JP2022129618A - グラフェンナノリボン、及びその製造方法、電子装置、並びにグラフェンナノリボン前駆体 - Google Patents
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Abstract
Description
これまで、GNRのバンドギャップ変調は、主にAGNRのリボン幅を変えることで実現されてきた。リボン幅の異なるAGNRを合成するために、様々な前駆体分子が提案されているものの、その種類は10種ほどに留まっている。
これに対し、前記構造式(1)~(6)のいずれかで表されるGNRとすることで、GNRのエッジに周期配列構造を導入することができ、リボン幅の異なるN-AGNRセグメントがリボン長さ方向に周期的にヘテロ接合した構造をとることにより、離散的に存在していたバンドギャップの値と値との間の領域にバンドギャップの値を有するGNRを得ることができ、バンドギャップの値の選択自由度を高めることができることを見出し、開示の技術の完成に至った。
なお、ここで言う「ヘテロ接合」とは、リボン幅の異なるN-AGNRセグメントがsp2結合で結晶構造として繋がっている状態を意味する。以下、ヘテロ接合構造を有するグラフェンナノリボンを「グラフェンナノリボン」、又は「ヘテロ接合GNR」と称することもある。
開示のグラフェンナノリボンは、構造式(1)~(6)のいずれかで表される。
前記mとしては、特に制限はなく、所望のグラフェンナノリボンの長さなどの目的に応じて適宜選択することができる。
Z2不変量が0と1のトポロジー位相を持つAGNRが隣り合うように接合されると、AGNRのバンドギャップ内に新たなトポロジカルバンドが出現するため、バンドギャップの変調が可能になる。前記7/9-AGNRのように、AGNRのトポロジカルエッジ構造を利用したバンドギャップエンジニアリングの例は少ない。そのため、Z2不変量が0と1のN-AGNRが隣り合ってヘテロ接合したAGNR、及び当該AGNRを合成し得る新規の前駆体分子の提案が求められる。
グラフェンナノリボンが、Z2不変量が0のトポロジー位相を有するセグメントと、Z2不変量が1のトポロジー位相を有するセグメントとが交互に配列したヘテロ接合構造を有し、エッジ構造に周期的トポロジーを有することにより、トポロジカルバンドギャップを有するトポロジカル絶縁体としての利用が期待される。
量子コンピューティングでは、エラー率を下げるためにマヨラナ粒子を用いるトポロジカル量子コンピューティングの手法がある。マヨラナ粒子の発現のためにトポロジカルバンドギャップを有するトポロジカル絶縁体の量子コンピューティングへの応用が期待される。
開示のグラフェンナノリボンのように、各AGNRセグメントのリボン幅方向に存在するC原子の数「N」が奇数である場合、前記AGNRセグメントがリボン幅方向に凸であれば(下記構造式(i))、前記Z2不変量は、下記計算式(i)により求めることができる。また、前記AGNRセグメントがリボン幅方向に凹であれば(下記構造式(ii))、前記Z2不変量は、下記計算式(ii)により求めることができる。
開示のグラフェンナノリボン前駆体は、下記一般式(1)で表される。
前記一般式(1)中、前記Xとしては、F、Cl、Br、及びIから選択される1種を表す。これらの中でも、X=Br、又はIの場合が好ましい。前記Yとしては、H又はCH3を表す。
前記Yとして、Hに代えてCH3を導入することにより、エッジ構造の異なるヘテロ接合AGNRを合成することができる。
図2は、前記一般式(1)で表される化合物において、n1=1、n2=2、X=Br、及びY=Hである化合物をグラフェンナノリボン前駆体分子(a)、前記グラフェンナノリボン前駆体分子の脱Br化及びC-C結合反応により形成される中間体ポリマー(b)、並びに前記中間体ポリマーの脱H化及び環化反応により形成されるグラフェンナノリボン9/13-AGNR(c)を表す構造式である。図2中、矢印は前記グラフェンナノリボン前駆体分子を金属結晶面上で重合反応及び環化したことを意味する。
図2(c)のグラフェンナノリボン9/13-AGNRにおいては、前記一般式(1)におけるX及びYが脱離し、隣接する前記一般式(1)どうしが連結してグラフェンナノリボン構造をなし、前記構造式(1)により表される。
前記一般式(1)におけるXを有する芳香族六員環は、グラフェンナノリボンの長さ方向の中心軸に相当し、n1及びn2の縮合環構造をとり得る芳香族六員環部分が、グラフェンナノリボンの幅方向に延びる構造部分に相当する。
例えば、前記構造式(1)で表される、図2(c)の9/13-AGNRにおいては、C原子数Nが「9」である9-AGNRと、C原子数が「13」である13-AGNRとがヘテロ接合している。
