KR20210074403A - 레이아웃 적응형 패키징의 동적 생성 - Google Patents

레이아웃 적응형 패키징의 동적 생성 Download PDF

Info

Publication number
KR20210074403A
KR20210074403A KR1020217017879A KR20217017879A KR20210074403A KR 20210074403 A KR20210074403 A KR 20210074403A KR 1020217017879 A KR1020217017879 A KR 1020217017879A KR 20217017879 A KR20217017879 A KR 20217017879A KR 20210074403 A KR20210074403 A KR 20210074403A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
component
coordinate data
processing
connection pattern
substrate
Prior art date
Application number
KR1020217017879A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102616685B1 (ko
Inventor
우베 홀러바흐
토마스 엘. 라이디그
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority to KR1020237043506A priority Critical patent/KR20240000631A/ko
Publication of KR20210074403A publication Critical patent/KR20210074403A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102616685B1 publication Critical patent/KR102616685B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Abstract

본 개시내용의 양상들은 정확한 배선 연결들을 생성하기 위해 컴포넌트의 설계 및 현장 측정 데이터 둘 모두를 사용하여 컴포넌트에 배선 연결들을 부착하기 위한 방법을 제공한다.

Description

레이아웃 적응형 패키징의 동적 생성
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 하나 이상의 기판들을 프로세싱하기 위한 장치들, 시스템들 및 방법들에 관한 것으로, 더 구체적으로는, 포토리소그래피(photolithography) 프로세스들을 수행하기 위한 장치들, 시스템들 및 방법들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용의 양상들은 적응형(adaptive) 패키징 방법들 및 장치에 관한 것이다.
[0002] 포토리소그래피는 반도체 디바이스들 및 디스플레이 디바이스들, 이를테면, LCD(liquid crystal display)들의 제조에서 널리 사용된다. LCD들의 제조에서 대면적 기판들이 대개 활용된다. LCD들 또는 플랫 패널(flat panel)들은 보통, 액티브 매트릭스(active matrix) 디스플레이들, 이를테면, 컴퓨터들, 터치 패널 디바이스들, PDA(personal digital assistant)들, 셀 폰(cell phone)들, 텔레비전 모니터들 등을 위해 사용된다. 일반적으로, 플랫 패널들은, 2개의 플레이트들 사이에 샌드위칭(sandwich)되는 픽셀들을 형성하는 액정 재료의 층을 포함한다. 전력 공급부로부터의 전력이 액정 재료에 걸쳐 인가될 때, 액정 재료를 통과하는 광의 양이 픽셀 위치들에서 제어되어, 이미지들이 생성되는 것을 가능하게 한다. 시각적 출력을 제공하는 컴퓨터들, 모니터들 및 다른 시스템들에서 사용하기 위한 유기 발광 다이오드("OLED") 디스플레이들을 생성하기 위해 다른 제조 기법들이 사용된다.
[0003] 마이크로리소그래피(microlithography) 기법들은, 픽셀들을 형성하는 액정 재료 층의 일부로서 포함되는 전기 피처(feature)들을 생성하기 위해 이용되었다. 이러한 기법들에 따르면, 기판의 적어도 하나의 표면에 감광성 포토레지스트(light-sensitive photoresist)가 적용된다. 그런 다음, 패턴 생성기는, 패턴의 일부로서의 감광성 포토레지스트의 선택된 영역들을 광에 노출시켜, 선택적인 영역들에서의 포토레지스트에 화학적인 변화들을 야기함으로써, 이러한 선택적인 영역들을, 전기 피처들을 생성하기 위한 후속적인 재료 제거 및/또는 재료 추가 프로세스들을 위해 준비시킨다.
[0004] 소비자들이 요구하는 가격들로 디스플레이 디바이스들 및 다른 디바이스들을 계속 제공하기 위해, 기판들, 이를테면, 대면적 기판들 상에 패턴들을 정밀하게 그리고 비용-효율적으로 생성하기 위한 새로운 장치들 및 접근법들이 필요하다.
[0005] 디지털 리소그래피 툴들에서, 카메라로부터의 이미지들은, 알려진 위치에 걸쳐 프로세싱이 발생할 수 있도록 정렬 마크들의 포지션을 찾는 데 사용된다. 이미지들을 획득하기 위해, 카메라들은 교정되고, 픽셀 크기, 배향(회전) 및 균일성에 맞게 특별히 선택된다.
[0006] 마이크로리소그래피 시스템들의 주요 난제들 중 하나는 컴포넌트들 사이의 배선(wiring)의 배치이다. 대개, 관심 어레인지먼트들은 정의된 영역의 내부에 배치된 컴포넌트에 대한 고정된 외측 주변부를 수반한다. 고정된 주변부(이는 다른 컴포넌트에 대한 연결 지점일 수 있음)로부터, 정의된 영역의 내부에 있는 컴포넌트의 개별 연결 지점들, 이를테면, 다이까지 배선이 배치되어야 한다.
[0007] 이러한 정의된 영역 내에 컴포넌트를 배치하는 것이 중요하다. 일반적으로, 주변부로부터 컴포넌트로의 연결 배선은 고정된다(정적임). 컴포넌트가 정의된 영역 내의 의도된 포지션과 관련하여 오정렬되면, 배선 컴포넌트들은 생성될 때 오정렬될 것이다. 컴포넌트가 적절하게 배치되고 프로세싱 동안 시프트되지 않도록 세심한 주의가 이루어져야 한다. 컴포넌트들의 그러한 정확한 배치는 매우 어려울 수 있고, 프로세싱 동안 오정렬이 발생할 수 있다. 이것이 야기하는 문제점들은, 규격을 벗어나 생성된 컴포넌트들로부터, 완전히 작동하지 않는 컴포넌트들까지를 포함한다. 이러한 종류의 문제점들은 리소그래피 프로세스의 전반적인 경제성에 영향을 미친다.
[0008] 프로세싱 동안 컴포넌트들이 임계량으로 오정렬될 수 있도록 컴포넌트들을 위한 배선 시스템들의 생성을 가능하게 하는 것이 필요하다.
[0009] 마스크리스 마이크로리소그래피 시스템(maskless microlithography system)들을 이용한 컴포넌트들의 더 신속한 프로세싱을 가능하게 하는 것이 추가로 필요하다.
[0010] 마스크리스 마이크로리소그래피 시스템들을 이용한 컴포넌트들의 프로세싱의 더 높은 처리량을 가능하게 하는 것이 또한 추가로 필요하다.
