TWI794536B - 在無光罩微影系統中處理設備與基板的方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露的多個方面係提供用於將導線連接(wiring connections)附接至元件的方法，透過使用元件的設計數據與場測量數據(field measured data)兩者以製造精確的導線連接。

Description

在無光罩微影系統中處理設備與基板的方法
本揭露的實施例主要是有關用於處理一或多個基板的設備、系統與方法，更具體地是用於進行光微影製程(photolithography processes)的設備、系統與方法。再更具體地，本揭露的多個方面是有關於適應性封裝(adaptive packaging)的方法與設備。
光微影術被廣泛應用在半導體裝置與顯示裝置(例如，液晶顯示器(LCDs)的製造中。大面積基板時常應用於液晶顯示器的製造中。液晶顯示器或平板(flat panels)普遍地被用於主動式矩陣顯示器中，例如是電腦、觸控面板裝置、個人數位助理(personal digital assistants,PDAs)、行動電話、電視顯示器或其類似物。一般而言，平板包括一層液晶材料，用於形成夾在兩塊板材之間的畫素。當電力從電源供應器被施加於液晶材料的兩側時，穿過液晶材料的光線量是由能夠產生影像的畫素位置進行控制。其他的製造技術則應用在製造有機發光二極體 (OLED)顯示器，而用於電腦、顯示器以及其他提供視覺輸出的系統。
顯微蝕刻(Microlithography)技術已被使用於產生電性特徵，這些電性特徵與形成畫素的液晶材料結合而成為畫素的一部分。根據這些技術，感光的光阻劑被施加於基板的至少一表面上。接著，圖案產生器(pattern generator)將由感光的光阻劑選定的區域作為圖案的一部分進行曝光，使位於選定區域中的光阻劑改變化學性質，以製備用於後續材料移除和/或材料添加製程以產生電性特徵的選定區域。
為了以消費者要求的金額持續提供顯示裝置與其他裝置，需要新的設備及方法用以準確並有成本效益地在基板(例如，大面積基板)上產生圖案。
在數位微影(Lithography)工具中，來自相機的影像是用於尋找對準記號的位置，使得製程可以在已知的位置處進行。為了得到這些影像，必須將相機進行校正並針對像素尺寸、配向(轉動)與一致性而選擇特定的相機。
顯微蝕刻系統的主要挑戰之一為元件之間導線的配置。通常，關注的這些配置是涉及從固定的外部周圍，到放置在限定區域內部的元件。必須將導線從固定的周圍(此可能是其他元件的連接點)配置到限定區域內部的元件的各個連接點(例如，半導體晶片)。
元件在此限定區域內的放置至關重要。一般來說，從周圍到元件的連接導線是固定的(靜止的)。倘若元件未對準限定區域中的預期位置，則導線元件在製造時也將是未對準的。必須格外小心，使元件被正確地放置且在製程期間不會移位。這種元件的準確放置存在很大的問題，且在製程期間可能會發生未對準的情況。這些原因導致的問題包括製造出不合規格的元件，到完全無法運作的元件。而這類的問題則影響了微影製程的總體經濟可行性。
需要能夠產生用於元件的導線系統，使得在製程期間元件可未對準至一個閾值量(threshold amount)。
還進一步需要透過無光罩的顯微蝕刻系統以允許更快速的元件處理。
仍進一步需要透過無光罩的顯微蝕刻系統以允許元件處理更高的生產量。
仍進一步需要允許元件放置在限定範圍內的些微偏差，使得在製程期間系統可適應元件實際的「原位」處理，而並非是難以實現的假想完美對準。
本揭露的多個方面提供用於將導線連接(wiring connections)附接至元件的方法，透過使用元件的設計數據與場測量數據(field measured data)兩者以製造精確的導線連接。
