에러의 검출 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2017067992A (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置、露光装置のアライメント方法、およびプログラム |
WO2017067752A1 (en) | 2015-10-19 | 2017-04-27 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to correct for patterning process error |
JP6730851B2 (ja) | 2016-06-01 | 2020-07-29 | キヤノン株式会社 | 決定方法、形成方法、プログラム、および物品の製造方法 |
JP2017223887A (ja) * | 2016-06-17 | 2017-12-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びフォトマスク |
CN107887324B (zh) | 2016-09-30 | 2019-09-13 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种半导体重布线方法 |
US10935892B2 (en) * | 2017-05-15 | 2021-03-02 | Applied Materials, Inc. | Freeform distortion correction |
US10792756B2 (en) * | 2017-08-13 | 2020-10-06 | Richard A Comunale | Additive metal manufacturing system for in-situ metrology and process control |
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