9-AGNRのC原子の数え方としては、リボン幅方向に六員環が4つ配列したテトラセンと隣接するテトラセンどうしを繋ぐリボン幅方向のC-C結合とにおいて、リボン幅方向に存在するC原子数は、「9」となる。
また、13-AGNRのC原子の数え方としては、リボン幅方向に六員環が6つ配列したヘキサセンと隣接するヘキサセンどうしを繋ぐリボン幅方向のC-C結合とにおいて、リボン幅方向に存在するC原子数は、「13」となる。
なお、前記構造式(1)~(6)で表されるグラフェンナノリボンの各セグメントのZ2不変量を、図2(c)、図4(c)、図6(c)、図8(c)、図9(c)、及び図10(c)の図中に示した。
開示のグラフェンナノリボンの製造方法は、下記一般式(1)で表される化合物を重合させる。
前記グラフェンナノリボンの製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記一般式(1)で表される化合物を金属基板上に堆積し、基板加熱により前記化合物を重合させる工程を含むことが好ましい。具体的には、予め有機化学合成により作製した前記一般式(1)で表される化合物(前駆体分子)を超高真空下で金属結晶基板に蒸着し、150℃~250℃の基板加熱により前記一般式(1)中のXが脱離して分子同士のC-C結合反応による重合反応(ポリマー化)が起き、次いで300℃~400℃の基板加熱により前記一般式(1)中の水素が脱離して環化反応が起きて、グラフェンナノリボンを作製することができる。
前記単結晶基板としては、Au(111)単結晶基板、Cu(111)単結晶基板、Ni(111)単結晶基板、Rh(111)単結晶基板、Pd(111)単結晶基板、Ag(111)単結晶基板、Ir(111)単結晶基板、及びPt(111)単結晶基板などが挙げられる。
また、形成されるGNRの指向性を制御するために、数nm幅のステップアンドテラス周期構造を有する前記単結晶の高指数面基板(例えば、Au(788)基板)を利用することもできる。
また、前記金属薄膜基板上のGNRの位置や指向性を制御するために、金属薄膜を電子線リソグラフィ・エッチング加工により数nm幅の細線状にパターンニングすることもできる。
金属性の結晶基板の他に、IV族半導体、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体、遷移金属酸化物半導体などの半導体性の結晶基板を用いることもできる。
開示の電子装置は、前記グラフェンナノリボンと、前記グラフェンナノリボンに接触して設けられた一対の電極と、を有し、更に必要に応じてその他の部材を有する。
前記電子装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記グラフェンナノリボンをチャネルとして用いたトップゲート型電界効果トランジスタ(FET)、前記グラフェンナノリボンネットワーク膜を他の絶縁基板に転写して製造される薄膜トランジスタ(TFT)などが挙げられる。前記TFTとしては、例えば、ボトムゲート・トップコンタクト型TFT、及びトップゲート・トップコンタクト型TFTなどが挙げられる。
前記電子装置の製造方法としては、前記電子装置が、電界効果トランジスタであり、前記グラフェンナノリボンを、絶縁基板上にパターニング加工した金属層上に形成する工程と、前記グラフェンナノリボンに接触する一対の電極を形成する工程と、前記グラフェンナノリボン上に絶縁層及びゲート電極を順次形成する工程と、前記絶縁層及び前記ゲート電極を形成した後に前記グラフェンナノリボンの下層の前記金属層を除去する工程と、を含むことが好ましい。
また、前記電子装置の製造方法としては、前記電子装置が、薄膜トランジスタであり、前記グラフェンナノリボンが互いに接触したネットワーク膜を絶縁基板に転写する工程と、前記ネットワーク膜に接触する一対の電極を形成する工程と、前記ネットワーク膜に絶縁層を介して接触するゲート電極を形成する工程と、を含むことが好ましい。
本実施形態1では、一例として、前記一般式(1)において、n1=1、n2=2、X=Br、Y=Hである化合物[図2(a)]をグラフェンナノリボン前駆体分子として用いたグラフェンナノリボンの製造方法について説明する。
出発化合物である1,4-ジブロモ-2,5-ジヨードベンゼン(1,4-dibromo-2,5-diiodobenzene)を2つの連続した鈴木カップリング反応にかける。1,4-dibromo-2,5-diiodobenzeneと2-ナフタレンボロン酸(2-Naphthylboronic acid)を1,4-ジオキサン(1,4-dioxane)に溶解させる。
次いで、触媒のジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)[PdCl2(PPh3)2]を加えて100℃で撹拌する。室温に冷却後、分液操作及びカラムクロマトグラフィーを用いた精製作業を行うことで第一のIがモノカップリングした生成物2-(2,5-ジブロモ-4-ヨードフェニル)ナフタレン[2-(2,5-dibromo-4-iodophenyl)naphthalene]が得られる。