在一示例實施例中，揭露一種用於在微影系統中處理設備的方法，包括：得到設計狀態中元件上的座標數據以及連接至元件的連接圖案(connection pattern)；將元件放置在與微影系統相關的至少一掃描裝置的範圍內；以至少一掃描裝置對元件進行掃描以產生元件的第二組座標數據；將得到的元件的座標數據與第二組座標數據進行比較，以決定由掃描裝置進行掃描的元件相較於設計狀態的偏差量(offset)；以及，至少部分地根據偏差量數據、用於產生第二組座標數據的元件之掃描的視覺影像、以及元件的第二組座標數據的其中一者來對連接至元件的連接圖案進行擴增。
在另一示例實施例中，揭露用於在顯微蝕刻系統中處理設備的方法包括：得到設計狀態中元件上的座標數據，以及連接至元件的電性連接圖案；將元件放置在顯微蝕刻系統的平台上；將平台放置在顯微蝕刻系統的至少一掃描裝置的範圍內；以至少一掃描裝置對包括元件之平台進行掃描，以產生元件與電性連接圖案的第二組座標數據；將得到的元件的座標數據與第二組座標數據進行比較，以決定由掃描裝置進行掃描的元件與設計狀態之間的偏差量；以及，至少部分地根據偏差量數據，將連接至元件的電性連接圖案進行擴增。
在一示例實施例中，揭露用於在顯微蝕刻系統中處理基板的方法包括：取得設計狀態中的座標數據，設計狀態是有關於至少一元件，以及連接至此至少一元件的至少一導線連接圖 案，其中元件是在基板上與在基板內兩者之至少一者；將基板放置在顯微蝕刻系統的平台上；將平台上的基板移動至微影系統的掃描裝置處；透過掃描裝置對包括元件之基板進行掃描，以產生元件的第二組座標數據；將得到的平台上的元件的座標數據與第二組座標數據進行比較，以決定以掃描裝置進行掃描的元件相較於設計狀態的偏差量；以及，至少部分地根據偏差量數據、用於產生第二組座標數據的元件掃描的視覺影像、以及元件的第二組座標數據的其中一者來對連接至元件的至少一導線連接圖案進行擴增。
100、200:光微影系統
110:基底框架
112:被動空氣隔離器
120:板件
122:支撐件
124:軌道
126:編碼器
128:內壁
130:平台
140:基板
150:軌道
160:處理設備
162:支撐部
164:處理單元
165:殼體部
166:開口
270、271、281:影像投影設備
272:光源
273:光束
274:孔
276:透鏡
280:空間光線調節器
282:光線收集器
283:聚焦感測器
284:對準與檢驗系統
285:相機
286:投影光學元件
287:微型發光二極體
288:受抑稜鏡組件
289:數位微鏡裝置
290:影像投影系統
500、600、700:方法
502、504、506、508、510、602、604、606、608、610、612、702、704、706、708、710、712、714:步驟
為了可以理解本揭露的上述特徵的細節，藉由參照一些繪示在附圖內的實施例，可得到本揭露(簡單總結於上)的更確切的描述。然而，應當注意的是這些附圖僅繪示出例示性的實施例，因此不應當被視為限制其範疇，並容許其他等效的實施例。
第1A圖為根據本揭露的實施例中光微影系統的透視圖。
第1B圖為根據本揭露的實施例中光微影系統的透視圖。
第2A圖為根據本揭露的實施例中影像投影設備的透視示意圖。
第2B圖與第2C圖為根據本揭露的實施例中影像投影設備的透視示意圖。
第3圖為具有假想連接的裝置的示意圖。
第4圖為第3圖的裝置的擴增位置中，具有修正的導線連接的示意圖。
第5圖為產生連接至裝置的導線連接的方法。
第6圖為產生連接至裝置的導線連接的第二方法。
第7圖為產生連接至裝置的導線連接的第三方法。
為了便於理解，在可能的情況下使用相同的元件符號來表示圖式中共有的相同元件。可預期到的是，一個實施例中的元件以及特徵可以有益地結合至其他實施例中，而無須進一步的敘述。
在以下描述的多個方面中，眼結構(eye configurations)、對準標誌形狀、以及單元的代碼都是代表性以作為示例。可能具有任何數量的眼，以及任何數量的步驟以捕捉對準標誌影像。對準標誌的形狀不受十字形的限制。對準標誌可以是任何形狀。標誌單元代碼可透過光學字元辨識(Optical Character Recognition,OCR)、形狀變更或是尺寸變更而實現。標誌單元代碼也可以被埋置，並藉由改變線的厚度或是將額外的特徵新增到線上而用以自我標誌。因此，所說明的實施例在本質上僅是描述性質的，而不應將其視為限制。