[0011] 프로세싱 동안, 시스템들이, 달성하기 어려운 가상의(hypothetical) 완벽한 정렬보다는 컴포넌트들의 실제 프로세싱에 "인-시튜(in-situ)" 적응할 수 있도록, 정의된 필드에서의 컴포넌트들의 배치에서 약간의 편차들을 허용하는 것이 또한 추가로 필요하다.
[0012] 개시내용의 양상들은 정확한 배선 연결들을 생성하기 위해 컴포넌트의 설계 및 현장 측정 데이터 둘 모두를 사용하여 컴포넌트에 배선 연결들을 부착하기 위한 방법을 제공한다.
[0013] 일 예시적 실시예에서, 리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법이 개시되며, 방법은, 컴포넌트에 대한 좌표 데이터 및 설계된 상태의 컴포넌트에 대한 연결 패턴을 획득하는 단계, 리소그래피 시스템과 연관된 적어도 하나의 스캐닝 디바이스의 범위 내에 컴포넌트를 배치하는 단계, 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터를 얻기(develop) 위해 적어도 하나의 스캐닝 디바이스로 컴포넌트를 스캐닝하는 단계, 스캐닝 디바이스로 스캐닝된 컴포넌트의, 설계된 상태에 대한 오프셋을 결정하기 위해, 컴포넌트의 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계, 및 오프셋 데이터, 제2 세트의 좌표 데이터를 얻는 데 사용된 컴포넌트의 스캐닝의 시각적 이미지들 및 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터 중 하나에 적어도 부분적으로 기반하여 컴포넌트에 대한 연결 패턴을 증강시키는 단계를 포함한다.
[0014] 다른 예시적 실시예에서, 마이크로리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법이 개시되며, 방법은, 컴포넌트에 대한 포지션 데이터 및 설계된 상태에 대한 컴포넌트에 대한 전기 연결 패턴을 획득하는 단계, 마이크로리소그래피 시스템의 스테이지 상에 컴포넌트를 배치하는 단계, 마이크로리소그래피 시스템의 적어도 하나의 스캐닝 디바이스의 범위 내에 스테이지를 배치하는 단계, 전기 연결 패턴 및 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터를 얻기 위해 적어도 하나의 스캐닝 디바이스로 컴포넌트를 포함하는 스테이지를 스캐닝하는 단계, 스캐닝 디바이스로 스캐닝된 컴포넌트의, 설계된 상태에 대한 오프셋을 결정하기 위해, 컴포넌트의 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계, 및 오프셋 데이터에 적어도 부분적으로 기반하여 컴포넌트에 대한 전기 연결 패턴을 증강시키는 단계를 포함한다.
[0015] 일 예시적 실시예에서, 마이크로리소그래피 시스템에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법이 개시되며, 방법은: 적어도 하나의 컴포넌트와 관련된 설계된 상태의 좌표 데이터 및 적어도 하나의 컴포넌트에 대한 적어도 하나의 배선 연결 패턴을 획득하는 단계 ― 컴포넌트는 기판 상에 있는 것 및 기판 내에 있는 것 중 적어도 하나임 ―, 마이크로리소그래피 시스템 내의 스테이지 상에 기판을 배치하는 단계, 스테이지 상의 기판을 리소그래피 시스템의 스캐닝 디바이스로 이동시키는 단계, 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터를 얻기 위해 스캐닝 디바이스로 컴포넌트를 포함하는 기판을 스캐닝하는 단계, 스캐닝 디바이스로 스캐닝된 컴포넌트의, 설계된 상태에 대한 오프셋을 결정하기 위해, 스테이지의 컴포넌트의 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계, 및 오프셋 데이터, 제2 세트의 좌표 데이터를 얻는 데 사용된 컴포넌트의 스캐닝의 시각적 이미지들 및 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터 중 하나에 적어도 부분적으로 기반하여 컴포넌트에 대한 적어도 하나의 배선 연결 패턴을 증강시키는 단계를 포함한다.
[0016] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하며, 본 개시내용은 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있다.
[0017] 도 1a는 본원에 개시된 실시예들에 따른 포토리소그래피 시스템의 사시도이다.
[0018] 도 1b는 본원에 개시된 실시예들에 따른 포토리소그래피 시스템의 사시도이다.
[0019] 도 2a는 본원에 개시된 실시예들에 따른 이미지 투영 장치의 개략적인 사시도이다.
[0020] 도 2b 및 도 2c는 본원에 개시된 실시예들에 따른 이미지 투영 장치의 개략적인 사시도들이다.
[0021] 도 3은 가상 연결들을 갖는 디바이스의 개략도이다.
[0022] 도 4는 수정된 배선 연결들을 갖는 증강된 포지션(augmented position)에 있는 도 3의 디바이스의 개략도이다.
[0023] 도 5는 디바이스에 대한 배선 연결을 생성하는 방법이다.
[0024] 도 6은 디바이스에 대한 배선 연결을 생성하는 제2 방법이다.
[0025] 도 7은 디바이스에 대한 배선 연결을 생성하는 제3 방법이다.
[0026] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있음이 고려된다.
[0027] 아래에서 설명되는 양상들에서, 눈(eye) 구성들, 정렬 마크 형상들, 및 셀 코드들은, 예를 제공하기 위한 대표적인 것들이다. 정렬 마크 이미지들을 캡처하기 위한 임의의 수의 눈들 및 임의의 수의 스텝들이 있을 수 있다. 정렬 마크의 형상은 십자 형상으로 제한되지 않는다. 정렬 마크는 임의의 형상일 수 있다. 마크 셀 코드는, OCR, 형상 변화들 또는 크기 변화들 중 어느 하나에 의해 구현될 수 있다. 마크 셀 코드는 또한, 라인들의 두께를 변경하거나 라인들에 추가적인 피처들을 추가함으로써, 마크 자체에 임베딩될 수 있다. 따라서, 예시된 실시예들은 본질적으로 단지 설명적이며 제한적인 것으로 간주되지 않아야 한다.
[0028] 도 1a는 본원에 개시된 실시예들에 따른 포토리소그래피 시스템(100)의 사시도이다. 시스템(100)은, 베이스 프레임(110), 슬래브(slab)(120), 스테이지(130), 및 프로세싱 장치(160)를 포함한다. 베이스 프레임(110)은 제작 설비의 바닥(floor)에 놓이고 슬래브(120)를 지지한다. 베이스 프레임(110)과 슬래브(120) 사이에 패시브 에어 아이솔레이터(passive air isolator)들(112)이 포지셔닝된다. 일 실시예에서, 슬래브(120)는 화강암(granite)의 모놀리식 피스(monolithic piece)이고, 스테이지(130)는 슬래브(120) 상에 배치된다. 기판(140)은 스테이지(130)에 의해 지지된다. 복수의 홀(hole)들(도시되지 않음)이 스테이지(130)에 형성되며, 그 복수의 홀들은 복수의 리프트 핀(lift pin)들(도시되지 않음)이 그 복수의 홀들을 통해 연장되는 것을 가능하게 하기 위한 것이다. 일부 실시예들에서, 리프트 핀들은, 이를테면, 하나 이상의 전달 로봇들(도시되지 않음)로부터 기판(140)을 수용하기 위해 연장된 포지션으로 상승한다. 하나 이상의 전달 로봇들은 스테이지(130)로부터 기판(140)을 로딩 및 언로딩하는 데 사용된다.