次いで、この生成物の第二のIを、同様の鈴木カップリング反応により、フェニルボロン酸(Phenylboronic acid)とカップリングさせた後、カラムクロマトグラフィーによって精製して前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図2(a)]が合成される。
先ず、前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図2(a)]をAu(111)基板に蒸着する前に、Au表面上の有機系汚染物質の除去、並びに(111)結晶面の平坦性を向上させることを目的に、Arイオンスパッタと超高真空下でのアニールを1セットとする表面清浄処理を複数サイクル実施した。
表面清浄処理は1セットあたり、Arイオンスパッタはイオン加速電圧を1.0kV、イオン電流を10μAに設定して1分間行い、アニールは5×10-7 Pa以下の真空度を保持しつつ400℃~500℃で10分間行った。本実施形態1では3サイクル実施した。
基本真空度が5×10-8 Pa以下の超高真空下にて、前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図2(a)]をK-cell型エバポレーターを用いて約140℃に加熱及び昇華し、室温(約25℃)に保持したAu(111)基板上に堆積した。
蒸着速度は0.05nm/min~0.1nm/min、蒸着膜厚は0.5ML~1MLに設定した(ML:monolayer,1ML=約0.25nm)。
150℃~250℃のAu(111)基板加熱により前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図2(a)]は、脱Br化及びC-C結合反応によりポリマー化し[図2(b)]、さらに300℃~400℃で脱水素化及び環化反応により、前記構造式(1)により表される9/13-AGNRのヘテロ接合GNRが形成される[図2(c)]。
本実施形態2では、一例として、前記実施形態1で説明したボトムアップ法により、前記一般式(1)において、n1=1、n2=2、X=Br、Y=CH3である化合物[図4(a)]をグラフェンナノリボン前駆体分子として用いたグラフェンナノリボンの製造方法について説明する。
実施形態1で示した生成物2-(2,5-ジブロモ-4-ヨードフェニル)ナフタレン[2-(2,5-dibromo-4-iodophenyl)naphthalene]と、第二のIの鈴木カップリング反応として、3,4-ジメチルフェニルボロン酸(3,4-dimethylphenylboronic acid)をカップリングさせた後、分液操作及びカラムクロマトグラフィーによって精製することで前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図4(a)]が合成される。
150℃~250℃のAu(111)基板加熱により前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図4(a)]は、脱Br化及びC-C結合反応によりポリマー化し[図4(b)]、さらに300℃~400℃で脱水素化及び環化反応により、前記構造式(2)により表される11/13-AGNRのヘテロ接合GNRが形成される[図4(c)]。
本実施形態3では、一例として、前記実施形態1で説明したボトムアップ法により、前記一般式(1)において、n1=2、n2=3、X=Br、Y=Hであるグラフェンナノリボン前駆体分子[図6(a)]を用いたグラフェンナノリボンの製造方法について説明する。
実施形態1で示した生成物2-(2,5-ジブロモ-4-ヨードフェニル)ナフタレン[2-(2,5-dibromo-4-iodophenyl)naphthalene]と、第二のIの鈴木カップリング反応として、2-アントラセンボロン酸(2-Anthraceneboronic acid)をカップリングさせた後、分液操作及びカラムクロマトグラフィーによって精製することで前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図6(a)]が合成される。
150℃~250℃のAu(111)基板加熱により前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図6(a)]は、脱Br化及びC-C結合反応によりポリマー化し[図6(b)]、さらに300℃~400℃で脱水素化及び環化反応により、前記構造式(3)により表される13/17-AGNRのヘテロ接合GNRが形成される[図6(c)]。