第1A圖為根據本揭露的實施例中光微影系統100的透視圖。光微影系統100包括基底框架110、板件120、平台 130、以及處理設備160。基底框架110放置在生產設施的地板上並支撐著板件120。被動空氣隔離器112位於基底框架110與板件120之間。在一實施例中，板件120是整片的花崗岩(granite)，而平台130則設置在板件120上。基板140由平台130所支撐。多個孔洞(未繪示)形成在平台130中，以允許多個升舉銷(lift pin)延伸穿過其中。在一些實施例中，升舉銷升至一延伸位置以從例如是一或多個傳送機器人(未繪示)處接收基板140。一或多個傳送機器人是用於從平台130處裝載與卸載基板140。
基板140包括任何合適的材料，例如用作平板顯示器一部分的石英。在其他實施例中，基板140是以其他材料所製成。在一些實施例中，基板140具有形成在其上的光阻層。光阻劑對輻射敏感。正性光阻劑包括部分的光阻劑，當此光阻劑暴露於輻射時將會分別地溶於光阻顯影液，其中光阻顯影液是當圖案被寫入光阻劑後施加於光阻劑。負性光阻劑包括部分的光阻劑，當此光阻劑暴露於輻射時將會分別地不溶於光阻顯影液，其中光阻顯影液是當圖案被寫入光阻劑後施加於光阻劑。光阻劑的化學組成決定光阻劑為正性光阻劑或是負性光阻劑。光阻劑的示例包括(但不限於)重氮萘醌(diazonaphthoquinone)、酚醛樹脂(phenol formaldehyde resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate))、聚甲基戊二酰亞胺 (poly(methyl glutarimide))與SU-8的至少其中一種。透過此方式，可將圖案產生於基板140的表面上以形成電子電路。
光微影系統100包括一對支撐件122與一對軌道124。一對支撐件122設置在板件120上，且板件120與一對支撐件122為單件的材料。一對軌道124是由一對支撐件122所支撐，而平台130則沿著軌道124在X方向中移動。在一實施例中，一對軌道124是一對平行的磁性軌道。如圖所示，一對軌道124的每個軌道124都是線性的。在其他實施例中，一或多個軌道是非線性的。編碼器126耦接至平台130，用以將位置資訊提供至控制器(未繪示)。
處理設備160包括支撐部162與處理單元164。支撐部162設置於板件120上，並包括使平台130從處理單元164下方穿過的開口166。處理單元164由支撐部162所支撐。在一實施例中，處理單元164為一圖案產生器，設置以在光微影製程中將光阻劑進行曝光。在一些實施例中，圖案產生器是設置以進行無光罩的微影製程。處理單元164包括多個影像投影設備(繪示於第2A圖與第2B圖中)。在一實施例中，處理單元164包含多達84個影像投影設備。每個影像投影設備設置在殼體部165中。處理設備160有益於進行無光罩的直接圖案化。
在操作期間，平台130在X方向中從裝載位置(如第1A圖中所示)移動至處理位置。處理位置是當平台130從處理單元164下方穿過時平台130的一或多個位置。在操作期間， 平台130由多個空氣軸承(未繪示)升起，並沿著一對軌道124從裝載位置移動至處理位置。多個垂直導引空氣軸承(未繪示)係耦接至平台130，並鄰接於每個支撐件122的內壁128設置，用以穩定平台130的移動。平台130也可藉由沿著用於對基板140進行處理和/或索引(indexing)的軌道150移動，而在Y方向中進行移動。平台130能夠獨立操作，在一方向中對基板140進行掃描而在其他方向中進行移位。
測量系統即時地量測每個平台130的X、Y橫向位置座標，使得多個影像投影設備中的每一者都能將待寫入覆蓋在基板上的光阻劑中的圖案進行精確的定位。測量系統亦提供對每個平台130大約垂直或z軸的角位置進行即時量測。角位置量測可用於透過伺服機構(servo mechanism)在掃描期間保持角位置恆定，或者可用於對由影像投影設備270在基板140上寫入的圖案的位置進行校正(如第2A圖與第2B圖所示)。這些技術皆可被結合應用。