[0029] 기판(140)은 임의의 적절한 재료, 예컨대 플랫 패널 디스플레이의 일부로서 사용되는 석영을 포함한다. 다른 실시예들에서, 기판(140)은 다른 재료들로 제조된다. 일부 실시예들에서, 기판(140)은 그 기판(140) 상에 형성된 포토레지스트 층을 갖는다. 포토레지스트는 방사(radiation)에 민감하다. 포지티브 포토레지스트는, 방사에 노출될 때, 포토레지스트 내에 패턴이 기록된 후에 포토레지스트에 도포된 포토레지스트 현상제(photoresist developer)에 대해 각각 가용성(soluble)이 될 포토레지스트의 부분들을 포함한다. 네거티브 포토레지스트는, 방사에 노출될 때, 포토레지스트 내에 패턴이 기록된 후에 포토레지스트에 도포된 포토레지스트 현상제에 대해 각각 불용성(insoluble)이 될 포토레지스트의 부분들을 포함한다. 포토레지스트의 화학적 조성은, 포토레지스트가 포지티브 포토레지스트일지 또는 네거티브 포토레지스트일지를 결정한다. 포토레지스트들의 예들은, 디아조나프토퀴논, 페놀 포름알데히드 수지, 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리(메틸 글루타르이미드), 및 SU-8 중 적어도 하나를 포함한다(그러나 이에 제한되지 않음). 이러한 방식으로, 전자 회로를 형성하기 위해, 기판(140)의 표면 상에 패턴이 생성된다.
[0030] 시스템(100)은 한 쌍의 지지부들(122) 및 한 쌍의 트랙들(124)을 포함한다. 한 쌍의 지지부들(122)은 슬래브(120) 상에 배치되고, 슬래브(120) 및 한 쌍의 지지부들(122)은 재료의 단일 피스이다. 한 쌍의 트랙들(124)은 한 쌍의 지지부들(122)에 의해 지지되고, 스테이지(130)는 X-방향으로 트랙들(124)을 따라 이동한다. 일 실시예에서, 한 쌍의 트랙들(124)은 한 쌍의 평행한 자기 채널들이다. 도시된 바와 같이, 한 쌍의 트랙들(124)의 각각의 트랙(124)은 선형이다. 다른 실시예들에서, 하나 이상의 트랙(124)은 비-선형이다. 위치 정보를 제어기(도시되지 않음)에 제공하기 위해, 인코더(encoder)(126)가 스테이지(130)에 커플링된다.
[0031] 프로세싱 장치(160)는, 지지부(162) 및 프로세싱 유닛(164)을 포함한다. 지지부(162)는 슬래브(120) 상에 배치되고, 스테이지(130)가 프로세싱 유닛(164) 아래로 통과하기 위한 개구(166)를 포함한다. 프로세싱 유닛(164)은 지지부(162)에 의해 지지된다. 일 실시예에서, 프로세싱 유닛(164)은, 포토리소그래피 프로세스에서 포토레지스트를 노출시키도록 구성된 패턴 생성기이다. 일부 실시예들에서, 패턴 생성기는 마스크리스 리소그래피 프로세스를 수행하도록 구성된다. 프로세싱 유닛(164)은 복수의 이미지 투영 장치(도 2a 및 도 2b에 도시됨)를 포함한다. 일 실시예에서, 프로세싱 유닛(164)은 84개만큼 많은 이미지 투영 장치를 포함한다. 각각의 이미지 투영 장치는 케이스(case)(165) 내에 배치된다. 프로세싱 장치(160)는 마스크리스 다이렉트 패터닝을 수행하는 데 유용하다.
[0032] 동작 동안, 스테이지(130)는 도 1a에 도시된 바와 같은 로딩 포지션으로부터 프로세싱 포지션으로 X-방향으로 이동한다. 프로세싱 포지션은, 스테이지(130)가 프로세싱 유닛(164) 아래로 통과함에 따른 스테이지(130)의 하나 이상의 포지션들이다. 동작 동안, 스테이지(130)는 복수의 에어 베어링들(도시되지 않음)에 의해 리프팅되고, 한 쌍의 트랙들(124)을 따라 로딩 포지션으로부터 프로세싱 포지션으로 이동한다. 스테이지(130)의 이동을 안정화시키기 위해, 복수의 수직 가이드 에어 베어링들(도시되지 않음)이 스테이지(130)에 커플링되고 그리고 각각의 지지부(122)의 내측 벽(128) 근처에 포지셔닝된다. 스테이지(130)는 또한, 기판(140)을 프로세싱 및/또는 인덱싱하기 위해 트랙(150)을 따라 이동함으로써 Y-방향으로 이동한다. 스테이지(130)는 독립적으로 동작할 수 있고, 하나의 방향으로는 기판(140)을 스캐닝하고 다른 방향으로는 스텝핑(step)할 수 있다.
[0033] 계측 시스템(metrology system)은, 복수의 이미지 투영 장치 각각이 포토레지스트로 덮인 기판(photoresist covered substrate)에 기록되는 패턴들을 정확하게 로케이팅할 수 있도록, 스테이지(130) 각각의 X 및 Y 측방향 포지션 좌표들을 실시간으로 측정한다. 계측 시스템은 또한, 수직 축 또는 Z-축을 중심으로 하는, 스테이지(130) 각각의 각도 포지션의 실시간 측정을 제공한다. 각도 포지션 측정은 서보 메커니즘에 의해, 스캐닝 동안 각도 포지션을 일정하게 유지하기 위해 사용될 수 있거나, 또는 각도 포지션 측정은, 도 2a - 도 2b에 도시된 이미지 투영 장치(270)에 의해 기판(140) 상에 기록되는 패턴들의 포지션들에 보정들을 적용하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 기법들은 조합되어 사용될 수 있다.
[0034] 도 1b는 본원에 개시된 실시예들에 따른 포토리소그래피 시스템(200)의 사시도이다. 시스템(200)은 시스템(100)과 유사하지만, 시스템(200)은 2개의 스테이지들(130)을 포함한다. 2개의 스테이지들(130) 각각은 독립적으로 동작할 수 있고, 하나의 방향으로는 기판(140)을 스캐닝하고, 다른 방향으로는 스텝핑할 수 있다. 일부 실시예들에서, 2개의 스테이지들(130) 중 하나가 기판(140)을 스캐닝하고 있을 때, 2개의 스테이지들(130) 중 다른 하나는 노출된 기판을 언로딩하고, 노출될 다음 기판을 로딩한다.
[0035] 도 1a - 도 1b가 포토리소그래피 시스템의 2개의 실시예들을 도시하지만, 다른 시스템들 및 구성들이 또한 본원에서 고려된다. 예컨대, 임의의 적절한 수의 스테이지들을 포함하는 포토리소그래피 시스템들이 또한 고려된다.
[0036] 도 2a는 시스템(100) 또는 시스템(200)과 같은 포토리소그래피 시스템에 유용한, 일 실시예에 따른 이미지 투영 장치(270)의 개략적인 사시도이다. 이미지 투영 장치(270)는, 하나 이상의 공간 광 변조기들(280), 초점 센서(283) 및 카메라(285)를 포함하는 정렬 및 검사 시스템(284), 및 투영 옵틱(projection optic)들(286)을 포함한다. 이미지 투영 장치의 컴포넌트들은 사용되는 공간 광 변조기에 따라 변한다. 공간 광 변조기들은, 마이크로 LED들, DMD(digital micromirror device)들 및 LCD(liquid crystal display)들을 포함한다(그러나 이에 제한되지 않음).