本実施形態4では、一例として、前記実施形態1で説明したボトムアップ法により、前記一般式(1)において、n1=1、n2=3、X=Br、Y=Hであるグラフェンナノリボン前駆体分子[図8(a)]を用いたグラフェンナノリボンの製造方法について説明する。
出発化合物である1,4-ジブロモ-2,5-ジヨードベンゼン(1,4-dibromo-2,5-diiodobenzene)を2つの連続した鈴木カップリング反応にかける。1,4-dibromo-2,5-diiodobenzeneと2-アントラセンボロン酸(2-Anthraceneboronic acid)を1,4-ジオキサン(1,4-dioxane)に溶解させる。
次いで、触媒のジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)[PdCl2(PPh3)2]を加えて100℃で撹拌する。室温に冷却後、分液操作及びカラムクロマトグラフィーを用いた精製作業を行うことで第一のIがモノカップリングした生成物2-(2,5-ジブロモ-4-ヨードフェニル)アントラセン[2-(2,5-dibromo-4-iodophenyl)anthracene]が得られる。
次いで、この生成物の第二のIを、同様の鈴木カップリング反応により、フェニルボロン酸(Phenylboronic acid)とカップリングさせた後、カラムクロマトグラフィーによって精製して前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図8(a)]が合成される。
150℃~250℃のAu(111)基板加熱により前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図8(a)]は、脱Br化及びC-C結合反応によりポリマー化し[図8(b)]、さらに300℃~400℃で脱水素化及び環化反応により、前記構造式(4)により表される9/17-AGNRのヘテロ接合GNRが形成される[図8(c)]。
本実施形態5では、一例として、前記実施形態1で説明したボトムアップ法により、前記一般式(1)において、n1=1、n2=3、X=Br、Y=CH3である化合物[図9(a)]をグラフェンナノリボン前駆体分子として用いたグラフェンナノリボンの製造方法について説明する。
実施形態4で示した生成物2-(2,5-ジブロモ-4-ヨードフェニル)アントラセン[2-(2,5-dibromo-4-iodophenyl)anthracene]と、第二のIの鈴木カップリング反応として、3,4-ジメチルフェニルボロン酸(3,4-dimethylphenylboronic acid)をカップリングさせた後、分液操作及びカラムクロマトグラフィーによって精製することで前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図9(a)]が合成される。
150℃~250℃のAu(111)基板加熱により前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図9(a)]は、脱Br化及びC-C結合反応によりポリマー化し[図9(b)]、さらに300℃~400℃で脱水素化及び環化反応により、前記構造式(5)により表される11/17-AGNRのヘテロ接合GNRが形成される[図9(c)]。
本実施形態6では、一例として、前記実施形態1で説明したボトムアップ法により、前記一般式(1)において、n1=2、n2=3、X=Br、Y=CH3である化合物[図10(a)]をグラフェンナノリボン前駆体分子として用いたグラフェンナノリボンの製造方法について説明する。
実施形態4で示した生成物2-(2,5-ジブロモ-4-ヨードフェニル)アントラセン[2-(2,5-dibromo-4-iodophenyl)anthracene]と、第二のIの鈴木カップリング反応として、6,7-ジメチル-2-ナフチルボロン酸(6,7-dimethyl-2-naphthylboronic acid)をカップリングさせた後、分液操作及びカラムクロマトグラフィーによって精製することで前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図10(a)]が合成される。
150℃~250℃のAu(111)基板加熱により前記グラフェンナノリボン前駆体分子[図10(a)]は、脱Br化及びC-C結合反応によりポリマー化し[図10(b)]、さらに300℃~400℃で脱水素化及び環化反応により、前記構造式(6)により表される15/17-AGNRのヘテロ接合GNRが形成される[図10(c)]。
本実施形態7では、前記ボトムアップ法により形成される開示のヘテロ接合GNRをチャネルに利用した電界効果トランジスタ(FET)の製造工程について、図11A~図11Gを用いて説明する。図11A~図11Eは、本実施形態5におけるFETの製造工程を順に示す上面図である。図11F及び図11Gは、それぞれ図11D及び図11Eの切断線I-I’における切断面を示す断面図である。