第1B圖為根據本揭露的實施例中光微影系統200的透視圖。光微影系統200類似於光微影系統100；然而，光微影系統20包括兩個平台130。兩個平台130中的每一者都能夠獨立操作，並在一方向中對基板140進行掃描而在另一方向中進行移位。在一些實施例中，當兩個平台130的其中一者正在進行基板140的掃描時，兩個平台130的另一者則將已曝光的基板卸載並且裝載下一個待曝光的基板。
雖然第1A圖與第1B圖中描繪光微影系統的兩個實施例，然而本揭露還預期其他系統與配置。舉例來說，亦預期了包括任何合適數量的平台的光微影系統。
第2A圖為根據有益於光微影系統(例如光微影系統100或光微影系統200)的實施例中，影像投影設備270的透視示意圖。影像投影設備270包括一或多個空間光線調節器(spatial light modulators)280、包含聚焦感測器283與相機285的對準與檢驗系統284、以及投影光學元件(projection optics)286。影像投影設備的元件取決於所使用的空間光線調節器而有所不同。空間光線調節器包括但不限於微型發光二極體(microLEDs)、數位微鏡裝置(digital micromirror devices,DMDs)以及液晶顯示器(LCDs)。
在操作中，空間光線調節器280是用於對通過影像投影設備270而投影至基板(例如，基板140)的光線的一或多個性質(例如振幅、相位、或偏振性)進行調整。對準與檢驗系統284是用於影像投影設備270中元件的對準與檢驗。在一實施例中，聚焦感測器283包括多個雷射，雷射被導向穿過相機285的透鏡並返回穿過相機285的透鏡而成像在感測器上，以偵測影像投影設備270是否位於焦點上。相機285是用於將基板(例如，基板140)進行成像，以確保影像投影設備270與光微影系統100或200的對準是正確的或是在預定的公差內。投影光學元件286 (例如，一或多個透鏡)係用於將光線投影至基板(例如，基板140)上。
第2B圖是根據本文所述的實施例中的影像投影設備271。在第2B圖中所示的實施例中，影像投影設備271包括作為空間光線調節器的一或多個微型發光二極體287、聚焦感測器283、相機285、以及投影光學元件286。在一實施例中，影像投影設備271更包括光束分離器(未繪示)。微型發光二極體是微觀的(例如，少於約100微米)的發光二極體，可被排列成陣列並用於形成基板(例如，顯示裝置)的獨立畫素。微型發光二極體包括無機材料(例如，無機氮化鎵(GaN)材料)。由於微型發光二極體是自體發光，因此在影像投影設備271中不需要外部的光源。
在使用微型發光二極體的實施例中，相機285亦用於量測一或多個微型發光二極體的影像畫素間距，用以對發生在微型發光二極體裝置上的任何熱膨脹進行校正。
第2C圖是根據本文所述的實施例中的影像投影設備281。在第2C圖中所示的實施例中，影像投影設備281使用作為空間光線調節器的一或多個數位微鏡裝置289。影像投影設備281為影像投影系統290的一部份，影像投影系統290包括光源272、孔274、透鏡276、受抑稜鏡組件(frustrated prism assembly)288、一或多個數位微鏡裝置289(圖中示出一個)、以及光線收集器(light dump)282，以及對準與檢驗系統284 與投影光學元件286。光源272為任何能夠產生預定波長的光線的合適光源(例如，發光二極體或雷射)。在一實施例中，預定的波長是在藍光或近紫外光(UV)的範圍內，例如少於約450奈米。受抑稜鏡組件288包括多個反射表面。投影光學元件286則例如是十倍物鏡。在第2C圖中影像投影設備281的操作期間，具有預定波長的光束273(例如，在藍光範圍內的波長)是由光源272所產生。光束273由受抑稜鏡組件288反射至數位微鏡裝置289。數位微鏡裝置包括多個鏡，而鏡的數量則對應被投影畫素的數量。多個鏡可獨立控制，且多個鏡的每一者是處於「開啟」位置或「關閉」位置，取決於由控制器(未繪示)提供至數位微鏡裝置289的光罩資料而定。當光束273到達數位微鏡裝置289的鏡時，處於「開啟」位置的鏡將光束273反射(即，形成多個寫入光束(write beam))至投影光學元件286。接著，投影光學元件286將寫入光束投影至基板140的表面。處於「關閉」位置的鏡則將光束273反射至光線收集器282，而非反射至基板140的表面。
