JP2008102335A - アクティブマトリクス基板及び電気光学装置並びに検査方法及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アクティブマトリクス基板20は、複数の走査線WL及び複数のデータ線DLに接続された実装端子26と、検査回路30と、検査回路30に接続され、実装端子26よりも数が少なく、ピッチが広く、面積が広い検査端子32とを含む。第1,第2の検査工程では、アクティブマトリクス基板20に設けられた検査回路30に検査装置100を接続して検査し、切断工程では、複数の実装端子26と検査回路30との間の位置にて基板20及び複数の検査用配線28を切断する。
【選択図】図2
Description
前記第1の検査工程で良品とされた前記アクティブマトリクス基板を用いて電気光学装置を製造する工程と、
前記電気光学装置を前記検査装置に接続して点灯検査する第2の検査工程と、
前記第2の検査工程で良品とされた前記電気光学装置の一部を切断する工程と、
を有し、
前記アクティブマトリクス基板は、
基板上に、
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線の各1本と、前記複数のデータ線の各一本とに接続された薄膜トランジスタをそれぞれ含む複数の画素と、
前記複数の走査線及び前記複数のデータ線にそれぞれ接続され、第1のピッチにて配列された複数の実装端子と、
検査回路と、
前記複数の実装端子と前記検査回路とを接続し、かつ、前記薄膜トランジスタのゲートと同一層である第一層配線層にて形成された複数の検査用配線と、
前記検査回路に接続され、前記複数の実装端子よりも数が少なく、前記第1のピッチよりも広い第2のピッチで配列され、前記複数の実装端子の各々の面積よりも広い複数の検査端子と、
を備え、
前記第1,第2の検査工程では、前記アクティブマトリクス基板に設けられた前記検査回路に前記検査装置を接続して検査し、
前記切断工程は、前記複数の実装端子と前記検査回路との間の位置にて前記基板及び前記複数の検査用配線を切断することを特徴とする。
前記位置決め工程では、矩形状の前記アクティブマトリクス基板の2つの角部を前記ステージ上に設けた位置決め部材と当接させることを特徴とする。
基板上に、
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線の各1本と、前記複数のデータ線の各一本とに接続された薄膜トランジスタをそれぞれ含む複数の画素と、
前記複数の走査線及び前記複数のデータ線にそれぞれ接続され、第1のピッチにて配列された複数の実装端子と、
検査回路と、
前記複数の実装端子と前記検査回路とを接続する複数の検査用配線と、
前記検査回路に接続され、前記複数の実装端子よりも数が少なく、前記第1のピッチよりも広い第2のピッチで配列され、前記複数の実装端子の各々の面積よりも広い複数の検査端子と、
が形成されたアクティブマトリクス基板の検査方法であって、
前記アクティブマトリクス基板をステージ上にて位置決めする工程と、
前記ステージ上にて位置決めされた前記アクティブマトリクス基板上の前記複数の検査端子にプローブ針を接触させる工程と、
前記検査用回路を介して、前記複数のデータ線に一括して同一電位を供給し、かつ、前記複数のデータ線の少なくとも1本を選択して、前記アクティブマトリクス基板を検査する工程と、
を備えることを特徴とする。
図1は、本実施形態の電気光学装置例えば有機EL表示装置の製造方法を示している。
図2は、検査ステージ10に位置決めされたアクティブマトリクス基板20を示している。このアクティブマトリクス基板20は、基板22上にアクティブマトリクス領域24を有する。アクティブマトリクス領域24は狭ピッチで多数配列された実装端子26に接続されている。実装端子26は検査用配線28を介して、基板22上に形成された検査回路30と接続されている。実装端子26には、本実施形態の場合、有機EL装置の組立時に駆動ICがCOF(Chip On Film)されたフレキシブル基板が接続される。検査回路30は、実装端子26よりも広ピッチ配列で数も少なく、実装端子26の端子面積よりも広い検査端子32に接続されている。
図4は、図1の検査回路30または検査装置100の内部の回路構成を示す回路図である。図示されるように、検査回路30に内蔵される走査線ドライバ200は、シフト回路210(シフトレジスタを備える)と、例えばイネーブル信号により全数の走査線WLを一括してローレベル(非駆動レベル)にすることができ、または全数の走査線を一括してハイレベル(駆動レベル)にすることができる走査線駆動制御回路230と、レベルシフト回路240と、出力バッファ回路250とを有する。シフト回路210は、走査線を順次、選択するために使用されるが、後述する検査には必ずしも必要で着ないので、省略することができる。
図5(a)〜(c)は各々、アクティブマトリクス基板20の動作を基本的な不良(走査線ショート不良、データ線ショート不良ならびに保持容量のショート・本質的な欠陥)を検出する原理を説明するための図である。
