JP2022123997A - 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法、および検査回路 - Google Patents

Abstract

【課題】センサー素子に接続された端子を短絡線等に電気的に接続した場合でも、センサー素子の電気特性を適正に検査することのできる電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法、および検査回路を提供すること。【解決手段】電気光学装置用基板は、センサー素子１６０に接続された第１実装端子Ｍ１および第２実装端子Ｍ２を有する。電気光学装置用基板は、第１実装端子Ｍ１と第２実装端子Ｍ２との間に接続された第１抵抗素子Ｒ１と、第１抵抗素子Ｒ１と第２実装端子Ｍ２との間に接続された第２抵抗素子Ｒ２と、第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２との間に接続された第３実装端子Ｍ３とを有する。検査回路４０は、第１実装端子Ｍ１に通電する通電回路４１と、第１実装端子Ｍ１と同一の電圧を第３実装端子Ｍ３に印加する電圧設定部４２と、第１実装端子Ｍ１の電圧または電流を検出する検出回路４３とを有する。【選択図】図２

Description

本発明は、センサー素子が設けられた電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および検査回路に関するものである。

液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の電気光学装置では、電気光学装置が具備する電気光学パネルを構成する基板にセンサー素子を設けることがある。例えば、投射型表示装置においてライトバルブとして用いられる電気光学装置では、照明光が高強度で電気光学パネルに照射されるため、電気光学パネルの温度が上昇しやすい。このような場合、液晶層の変調特性や応答特性が変化する。そこで、電気光学パネルに用いた基板に温度検出用のセンサー素子としてダイオード素子を設ける一方、基板の実装端子に電気的に接続された回路基板に定電流回路を設け、センサー素子に定電流回路から定電流を印加した際のセンサー素子の電圧に基づいて、冷却ファンの制御等を行う技術が提案されている（特許文献１参照）。

一方、電気光学装置の製造工程においては、マザー基板と呼ばれる大型基板に電気光学パネルを構成する基板を複数、設け、最終段階のスクライブ工程で個別の基板に分割する。その際の静電気から基板に形成された回路素子を保護する目的や、電気光学パネルとなった後の焼き付き等の原因と電荷を除去するために、実装端子同士を抵抗素子によって電気的に接続する構成が提案されている（特許文献２参照）。

特開２０１６－１８４７１９号公報 特開平７－２９４９５２号公報

特許文献２に記載の大型基板に対して、特許文献１に記載の温度検出回路を設けた場合、温度検出回路を構成するダイオード素子のアノード端子とカソード端子が抵抗素子を介して電気的に接続されることになる。従って、ダイオード素子の電気特性の検査を行うためにアノード端子から電流を流した際、ダイオード素子への電流経路と抵抗素子を経由する電流経路とが存在することになる。それ故、大型基板、あるいは大型基板を分割した基板からなる電気光学装置用基板に設けたダイオード素子の電気特性を適正に行うことができないという課題がある。かかる問題は、センサー素子として、温度検出用のダイオード素子以外のセンサー素子を設けた場合でも同様に発生する。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置用基板は、センサー素子と、前記センサー素子の一方の電極に電気的に接続された第１端子と、前記センサー素子の他方の電極に電気的に接続された第２端子と、前記第１端子と前記第２端子との間に電気的に接続された第１抵抗素子と、前記第１抵抗素子と前記第２端子との間に電気的に接続された第２抵抗素子と、前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子との間に電気的に接続された第３端子と、を有することを特徴とする。

本発明に係る電気光学装置用基板は、画素電極が配列された画素領域、および前記画素領域と電気的に接続された実装端子を含む第１領域と、前記第１領域と隣り合う第２領域と、を含み、前記センサー素子、前記第１端子、前記第２端子、前記第３端子、前記第１抵抗素子、および前記第２抵抗素子が前記第１領域に設けられていることがある。かかる電気光学装置用基板は、分割した後の前記第１領域に相当する小型基板が電気光学装置に用いられる。この場合、電気光学装置は、前記小型基板に電気的に接続された回路基板と、前記回路基板に設けられたセンサー駆動回路と、を有し、前記センサー駆動回路は、前記第１端子に通電する通電回路と、前記第１端子の電圧に対応する電圧を前記第３端子に印加する電圧設定部と、前記第１端子の電圧または電流を検出する検出回路と、を備える。

本発明に係る電気光学装置用基板は、画素電極が配列された画素領域、および前記画素領域に電気的に接続された実装端子を含む第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、含み、少なくとも、前記センサー素子、前記第１端子、および前記第２端子が前記第１領域に設けられ、前記第１抵抗素子および前記第２抵抗素子の少なくとも一方が前記第２領域に設けられていることがある。かかる電気光学装置用基板は、分割した後の前記第１領域に相当する小型基板が電気光学装置に用いられる。この場合、電気光学装置は、前記電気光学装置用基板に電気的に接続された回路基板と、前記回路基板に設けられたセンサー駆動回路と、を有し、前記センサー駆動回路は、前記第１端子に通電する通電回路と、前記第１端子の電圧または電流を検出する検出回路と、を備える。

本発明に係る電気光学装置は電子機器に用いられ、かかる電子機器では、前記センサー素子の検出結果に基づいて、前記電気光学装置の駆動条件、冷却条件または加熱条件を調整する。

本発明において、電気光学装置用基板の状態でセンサー素子を検査する検査回路は、前記第１端子に通電する通電回路と、前記第１端子の電圧に対応する電圧を前記第３端子に印加する電圧設定部と、前記第１端子の電圧または電流を検出する検出回路と、を有する。

本発明を適用した電気光学装置の一態様を示す説明図。 本発明の第１実施形態に係る電気光学装置を製造するための大型基板の説明図。 図１に示す電気光学パネルの温度を検出する様子を示す説明図。 本発明の第１実施形態の変形例１に係る電気光学装置の説明図。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置を製造するための大型基板の説明図。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の説明図。 本発明の第２実施形態の変形例１の説明図。 本発明の第２実施形態の変形例２の説明図。 本発明の第２実施形態の変形例３の説明図。 本発明を適用した電子機器の概略構成図。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各部材等を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材の縮尺を相違させるともに、部材の数を減らしてある。

以下に説明する電気光学パネル１００において、画素電極１７０が設けられた第１基板１０にはセンサー素子１６０が設けられている。かかるセンサー素子１６０は、製造工程の途中において、複数の第１基板１０が配置されたマザー基板としての大型基板９０の状態で検査される。

ここで、大型基板９０は、第１基板１０として分割される複数の第１領域９１と、大型基板９０から複数の第１基板１０を個別の小型基板９５として分割する際にスクライブされるスクライブ領域に対応する第２領域９２とを備え、第１領域９１に、センサー素子１６０を検査するために用いられる第１抵抗素子Ｒ１、および第２抵抗素子Ｒ２等が全て配置される場合がある。かかる場合の形態については第１実施形態として説明する。

また、大型基板９０では、センサー素子１６０を検査するために用いられる第１抵抗素子Ｒ１、および第２抵抗素子Ｒ２のうちの少なくとも一方が、第１領域９１に隣接する第２領域９２に形成される場合もある。かかる場合の形態については第２実施形態として説明する。

［第１実施形態］
１－１．電気光学装置１の基本構成
図１は、本発明を適用した電気光学装置１の一態様を示す説明図である。図１では、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸からなる直交座標系を用いて各方向を表す。ｚ軸方向は、電気光学パネル１００の厚さ方向であり、ｙ軸方向は、電気光学パネル１００に接続される回路基板６０の延在方向であり、ｘ軸方向は、回路基板６０の延在方向に対して直交する幅方向である。

図１において、電気光学装置１は液晶装置であり、電気光学パネル１００としての液晶パネルを備えている。電気光学パネル１００は、第１基板１０に形成された複数の画素電極１７０と、第２基板２０に形成された共通電極（図示せず）と、画素電極１７０と共通電極との間に設けられた液晶層からなる電気光学層（図示せず）とを備えている。本形態において、第１基板１０は、ｘ軸方向に延在する２つの辺１０１、１０２と、ｙ軸方向に延在する２つの辺１０３、１０４とを備えている。画素電極１７０は、電気光学層を介して共通電極と対向することによって画素１７を構成しており、画素１７がｘ軸方向およびｙ軸方向に配列されている領域が画素領域１１である。第１基板１０と第２基板２０とは、枠状のシール材（図示せず）によって貼り合わされており、シール材で囲まれた領域に電気光学層が設けられている。画素１７には、画素電極１７０に電気的に接続された画素スイッチング素子（図示せず）が設けられている。また、画素１７には、一方の電極が画素電極１７０に電気的に接続された補助容量（図示せず）が設けられており、補助容量の他方の電極には共通電圧が印加される。

本形態の電気光学パネル１００は透過型の液晶パネルである。従って、第１基板１０の基板本体１９、および第２基板２０の基板本体２９は、耐熱ガラスや石英基板等の透光性基板からなり、画素電極１７０および共通電極は透光性のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の導電膜からなる。透過型の電気光学パネル１００では、例えば、第１基板１０および第２基板２０のうちの一方の基板から入射した照明光が他方の基板の側から出射する間に変調され、表示光として出射される。本形態においては、第２基板２０から入射した照明光が第１基板１０から出射する間に変調され、表示光として出射される。