在經由微影系統的材料處理中，具有一或多個半導體晶片的元件被放置在平台上以進行處理。儘管元件的理想佈局是可能實現以進行處理的，然而種種因素都可能影響這理想的佈局。當微影系統處理元件時，微影系統的處理速度可能將元件進行微小的移動。對於那些較小的元件來說，由於從起點到終點的導線可能很微小，因此這些微小的移動可能會對最終產品產生巨 大的影響。此外，每個元件可能具有數個半導體晶片，因此與「完美」或理想佈局相比，元件的不正確對準可能會對許多的連接線路造成影響。
本揭露的多個方面提供給定一或多個半導體晶片在封裝佈局內的理想放置以及可能涉及一些錯誤的實際放置，可以對理想放置進行修正或扭曲以符合實際放置，從而適應性地產生用於將半導體晶片封裝成更大型組件的佈線(routing)。
參照第3圖，提供一理想佈局圖。倘若每個元件都如預期地放置在待處理的基板上，則可存在此理想佈局圖。而可以理解的是，要以極高的精準度進行元件的放置十分困難。為此目的，即便將元件以極高的精確度進行放置，由於數位微影系統以高速將大型基板進行移動，因此在製程期間仍可能發生移位。
參照第4圖，提供元件之實際佈局圖。如圖所見，元件從第3圖中的位置移位。因此，需要變更連接至元件的導線連接以使元件正確地運作。為此目的，產生了擴增的導線線路架構使得導線是適當的。
參照第5圖，其繪示用於在微影系統中處理一設備的方法500。在第一步驟中可得到數據，例如是在設計狀態中元件上以及連接至元件的連接圖案的座標數據(步驟502)。舉例來說，此數據可從製造圖中得到。此元件可以是任何需要導線附接類型的元件，例如但不限於，處理器。舉例來說，導線可以從 元件連接至固定的外部區域，使得即便元件最終是分離的時候，導線仍可以終止在預定的位置。
可以理解的是，元件係定位於用於進行處理的限定區域內。元件實際的(x,y)座標可能因為各種因素而略有不同，包括在將平板(platen)(分度台indexing table)裝載入顯微蝕刻(Microlithography)機器之前，在平板的初始製程期間對這些元件精準地定位(locate)的能力。其他因素也可能導致元件的移動，例如，在顯微蝕刻步驟期間，對元件之處理。為了實現延伸至固定外部區域，並連接至元件的導線連接(wiring connection)，使用至少一掃描裝置對平板上元件的「原位」(in-situ)定位進行掃描，使每個元件的確切定位能夠被決定(步驟504)。因此，平板被移動至微影系統中的一位置中，以便於進行掃描以處理座標數據。應當理解的是，如果需要，實際狀況的掃描亦可透過獨立的製程來完成，並將數據饋入至顯微蝕刻機器中以供使用。若有必要，可以儲存得到的數據(第二組數據)。第二組座標數據可與得到的座標數據(設計數據)進行比較，用以決定在實際上元件的放置中，相較於理想設計的定位可能出現的任何偏差量(步驟506)。在步驟508中，可以計算偏差量，使顯微蝕刻機器能夠理解元件的確切放置位置。接著，可以使用由偏差量計算而來的數據來對理想設計狀況下的連接圖案進行擴增(例如，步驟510)。應當理解，視覺影像數據亦可用於決定連接圖案所需的差異值。
可以執行數據的電腦分析以決定所需的偏差量。電腦分析不僅可以計算偏差量，亦可在元件與固定的周圍之間提供新的連接導線位置，從而加速製程的進行。
在實施例中，硬體建構者(hardware architects)可以決定與理想放置之間的微小差異是能被允許的。導線連接與元件間的偏差可被確定於在可接受的範圍內。在這些情況下，則可以不需要進行導線連接的更換。