開示のグラフェンナノリボン前駆体の重合反応及び環化反応は、絶縁基板11上では誘起されない。したがって、金属層12の位置及びサイズによりヘテロ接合GNRの位置及びサイズを制御することができる。例えば、金属層12のパターニング幅としては、所望するヘテロ接合GNRのリボン幅を考慮して設計し、パターニング長さとしては、最終的に製造されるFETのチャネル長を考慮して設計すればよい。例えば、金属層12のパターニング幅は、1nm~5nmとし、パターニング長さは50nm~500nmとする。
前記表面清浄処理を施した金属層12/絶縁基板11を大気中に曝すことなく、超高真空の真空槽内で金属層12の表面にグラフェンナノリボン13をin situ形成する。
例えば、室温に保持した金属層12/絶縁基板11に開示のグラフェンナノリボン前駆体を蒸着した後、300℃~400℃に昇温する。この結果、開示のグラフェンナノリボン前駆体の重合反応及び環化反応が誘起され、金属層12により位置及びサイズが制御されたグラフェンナノリボン13が形成される(図11B)。
ゲート電極16及び絶縁層17の形成では、ソース電極14及びドレイン電極15の形成と同様に、2層レジストをスピンコートし、電子線リソグラフィにより2層レジストにゲートパターンを形成する。例えば、2層レジストの上層にはZEP 520Aの希釈レジストを用い、犠牲層である下層にはPMGI SFG2Sを用いる。
本実施形態5では、例えば、ゲート長を10nmに設計する。ここで、後工程でチャネルの下層の金属層はウェットエッチングされるため、ゲートパターンはソース電極14及びドレイン電極15とオーバーラップさせずに、図11D及び図11Fに示すような開口部18を設けた構造にする必要がある。
絶縁層17には他に、前記と同様のO2ガスを導入する蒸着法により、SiO2、HfO2、ZrO2、La2O3、TiO2を用いることも可能である。絶縁層17及びゲート電極16に利用する材料としては、後工程のチャネルの下層の金属層の除去に用いるエッチャントに対して十分なエッチング耐性を有する必要がある。
続いて、2層レジストの除去によりリフトオフする。このようにして、図11D及び図11Fに示すようにゲート電極16及び絶縁層17のゲートスタック構造が形成される。
金属層のウェットエッチング後には、純水による洗浄及びイソプロピルアルコールによるリンス処理を順次行う。続いて、乾燥処理として、溶液の表面張力や毛管力によるチャネルの切断を防ぐことを目的として、例えばCO2ガスを用いた超臨界乾燥処理を行う。
本実施形態8では、前記ボトムアップ法により形成される開示のヘテロ接合GNRのネットワーク膜を、他の絶縁基板に転写して製造される薄膜トラジスタ(TFT)について、図12A~図12Eを用いて説明する。
Cr2O3の保護層21は、次の方法で形成する。Au(111)上にネットワーク膜20を形成した後、真空槽から暴露することなく、in situでネットワーク膜20上にCr金属を蒸着法で成膜する。蒸着速度は0.01nm/s~0.05nm/s、厚みは1nm~3nmとする。次いで、大気中に曝すことで自然酸化により、Cr金属はCr2O3酸化物の保護層21となる。
このCr2O3酸化物の保護層21は、後述するように、ネットワーク膜20の転写の際に用いる有機系支持層の残留物からネットワーク膜20を保護する機能を有する。
保護層21の材料としては、Cr2O3の他に、例えば、SiO2、Al2O3、Sc2O3、MnO2、ZnO、Y2O3、ZrO2、MoO3、及びRuO2が挙げられる。
一方で、TiやNiは容易に酸化してTiO2やNiOとなるが、それらをGNR上に堆積した場合、界面においてTiCxやNiCxを形成することでGNRの物性に影響を与えるため適当ではない。
支持層22は、アクリル樹脂のポリメタクリル酸メチル(polymethyl methacrylate、PMMA)をスピンコートして100nm~500nmの厚みに塗布する。
前記支持層22の材料としては、PMMAの他に、エポキシ樹脂、熱剥離テープ、粘着テープ、各種のフォトレジストや電子線レジスト、あるいは、それらの積層膜が挙げられる。
一般的に、グラフェン上のPMMAは完全に取り除くことが難しく、その残留物がグラフェンの特性を劣化させることが知られている。本実施形態6では、ネットワーク膜20上に保護層21が形成されており、PMMAが直接接触しないため、PMMAの残留物による膜特性の劣化を抑制することができる。
図12Dに示すように、ソース電極14及びドレイン電極15とネットワーク膜20との間に導通をとるため、電極の形成される領域のCr2O3をウェットエッチングにより除去して、電極開口部24を形成する。エッチャントには、例えば、硝酸第二セリウムアンモニウムを用いることができる。その後、ゲート電極16を形成した方法と同様にしてCr/Tiを蒸着し、リフトオフすることで、ソース電極14及びドレイン電極15を形成する。