[0037] 동작 시, 공간 광 변조기(280)는, 이미지 투영 장치(270)를 통해 그리고 기판, 이를테면 기판(140)으로 투영되는 광의 하나 이상의 특성들, 이를테면, 진폭, 위상, 또는 편광을 변조하는 데 사용된다. 정렬 및 검사 시스템(284)은 이미지 투영 장치(270)의 컴포넌트들의 정렬 및 검사를 위해 사용된다. 일 실시예에서, 초점 센서(283)는 복수의 레이저들을 포함하며, 그 복수의 레이저들은 카메라(285)의 렌즈를 통해 지향되고 다시(back) 카메라(285)의 렌즈를 통해 센서들 상으로 이미징되어 이미지 투영 장치(270)가 초점이 맞는지 여부를 검출한다. 카메라(285)는, 이미지 투영 장치(270)와 포토리소그래피 시스템(100 또는 200)의 정렬이 정확하거나 미리 결정된 허용오차 내에 있음을 보장하기 위해, 기판(140)과 같은 기판을 이미징하는 데 사용된다. 투영 옵틱들(286), 이를테면, 하나 이상의 렌즈들은 기판(140)과 같은 기판 상에 광을 투영하는 데 사용된다.
[0038] 도 2b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 이미지 투영 장치(271)이다. 도 2b에 도시된 실시예에서, 이미지 투영 장치(271)는, 공간 광 변조기(들)로서 하나 이상의 마이크로 LED들(287), 초점 센서(283), 카메라(285), 및 투영 옵틱들(286)을 포함한다. 일 실시예에서, 이미지 투영 장치(271)는 빔스플리터(beamsplitter)(도시되지 않음)를 더 포함한다. 마이크로 LED들은 미세(예컨대, 약 100 ㎛ 미만) 발광 다이오드들이며, 이들은 어레이로 배열될 수 있고, 디스플레이 디바이스와 같은 기판의 개별 픽셀들을 형성하는 데 사용될 수 있다. 마이크로 LED들은 무기 재료들, 이를테면, 무기 갈륨 질화물(GaN) 재료를 포함한다. 마이크로 LED들이 자발광(self-emitting)하기 때문에, 이미지 투영 장치(271)에 외부 광원은 필요하지 않다.
[0039] 마이크로 LED들을 사용하는 실시예들에서, 카메라(285)는 또한, 마이크로 LED 디바이스에서 발생하는 임의의 열 팽창에 대해 교정하기 위해 하나 이상의 마이크로 LED들의 이미지 픽셀 피치를 측정하는 데 유용하다.
[0040] 도 2c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 이미지 투영 장치(281)이다. 도 2c에 도시된 실시예에서, 이미지 투영 장치(281)는 하나 이상의 DMD들(289)을 공간 광 변조기(들)로서 사용한다. 이미지 투영 장치(281)는 이미지 투영 시스템(290)의 일부이며, 이미지 투영 시스템(290)은, 정렬 및 검사 시스템(284) 및 투영 옵틱들(286)에 추가하여, 광원(272), 애퍼처(aperture)(274), 렌즈(276), 프러스트레이티드 프리즘 조립체(frustrated prism assembly)(288), 하나 이상의 DMD들(289)(하나가 도시됨), 및 광 덤프(light dump)(282)를 포함한다. 광원(272)은 미리 결정된 파장을 갖는 광을 생성할 수 있는 임의의 적절한 광원, 이를테면, LED(light emitting diode) 또는 레이저이다. 일 실시예에서, 미리 결정된 파장은 청색 또는 근 자외선(UV) 범위, 이를테면, 약 450 nm 미만이다. 프러스트레이티드 프리즘 조립체(288)는 복수의 반사성 표면들을 포함한다. 투영 옵틱들(286)은, 예로서, 10x 대물 렌즈이다. 도 2c에 도시된 이미지 투영 장치(281)의 동작 동안, 미리 결정된 파장, 이를테면, 청색 범위의 파장을 갖는 광 빔(273)이 광원(272)에 의해 생성된다. 광 빔(273)은 프러스트레이티드 프리즘 조립체(288)에 의해 DMD(289)로 반사된다. DMD는 복수의 미러들을 포함하고, 미러들의 수는 투영될 픽셀들의 수에 대응한다. 복수의 미러들은 개별적으로 제어가능하며, 복수의 미러들의 각각의 미러는 제어기(도시되지 않음)에 의해 DMD(289)에 제공되는 마스크 데이터에 기반하여, "온" 포지션 또는 "오프" 포지션에 있다. 광 빔(273)이 DMD(289)의 미러들에 도달할 때, "온" 포지션에 있는 미러들은 투영 옵틱들(286)에 광 빔(273)을 반사시킨다(즉, 복수의 기록 빔들을 형성함). 그런 다음, 투영 옵틱들(286)은 기판(140)의 표면에 기록 빔들을 투영한다. "오프" 포지션에 있는 미러들은 광 빔(273)을, 기판(140)의 표면 대신, 광 덤프(282)로 반사시킨다.
[0041] 리소그래피 시스템을 통한 재료들의 프로세싱 시, 하나 이상의 다이스를 갖는 컴포넌트들이 프로세싱을 위해 스테이지 상에 배치된다. 프로세싱을 위해 컴포넌트들의 이상적인 레이아웃이 달성될 수 있지만, 다양한 팩터들이 그러한 이상적인 레이아웃에 영향을 미칠 수 있다. 리소그래피 시스템의 프로세싱 속도는, 리소그래피 시스템이 컴포넌트들을 핸들링함에 따라 컴포넌트들을 약간 이동시킬 수 있다. 작은 컴포넌트들의 경우, 시작 지점(origination point)으로부터 종료 지점(ending point)까지의 배선이 작을 수 있기 때문에, 이러한 약간의 이동들은 최종 제품에 심각한 영향을 미칠 수 있다. 게다가, 각각의 컴포넌트는 몇몇 다이스를 가질 수 있으며, 따라서 많은 연결들은 "완벽한" 또는 이상적인 레이아웃과 비교하여 컴포넌트의 부정확한 정렬에 의해 영향을 받을 수 있다.
[0042] 본 개시내용의 양상들은, 일부 에러들을 수반할 수 있는 실제 배치들뿐만 아니라 패키징 레이아웃 내의 하나 이상의 다이스의 이상적인 배치가 주어지면, 이상적인 배치가 실제 배치들과 매칭되도록 수정되거나 왜곡될(distorted) 수 있고, 이에 의해, 더 큰 어셈블리로의 다이스의 패키징을 위한 라우팅을 적응적으로 생성할 수 있다는 것을 제공한다.
[0043] 도 3을 참조하면, 이상적인 레이아웃 플롯이 제공된다. 그러한 이상적인 레이아웃 플롯은, 프로세싱을 위해 기판 상에 컴포넌트들 각각이 의도된 바와 같이 배치되는 경우에 발생할 것이다. 이해될 바와 같이, 극도로 높은 정확도로 컴포넌트들을 배치하는 것은 어려울 수 있다. 이를 위해, 컴포넌트가 높은 정확도로 배치되더라도, 디지털 리소그래피 시스템들이 빠른 속도들로 대형 기판들을 이동시키기 때문에, 프로세싱 동안 시프팅이 발생할 수 있다.
[0044] 도 4를 참조하면, 컴포넌트의 실제 레이아웃 플롯이 제공된다. 확인될 수 있는 바와 같이, 컴포넌트는 도 3의 포지션으로부터 시프트된다. 따라서, 컴포넌트가 정확하게 동작하기 위해서는 컴포넌트에 대한 변경된 배선 연결이 필요하다. 이를 위해, 배선이 적절하도록 증강 배선 방식(augmented wiring scheme)이 생성된다.