當發現偏差超出可接受的範圍時，可向處理器產生警示，以通知需要進行導線的更換或修正。在其他實施例中，倘若元件的位置與配向超出最大的閾值，則無法與元件有效地形成連接。可向處理器發出獨立的警示，以告知元件已超出容忍值(tolerance)，且即便修正了導線連接，此連接也將會受到影響。
應當理解，導線連接的設計不僅要考慮連接起點與終點的放置精確度，亦須考慮導線連接的長度。倘若導線的長度對於有效率的操作而言過長，並且舉例來說，會導致過度的延遲時間(latency)，則可向處理器發出警示，若製造此種導線則將超出規格範圍外。在實施例中，可將連接理解成表示與元件(例如，微處理器的半導體晶片)建立的電性連接。
參照第6圖，其揭露用於在顯微蝕刻系統中處理一設備的方法600。在一實施例中，可得到設計狀態中元件的座標數據，以及連接至元件的電性連接圖案(步驟602)。下一步，在步驟604中將元件放置在顯微蝕刻系統的平台上。在步驟606 中，透過至少一掃描裝置將包括元件之平台進行掃描，以產生元件的第二組座標數據與電性連接圖案。在步驟608中，將得到的元件座標數據與第二組座標數據進行比較，以決定由掃描裝置進行掃描的元件相較於設計狀態的偏差量。在步驟610中，連接至元件之電性連接圖案至少部分地根據偏差量數據而進行擴增。在步驟612中，進行電性連接圖案的製造。
參照第7圖，其揭露用於在顯微蝕刻系統中處理基板的方法700。在一實施例中，步驟702中，得到設計狀態下的座標數據，設計狀態是有關於至少一元件，以及連接至此至少一元件的至少一導線連接，其中元件是在基板上或基板內的至少一者。在步驟704中，此方法接著將基板放置在顯微蝕刻系統的平台上。在步驟706中，此方法接著將平台上的基板移動至微影系統的掃描裝置處。在步驟708中，此方法接著透過掃描裝置對包括此元件之基板進行掃描，以產生元件的第二組座標數據。在步驟710中，此方法接著將平台上的元件所得到的座標數據與第二組座標數據進行比較，以決定以掃描裝置進行掃描的元件與設計狀態之間的偏差量。接著，此方法在步驟712中至少部分地根據偏差量數據、用於產生第二組座標數據的元件掃描的視覺影像、以及元件的第二組座標數據的其中一者，來對連接至元件的至少一導線連接圖案進行擴增。在步驟714中，進行至少一導線連接圖案的製造。
在一示例實施例中，其揭露用於在微影系統中處理一設備的方法包括：得到設計狀態中，元件上的座標數據以及連接至元件的連接圖案；將元件放置在與微影系統相關的至少一掃描裝置的範圍內；以至少一掃描裝置對元件進行掃描，以產生元件的第二組座標數據；將得到的元件的座標數據與第二組座標數據進行比較，以決定由掃描裝置進行掃描的元件，相較於設計狀態的偏差量；以及，至少部分地根據偏差量數據、用於產生第二組座標數據的元件之掃描的視覺影像、以及此元件的第二組座標數據的其中一者，來對連接至元件的連接圖案進行擴增。
在另一非限制性的實施例中，可執行此方法，其中元件係放置於基板上。
在另一非限制性的實施例中，可執行此方法，其中基板是放置於微影系統的分度台上。
在另一非限制性的實施例中，可執行此方法，其中係藉由電腦分析來進行連接圖案的擴增。
在另一非限制性的實施例中，可執行此方法，其中將得到的座標數據與第二組座標數據進行比較的步驟中，更包括將偏差量與閾值進行比較。
在另一非限制性的實施例中，此方法可更包括，當該偏差量少於閾值時，將該偏差量設定為零。
在另一非限制性的實施例中，此方法可以更包括，將得到的座標數據與第二組座標數據進行比較的步驟中，更包括 將偏差量與閾值進行比較，並且當比較結果中偏差量係大於閾值時，對使用者產生警示，以提示已超出閾值。
在另一非限制性的實施例中，此方法可更包括根據擴增的連接圖案，製造連接圖案。