図6は検査フローチャートを示し、図4および図7は、走査線WLのショート不良の検査時において流れる電流の例を示す図であり、図4は良品における電流の流れを示し、図7は不良品における電流の流れを示す。
図8は検査フローチャートを示し、図9−図11は、データ線のショート不良の検査時において流れる電流の例を示す図であり、図9は良品における電流の流れを示し、図10は不良品における電流の流れを示す。
図11は検査フローチャートを示し、図12および図13は、保持容量のショート・本質的な欠陥の検査時において流れる電流の例を示す図であり、図12は良品における電流の流れを示し、図13は不良品における電流の流れを示す。
図14は、走査線、データ線および保持容量の同時検査の手順の概要を示すフロー図である。まず、すべての走査線をH(VHH)とし、また、プリチャージトランジスタをオンして、すべてのデータ線にVDATAを供給し、また、画素24Aに画素電源電圧(VEL)を供給する(ステップS30)。次に、所定時間経過後に、走査線ドライバ側の電流計およびデータ線ドライバ側の電流計によって電流量を調べ、必要に応じて、画素電源線に供給される電流の電流量を調べる(ステップS31)。そして、許容値を逸脱する電流が継続しているか否かを判定し(ステップS32)、許容値を逸脱する電流が検出されない場合には正常(良品)と判定し(ステップS33)、そのような電流が継続するときは、異常判定を行う(ステップS34)。
図1のステップ1,2の実施により、アクティブマトリクス基板20の良否判定がなされた。不良品と判定されたアクティブマトリクス基板20は廃棄され、良品のアクティブマトリクス基板20に有機EL層を形成して、表示パネルを完成させる(図1のステップ3)。これにより、図2に示すアクティブマトリクス領域24のうち、図3に示す各画素24Aには有機EL素子OLEDと共通線VCTが接続されることになる。
まず、表示パネルを図2のステージ10上に載置し、位置決め部材12により位置決めする(図1のステップ4)。アクティブマトリクス基板20と同様に、この位置決めは極めて短時間で行なうことができる。
上述したように、表示パネルが完成して点灯検査が終了すれば、もはや検査回路30及び検査端子32は不要となるばかりでなく、表示パネルの小型化を阻害するものとなる。そこで、本実施形態では図2に示す切断位置34にてアクティブマトリクス基板20を切断する(図1のステップ6)。
上述の実施形態では、有機EL素子用のアクティブマトリクス基板の検査について説明したが、本発明は、その他の電気光学素子用の基板の検査にも適用可能である。本実施形態では、液晶素子用のアクティブマトリクス基板及び液晶表示パネルの検査について説明する。
電気光学素子がマトリクス状に配列された電気光学装置は、各種の電子機器の表示装置としても利用される。本発明が適用される電子機器としては、例えば、可搬型のパーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器などがある。
22 基板、24 アクティブマトリクス領域、24A 画素、26 実装端子、
28 検査用配線、30 検査回路、32 検査端子、34 切断位置、
100 検査装置、102 プローブ針、104 プローブカード、106 テスタ、
110,120,130,140,150 電源、
112,122,132,142,152 電流計、
200,400 走査線ドライバ、210 シフト回路、
230 走査線駆動制御回路、240 レベルシフト回路、250 バッファ回路、
300,600 データ線ドライバ、WL 走査線、DL データ線
Claims (14)
- アクティブマトリクス基板を検査装置に接続して検査する第1の検査工程と、
前記第1の検査工程で良品とされた前記アクティブマトリクス基板を用いて電気光学装置を製造する工程と、
前記電気光学装置を前記検査装置に接続して点灯検査する第2の検査工程と、
前記第2の検査工程で良品とされた前記電気光学装置の一部を切断する工程と、
を有し、
前記アクティブマトリクス基板は、
基板上に、
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線の各1本と、前記複数のデータ線の各一本とに接続された薄膜トランジスタをそれぞれ含む複数の画素と、
前記複数の走査線及び前記複数のデータ線にそれぞれ接続され、第1のピッチにて配列された複数の実装端子と、
検査回路と、
前記複数の実装端子と前記検査回路とを接続し、かつ、前記薄膜トランジスタのゲートと同一層である第一層配線層にて形成された複数の検査用配線と、
前記検査回路に接続され、前記複数の実装端子よりも数が少なく、前記第1のピッチよりも広い第2のピッチで配列され、前記複数の実装端子の各々の面積よりも広い複数の検査端子と、
を備え、
前記第1,第2の検査工程では、前記アクティブマトリクス基板に設けられた前記検査回路に前記検査装置を接続して検査し、
前記切断工程は、前記複数の実装端子と前記検査回路との間の位置にて前記基板及び前記複数の検査用配線を切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記第1の検査工程は、前記検査回路を介して、前記複数のデータ線に一括して同一電位を供給し、かつ、前記複数の走査線の少なくとも1本を選択して、前記アクティブマトリクス基板を検査する工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項2において、