[0045] 도 5를 참조하면, 리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법(500)이 예시된다. 제1 단계에서, 설계된 상태의 컴포넌트에 대한 연결 패턴뿐만 아니라 컴포넌트에 대한 좌표 데이터와 같은 데이터가 획득될 수 있다(502). 이 데이터는, 예컨대 제조 도면들로부터 획득될 수 있다. 컴포넌트는, 프로세서들과 같은(그러나 이에 제한되지 않음), 배선 부착을 필요로 하는 임의의 타입의 컴포넌트일 수 있다. 예컨대, 컴포넌트로부터 고정된 외부 영역으로의 배선이 이루어질 수 있어서, 컴포넌트들이 결국 분리될 때, 배선은 미리 결정된 위치에서 종료된다.
[0046] 이해될 수 있는 바와 같이, 컴포넌트는 프로세싱을 위해 정의된 필드 내에 포지셔닝된다. 실제 (x, y) 컴포넌트들은, 플래튼(인덱싱 테이블)을 마이크로리소그래피 머신에 로딩하기 전에, 플래튼의 초기 프로세싱 동안 그러한 컴포넌트들을 정확하게 로케이팅하는 능력을 포함하는 다양한 팩터들에 따라 약간 다를 수 있다. 마이크로리소그래피 단계들 동안의 컴포넌트들의 핸들링과 같은 다른 팩터들이 또한, 컴포넌트가 이동하도록 야기할 수 있다. 고정된 외측 필드로 연장되는 컴포넌트에 대한 배선 연결을 달성하기 위해, 플래튼 상의 컴포넌트들의 "인-시튜" 포지셔닝은, 각각의 컴포넌트의 정확한 포지셔닝을 확인할 수 있도록 적어도 하나의 스캐닝 디바이스로 스캐닝된다(504). 따라서, 플래튼은, 좌표 데이터의 프로세싱을 위해 스캐닝이 발생하도록, 리소그래피 시스템 내의 포지션으로 이동된다. 이해될 바와 같이, 실제 컨디션의 스캐닝은 또한, 필요하다면 별개의 프로세스에 의해 달성될 수 있고, 데이터는 사용을 위해 마이크로리소그래피 머신에 공급된다. 획득된 데이터인 제2 세트의 데이터는, 필요하다면, 저장될 수 있다. 제2 세트의 좌표 데이터는 획득된 좌표 데이터("설계 직후의(as designed ) 데이터")와 비교되어, 이상적인-설계된 포지셔닝과 비교하여 컴포넌트들의 실제 배치에 존재할 수 있는 임의의 오프셋들을 결정할 수 있다(506). 마이크로리소그래피 머신이 컴포넌트들의 정확한 배치를 이해하는 것을 가능하게 하기 위해, 508에서 오프셋이 계산될 수 있다. 그런 다음, 이상적인 설계된 컨디션으로부터의 연결 패턴은 오프셋 계산으로부터의 데이터를 사용하여 증강될 수 있다(예컨대(510)). 이해될 바와 같이, 시각적 이미지 데이터가 또한, 연결 패턴에 필요한 차이를 결정하는 데 사용될 수 있다.
[0047] 요구되는 오프셋을 결정하기 위해, 데이터의 컴퓨터 분석이 수행될 수 있다. 컴퓨터 분석은 오프셋을 계산할 뿐만 아니라 컴포넌트와 고정된 둘레 사이의 새로운 연결 배선 위치들을 제공할 수 있으며, 그에 따라 프로세싱 속도가 빨라진다.
[0048] 실시예들에서, 하드웨어 아키텍트들은 이상적인 배치로부터의 약간의 변동들이 허용가능하다고 결정할 수 있다. 배선 연결 및 컴포넌트에 대한 편차는 용인가능한 레벨들 내에 있는 것으로 결정될 수 있다. 그러한 경우들에서, 배선 연결의 어떤 변경도 요구되지 않을 수 있다.
[0049] 이러한 용인가능한 레벨들로부터의 편차들이 발견될 때, 배선의 변경들/수정이 필요하다는 통지를 가능하게 하기 위해, 프로세서들에 대한 경고가 생성될 수 있다. 다른 실시예들에서, 컴포넌트들의 위치 및 배향이 최대 임계치 밖에 있으면, 컴포넌트에 대한 연결들이 효과적으로 이루어질 수 없다. 컴포넌트들이 허용오차를 벗어났으며 심지어 배선 연결의 수정으로도 그러한 연결들이 손상될 것이라는 별개의 경고가 프로세서들에 대해 이루어질 수 있다.
[0050] 이해될 바와 같이, 배선 연결들에 대한 설계들은 연결의 시작 지점 및 종료 지점의 배치 정확도뿐만 아니라 배선 연결 길이를 고려할 수 있다. 와이어의 길이가 효과적인 동작을 하기에는 너무 길 것이고, 예컨대 과도한 레이턴시를 야기할 경우, 그러한 배선은, 생성되는 경우, 규격을 벗어날 것이라는 경고가 프로세서에 대해 생성될 수 있다. 실시예들에서, 연결들은 마이크로프로세서의 다이와 같은 컴포넌트와 확립된 전기 연결들을 의미하는 것으로 이해된다.
[0051] 도 6을 참조하면, 마이크로리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법(600)이 개시된다. 일 실시예에서, 컴포넌트에 대한 포지션 데이터, 및 설계된 상태에 대한 컴포넌트에 대한 전기 연결 패턴이 획득된다(602). 다음으로, 604에서, 컴포넌트는 마이크로리소그래피 시스템의 스테이지 상에 배치된다. 606에서, 전기 연결 패턴 및 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터를 얻기 위해, 컴포넌트를 포함하는 스테이지는 적어도 하나의 스캐닝 디바이스로 스캐닝된다. 608에서, 스캐닝 디바이스로 스캐닝된 컴포넌트의, 설계된 상태에 대한 오프셋을 결정하기 위해, 컴포넌트의 획득된 좌표 데이터가 제2 세트의 좌표 데이터와 비교된다. 610에서, 오프셋 데이터에 적어도 부분적으로 기반하여 컴포넌트에 대한 전기 연결 패턴이 증강된다. 612에서, 전기 연결 패턴이 제조된다.
[0052] 도 7을 참조하면, 마이크로리소그래피 시스템에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법(700)이 개시된다. 일 실시예에서, 적어도 하나의 컴포넌트와 관련된 설계된 상태에 대한 좌표 데이터 및 적어도 하나의 컴포넌트에 대한 적어도 하나의 배선 연결 패턴이 획득되며(702), 컴포넌트는 기판 상에 있는 것 및 기판 내에 있는 것 중 적어도 하나이다. 704에서, 방법은 마이크로리소그래피 시스템 내의 스테이지 상에 기판을 배치하는 단계로 계속된다. 그런 다음, 방법은 706에서, 스테이지 상의 기판을 리소그래피 시스템의 스캐닝 디바이스로 이동시키는 단계로 계속된다. 708에서, 방법은 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터를 얻기 위해, 스캐닝 디바이스로 컴포넌트를 포함하는 기판을 스캐닝하는 단계로 계속된다. 710에서, 방법은 스캐닝 디바이스로 스캐닝된 컴포넌트의, 설계된 상태에 대한 오프셋을 결정하기 위해, 스테이지의 컴포넌트의 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계로 계속된다. 그런 다음, 방법은, 오프셋 데이터, 제2 세트의 좌표 데이터를 얻는 데 사용된 컴포넌트의 스캐닝의 시각적 이미지들 및 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터 중 하나에 적어도 부분적으로 기반하여 컴포넌트에 대한 적어도 하나의 배선 연결 패턴을 증강시키는 단계인 712에서 계속된다. 714에서, 적어도 하나의 배선 연결 패턴이 제조된다.