在另一示例實施例中，其揭露用於在顯微蝕刻系統中處理一設備的方法，包括下列步驟。得到設計狀態中，元件上的座標數據以及連接至元件的電性連接圖案；將元件放置在顯微蝕刻系統的平台上；將平台放置在顯微蝕刻系統的至少一掃描裝置的範圍內；以至少一掃描裝置對包括此元件之平台進行掃描，以產生元件與電性連接圖案的第二組座標數據；將得到的元件的座標數據與第二組座標數據進行比較，以決定由掃描裝置進行掃描的元件相較於設計狀態的偏差量；以及，至少部分地根據偏差量數據，將連接至元件的電性連接圖案進行擴增。
在一示例實施例中，此方法可更包括根據擴增的電性連接圖案，製造電性連接圖案。
在另一示例實施例中，可執行此方法，其中元件係放置於基板上。
在另一示例實施例中，可執行此方法，其中係藉由電腦分析來進行電性連接圖案的擴增。
在另一示例實施例中，可執行此方法，其中將得到的座標數據與第二組座標數據進行比較的步驟中，更包括將偏差量與閾值進行比較。
在另一示例實施例中，可執行此方法，其中顯微蝕刻系統為無光罩系統。
在一示例實施例中，其揭露用於在顯微蝕刻系統中處理一基板的方法，包括以下步驟。取得設計狀態中的座標數據，設計狀態係有關於至少一元件以及連接至此至少一元件的至少一導線連接圖案，其中元件係在基板上與在基板內二者之至少一者；將基板放置在顯微蝕刻系統中的平台上；將平台上的基板移動至微影系統的掃描裝置處；透過掃描裝置對包括此元件之基板進行掃描，以產生此元件的第二組座標數據；將得到的平台上的元件的座標數據與第二組座標數據進行比較，以決定以掃描裝置進行掃描的元件相較於設計狀態的偏差量；以及，至少部分地根據偏差量數據、用於產生第二組座標數據的元件掃描的視覺影像、以及元件的第二組座標數據的其中一者，來對連接至元件的至少一導線連接圖案進行擴增。
在另一示例實施例中，此方法可更包括根據擴增的導線連接圖案，製造至少一導線連接圖案。
在另一示例實施例中，可執行此方法，其中係藉由電腦分析來進行導線連接圖案的擴增。
在一更進一步的示例實施例中，可執行此方法，其中將得到的座標數據與第二組座標數據進行比較的步驟中，更包括將偏差量與閾值進行比較。
儘管本文已描述了實施例，然而受益於本揭露的通常知識者將會預期到，在不背離本發明的發明範疇下其他的實施例是能夠預見的。因此，本申請專利範與任何後續相關的申請專利範圍的範疇，不應受到本文所述的實施例中的敘述而被不當地限制。

Claims (20)

  1. 一種用於在無光罩的一微影系統中處理一設備的方法，包括：得到在一設計狀態中，一元件上的一座標數據以及連接至該元件的一電性連接的一外觀(aspect)；將該元件放置在與該微影系統相關的至少一掃描裝置的範圍內；以該至少一掃描裝置對該元件進行掃描，以產生該元件的一第二組座標數據；將得到的該元件的該座標數據與該第二組座標數據進行比較，以決定由該至少一掃描裝置進行掃描的該元件，相較於該設計狀態的一偏差量；以及至少部分地根據該偏差量的數據、用於產生該第二組座標數據的該元件之掃描的視覺影像、以及該元件的該第二組座標數據的其中一者，來對連接至該元件的該電性連接的該外觀進行變更，其中該方法是在無光罩的該微影系統中原位進行。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該元件係放置於一基板上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該基板是放置於該微影系統的一平台上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中係藉由電腦分析來進行該電性連接的該外觀的變更。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中將得到的該元件的該座標數據與該第二組座標數據進行比較的步驟中，更包括將該偏差量與一閾值進行比較。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，更包括：當該偏差量少於該閾值時，將該偏差量設定為零。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括：將得到的該元件的該座標數據與該第二組座標數據進行比較的步驟中，更包括將該偏差量與一閾值進行比較；以及當比較結果中該偏差量係大於該閾值時，對一使用者產生一警示，以提示已超出該閾值。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括：根據變更的該電性連接的該外觀，製造該電性連接。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中係根據該偏差量的數據來變更該電性連接的該外觀。