第１基板１０は、第２基板２０の端部からｙ軸方向に張り出した張出部１０５を有している。張出部１０５には、第１辺１０１に沿って複数の実装端子Ｍが所定のピッチで配列された実装端子領域１４が設けられている。電気光学装置１は、実装端子Ｍに接続された可撓性の第１回路基板６０を有しており、第１回路基板６０は、第１基板１０から離間するようにｙ軸方向に延在している。また、第１回路基板６０の電気光学パネル１００と反対側には第２回路基板７０が接続されている。第１回路基板６０には駆動用ＩＣ６１が設けられており、駆動用ＩＣ６１は、第２回路基板７０を介して入力された信号に基づいて生成した信号等を電気光学パネル１００に出力する。第２回路基板７０には、図２および図３を参照して後述するセンサー回路１６を駆動するセンサー駆動回路５０が設けられている。

１－２．第１基板１０の構成
図２は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１を製造するための大型基板９０の説明図である。図２には、第１基板１０を製造するための大型基板９０の状態でセンサー素子１６０を検査する様子を示してある。本形態においては、大型基板９０が本発明に係る「電気光学装置用基板」に相当する。

図２に示すように、大型基板９０は、第１基板１０が配置される第１領域９１を複数備えている。大型基板９０は、隣り合う第１領域９１の間に、大型基板９０から第１基板１０としての小型基板９５を分割する際にスクライブされる第２領域９２を備えており、第１領域９１と第２領域９２とは隣接している。第１基板１０には、画素領域１１に対してｘ軸方向で隣り合う位置に走査線駆動回路１２が設けられ、画素領域１１と複数の実装端子Ｍが配列された実装端子領域１４との間にデータ線駆動回路１３が設けられる。走査線駆動回路１２は、走査線（図示せず）を介して各画素の画素スイッチング素子に走査信号を供給する。データ線駆動回路１３は、データ線（図示せず）および画素スイッチング素子を介して画素電極１７０に画像信号を供給する。従って、実装端子領域１４は、画素領域１１と直接、電気的に接続された実装端子Ｍを含む。また、実装端子領域１４は、走査線駆動回路１２またはデータ線駆動回路１３を介して画素領域１１と電気的に接続された実装端子Ｍを含む。

複数の実装端子Ｍ、および複数の実装端子Ｍから延在する配線は各々、以下の信号や電圧に対応する。なお、図示した信号や電源は代表例であって、実際には、画像信号は多数の端子から入力され、図示を省略した出力制御信号により走査線駆動回路１２が出力する走査信号の波形の整形が実施され、データ線駆動回路１３によるデータ線への画像信号の供給タイミング信号の整形が実施される。
走査線駆動回路用のクロック信号ＶＣＬＫ
クロック信号ＶＣＬＫに対する反転クロック信号ＶＣＬＫＢ
走査線駆動回路用のスタートパルスＶＳＰ
画像信号ＶＩＤ
データ線駆動回路用のクロック信号ＨＣＬＫ
クロック信号ＨＣＬＫに対する反転クロック信号ＨＣＬＫＢ
データ線駆動回路用のスタートパルスＨＳＰ
高電圧ＶＤＤ
低電圧ＶＳＳ
共通電圧ＬＣＣＯＭ

本形態では、実装端子領域１４とデータ線駆動回路１３との間にｘ軸方向に延在する短絡線１５が設けられている。短絡線１５は低電圧ＶＳＳに対応する実装端子Ｍと電気的に接続されている。上記の信号や電圧に対応する複数の実装端子Ｍのうち、低電圧ＶＳＳに対応する実装端子Ｍ以外の複数の実装端子Ｍは各々、抵抗素子Ｒを介して短絡線１５に電気的に接続されている。抵抗素子Ｒの抵抗値は例えば１ＭΩである。なお、実装端子領域１４には、ダミーＤＵＭの実装端子Ｍも設けられている。ダミーＤＵＭの実装端子Ｍには配線が設けられておらず、ダミーＤＵＭの実装端子Ｍは、短絡線１５に電気的に接続されていない。

第１基板１０には、画素領域１１の外側にセンサー素子１６０を備えたセンサー回路１６が設けられる。本形態において、センサー素子１６０は、ダイオード素子からなる温度センサー素子である。図２には１個のダイオード素子を示してあるが、温度に対する感度を高めるために複数個のダイオード素子を直列に電気的に接続することが好ましい。例えば、５個のダイオード素子を直列に電気的に接続する。かかるダイオード素子は、画素領域１１、走査線駆動回路１２、データ線駆動回路１３にスイッチング素子等を形成するプロセスを利用して形成される。

センサー回路１６では、ダイオード素子を定電流で駆動すると、ダイオード素子の順方向の電圧は温度に対して負の相関があり、室温から８０℃まで良い線形性を有する。例えば、５個のダイオード素子を直列に電気的に接続した場合、例えば０．７μＡの定電流で駆動すると、温度検出感度は、約－１０ｍＶ／℃である。従って、汎用的なＡ／Ｄコンバーターで順方向電圧の変化を十分検出できるから、電気光学パネル１００の温度を感度良く検出することができる。

第１基板１０において、実装端子領域１４には、センサー素子１６０の一方の電極に電気的に接続された第１実装端子Ｍ１と、センサー素子１６０の他方の電極に電気的に接続された第２実装端子Ｍ２が設けられており、図１に示す第１回路基板６０は、第１実装端子Ｍ１および第２実装端子Ｍ２にも電気的に接続される。本形態において、センサー素子１６０はダイオード素子であり、センサー素子１６０の一方の電極はダイオード素子のアノードに相当し、センサー素子１６０の他方の電極はダイオード素子のカソードに相当する。従って、第１実装端子Ｍ１は、ダイオード素子のアノードに電気的に接続され、第２実装端子Ｍ２は、ダイオード素子のカソードに電気的に接続されている。

ここで、第１基板１０には、画素領域１１の外側に、第１実装端子Ｍ１と第２実装端子Ｍ２との間に電気的に接続された第１抵抗素子Ｒ１と、第１抵抗素子Ｒ１と第２実装端子Ｍ２との間に電気的に接続された第２抵抗素子Ｒ２と、第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２との間に電気的に接続された第３実装端子Ｍ３とが設けられている。

第１抵抗素子Ｒ１は、一方端が第１実装端子Ｍ１に電気的に接続され、他方端は第２抵抗素子Ｒ２の一方端に電気的に接続されている。第２抵抗素子Ｒ２の第１抵抗素子Ｒ１と電気的に接続された一方端とは反対側の他方端は、短絡線１５に電気的に接続されている。従って、第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２とは、第１実装端子Ｍ１と短絡線１５との間で直列に電気的に接続されており、第２抵抗素子Ｒ２は短絡線１５を介して第２実装端子Ｍ２に電気的に接続されている。ここで、第１基板１０では、実装端子領域１４において、第２実装端子Ｍ２、第１実装端子Ｍ１、および第３実装端子Ｍ３が順に配置されている。

このように、本形態の第１基板１０には第１実装端子Ｍ１、第２実装端子Ｍ２および第３実装端子Ｍ３が設けられており、これらの実装端子は、以下に示すように、本発明における「第１端子」、「第２端子」および「第３端子」に相当する。
第１端子＝第１実装端子Ｍ１
第２端子＝第２実装端子Ｍ２
第３端子＝第３実装端子Ｍ３

また、第１基板１０には、第２実装端子Ｍ２に一方端が電気的に接続された第３抵抗素子Ｒ３が設けられ、第３抵抗素子Ｒ３の他方端は短絡線１５に電気的に接続されている。従って、第２抵抗素子Ｒ２は、短絡線１５および第３抵抗素子Ｒ３を介して第２実装端子Ｍ２に電気的に接続されている。第３抵抗素子Ｒ３の抵抗値は、抵抗素子Ｒと同様、１ＭΩである。第１抵抗素子Ｒ１および第２抵抗素子Ｒ２の抵抗値は、抵抗素子Ｒと同様、１ＭΩである。

かかる構成によれば、図２に示す画素領域１１や実装端子Ｍ等の全ての構成要素を大型基板９０に形成した後、大型基板９０から第１基板１０を小型基板９５として分割する際に実装端子Ｍに静電気が侵入しても、短絡線１５を含む大きな容量体によって静電気の電荷を吸収することができる。従って、画素領域１１、走査線駆動回路１２、データ線駆動回路１３等に設けたスイッチング素子等の回路素子を静電気から保護することができる。

同様に、第１実装端子Ｍ１、および第２実装端子Ｍ２に静電気が侵入しても、第１抵抗素子Ｒ１、第２抵抗素子Ｒ２、第３抵抗素子Ｒ３、および短絡線１５を利用して静電気を吸収することができる。また、第３実装端子Ｍ３に静電気が侵入しても、第２抵抗素子Ｒ２を利用して短絡線１５を含む大きな容量体へ静電気を吸収することができる。従って、センサー回路１６に設けたセンサー素子１６０を静電気から保護することができる。