[0053] 일 예시적 실시예에서, 리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법이 개시되며, 방법은, 컴포넌트에 대한 좌표 데이터 및 설계된 상태의 컴포넌트에 대한 연결 패턴을 획득하는 단계, 리소그래피 시스템과 연관된 적어도 하나의 스캐닝 디바이스의 범위 내에 컴포넌트를 배치하는 단계, 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터를 얻기 위해 적어도 하나의 스캐닝 디바이스로 컴포넌트를 스캐닝하는 단계, 스캐닝 디바이스로 스캐닝된 컴포넌트의, 설계된 상태에 대한 오프셋을 결정하기 위해, 컴포넌트의 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계, 및 오프셋 데이터, 제2 세트의 좌표 데이터를 얻는 데 사용된 컴포넌트의 스캐닝의 시각적 이미지들 및 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터 중 하나에 적어도 부분적으로 기반하여 컴포넌트에 대한 연결 패턴을 증강시키는 단계를 포함한다.
[0054] 다른 비-제한적인 실시예에서, 방법이 수행될 수 있으며, 컴포넌트는 기판 상에 배치된다.
[0055] 다른 비-제한적인 실시예에서, 방법이 수행될 수 있으며, 기판은 리소그래피 시스템의 인덱싱 테이블 상에 배치된다.
[0056] 다른 비-제한적인 실시예에서, 방법이 수행될 수 있으며, 연결 패턴의 증강은 컴퓨터 분석에 의해 수행된다.
[0057] 다른 비-제한적인 실시예에서, 방법이 수행될 수 있으며, 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계는 오프셋을 임계치와 비교하는 단계를 더 포함한다.
[0058] 다른 비-제한적인 실시예에서, 방법은, 오프셋이 임계치 미만일 때, 오프셋을 제로로 세팅하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0059] 다른 비-제한적인 실시예에서, 방법은, 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계는 오프셋을 임계치와 비교하는 단계, 및 비교가 임계치보다 더 클 때, 임계치가 초과되었다는 경고를 사용자에게 생성하는 단계를 더 포함한다.
[0060] 다른 비-제한적인 실시예에서, 방법은, 증강된 연결 패턴의 데이터에 기반하여 연결 패턴을 제조하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0061] 다른 예시적 실시예에서, 마이크로리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법이 개시되며, 방법은, 컴포넌트에 대한 포지션 데이터 및 설계된 상태에 대한 컴포넌트에 대한 전기 연결 패턴을 획득하는 단계, 마이크로리소그래피 시스템의 스테이지 상에 컴포넌트를 배치하는 단계, 마이크로리소그래피 시스템의 적어도 하나의 스캐닝 디바이스의 범위 내에 스테이지를 배치하는 단계, 전기 연결 패턴 및 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터를 얻기 위해 적어도 하나의 스캐닝 디바이스로 컴포넌트를 포함하는 스테이지를 스캐닝하는 단계, 스캐닝 디바이스로 스캐닝된 컴포넌트의, 설계된 상태에 대한 오프셋을 결정하기 위해, 컴포넌트의 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계, 및 오프셋 데이터에 적어도 부분적으로 기반하여 컴포넌트에 대한 전기 연결 패턴을 증강시키는 단계를 포함한다.
[0062] 일 예시적 실시예에서, 방법은, 증강된 연결 패턴의 데이터에 기반하여 연결 패턴을 제조하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0063] 다른 예시적 실시예에서, 방법이 수행될 수 있으며, 컴포넌트는 기판 상에 배치된다.
[0064] 다른 예시적 실시예에서, 방법이 수행될 수 있으며, 연결 패턴의 증강은 컴퓨터 분석에 의해 수행된다.
[0065] 다른 예시적 실시예에서, 방법이 수행될 수 있으며, 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계는 오프셋을 임계치와 비교하는 단계를 더 포함한다.
[0066] 다른 예시적 실시예에서, 방법이 수행될 수 있으며, 마이크로리소그래피 시스템은 마스크리스 시스템이다.
[0067] 다른 예시적 실시예에서, 방법이 수행될 수 있으며, 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계는 오프셋을 임계치와 비교하는 단계를 더 포함한다.
[0068] 일 예시적 실시예에서, 마이크로리소그래피 시스템에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법이 개시되며, 방법은, 적어도 하나의 컴포넌트와 관련된 설계된 상태의 좌표 데이터 및 적어도 하나의 컴포넌트에 대한 적어도 하나의 배선 연결 패턴을 획득하는 단계 ― 컴포넌트는 기판 상에 있는 것 및 기판 내에 있는 것 중 적어도 하나임 ―, 마이크로리소그래피 시스템 내의 스테이지 상에 기판을 배치하는 단계, 스테이지 상의 기판을 리소그래피 시스템의 스캐닝 디바이스로 이동시키는 단계, 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터를 얻기 위해 스캐닝 디바이스로 컴포넌트를 포함하는 기판을 스캐닝하는 단계, 스캐닝 디바이스로 스캐닝된 컴포넌트의, 설계된 상태에 대한 오프셋을 결정하기 위해, 스테이지의 컴포넌트의 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계, 및 오프셋 데이터, 제2 세트의 좌표 데이터를 얻는 데 사용된 컴포넌트의 스캐닝의 시각적 이미지들 및 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터 중 하나에 적어도 부분적으로 기반하여 컴포넌트에 대한 적어도 하나의 배선 연결 패턴을 증강시키는 단계를 포함한다.
[0069] 다른 예시적 실시예에서, 방법은, 증강된 연결 패턴의 데이터에 기반하여 적어도 하나의 배선 연결 패턴을 제조하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0070] 다른 예시적 실시예에서, 방법이 수행될 수 있으며, 연결 패턴의 증강은 컴퓨터 분석에 의해 수행된다.
[0071] 또 다른 추가의 예시적 실시예에서, 방법이 수행될 수 있으며, 획득된 좌표 데이터를 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계는 오프셋을 임계치와 비교하는 단계를 더 포함한다.
[0072] 실시예들이 본원에서 설명되었지만, 본 개시내용의 이익을 갖는 당업자들은, 본 출원의 발명의 범위를 벗어나지 않는 다른 실시예들이 안출된다는 것을 인식할 것이다. 따라서, 본원의 청구항들 또는 임의의 후속 관련 청구항들의 범위는 본원에서 설명되는 실시예들의 설명에 의해 부당하게 제한되지 않을 것이다.