  10. 一種用於在無光罩的一顯微蝕刻系統中處理一設備的方法，包括：得到一設計狀態中，一元件上的一座標數據以及連接至該元件的一電性連接的一外觀(aspect)；將該元件放置在該顯微蝕刻系統的一平台上；將該平台放置在該顯微蝕刻系統的至少一掃描裝置的範圍內；以該至少一掃描裝置對包括該元件之該平台進行掃描，以產生該元件與該電性連接的該外觀的一第二組座標數據； 將得到的該元件的該座標數據與該第二組座標數據進行比較，以決定由該至少一掃描裝置進行掃描的該元件相較於該設計狀態的一偏差量；以及至少部分地根據該偏差量的數據，將連接至該元件的該電性連接的該外觀進行變更，其中該方法是在無光罩的該顯微蝕刻系統中原位進行。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，更包括：根據變更的該電性連接的該外觀，製造該電性連接。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該元件係放置於一基板上。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中係藉由電腦分析來進行該電性連接的該外觀的變更。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中將得到的該元件的該座標數據與該第二組座標數據進行比較的步驟中，更包括將該偏差量與一閾值進行比較。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該顯微蝕刻系統為一無光罩系統。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中將獲得的該座標數據與該第二組座標數據進行比較的步驟中，更包括將該偏差量與一閾值進行比較。
  17. 一種用於在無光罩的一顯微蝕刻系統中處理一基板的方法，包括： 取得一設計狀態中的一座標數據，該設計狀態係有關於至少一元件以及連接至該至少一元件的至少一導線連接的一外觀(aspect)，其中該至少一元件係在該基板上與在該基板內二者之至少一者；將該基板放置在該顯微蝕刻系統中的一平台上；將該平台上的該基板移動至該顯微蝕刻系統的一掃描裝置處；透過該掃描裝置對包括該至少一元件之該基板進行掃描，以產生該至少一元件的一第二組座標數據；將得到的該平台上的該至少一元件的該座標數據與該第二組座標數據進行比較，以決定以該掃描裝置進行掃描的該至少一元件相較於該設計狀態的一偏差量；以及至少部分地根據該偏差量的數據、用於產生該第二組座標數據的該至少一元件掃描的視覺影像、以及該至少一元件的該第二組座標數據的其中一者，來對連接至該至少一元件的該至少一導線連接的該外觀進行變更，其中該方法是在無光罩的該顯微蝕刻系統中原位進行。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，更包括：根據變更的該至少一導線連接的該外觀，製造該至少一導線連接。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中係藉由電腦分析來進行該至少一導線連接的該外觀的變更。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中係根據該偏差量的數據來變更該至少一導線連接的該外觀。
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