JP2022165643A5 - 圧電積層体、圧電積層体の製造方法、及びスパッタリングターゲット材 - Google Patents
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Claims (5)
- 直径が３インチ以上の主面を有する基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなる圧電膜と、を備え、
前記圧電膜を構成する結晶の（００１）面方位への配向率が８０％以上であり、
前記圧電膜に対してＸ線回折測定を行った際における、（００１）面のＸ線ロッキングカーブの半値幅が、前記圧電膜の主面における周縁部を除く内側の全域において、０．５°以上２．５°以下の範囲内に収まっている圧電積層体。 - 前記圧電膜は、ドーパントとして、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｇａのいずれか一種以上を含有する請求項１に記載の圧電積層体。
- 前記基板と前記圧電膜との間に製膜された下部電極膜をさらに備え、
前記下部電極膜はＰｔを用いて製膜したＰｔ膜であり、
前記Ｐｔ膜は（１１１）面方位に配向している、
請求項１または２に記載の圧電積層体。 - カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物の焼結体からなるスパッタリングターゲット材を用意する工程と、
直径が３インチ以上の主面を有する基板を用意する工程と、
前記スパッタリングターゲット材を用い、前記基板上に前記アルカリニオブ酸化物からなり、Ｘ線回折測定を行った際における（００１）面のＸ線ロッキングカーブの半値幅が、主面における周縁部を除く内側の全域において、０．５°以上２．５°以下の範囲内に収まっている圧電膜を製膜する工程と、を有し、
前記圧電膜を製膜する工程では、雰囲気圧力を０．２Ｐａ以上０．５Ｐａ以下とする、
圧電積層体の製造方法。 - カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物の焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、
スパッタリング法による製膜処理を行う際のターゲット材として用いて、直径が３インチ以上の基板上に圧電膜を製膜した際に、
前記圧電膜を構成する結晶の（００１）面方位への配向率が８０％以上であり、前記圧電膜に対してＸ線回折測定を行った際における、（００１）面のＸ線ロッキングカーブの半値幅が、前記圧電膜の主面における周縁部を除く内側の全域において、０．５°以上２．５°以下の範囲内に収まっている前記圧電膜が得られる、スパッタリングターゲット材。
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