Claims (15)

  1. 마스크리스 리소그래피 시스템(maskless lithography system)에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법으로서,
    컴포넌트에 대한 좌표 데이터 및 설계된 상태의 상기 컴포넌트에 대한 연결 패턴을 획득하는 단계;
    상기 리소그래피 시스템과 연관된 적어도 하나의 스캐닝 디바이스의 범위 내에 상기 컴포넌트를 배치하는 단계;
    상기 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터를 얻기(develop) 위해 상기 적어도 하나의 스캐닝 디바이스로 상기 컴포넌트를 스캐닝하는 단계;
    상기 스캐닝 디바이스로 스캐닝된 상기 컴포넌트의, 상기 설계된 상태에 대한 오프셋을 결정하기 위해, 상기 컴포넌트의 획득된 좌표 데이터를 상기 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계; 및
    오프셋 데이터, 상기 제2 세트의 좌표 데이터를 얻는 데 사용된 상기 컴포넌트의 스캐닝의 시각적 이미지들 및 상기 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터 중 하나에 적어도 부분적으로 기반하여 상기 컴포넌트에 대한 연결 패턴을 증강시키는 단계를 포함하는,
    마스크리스 리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 기판 상에 배치되고, 그리고 상기 기판은 상기 리소그래피 시스템의 인덱싱 테이블 상에 배치되는,
    마스크리스 리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 연결 패턴의 증강은 컴퓨터 분석에 의해 수행되는,
    마스크리스 리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 획득된 좌표 데이터를 상기 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계는 상기 오프셋을 임계치와 비교하는 단계를 더 포함하는,
    마스크리스 리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 오프셋이 상기 임계치보다 더 작을 때, 상기 오프셋을 제로로 세팅하는 단계를 더 포함하는,
    마스크리스 리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 획득된 좌표 데이터를 상기 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계는 상기 오프셋을 임계치와 비교하는 단계를 더 포함하고, 그리고
    상기 방법은:
    상기 비교가 상기 임계치보다 더 클 때, 상기 임계치가 초과되었다는 경고를 사용자에게 생성하는 단계를 더 포함하는,
    마스크리스 리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 증강된 연결 패턴의 데이터에 기반하여 상기 연결 패턴을 제조하는 단계를 더 포함하는,
    마스크리스 리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법.
  8. 마스크리스 마이크로리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법으로서,
    컴포넌트에 대한 포지션 데이터 및 설계된 상태에 대한 상기 컴포넌트에 대한 전기 연결 패턴을 획득하는 단계;
    마이크로리소그래피 시스템의 스테이지 상에 상기 컴포넌트를 배치하는 단계;
    상기 마이크로리소그래피 시스템의 적어도 하나의 스캐닝 디바이스의 범위 내에 상기 스테이지를 배치하는 단계;
    상기 전기 연결 패턴 및 상기 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터를 얻기 위해 상기 적어도 하나의 스캐닝 디바이스로 상기 컴포넌트를 포함하는 상기 스테이지를 스캐닝하는 단계;
    상기 스캐닝 디바이스로 스캐닝된 컴포넌트의, 상기 설계된 상태에 대한 오프셋을 결정하기 위해, 상기 컴포넌트의 획득된 좌표 데이터를 상기 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계; 및
    오프셋 데이터에 적어도 부분적으로 기반하여 상기 컴포넌트에 대한 전기 연결 패턴을 증강시키는 단계를 포함하는,
    마스크리스 마이크로리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 증강된 연결 패턴의 데이터에 기반하여 상기 연결 패턴을 제조하는 단계를 더 포함하는,
    마스크리스 마이크로리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 기판 상에 배치되는,
    마스크리스 마이크로리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 연결 패턴의 증강은 컴퓨터 분석에 의해 수행되거나, 또는
    상기 획득된 좌표 데이터를 상기 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계는 상기 오프셋을 임계치와 비교하는 단계를 더 포함하는,
    마스크리스 마이크로리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 마이크로리소그래피 시스템은 마스크리스 시스템이거나, 또는
    상기 획득된 좌표 데이터를 상기 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계는 상기 오프셋을 임계치와 비교하는 단계를 더 포함하는,
    마스크리스 마이크로리소그래피 시스템에서 장치를 프로세싱하기 위한 방법.
  13. 마스크리스 마이크로리소그래피 시스템에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법으로서,
    적어도 하나의 컴포넌트와 관련된 설계된 상태의 좌표 데이터 및 상기 적어도 하나의 컴포넌트에 대한 적어도 하나의 배선 연결 패턴을 획득하는 단계 ― 상기 컴포넌트는 상기 기판 상에 있는 것 및 상기 기판 내에 있는 것 중 적어도 하나임 ―;
    상기 마이크로리소그래피 시스템 내의 스테이지 상에 상기 기판을 배치하는 단계;
    상기 스테이지 상의 기판을 상기 리소그래피 시스템의 스캐닝 디바이스로 이동시키는 단계;
    상기 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터를 얻기 위해 상기 스캐닝 디바이스로 상기 컴포넌트를 포함하는 상기 기판을 스캐닝하는 단계;
    상기 스캐닝 디바이스로 스캐닝된 컴포넌트의, 상기 설계된 상태에 대한 오프셋을 결정하기 위해, 상기 스테이지의 컴포넌트의 획득된 좌표 데이터를 상기 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계; 및
    오프셋 데이터, 상기 제2 세트의 좌표 데이터를 얻는 데 사용된 상기 컴포넌트의 스캐닝의 시각적 이미지들 및 상기 컴포넌트에 대한 제2 세트의 좌표 데이터 중 하나에 적어도 부분적으로 기반하여 상기 컴포넌트에 대한 적어도 하나의 배선 연결 패턴을 증강시키는 단계를 포함하는,
    마스크리스 마이크로리소그래피 시스템에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 증강된 연결 패턴의 데이터에 기반하여 상기 적어도 하나의 배선 연결 패턴을 제조하는 단계를 더 포함하는,
    마스크리스 마이크로리소그래피 시스템에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 연결 패턴의 증강은 컴퓨터 분석에 의해 수행되거나, 또는
    상기 획득된 좌표 데이터를 상기 제2 세트의 좌표 데이터와 비교하는 단계는 상기 오프셋을 임계치와 비교하는 단계를 더 포함하거나, 또는
    상기 컴포넌트는 반도체 컴포넌트인,
    마스크리스 마이크로리소그래피 시스템에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
KR1020217017879A 2018-11-15 2019-08-28 레이아웃 적응형 패키징의 동적 생성 KR102616685B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020237043506A KR20240000631A (ko) 2018-11-15 2019-08-28 레이아웃 적응형 패키징의 동적 생성