実施形態8と同様にして、ヘテロ接合GNRのネットワーク膜を他の基板に転写することで製造されるトップゲート・トップコンタクト型FETについて、図13A~図13Dを用いて説明する。
ここで、実施形態8と同様、支持層22はPMMA、保護層21はCr2O3、転写絶縁基板23は熱酸化膜が形成されたSi基板である。
図13Bに示すように、ソース電極14及びドレイン電極15とネットワーク膜20との間に導通をとるため、電極が形成される領域のCr2O3をウェットエッチングにより除去することで、電極開口部24を形成する。
次いで、図13Cに示すように、Cr/Tiを蒸着した後、リフトオフすることで、ソース電極14及びドレイン電極15を形成する。
絶縁層17には、厚みが5nm~10nmのHfO2を用いる。1×10-5Pa以下の真空中にO2ガスを導入しながらHf金属を蒸着することで、HfO2の絶縁層17を形成することができる。ゲート電極16には、ソース電極14及びドレイン電極15と同様にしてCr/Tiを蒸着する。最後に、リフトオフを行い、Cr/Ti/HfO2のゲートスタック構造を形成する。
(付記1)
下記構造式(1)~(6)のいずれかで表されることを特徴とするグラフェンナノリボン。
(付記2)
Z2不変量が0のトポロジー位相を有するセグメントと、Z2不変量が1のトポロジー位相を有するセグメントとが交互に配列したヘテロ接合構造を有し、
前記構造式(1)~(3)のいずれかで表される付記1に記載のグラフェンナノリボン。
(付記3)
下記一般式(1)で表される化合物を重合させることを特徴とするグラフェンナノリボンの製造方法。
(付記4)
前記一般式(1)で表される化合物を金属基板上に堆積し、基板加熱により前記化合物を重合させる工程を含む付記3に記載のグラフェンナノリボンの製造方法。
(付記5)
付記1から2のいずれかに記載のグラフェンナノリボン(13)と、
前記グラフェンナノリボンに接触して設けられた一対の電極(14、15)と、を有することを特徴とする電子装置。(図11G、図12E、図13D)
(付記6)
下記一般式(1)で表されることを特徴とするグラフェンナノリボン前駆体。
(付記7)
下記一般式(1)で表されることを特徴とする化合物。
(付記8)
付記1から2のいずれかに記載のグラフェンナノリボン(13)に接触する一対の電極(14、15)を形成する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。(図11A~G、図12A~E、図13A~D)
(付記9)
前記電子装置が、電界効果トランジスタであり、
付記1から2のいずれかに記載のグラフェンナノリボン(13)を、絶縁基板(11)上にパターニング加工した金属層(12)上に形成する工程と、
前記グラフェンナノリボンに接触する一対の電極(14、15)を形成する工程と、
前記グラフェンナノリボン上に絶縁層(17)及びゲート電極(16)を順次形成する工程と、
前記絶縁層及び前記ゲート電極を形成した後に前記グラフェンナノリボンの下層の前記金属層を除去する工程と、を含む付記8に記載の電子装置の製造方法。(図11A~G)
(付記10)
前記電子装置が、薄膜トランジスタであり、
付記1から2のいずれかに記載のグラフェンナノリボン(13)が互いに接触したネットワーク膜を絶縁基板に転写する工程と、
前記ネットワーク膜に接触する一対の電極(14、15)を形成する工程と、
前記ネットワーク膜に絶縁層(17)を介して接触するゲート電極(16)を形成する工程と、を含む付記8に記載の電子装置の製造方法。(図12A~E、図13A~D)
12 金属層
13 グラフェンナノリボン
14 ソース電極
15 ドレイン電極
16 ゲート電極
17 絶縁層
18 開口部
19 空隙
20 ネットワーク膜
21 保護層
22 支持層
23 転写絶縁基板
24 電極開口部
Claims (6)
- Z2不変量が0のトポロジー位相を有するセグメントと、Z2不変量が1のトポロジー位相を有するセグメントとが交互に配列したヘテロ接合構造を有し、
前記構造式(1)~(3)のいずれかで表される請求項1に記載のグラフェンナノリボン。 - 前記一般式(1)で表される化合物を金属基板上に堆積し、基板加熱により前記化合物を重合させる工程を含む請求項3に記載のグラフェンナノリボンの製造方法。
- 請求項1から2のいずれかに記載のグラフェンナノリボンと、
前記グラフェンナノリボンに接触して設けられた一対の電極と、を有することを特徴とする電子装置。
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