詳細は後述するが、ダイオード素子からなるセンサー素子１６０を定電流駆動する際に第１抵抗素子Ｒ１を流れる電流Ｉ２の抑制を図りたい。また、第３実装端子Ｍ３から侵入した静電気は、第２抵抗素子Ｒ２を介して短絡線１５へ効率よく逃がしたい。従って、抵抗値については、第１抵抗素子Ｒ１＞第２抵抗素子Ｒ２とすることがよい。なお、第１抵抗素子Ｒ１、第２抵抗素子Ｒ２、第３抵抗素子Ｒ３は、第１基板１０上に回路素子を形成する際の半導体膜や、ゲート電極膜を利用すると、シート抵抗値が大きいので面積効率良く抵抗素子を形成することができる。

１－３．大型基板９０の状態でのセンサー素子１６０の検査
図２に示すように、第１基板１０のセンサー素子１６０を大型基板９０の状態で検査する場合には、第１基板１０とは別体の検査回路４０を用いる。検査回路４０は、第１プローブＰ１、第２プローブＰ２、および第３プローブＰ３を有する。第１プローブＰ１、第２プローブＰ２、および第３プローブＰ３を各々、第１実装端子Ｍ１、第２実装端子Ｍ２、および第３実装端子Ｍ３に当接させることで第１基板１０のセンサー素子１６０の電気的測定を実施する。

ここで、検査回路４０は、第２実装端子Ｍ２の電圧を固定した状態で第１実装端子Ｍ１に通電する通電回路４１と、第３実装端子Ｍ３の電圧ＶＦ２を第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１と対応する電圧とする電圧設定部４２と、第１実装端子Ｍ１の電圧または電流を検出する検出回路４３とを有する。例えば、電圧設定部４２は、第３実装端子Ｍ３の電圧ＶＦ２を第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１との差が一定の電圧とする。本形態において、電圧設定部４２は、第３実装端子Ｍ３の電圧ＶＦ２を第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１と同一電圧とする。かかる構成は、電圧ＶＦ１が入力されるボルテージフォロワーの出力電圧を電圧ＶＦ２とすることによって実現することができる。また、通電回路４１と電圧設定部４２を各々、別電源としてもよく、かかる構成は、一般的な半導体解析装置で実現することができる。

本形態において、第１プローブＰ１は、検出回路４３を介して、通電回路４１に電気的に接続される。通電回路は、電圧出力回路からなる。検出回路４３は、通電回路４１と第１プローブＰ１との間に配置された電流計からなる。第２プローブＰ２は、グランド電圧ＧＮＤとされる。第３プローブＰ３は、電圧設定部４２に電気的に接続されている。従って、センサー素子１６０を検査する際、通電回路４１は、第２プローブＰ２および第２実装端子Ｍ２を介してセンサー素子１６０のカソードの電圧をグランド電圧ＧＮＤとする一方、第１実装端子Ｍ１を介してセンサー素子１６０のアノードに電圧ＶＦ１を印加し、検出回路４３は、第１実装端子Ｍ１を流れる電流Ｉ１を検出する。その際、電圧設定部４２は、第３プローブＰ３を介して第３実装端子Ｍ３の電圧ＶＦ２を以下の条件を維持する。
ＶＦ１＝ＶＦ２

このため、第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２との接続ノードには、電圧ＶＦ２（＝ＶＦ１）が印加される。従って、第１抵抗素子Ｒ１の両端子には同じ電圧が与えられるから、第１抵抗素子Ｒ１を流れる電流Ｉ２はゼロとなる。それ故、第１実装端子Ｍ１から流れる電流Ｉ１はそのままセンサー素子１６０を流れる電流Ｉ４となる。よって、第１実装端子Ｍ１および第２実装端子Ｍ２が短絡線１５を経由して電気的に接続されている場合でも、第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１と電流Ｉ１とによって、センサー素子１６０の電気特性を精度よく測定することができる。

ここで、電圧ＶＦ１を入力したボルテージフォロワーから電圧ＶＦ２を生成する場合、オペアンプのオフセット電圧によって数ｍＶ、例えば５ｍＶずれる場合がある。その場合、第１抵抗素子Ｒ１を流れる電流Ｉ２＝５ｍＶ／１ＭΩ＝５ｎＡとなる。ダイオード素子の良否判別は動作点電流で判別することが適当である。従って、動作点電流を例えば０．７μＡとするならば、電流Ｉ２によって受ける影響は１％以下である。第１抵抗素子Ｒ１の抵抗値は大きい方が、上記オフセット電圧による影響等を排除しやすいので電流ＩＩ１の測定には好ましい。

また、第１抵抗素子Ｒ１および第２抵抗素子Ｒ２は例えば液晶パネルのスイッチング素子を構成する半導体膜等を利用して形成される。そのシート抵抗は不純物注入工程のばらつきやアニール工程のばらつきによって変化する。その場合でも、第１抵抗素子Ｒ１の両端子には微小な電圧しか発生しないので、電流Ｉ２のばらつきは動作点電流に比較すれば極めてわずかである。もちろん電流Ｉ２については検査装置を十分に調整してＶＦ１＝ＶＦ２に近づければほとんどゼロにできる。

また、第２抵抗素子Ｒ２には、短絡線１５と第３抵抗素子Ｒ３を介して第２実装端子Ｍ２へ向かう電流Ｉ３が流れる。例えば、室温でＶＦ１＝ＶＦ２＝３Ｖとするならば、Ｉ３＝３Ｖ／２ＭΩ=１．５μＡである。この程度の微小電流であれば、ボルテージフォロワーを構成するオペアンプから十分供給できるから格段の問題にはならない。また、第３実装端子Ｍ３から第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２との接続ノードまでの接続配線は、第１抵抗素子Ｒ１よりも十分小さい抵抗値で形成する。例えば、接続配線を１ｋΩの抵抗値で形成すれば、接続ノードの電圧は下式となるので、電流Ｉ２をほとんど無視することができる。接続配線は、第１基板１０上に回路素子を形成する際のゲート電極膜や、ソース電極、ドレイン電極、あるいは共通電圧等を供給する配線を構成するアルミニウムを主体とした配線層で形成できる。または画素１７のスイッチング素子への入射光を低減するタングステンシリサイドを用いた遮光層を用いてもよいし、ＩＴＯ等の透光性導電膜を用いてもよい。
（１ＭΩ／（１ＭΩ＋１ｋΩ））×ＶＦ１
＝０.９９９×ＶＦ１

なお、電圧ＶＦ２を出力するボルテージフォロワーには、第２抵抗素子Ｒ２を介して大きな容量負荷（短絡線１５のノード）がある。従って、短絡線１５に電気的に接続されている低電圧ＶＳＳに対応する実装端子Ｍにも第４プローブＰ４を当接させて短絡線１５にもグランド電圧ＧＮＤを与えるとよい。

また、本形態では、相展開駆動方式の電気光学パネルである。このため、実装端子Ｍの数が少ないので、実装端子Ｍの端子幅は比較的大きい。それ故、検査時には、第１プローブＰ１、第２プローブＰ２、第３プローブＰ３、および第４プローブＰ４を直接、当接させて、所望の信号や電圧を与えることができる。

なお、検査回路４０と第１基板１０とを電気的に接続するにあたっては、検査回路４０が設けられた基板にコネクタを設け、コネクタに第１回路基板６０を備えた電気光学パネル１００を装着してもよい。

１－４．電気光学装置１の駆動時の温度検出
図３は、図１に示す電気光学パネル１００の温度を検出する様子を示す説明図である。図３には、電気光学装置１の状態で電気光学パネル１００の温度を検出する様子を示してある。図２を参照して説明した検査工程において基板単体の状態でセンサー素子１６０が検査された第１基板１０は、図１に示す電気光学装置１の電気光学パネル１００に用いられる。ここで、図３に示すように、電気光学装置１では、センサー回路１６を駆動するセンサー駆動回路５０が第２回路基板７０に設けられており、センサー駆動回路５０は、第１実装端子Ｍ１からなる第１端子と、第２実装端子Ｍ２からなる第２端子と、第３実装端子Ｍ３からなる第３端子とを利用してセンサー回路１６を駆動する。

但し、電気光学装置１を構成した状態でも、第１基板１０では、第１実装端子Ｍ１は第１抵抗素子Ｒ１および第２抵抗素子Ｒ２を介して短絡線１５に電気的に接続し、第２実装端子Ｍ２は第３抵抗素子Ｒ３を介して短絡線１５に電気的に接続している。この場合でも、第１基板１０には、第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２との接続ノードに電気的に接続する第３実装端子Ｍ３が存在する。

従って、本形態において、センサー駆動回路５０は、図１に示す検査回路４０と略同様、第２実装端子Ｍ２の電圧を固定した状態で第１実装端子Ｍ１に通電する通電回路５１と、第３実装端子Ｍ３の電圧ＶＦ２を第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１に対応する電圧とする電圧設定部５２と、第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１または電流を検出する検出回路５３とを有する。

本形態において、通電回路５１は、センサー素子１６０に対して、第１実装端子Ｍ１を介して定電流（電流Ｉ１）を供給する定電流回路５１０である。電圧設定部５２は、第３実装端子Ｍ３の電圧ＶＦ２を第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１に対応する電圧とする。例えば、電圧設定部５２は、第３実装端子Ｍ３の電圧ＶＦ２を第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１と一定の差の電圧とする。本形態において、電圧設定部５２は、第３実装端子Ｍ３の電圧ＶＦ２を第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１と同一の電圧とする。より具体的は、電圧設定部５２は、例えば、ボルテージフォロワー５２０によって構成されており、ボルテージフォロワー５２０の入力端子を第１実装端子Ｍ１に電気的に接続し、出力端子を第３実装端子Ｍ３に電気的に接続する。検出回路５３は、定電流回路５１０から電流Ｉ１が第１実装端子Ｍ１に供給された際のセンサー素子１６０のアノード電圧である第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバーター５３０である。また、センサー駆動回路５０は、グランド配線とセンサー素子１６０のアノードの電圧ＶＦ１の出力線との間に安定化容量５４２を備え、グランド配線とボルテージフォロワー５２０の出力線との間に安定化容量５４１を備える。

また、センサー駆動回路５０において、Ａ／Ｄコンバーター５３０は、センサー素子１６０のアノードの電圧ＶＦ１を入力したボルテージフォロワー５２０から出力された電圧ＶＦ２をデジタル化し、中央制御部５５に出力する。従って、定電流回路５１０から出力された電流Ｉ１がセンサー素子１６０に印加された際の第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１は、電気光学パネル１００の温度に対して負の相関を持つので、電圧ＶＦ１を検出回路５３によって検出すれば、かかる検出結果は、電気光学パネル１００の温度に対応する温度信号として中央制御部５５に出力される。

温度検出の際、第１抵抗素子Ｒ１の両端子には同じ電圧が与えられるから、第１抵抗素子Ｒ１を流れる電流Ｉ２はゼロとなる。従って、第１実装端子Ｍ１から流れる電流Ｉ１は、そのままセンサー素子１６０へ流れる電流Ｉ４となる。このため、センサー素子１６０を適正に駆動することができ、電気光学パネル１００の温度を精度よく検出することができる。それ故、電気光学装置１を備えた電子機器では、中央制御部５５の制御の下、電気光学装置１の駆動条件等を調整することができるので、高い表示品位を維持することができる。例えば、電子機器では、中央制御部５５の制御の下、電気光学パネル１００に対する冷却ファンによる冷却条件の制御や、低温環境対策としてのヒーターによる加熱条件の制御、あるいは画像信号補正を適正に行うことができるので、高い表示品位を維持することができる。

ここで、ボルテージフォロワー５２０を構成するオペアンプのスルーレートは、電気光学パネル１００の温度変化に伴うセンサー素子１６０の順方向の電圧ＶＦ１の変化に対して余裕がある。具体的には、投射型表示装置の点灯時の電気光学パネル１００の温度上昇は数℃／秒程度であるから、ボルテージフォロワー５２０の追随性には問題のないものである。従って、電圧ＶＦ１と電圧ＶＦ２とは等しい値に維持される。また、オペアンプのオフセット電圧によって電圧ＶＦ１と電圧ＶＦ２が数ｍＶずれていても、そのずれはわずかであり、第１抵抗素子Ｒ１の抵抗値は、１ＭΩであり、十分大きい。従って、電流Ｉ２は微小電流である。また、ダイオード素子からなるセンサー素子１６０は、電流Ｉ１（＝Ｉ４）の変化に対して順方向の電圧ＶＦ１の変化はわずかであるから、温度検出としては十分機能する。

［第１実施形態の変形例１］
図４は、本発明の第１実施形態の変形例１に係る電気光学装置１の説明図である。図４には、電気光学装置１の状態で電気光学パネル１００の温度を検出する様子を示してある。なお、本形態の基板的な構成は第１実施形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

第１実施形態では、センサー素子１６０のカソードに電気的に接続された第２実装端子Ｍ２、センサー素子１６０のアノードに電気的に接続された第１実装端子Ｍ１、および第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１と同一の電圧ＶＦ２が印加される第３実装端子Ｍ３が順に配置されている。本形態では、図４に示すように、第１実装端子Ｍ１、第３実装端子Ｍ３、および第２実装端子Ｍ２が順に配置されており、第１実装端子Ｍ１と第２実装端子Ｍ２との間には第３実装端子Ｍ３が配置されている。

より具体的には、第１実装端子Ｍ１と第２実装端子Ｍ２とが隣り合っている場合、例えば、第１回路基板６０や第１基板１０の実装端子Ｍ近傍で高抵抗短絡部があるとセンサー素子１６０を駆動する電流Ｉ１の一部が第１実装端子Ｍ１のノード（ＧＮＤ）へ漏れるから、温度検出に誤差が発生する。高抵抗短絡であると不良として検出することが難しい場合があり、仮に検出して良品と判定されたとしても、高湿環境におかれると、配線金属材料の腐食等によりリーク電流成分が増加する可能性がある。

これに対して、本形態では、第１実装端子Ｍ１と第２実装端子Ｍ２との間には第３実装端子Ｍ３が配置されているため、センサー素子１６０のアノードに電気的に接続された配線に隣り合う配線が第３実装端子Ｍ３から延在する配線である。ここで、第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１と第３実装端子Ｍ３の電圧ＶＦ２とは、ボルテージフォロワー５２０の入力電圧と出力電圧の関係であるから、センサー素子１６０のアノードに電気的に接続された配線と第３実装端子Ｍ３から延在する配線との間のリーク電流はほぼゼロにできる。それ故、センサー素子１６０の定電流駆動を適正に維持することができる。また、図４に示すように、第１実装端子Ｍ１に隣接する一方の実装端子Ｍを第３実装端子Ｍ３とし、他方で隣接する実装端子Ｍを電気的にフローティングであるダミーＤＵＭの実装端子Ｍとしておけば、温度検出の信頼性をより高めることができる。また、ダミーＤＵＭの実装端子Ｍにも第３実装端子Ｍ３と同様に電圧ＶＦ２を供給するようにしてもよい。

［第１実施形態の変形例２］
実施形態１では、大型基板９０において、第１基板１０として分割される複数の第１領域９１にセンサー素子１６０を検査するために用いられる第１抵抗素子Ｒ１、および第２抵抗素子Ｒ２等が全て配置されている。従って、大型基板９０から第１基板１０を分割した状態でセンサー素子１６０の検査を行ってもよい。この場合、第１基板１０自身が、本発明に係る「電気光学装置用基板」に相当する。

［第２実施形態］
２－１．大型基板９０の構成
図５は、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置１を製造するための大型基板９０の説明図である。図５には、第１基板１０を製造するための大型基板９０の状態でセンサー素子１６０を検査する様子を示してある。なお、本形態の基本的な構成は第１実施形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

本形態において、大型基板９０は、第１基板１０が配置される第１領域９１を複数備え、隣り合う第１領域９１の間には、第１基板１０を個別の基板に分割する際にスクライブされるスクライブ領域９８、９９に対応する第２領域９２を備えている。第２実施形態では、大型基板９０の第１領域９１が第１基板１０として小型基板９５に分割され、大型基板９０の第２領域９２には、第１抵抗素子Ｒ１と、第２抵抗素子Ｒ２と、第３抵抗素子Ｒ３と、第１短絡線１５１と、抵抗素子Ｒと、および各部を接続する接続線とが配置されている。本形態においては、大型基板９０が本発明における「電気光学装置用基板」に相当する。

図５に示すように、本形態においても、実施形態１と同様、第１基板１０の実装端子領域１４には、複数の実装端子Ｍが配列されており、複数の実装端子Ｍ、および複数の実装端子Ｍから延在する配線は各々、以下の信号や電圧に対応する。なお、本形態では、光学装置では、基板の表示領域で延在する複数のデータ線をブロック化し、各ブロックに対応して設けられた画像信号配線から供給された画像信号をデマルチプレクサーによってデータ線に分配する。このため、選択信号ＳＥＬに対応する実装端子Ｍ、および画像信号ＶＩＤｅｖｅｎ、ＶＩＤｏｄｄに対応する実装端子Ｍは複数、設けられているが、図５には、選択信号ＳＥＬに対応する実装端子Ｍ、および画像信号ＶＩＤｅｖｅｎ、ＶＩＤｏｄｄに対応する実装端子Ｍを各々、１個だけの省略表記としている。なお、図示した信号や電源は代表例であって、実際には図示省略した出力制御信号により走査線駆動回路１２の出力する走査信号の波形の整形が実施される。
走査線駆動回路用のクロック信号ＶＣＬＫ
クロック信号ＶＣＬＫに対する反転クロック信号ＶＣＬＫＢ
走査線駆動回路用のスタートパルスＶＳＰ
選択信号ＳＥ
偶数系列の画像信号ＶＩＤｅｖｅｎ
奇数系列の画像信号ＶＩＤｏｄｄ
高電圧ＶＤＤ
低電圧ＶＳＳ
共通電圧ＬＣＣＯＭ

本形態では、画像信号端子が相展開駆動方式と比較して多数になるので、実装端子領域１４における実装端子Ｍの端子幅が小さい。このため、実装端子Ｍに検査プローブを当接させることが困難である。従って、実装端子領域１４とデータ線駆動回路１３との間には、実装端子領域１４と並列するように検査端子領域１８が設けられており、検査端子領域１８には、実装端子Ｍに対応して検査端子Ｔが設けられている。かかる検査端子Ｔは、走査線駆動回路の動作や隣接する画像信号線間の短絡、あるいは所定の信号線の導通・断線などの検査等に使用される。

また、検査端子領域１８には、第１実装端子Ｍ１に電気的に接続された第１検査端子Ｔ１と、第２実装端子Ｍ２に電気的に接続された第２検査端子Ｔ２と、第３検査端子Ｔ３とが設けられている。それ故、本形態では、第１実装端子Ｍ１、第２実装端子Ｍ２、第３実装端子Ｍ３、第１検査端子Ｔ１、第２検査端子Ｔ２、および第３検査端子Ｔ３によって、本発明における「第１端子」、「第２端子」および「第３端子」が構成されている。
第１端子＝第１実装端子Ｍ１＋第１検査端子Ｔ１
第２端子＝第２実装端子Ｍ２＋第２検査端子Ｔ２
第３端子＝第３検査端子Ｔ３

また、本形態でも、第１実施形態と同様、第１基板１０には、画素領域１１の外側にセンサー素子１６０を備えたセンサー回路１６が設けられている。本形態において、センサー素子１６０は、ダイオード素子からなる温度検出素子である。

２－２．大型基板９０の状態でのセンサー素子１６０の検査
本形態では、第１基板１０のセンサー素子１６０を検査するにあたっては、図５に示すように、第１基板１０が配置された第１領域９１を複数、備えた大型基板９０の状態で検査を行う。ここで、隣り合う第１領域９１の間の第２領域９２にはスクライブ領域９８、９９が存在しており、図５には、スクライブ領域９８、９９のそれぞれのスクライブ中心線９８０、９９０を一点鎖線で示してある。第２領域９２は、大型基板９０から複数の第１基板１０を個別の基板に分割する際に削られて、その大部分が失われる。また、第１基板１０として分割される第１領域９１は、スクライブ領域９８、９９で小型基板９５に分割されたときの分割予定線９８１、９９１を介して第２領域９２に隣接している。

本形態においては、第２領域９２には、第１基板１０の端部に沿ってｘ軸方向に延在する第１短絡線１５１と、第１基板１０の端部に沿ってｙ軸方向に延在する第２短絡線１５２とが設けられており、第１領域９１は、第１短絡線１５１と第２短絡線１５２とによって囲まれている。第１短絡線１５１と第２短絡線１５２とは互いに電気的に接続されており、第１基板１０として分割される第１領域９１を囲むガードリングを構成している。第１短絡線１５１と第２短絡線１５２は、例えば、ゲート電極膜等の導電層で形成されている。

実装端子Ｍは、スクライブ領域９８に設けられた抵抗素子Ｒを介して第１短絡線１５１に電気的に接続されている。それ故、実装端子Ｍに電気的に接続する回路を製造工程中の静電気から保護することができる。但し、画像信号ＶＩＤｅｖｅｎ、ＶＩＤｏｄｄに対応する実装端子Ｍは、リーク電流が検査の障害となるので、抵抗素子Ｒを介して第１短絡線１５１に電気的に接続された構造にはなっていない。また、画像信号ＶＩＤｅｖｅｎ、ＶＩＤｏｄｄは、スクライブ領域９８に設けられた配線を経由して検査端子Ｔに電気的に接続されている。従って、画像信号ＶＩＤｅｖｅｎ、ＶＩＤｏｄｄのそれぞれの実装端子Ｍから第１基板１０内部へ延在する配線間に短絡があるか否かを簡単に検査できる。

また、スクライブ領域９８には、第１実装端子Ｍ１と第２実装端子Ｍ２との間に電気的に接続された第１抵抗素子Ｒ１と、第１抵抗素子Ｒ１と第２実装端子Ｍ２との間に電気的に接続された第２抵抗素子Ｒ２とが設けられている。また、第１基板１０には、画素領域１１の外側に、第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２との間に電気的に接続された第３検査端子Ｔ３が設けられている。本形態でも、実施形態１と同様、第１抵抗素子Ｒ１は、一方端が第１実装端子Ｍ１に電気的に接続され、他方端は第２抵抗素子Ｒ２の一方端に電気的に接続されている。第２抵抗素子Ｒ２の他方端は第１短絡線１５１に電気的に接続されている。従って、第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２とは、第１実装端子Ｍ１と第１短絡線１５１との間で直列に電気的に接続されており、第２抵抗素子Ｒ２は第１短絡線１５１を介して第２実装端子Ｍ２に電気的に接続されている。

また、スクライブ領域９８には、第２実装端子Ｍ２に一方端が電気的に接続された第３抵抗素子Ｒ３が設けられ、第３抵抗素子Ｒ３の他方端は第１短絡線１５１に電気的に接続されている。それ故、第１実装端子Ｍ１、および第２実装端子Ｍ２に電気的に接続する回路を製造工程中の静電気から保護することができる。ここで、抵抗素子Ｒ、第１抵抗素子Ｒ１、第２抵抗素子Ｒ２、および第３抵抗素子Ｒ３はいずれも、抵抗値が等しい。例えば、抵抗素子Ｒ、第１抵抗素子Ｒ１、第２抵抗素子Ｒ２、および第３抵抗素子Ｒ３はいずれも、抵抗値が１ＭΩである。

このように構成した大型基板９０において、第１基板１０として分割される第１領域９１のセンサー素子１６０を検査するにあたっては、第１実施形態と同様、検査回路４０を用いる。より具体的には、検査回路４０の３つの第１プローブＰ１、第２プローブＰ２、および第３プローブＰ３を第１端子、第２端子、および第３端子に当接させる。またこの際には、図示省略するが、他の検査端子Ｔにも同時にプローブを当接して、例えばグランド電圧ＧＮＤ電圧を印加することが好ましい。なお、図５における検査回路４０は大型基板９０上ではなく、外部にある別体の装置である。

本形態においては、以下に示すように、第１実装端子Ｍ１、第２実装端子Ｍ２、第１検査端子Ｔ１、第２検査端子Ｔ２、および第３検査端子Ｔ３のうち、第１検査端子Ｔ１、第２検査端子Ｔ２、および第３検査端子Ｔ３に検査回路４０の３つの第１プローブＰ１、第２プローブＰ２、および第３プローブＰ３を当接させる。従って、検査時、第１検査端子Ｔ１、第２検査端子Ｔ２、および第３検査端子Ｔ３によって、本発明における「第１端子」、「第２端子」および「第３端子」が構成されている。
第１端子＝第１検査端子Ｔ１
第２端子＝第２検査端子Ｔ２
第３端子＝第３検査端子Ｔ３

従って、通電回路４１は、第２プローブＰ２および第２検査端子Ｔ２を介してセンサー素子１６０のカソード電圧をグランド電圧ＧＮＤとした状態で、第１検査端子Ｔ１に電圧ＶＦ１を印加し、検出回路４３は、第１検査端子Ｔ１を流れる電流Ｉ１を検出する。その際、電圧設定部４２は、第３プローブＰ３を介して第３検査端子Ｔ３に印加する電圧ＶＦ２については以下の条件を維持する。
ＶＦ１＝ＶＦ２

このため、第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２との接続ノードには、電圧ＶＦ２（＝ＶＦ１）が印加される。従って、第１抵抗素子Ｒ１の両端子には同じ電圧が与えられるから、第１抵抗素子Ｒ１を流れる電流Ｉ２はゼロとなる。それ故、第１実装端子Ｍ１から流れる電流Ｉ１はそのままセンサー素子１６０に流れる電流Ｉ４となる。よって、第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１と電流Ｉ１とによって、センサー素子１６０の電気特性を精度よく測定することができる。

２－３．電気光学装置１の駆動時の温度検出
図６は、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置１の説明図である。図５を参照して説明した検査工程において、基板単体の状態でセンサー素子１６０が検査された大型基板９０から第１基板１０を小型基板９５として分割した後、第１基板１０は、図１に示す電気光学装置１の電気光学パネル１００に用いられる。従って、図６に示すように、電気光学装置１の状態で、第１基板１０には、第１短絡線１５１、第２短絡線１５２、抵抗素子Ｒ、第１抵抗素子Ｒ１、第２抵抗素子Ｒ２、および第３抵抗素子Ｒ３がスクライブ工程によって破壊されるから典型的には存在しない。一部が残存することもある。なお、第３検査端子Ｔ３は、第１基板１０に残っており、第３検査端子Ｔ３から延在する配線は、第１基板１０の辺１０１まで到達している。また、第１回路基板６０は、実装端子Ｍ、第１実装端子Ｍ１、および第２実装端子Ｍ２に電気的に接続される。従って、温度検出時、第１検査端子Ｔ１、および第２検査端子Ｔ２によって、本発明における「第１端子」、および「第２端子」が構成される。
第１端子＝第１実装端子Ｍ１
第２端子＝第２実装端子Ｍ２

また、センサー駆動回路５０は、第２実装端子Ｍ２の電圧を固定した状態で第１実装端子Ｍ１に通電する通電回路５１と、第１実装端子Ｍ１の電圧を検出する検出回路５３とを有する。

通電回路５１は、第２実装端子Ｍ２をグランド電圧ＧＮＤとし、定電流からなる電流Ｉ１を第１実装端子Ｍ１に供給する定電流回路５１０である。また、検出回路５３は、Ａ／Ｄコンバーター５３０であり、電圧ＶＦ１を入力されたボルテージフォロワー５６０から出力された電圧ＶＦ２をデジタル信号に変換する。電圧ＶＦ１は、定電流回路５１０から電流Ｉ１が第１実装端子Ｍ１に供給された際のセンサー素子１６０のアノード電圧である。なお、センサー駆動回路５０は、通電回路５１から第２実装端子Ｍ２に延在する配線と、ボルテージフォロワー５６０から第１実装端子Ｍ１に延在する配線との間に安定化容量５４０を備える。

かかる構成によれば、大型基板９０から第１基板１０を分割した後、第１基板１０には、第１短絡線１５１、第２短絡線１５２、抵抗素子Ｒ、第１抵抗素子Ｒ１、第２抵抗素子Ｒ２、および第３抵抗素子Ｒ３が存在しない。このため、第１実装端子Ｍ１から流れる電流Ｉ１は、そのままセンサー素子１６０へ流れる電流Ｉ４となる。このため、センサー素子１６０を適正に駆動することができる。従って、電流Ｉ１がセンサー素子１６０に印加された際の第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１は、電気光学パネル１００の温度に対して負の相関を持つので、電圧ＶＦ１に相当する電圧ＶＦ２を検出回路５３によって検出すれば、かかる検出結果は、検出回路５３は、電気光学パネル１００の温度に対応する温度信号として中央制御部５５に出力される。従って、電気光学装置１では、中央制御部５５の制御の下、電気光学パネル１００に対する冷却ファンの制御や、低温環境対策としてのヒーターの制御、あるいは画像信号補正を行うことができる。なお、本形態では、第１抵抗素子Ｒ１、および第２抵抗素子Ｒ２のいずれもが第２領域７２に設けられていたが、第１抵抗素子Ｒ１、および第２抵抗素子Ｒ２の一方のみが第２領域７２に設けられている場合にも適用することができる。例えば、第１実装端子Ｍ１と、第１実装端子Ｍ１に隣接するダミーＤＵＭの実装端子Ｍとの間に第１抵抗素子Ｒ１を配置してもよい。この場合、第１基板１０には第１抵抗素子Ｒ１が残存する。

［第２実施形態の変形例１］
図７は、本発明の第２実施形態の変形例１の説明図である。図７には、第１基板１０を製造するための大型基板９０を示してある。なお、本形態の基本的な構成は第２実施形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。本形態においては、大型基板９０が本発明における「電気光学装置用基板」に相当する。

図７に示すように、本形態においても、第２実施形態と同様、第１基板１０の実装端子領域１４には、複数の実装端子Ｍが配列されており、複数の実装端子Ｍ、および複数の実装端子Ｍから延在する配線は各々、以下の信号や電圧に対応する。なお、図示した信号や電源は代表例であることは第２実施形態と同様であり、これらに限定されるものではない。
走査線駆動回路用のクロック信号ＶＣＬＫ
クロック信号ＶＣＬＫに対する反転クロック信号ＶＣＬＫＢ
走査線駆動回路用のスタートパルスＶＳＰ
選択信号ＳＥＬ
偶数系列の画像信号ＶＩＤｅｖｅｎ
奇数系列の画像信号ＶＩＤｏｄｄ
高電圧ＶＤＤ
低電圧ＶＳＳ
共通電圧ＬＣＣＯＭ

電気光学パネル１００の画素ピッチが比較的大きい場合、実装端子Ｍの端子幅を大きくできるので、検査用のプローブを当接できる場合がある。本形態では、実装端子Ｍが比較的大きいため、図５に示す検査端子Ｔ、第１検査端子Ｔ１、第２検査端子Ｔ２、および第３検査端子Ｔ３が設けられていない。それ故、本形態では、第１実装端子Ｍ１、第２実装端子Ｍ２、および第３実装端子Ｍ３によって、本発明における「第１端子」、「第２端子」および「第３端子」が構成されている。
第１端子＝第１実装端子Ｍ１
第２端子＝第２実装端子Ｍ２
第３端子＝第３実装端子Ｍ３

また、本形態では、第２実施形態と同様、スクライブ領域９８、９９に第１短絡線１５１、第２短絡線１５２、第１抵抗素子Ｒ１、第２抵抗素子Ｒ２、および第３抵抗素子Ｒ３が設けられている。従って、第２実施形態と同様、第１実装端子Ｍ１、第２実装端子Ｍ２、および第３実装端子Ｍ３を各々、第１端子、第２端子、および第３端子として、検査回路４０によってセンサー素子１６０を適正に検査することができる。また、電気光学装置１の状態で、第１基板１０には、第１短絡線１５１、第２短絡線１５２、抵抗素子Ｒ、第１抵抗素子Ｒ１、および第２抵抗素子Ｒ２、および第３抵抗素子Ｒ３がスクライブ工程によって破壊されるから典型的には存在しない。また、第３実装端子Ｍ３は、第１基板１０に残っており、第３実装端子Ｍ３から延在する配線は、第１基板１０の辺１０１まで到達している。従って、第２実施形態と同様、第１実装端子Ｍ１、および第２実装端子Ｍ２を各々、第１端子、および第２端子として、センサー駆動回路５０によって温度を検出することができる。

［第２実施形態の変形例２］
図８は、本発明の第２実施形態の変形例２の説明図である。図８には、第１基板１０を製造するための大型基板９０を示してある。なお、本形態の基本的な構成は第２実施形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。本形態においては、大型基板９０が本発明における「電気光学装置用基板」に相当する。

図８に示すように、本形態においても、第２実施形態と同様、第１基板１０の実装端子領域１４には、複数の実装端子Ｍが配列されており、複数の実装端子Ｍ、および複数の実装端子Ｍから延在する配線は各々、以下の信号や電圧に対応する。なお、図示した信号や電源は代表例であることは第２実施形態と同様であり、これらに限定されるものではない。
走査線駆動回路用のクロック信号ＶＣＬＫ
クロック信号ＶＣＬＫに対する反転クロック信号ＶＣＬＫＢ
走査線駆動回路用のスタートパルスＶＳＰ
選択信号ＳＥＬ
偶数系列の画像信号ＶＩＤｅｖｅｎ
奇数系列の画像信号ＶＩＤｏｄｄ
高電圧ＶＤＤ
低電圧ＶＳＳ
共通電圧ＬＣＣＯＭ

また、本形態では、検査端子Ｔ、第１検査端子Ｔ１、第２検査端子Ｔ２、および第３検査端子Ｔ３が設けられている。それ故、本形態では、第１実装端子Ｍ１、第２実装端子Ｍ２、第３実装端子Ｍ３、第１検査端子Ｔ１、第２検査端子Ｔ２、および第３検査端子Ｔ３によって、本発明における「第１端子」、「第２端子」および「第３端子」が構成されている。
第１端子＝第１実装端子Ｍ１＋第１検査端子Ｔ１
第２端子＝第２実装端子Ｍ２＋第２検査端子Ｔ２
第３端子＝第３実装端子Ｍ３＋第３検査端子Ｔ３

また、本形態では、第２実施形態と同様、スクライブ領域９８、９９に第１短絡線１５１、第２短絡線１５２、第１抵抗素子Ｒ１、第２抵抗素子Ｒ２、および第３抵抗素子Ｒ３が設けられている。従って、３つの第１プローブＰ１、第２プローブＰ２、および第３プローブＰ３を第１検査端子Ｔ１、第２検査端子Ｔ２、および第３検査端子Ｔ３に当接させ、検査回路４０によってセンサー素子１６０を適正に検査することができる。

ここで、第２実装端子Ｍ２および第２検査端子Ｔ２に電気的に接続された第３抵抗素子Ｒ３は直接、第１短絡線１５１に電気的に接続されておらず、スクライブ領域９８にある配線部９６１に接続されている。また、第１抵抗素子Ｒ１は直接、第２抵抗素子Ｒ２に電気的に接続されておらず、スクライブ領域９８にある配線部９６１に接続されている。さらに、配線部９６１は、第３実装端子Ｍ３および第２抵抗素子Ｒ２を介して第１短絡線１５１に電気的に接続されている。第３検査端子Ｔ３は第３実装端子Ｍ３に電気的に接続されている。なお、図８では、第３検査端子Ｔ３と第３実装端子Ｍ３とは、第１基板１０内で電気的に接続されているが、スクライブ領域９８で電気的に接続されていてもよい。また、図８では、第３検査端子Ｔ３と第３実装端子Ｍ３とは、第３実装端子Ｍ３の矩形状を成す端子電極の長辺部で電気的に接続されているが、第１基板１０の内部側の短辺部で電気的に接続してもよい。

このように配置すると、第１抵抗素子Ｒ１、第１抵抗素子Ｒ２、第３抵抗素子Ｒ３は実装端子Ｍの配列方向（ｘ軸方向）に並べることになるので、他の抵抗素子Ｒ等と同じレイアウトの抵抗素子を並べることが簡単になる。図５に示した第２実施形態では、第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２がｙ軸方向に並ぶので、他の抵抗素子Ｒ等とは異なるレイアウトにする必要があり、抵抗素子の製造管理工数が増加する。また、スクライブ工程時のばらつきによっては、第１基板１０に分割された後に、第１実装端子Ｍ１と第３検査端子Ｔ３とが第１抵抗素子Ｒ１を経由して電気的に接続されたままになる可能性がある。その場合、センサー回路１６への静電気侵入経路を増やすことになるので好ましくない。

加えて、センサー回路１６に電気的に接続される第１実装端子Ｍ１と第２実装端子Ｍ２は、第１抵抗素子Ｒ１と、スクライブ領域９８にある配線部９６１と、第３抵抗素子Ｒ３とによって電気的に接続され、さらに、配線部９６１は、第３実装端子Ｍ３と第２抵抗素子Ｒ２を経由して第１短絡線１５１に電気的に接続されている。従って、造工程中の静電気による破壊からセンサー回路１６を保護する効果も得ることができる。また、本形態でも、第２抵抗素子Ｒ２が十分に大きな抵抗値を有するので、第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２との接続ノードには、電圧ＶＦ２（＝ＶＦ１）が印加される。

また、電気光学装置１の状態で、第１基板１０には、第１短絡線１５１、第２短絡線１５２、抵抗素子Ｒ、第１抵抗素子Ｒ１、および第２抵抗素子Ｒ２、および第３抵抗素子Ｒ３がスクライブ工程によって破壊されるから典型的には存在しない。また、第３実装端子Ｍ３は、第１基板１０に残っており、第３実装端子Ｍ３から延在する配線は、ダミーの実装端子Ｍを経由して第１基板１０の辺１０１まで到達している。従って、第２実施形態と同様、第１実装端子Ｍ１、および第２実装端子Ｍ２を各々、第１端子、および第２端子として、センサー駆動回路５０によって温度を検出することができる。

［第３実施形態の変形例３］
図９は、本発明の第２実施形態の変形例３の説明図である。図８には、第１基板１０を製造するための大型基板９０を示してある。なお、本形態の基本的な構成は第２実施形態の変形例２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。本形態においては、大型基板９０が本発明における「電気光学装置用基板」に相当する。

図９に示すように、本形態においても、複数の実装端子Ｍに加えて、検査端子Ｔ、第１検査端子Ｔ１、第２検査端子Ｔ２、および第３検査端子Ｔ３が設けられている。それ故、本形態では、第１実装端子Ｍ１、第２実装端子Ｍ２、第１検査端子Ｔ１、第２検査端子Ｔ２、および第３検査端子Ｔ３によって、本発明における「第１端子」、「第２端子」および「第３端子」が構成されている。
第１端子＝第１実装端子Ｍ１＋第１検査端子Ｔ１
第２端子＝第２実装端子Ｍ２＋第２検査端子Ｔ２
第３端子＝第３検査端子Ｔ３

ここで、第３検査端子Ｔ３は、大型基板９０において、ｙ軸方向に隣接する第１領域９１にある。つまり、第１基板１０を見ると、第１基板１０の辺１０２側には、隣りの第１領域９１に対応する第３検査端子Ｔ３が存在し、第３検査端子Ｔ３から第１基板１０の辺１０２に向かう配線部９６２が存在する。

このように構成すると、第３検査端子Ｔ３の配置の自由度が大きくなる。例えば、他の検査端子Ｔ、第１検査端子Ｔ１、第２検査端子Ｔ２の近傍に第３検査端子Ｔ３を配置しようとした場合に、第１基板１０上の各種信号線や電源配線の配線幅を狭くしてしまい、駆動上の問題を発生させることによって表示品質を低下させてしまうことを回避できる。

また、センサー回路１６に電気的に接続される第１実装端子Ｍ１と第２実装端子Ｍ２は、第１抵抗素子Ｒ１と、スクライブ領域９８にある配線部９６３と、第３抵抗素子Ｒ３によって電気的に接続され、さらに、配線部９６３は第２抵抗素子Ｒ２を経由して第１短絡線１５１に電気的に接続されている。従って、製造工程中の静電気による破壊からセンサー回路１６を保護する効果も得る。第２実施形態と同様、第１検査端子Ｔ１、第２検査端子Ｔ２、および第３検査端子Ｔ３を各々、第１端子、第２端子、および第３端子として、検査回路４０によってセンサー素子１６０を適正に検査することができる。

また、電気光学装置１の状態で、第１基板１０には、第１短絡線１５１、第２短絡線１５２、抵抗素子Ｒ、第１抵抗素子Ｒ１、および第２抵抗素子Ｒ２、および第３抵抗素子Ｒ３がスクライブ工程によって破壊されるから典型的には存在しない。また、第１基板１０には、隣りの第１領域９１に対応する第３検査端子Ｔ３が残っており、第３検査端子Ｔ３から延在する配線部９６２は、第１基板１０の辺１０２まで到達している。従って、第２実施形態と同様、第１実装端子Ｍ１と第２実装端子Ｍ２との間にはセンサー回路１６以外の意図しない短絡経路は存在しない。従って、第２実施形態と同様、第１実装端子Ｍ１、および第２実装端子Ｍ２を各々、第１端子、および第２端子として、センサー駆動回路５０によって温度を検出することができる。

［他の実施の形態］
上記実施形態において、図３に示す定電流回路５１０およびボルテージフォロワー５２０等の回路の少なくとも一部は、第１回路基板６０に設けてもよい。例えば、図６に示した第２実施形態において、安定化容量５４０の一部を第１回路基板６０に設けてもよい。安定化容量５４０は、例えば、０．１μＦ～１μＦである。センサー回路１６は静電気保護回路を備えているが、電気光学パネル１００の温度上昇に伴うリーク電流を抑制するために強固な保護回路を設けることが困難である。ここで、安定化容量５４０の一部を第１回路基板６０に設けると、第１回路基板６０の第２回路基板７０側の接続端子から静電気が侵入した際に、センサー回路１６の静電気に対する保護を強化することができる。

上記第１実施形態において、電圧設定部５２は、電圧ＶＦ２を第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１と同一にしたが、第１実装端子Ｍ１の電圧ＶＦ１に対応する電圧ＶＦ２であれば、電圧ＶＦ１と電圧ＶＦ２とが相違してもよい。すなわち、第１抵抗素子Ｒ１を流れる電流Ｉ２は、（ＶＦ１－ＶＦ２）／Ｒ１であるので、電圧ＶＦ１と電圧ＶＦ２との差が一定であれば、（電流Ｉ１－電流Ｉ２）による定電流駆動が可能である。この場合、電圧設定部５２は、ボルテージフォロワー５２０ではなく、安定したリファレンス電圧との加算回路や減算回路等によって構成される。

上記実施形態において、ダイオードについては、トランジスタをダイオード接続した構成であってもよい。また、上記実施形態において、センサー素子１６０が温度検出用であったが、センサー素子１６０が光検出用であってもよい。例えば、環境の照度をセンサー素子１６０によって検出することによって、環境の照度に対応して、電気光学装置１の駆動条件や、電子機器の照明装置の照度等を制御してもよい。

その場合、例えば、図２において、第１実装端子Ｍ１にダイオード素子（センサー素子１６０）のカソードが電気的に接続され、第２実装端子Ｍ２にダイオード素子のアノードが電気的に接続されて、ダイオード素子の逆バイアス電流をカソード側で検出する。検出回路４３は電流計である。ダイオード素子のアノードとカソード間に抵抗素子による短絡経路があると、適切に電気特性を測定することができない。しかし本発明に係る構成によれば、第１実装端子Ｍ１に印加した電圧ＶＦ１と同じ電圧ＶＦ２を第３実装端子Ｍ３に印加する。従って、第１抵抗素子Ｒ１を流れる電流Ｉ２を無視できる。つまりをダイオード素子の電気特性を適切に測定することができる。

また、別の構成も可能である。例えば、図２において、第１実装端子Ｍ１にダイオード素子（センサー素子１６０）のアノードが電気的に接続され、第２実装端子Ｍ２にダイオード素子のカソードが電気的に接続されて、ダイオード素子の逆バイアス電流をアノード側で検出する。第２実装端子Ｍ２にはグランド電圧ＧＮＤではなく、独立した正の電圧が印加される。検査回路４０は、電流Ｉ１を吸い込み電流として検出回路４３の電流計で検出する。この場合でも、第１実装端子Ｍ１に印加した電圧ＶＦ１と同じ電圧ＶＦ２を第３実装端子Ｍ３に印加する。従って、第１抵抗素子Ｒ１を流れる電流Ｉ２を無視できる。つまりをダイオード素子の電気特性を適切に測定することができる。

上記実施形態において、検査回路４０では、通電回路４１によって定電圧からなる電圧ＶＦ１を印加した際の電流Ｉ１を検出回路４３によって検出することによってセンサー素子１６０を検査したが、通電回路４１によって定電流からなる電流Ｉ１を通電した際の電圧ＶＦ１を検出回路４３によって検出することによってセンサー素子１６０を検査してもよい。通電回路４１の出力電圧や出力電流をスイープさせて測定してもよいのはもちろんである。また、上記実施形態において、センサー駆動回路５０では、通電回路５１によって定電流からなる電流Ｉ１を通電した際の電圧ＶＦ１を検出回路５３によって検出することによって電気光学パネル１００の温度を検出したが、通電回路５１によって定電圧からなる電圧ＶＦ１を印加した際の電流Ｉ１を検出回路５３によって検出することによって温度等を検出してもよい。