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/192,448 US10678150B1 (en) 2018-11-15 2018-11-15 Dynamic generation of layout adaptive packaging
US16/192,448 2018-11-15
PCT/US2019/048627 WO2020101786A1 (en) 2018-11-15 2019-08-28 Dynamic generation of layout adaptive packaging

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237043506A Division KR20240000631A (ko) 2018-11-15 2019-08-28 레이아웃 적응형 패키징의 동적 생성

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210074403A true KR20210074403A (ko) 2021-06-21
KR102616685B1 KR102616685B1 (ko) 2023-12-20

Family

ID=70728200

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237043506A KR20240000631A (ko) 2018-11-15 2019-08-28 레이아웃 적응형 패키징의 동적 생성
KR1020217017879A KR102616685B1 (ko) 2018-11-15 2019-08-28 레이아웃 적응형 패키징의 동적 생성

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237043506A KR20240000631A (ko) 2018-11-15 2019-08-28 레이아웃 적응형 패키징의 동적 생성

Country Status (6)

Country Link
US (4) US10678150B1 (ko)
JP (2) JP7308943B2 (ko)
KR (2) KR20240000631A (ko)
CN (1) CN113056706A (ko)
TW (2) TW202319844A (ko)
WO (1) WO2020101786A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10809637B1 (en) * 2019-05-30 2020-10-20 Applied Materials, Inc. Learning based digital corrections to compensate variations on lithography systems with multiple imaging units
TWI752617B (zh) * 2020-09-04 2022-01-11 劉大有 無光罩曝光機之晶片偏移校正方法
WO2022215385A1 (ja) * 2021-04-09 2022-10-13 株式会社ニコン 露光装置及び配線パターン形成方法
US20230288822A1 (en) * 2022-03-12 2023-09-14 Applied Materials, Inc. Package imaging for die location correction in digital lithography

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4835704A (en) * 1986-12-29 1989-05-30 General Electric Company Adaptive lithography system to provide high density interconnect
JP2013058520A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、データ補正装置、再配線層の形成方法、および、データ補正方法
KR20140085009A (ko) * 2012-12-27 2014-07-07 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법 및 그 표시 장치
US20180322237A1 (en) * 2015-10-19 2018-11-08 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to correct for patterning process error

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4783695A (en) 1986-09-26 1988-11-08 General Electric Company Multichip integrated circuit packaging configuration and method
US5357403A (en) 1990-06-29 1994-10-18 General Electric Company Adaptive lithography in a high density interconnect structure whose signal layers have fixed patterns
US6519759B2 (en) * 2000-04-19 2003-02-11 Nec Corporation Photomask pattern shape correction method and corrected photomask
JP2003186173A (ja) 2001-12-18 2003-07-03 Fujitsu Ltd パターン形成方法
JP4274784B2 (ja) 2002-05-28 2009-06-10 新光電気工業株式会社 配線形成システムおよびその方法
JP2004327660A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
DE10334577B3 (de) 2003-07-28 2005-02-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Aufbringen einer Umverdrahtung auf einen Nutzen unter Kompensation von Positionsfehlern und Halbleiterchips in Bauteilpositionen des Nutzens
US7116398B2 (en) 2003-11-07 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4493391B2 (ja) 2004-04-20 2010-06-30 新光電気工業株式会社 パターン形成方法およびその装置ならびに設計データの補正方法およびその装置
US20060066649A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method and apparatus for recording images on deformed image-recordable object
JP5106747B2 (ja) * 2004-10-27 2012-12-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 パターン形成方法、半導体装置の製造方法及び露光用マスクセット
DE102005003183B4 (de) * 2005-01-19 2011-06-16 Qimonda Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen auf einem Wafer
WO2007058188A1 (ja) 2005-11-15 2007-05-24 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2007312750A (ja) 2006-05-29 2007-12-06 Daikin Ind Ltd 改良された化学物質の検出方法
JP2008058797A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Fujifilm Corp 描画装置及び描画方法
JP2008139688A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Toshiba Corp 半導体集積回路の製造方法、マスクの製造方法、半導体マスクデータ製造装置、マスクパターンの修正方法、及び設計レイアウトの修正方法
JP2009014830A (ja) 2007-07-02 2009-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターンデータ生成装置、露光システム、パターンデータ生成方法、およびプログラム
US8130366B2 (en) 2008-03-21 2012-03-06 Asml Netherlands B.V. Method for coarse wafer alignment in a lithographic apparatus
US20100142838A1 (en) 2008-12-05 2010-06-10 Micronic Laser Systems Ab Gradient assisted image resampling in micro-lithographic printing
US8799845B2 (en) 2010-02-16 2014-08-05 Deca Technologies Inc. Adaptive patterning for panelized packaging
JP5496041B2 (ja) * 2010-09-30 2014-05-21 大日本スクリーン製造株式会社 変位算出方法、描画データの補正方法、描画方法および描画装置
KR101678039B1 (ko) 2010-10-01 2016-11-21 삼성전자 주식회사 마스크리스 노광 장치, 마스크리스 노광에서 노광 시작 위치와 자세를 결정하는 방법
JP2012208237A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Ibiden Co Ltd 描画装置の検査装置、描画装置、プログラム、描画装置の検査方法、及びプリント配線板の製造方法
JP5779145B2 (ja) 2012-06-28 2015-09-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 配線データの生成装置、生成方法、そのプログラム、および描画装置
NL2013249A (en) * 2013-08-20 2015-02-23 Asml Netherlands Bv Lithography system and a machine learning controller for such a lithography system.
KR20160073415A (ko) 2013-10-22 2016-06-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 능동 정렬을 이용하는 롤 투 롤 마스크-없는 리소그래피
US10331038B2 (en) 2015-03-24 2019-06-25 Applied Materials, Inc. Real time software and array control
KR20160121206A (ko) * 2015-04-10 2016-10-19 삼성전자주식회사 오버레이 에러의 검출 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP2017067992A (ja) 2015-09-30 2017-04-06 株式会社オーク製作所 露光装置、露光装置のアライメント方法、およびプログラム
JP6730851B2 (ja) 2016-06-01 2020-07-29 キヤノン株式会社 決定方法、形成方法、プログラム、および物品の製造方法
JP2017223887A (ja) * 2016-06-17 2017-12-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びフォトマスク
CN107887324B (zh) 2016-09-30 2019-09-13 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种半导体重布线方法
US10935892B2 (en) * 2017-05-15 2021-03-02 Applied Materials, Inc. Freeform distortion correction
US10792756B2 (en) * 2017-08-13 2020-10-06 Richard A Comunale Additive metal manufacturing system for in-situ metrology and process control

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4835704A (en) * 1986-12-29 1989-05-30 General Electric Company Adaptive lithography system to provide high density interconnect
JP2013058520A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、データ補正装置、再配線層の形成方法、および、データ補正方法
KR20140085009A (ko) * 2012-12-27 2014-07-07 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법 및 그 표시 장치
US20180322237A1 (en) * 2015-10-19 2018-11-08 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to correct for patterning process error

Also Published As

Publication number Publication date
US20200159132A1 (en) 2020-05-21
US20240094648A1 (en) 2024-03-21
US11899379B2 (en) 2024-02-13
TWI794536B (zh) 2023-03-01
US10678150B1 (en) 2020-06-09
US11599032B2 (en) 2023-03-07
WO2020101786A1 (en) 2020-05-22
JP2022507303A (ja) 2022-01-18
JP2023145447A (ja) 2023-10-11
TW202319844A (zh) 2023-05-16
CN113056706A (zh) 2021-06-29
JP7308943B2 (ja) 2023-07-14
KR20240000631A (ko) 2024-01-02
US20230161274A1 (en) 2023-05-25
US20210341849A1 (en) 2021-11-04
TW202026767A (zh) 2020-07-16
KR102616685B1 (ko) 2023-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102616685B1 (ko) 레이아웃 적응형 패키징의 동적 생성
US10379450B2 (en) Apparatus and methods for on-the-fly digital exposure image data modification
JP2023162226A (ja) リソグラフィシステムのための自己整合システム及び方法
US10459341B2 (en) Multi-configuration digital lithography system
US10908507B2 (en) Micro LED array illumination source
KR102400527B1 (ko) 회절-제한 광학 시스템을 위한 렌즈 수차의 실증적 검출
US20180017876A1 (en) Micro led array as illumination source
CN113168087B (zh) 用于光刻系统的自对准系统及方法
US10599044B1 (en) Digital lithography with extended field size

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant