JP5685987B2 - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態によるグラフェンシート10の構成を示す平面図、図2は図1中、円で囲んだ部位を拡大して示す平面図である。
図10は、前記図1および図2のグラフェンシート10を使った第2の実施形態による電子装置20の構成を示す平面図、図11は図10中、線A−A'に沿った断面図である。
次に第3の実施形態による電子装置の製造方法を、図13A〜図13Iを参照しながら説明する。ただし図13A〜図13I中、先の実施形態で説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
10A 開口部
10N,24N 開口部列
21 p+型シリコン基板
22,24 シリコン酸化膜
23S ソース電極パターン
23D ドレイン電極パターン
25 P(S-r-MMA)薄膜
26 ブロック共重合体薄膜
26A PMMAシリンダ26A
26B 開口部
27 レジスト膜
27A レジスト開口部
C1〜C5 炭素原子
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたグラフェンシートと、
前記グラフェンシートの一端に形成されたソース電極と、
前記グラフェンシートの他端に形成されたドレイン電極と、
前記グラフェンシートに前記ソース電極とドレイン電極との間でゲート電圧を印加するゲート電極と、
前記グラフェンシートに前記ソース電極とドレイン電極の間において、前記ソース電極からドレイン電極へのキャリアの流れを横切って形成された、複数の開口部よりなる開口部列と、
を備え、
前記各々の開口部では前記グラフェンシートから4個以上の炭素原子が除去されており、
前記各々の開口部は、他の炭素原子に結合していない結合手を有する炭素原子を二個以上含む少なくとも5個の炭素原子からなるジグザグ形状の端部により画成されており、
前記開口部の径は炭素原子4個分以上で、10nmを超えないことを特徴とする請求項電子装置。 - 前記基板は導電性シリコン基板よりなり、前記ゲート電極は前記導電性シリコン基板よりなることを特徴とする請求項1記載の電子装置。
- 前記開口部列は、前記ソース電極とドレイン電極の間で、前記キャリアの流れを横切って複数列にわたり形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の電子装置。
- 前記複数の開口部の各々において、前記他の炭素原子に結合していない結合手を有する炭素原子は、水素原子により終端されていることを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載の電子装置。
- グラフェンシートから少なくとも4個の炭素原子を除去することにより、前記グラフェンシート中に開口部を形成する工程と、
前記開口部を形成されたグラフェンシートを還元性雰囲気中においてアニールし、前記開口部の端に、他の炭素原子に結合していない結合手を有する炭素原子を二個以上含む少なくとも5個の炭素原子からなるジグザグ形状の端部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
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