上記実施の形態では、電気光学装置１が透過型の液晶装置であったが、電気光学装置１が反射型の液晶装置である場合や、電気光学装置１が有機エレクトロルミネッセンス装置等の発光型素子を用いた表示装置である場合に本発明を適用してもよい。また、画素については、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）等の表示素子（ＭＥＭＳデバイス）を採用した構成としてもよい。

［電子機器の構成例］
図１０は、本発明を適用した電子機器２１００の概略構成図である。図１０には、本発明を適用した電子機器２１００の一例として、本発明を適用した電気光学装置１を備えた投射型表示装置を示してある。なお、図１０では、電気光学装置１の入射側や出射側に配置される偏光板等の光学素子の図示を省略してある。

図１０において、電子機器２１００は、投射型表示装置であり、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２が光源部として設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６、および２枚のダイクロイックミラー２１０８によって、赤色ｒ、緑色ｇ、青色ｂの３原色の光に分離される。分離された光は、各色に対応する電気光学装置１（ｒ）、１（ｇ）、１（ｂ）にそれぞれ導かれる。電気光学装置１（ｒ）、１（ｇ）、１（ｂ）はいずれも透過型の液晶装置である。青色ｂの光は、他の赤色ｒや緑色ｇと比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

電子機器２１００においては、各色の階調レベルを指定する画像信号が各々、外部の上位回路から電子機器２１００に供給された後、電子機器２１００の処理回路で処理され、電気光学装置１（ｒ）、１（ｇ）、１（ｂ）に供給される。そして、電気光学装置１（ｒ）、１（ｇ）、１（ｂ）は、画像信号に基づいて入射光を変調する。電気光学装置１（ｒ）、１（ｇ）、１（ｂ）から出射された変調光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。ダイクロイックプリズム２１１２において、赤色ｒの光および青色ｂの光は９０度に反射し、緑色ｇの光は透過する。従って、各色の変調光がダイクロイックプリズム２１１２で合成された後、投射光学系２１１４によってスクリーン２１２０等の被投射部材にカラー画像として投射される。なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源等から出射された色光を各々、電気光学装置１（ｒ）、１（ｇ）、１（ｂ）に供給するように、構成してもよい。

このように構成した電子機器２１００では、電気光学パネル１００の温度を検出した際、図３等に示す中央制御部５５の制御の下、電気光学装置１の駆動条件を切り換えることができるので、高い表示品位を維持することができる。例えば、電子機器２１００では、中央制御部５５の制御の下、電気光学パネル１００に対する冷却ファンの制御や、低温環境対策としてのヒーターの制御、あるいは映像信号補正を適正に行うことができるので、高い表示品位を維持することができる。

［他の電子機器］
本発明を適用した電気光学装置１を備えた電子機器は、上記実施形態の電子機器２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。

１…電気光学装置、１０…第１基板、１１…画素領域、１２…走査線駆動回路、１３…データ線駆動回路、１４…実装端子領域、１５…短絡線、１６…センサー回路、１７…画素、１８…検査端子領域、１９…基板本体、２０…第２基板、４０…検査回路、４１、５１…通電回路、４２、５２…電圧設定部、４３、５３…検出回路、５０…センサー駆動回路、５５…中央制御部、６１…駆動用ＩＣ、９５…領域、９０…大型基板、９１…第１領域、９２…第２領域、９５…小型基板、９８、９９…スクライブ領域、１００…電気光学パネル、１０５…張出部、１５１…第１短絡線、１５２…第２短絡線、１６０…センサー素子、１７０…画素電極、５１０…定電流回路、５２０、５６０…ボルテージフォロワー、５３０…Ａ／Ｄコンバーター、９６１、９６２、９６３…配線部、９８０、９９０…スクライブ中心線、９８１、９９１…分割予定線、２１００…電子機器、２１０２…ランプユニット、２１０６…ミラー、２１０８…ダイクロイックミラー、２１１２…ダイクロイックプリズム、２１１４…投射光学系、２１２０…スクリーン、２１２１…リレーレンズ系、２１２２…入射レンズ、２１２３…リレーレンズ、２１２４…出射レンズ、Ｍ…実装端子、Ｍ１…第１実装端子、Ｍ２…第２実装端子、Ｍ３…第３実装端子、Ｐ１…第１プローブ、Ｐ２…第２プローブ、Ｐ３…第３プローブ、Ｐ４…第４プローブ、Ｒ…抵抗素子、Ｒ１…第１抵抗素子、Ｒ２…第２抵抗素子、Ｒ３…第３抵抗素子、Ｔ…検査端子、Ｔ１…第１検査端子、Ｔ２…第２検査端子、Ｔ３…第３検査端子。

Claims (16)

1. センサー素子と、
   前記センサー素子の一方の電極に電気的に接続された第１端子と、
   前記センサー素子の他方の電極に電気的に接続された第２端子と、
   前記第１端子と前記第２端子との間に電気的に接続された第１抵抗素子と、
   前記第１抵抗素子と前記第２端子との間に電気的に接続された第２抵抗素子と、
   前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子との間に電気的に接続された第３端子と、
   を有することを特徴とする電気光学装置用基板。
2. 請求項１に記載の電気光学装置用基板において、
   前記センサー素子は、ダイオード素子を備えた温度センサーであることを特徴とする電気光学装置用基板。
3. 請求項１または２に記載の電気光学装置用基板において、
   短絡線と、
   前記第２端子と前記短絡線との間に電気的に接続された第３抵抗素子と、
   を有し、
   前記第２抵抗素子の前記第１抵抗素子と電気的に接続された一方端とは反対側の他方端は、前記短絡線に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置用基板。
4. 請求項１から３までの何れか一項に記載の電気光学装置用基板において、
   前記第３端子が前記第１端子と前記第２端子との間に配置されていることを特徴とする電気光学装置用基板。
5. 請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置用基板において、
   画素電極が配列された画素領域、および前記画素領域と電気的に接続された実装端子を含む第１領域と、
   前記第１領域と隣り合う第２領域と、
   を含み、
   前記センサー素子、前記第１端子、前記第２端子、前記第３端子、前記第１抵抗素子、および前記第２抵抗素子が前記第１領域に設けられていることを特徴とする電気光学装置用基板。
6. 請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置用基板において、
   画素電極が配列された画素領域、および前記画素領域と電気的に接続された実装端子を含む第１領域と、
   前記第１領域と隣り合う第２領域と、
   を含み、
   少なくとも、前記センサー素子、前記第１端子、および前記第２端子が前記第１領域に設けられ、
   前記第１抵抗素子、および前記第２抵抗素子の少なくとも一方が前記第２領域に設けられていることを特徴とする電気光学装置用基板。
7. 請求項５に記載の電気光学装置用基板を分割した後の前記第１領域に相当する小型基板を備えた電気光学装置であって、
   前記小型基板に電気的に接続された回路基板と、
   前記回路基板に設けられたセンサー駆動回路と、
   を有し、
   前記センサー駆動回路は、前記第１端子に通電する通電回路と、前記第１端子の電圧または電流を検出する検出回路と、前記第１端子の電圧に対応する電圧を前記第３端子に印加する電圧設定部と、前記第１端子の電圧または電流を検出する検出回路と、を備えることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項６に記載の電気光学装置用基板を分割した後の前記第１領域に相当する小型基板を備えた電気光学装置であって、
   前記小型基板に電気的に接続された回路基板と、
   前記回路基板に設けられたセンサー駆動回路と、
   を有し、
   前記センサー駆動回路は、前記第１端子に通電する通電回路と、前記第１端子の電圧または電流を検出する検出回路と、を備えることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項７または８に記載の電気光学装置において、
   前記通電回路は、定電流回路であり、
   前記検出回路は、前記第１端子の電圧を検出することを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項７に記載の電気光学装置において、
    前記電圧設定部は、前記第１端子の電圧と同一の電圧を前記第３端子に印加することを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１０に記載の電気光学装置において、
    前記電圧設定部はボルテージフォロワーであり、
    前記ボルテージフォロワーの入力端子に前記第１端子が電気的に接続され、
    前記ボルテージフォロワーの出力端子が前記第３端子に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
12. 請求項７から１１までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器であって、
    前記検出回路からの出力に基づいて、前記電気光学装置の駆動条件、冷却条件または加熱条件を調整することを特徴とする電子機器。
13. 請求項５または６に記載の電気光学装置用基板を用いた電気光学装置の製造方法において、
    前記電気光学装置用基板を分割した後の前記第１領域に相当する小型基板を用いて電気光学装置を製造することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
14. 請求項１から６までの何れか一項に記載の電気光学装置用基板の前記センサー素子を検査する検査回路であって、
    前記第１端子に通電する通電回路と、
    前記第１端子の電圧に対応する電圧を前記第３端子に印加する電圧設定部と、
    前記第１端子の電圧または電流を検出する検出回路と、
    を有することを特徴とする検査回路。
15. 請求項１４に記載の検査回路において、
    前記電圧設定部は、前記第１端子の電圧と同一の電圧を前記第３端子に印加することを特徴とする検査回路。
16. 請求項１５に記載の検査回路において、
    前記電圧設定部はボルテージフォロワーであり、
    前記ボルテージフォロワーの入力端子に前記第１端子が電気的に接続され、
    前記ボルテージフォロワーの出力端子が前記第３端子に電気的に接続されていることを特徴とする検査回路。

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