前記第1の検査工程では、前記複数の走査線にも一括して同一電位を供給して、前記アクティブマトリクス基板を検査することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれかにおいて、
前記第2の検査工程は、前記検査回路を介して、前記複数の走査線に一括して同一電位を供給し、かつ、前記複数のデータ線の少なくとも1本を選択して、前記電気光学装置の画素を点灯させて検査する工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項4において、
前記第2の検査工程では、前記複数の走査線にも一括して同一電位を供給して、前記電気光学装置の全画素を点灯させて検査することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれかにおいて、
前記第1及び第2の検査工程は、前記アクティブマトリクス基板をステージ上にて位置決めする工程を含み、
前記位置決め工程では、矩形状の前記アクティブマトリクス基板の2つの角部を前記ステージ上に設けた位置決め部材と当接させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 基板上に、
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線の各1本と、前記複数のデータ線の各一本とに接続された薄膜トランジスタをそれぞれ含む複数の画素と、
前記複数の走査線及び前記複数のデータ線にそれぞれ接続され、第1のピッチにて配列された複数の実装端子と、
検査回路と、
前記複数の実装端子と前記検査回路とを接続する複数の検査用配線と、
前記検査回路に接続され、前記複数の実装端子よりも数が少なく、前記第1のピッチよりも広い第2のピッチで配列され、前記複数の実装端子の各々の面積よりも広い複数の検査端子と、
が形成されたアクティブマトリクス基板の検査方法であって、
前記アクティブマトリクス基板をステージ上にて位置決めする工程と、
前記ステージ上にて位置決めされた前記アクティブマトリクス基板上の前記複数の検査端子にプローブ針を接触させる工程と、
前記検査用回路を介して、前記複数のデータ線に一括して同一電位を供給し、かつ、前記複数のデータ線の少なくとも1本を選択して、前記アクティブマトリクス基板を検査する工程と、
を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の検査方法。 - 請求項7において、
前記検査工程では、前記複数の走査線にも一括して同一電位を供給して、前記アクティブマトリクス基板を検査することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項7または8において、
前記位置決め工程では、矩形状の前記アクティブマトリクス基板の2つの角部を前記ステージ上に設けた位置決め部材と当接させることを特徴とするアクティブマトリクス基板の検査方法。 - 基板上に、
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線の各1本と、前記複数のデータ線の各一本とに接続された薄膜トランジスタをそれぞれ含む複数の画素と、
前記複数の走査線及び前記複数のデータ線にそれぞれ接続され、第1のピッチにて配列された複数の実装端子と、
検査回路と、
前記複数の実装端子と前記検査回路とを接続する複数の検査用配線と、
前記検査回路に接続され、前記複数の実装端子よりも数が少なく、前記第1のピッチよりも広い第2のピッチで配列され、前記複数の実装端子の各々の面積よりも広い複数の検査端子と、
を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 請求項10において、
前記複数の検査用配線は、前記薄膜トランジスタのゲートと同一層である第一層配線層にて形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 請求項10または11において、
複数の検査端子の一つは、前記複数のデータ線に同一電位を供給する検査用データ端子であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - アクティブマトリクス基板を含む電気光学装置において、
前記アクティブマトリクス基板は、
基板上に、
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線の各1本と、前記複数のデータ線の各一本とに接続された薄膜トランジスタをそれぞれ含む複数の画素と、
前記複数の走査線及び前記複数のデータ線にそれぞれ接続され、第1のピッチにて配列された複数の実装端子と、
検査回路と、
前記複数の実装端子と前記検査回路とを接続する複数の検査用配線と、
前記検査回路に接続され、前記複数の実装端子よりも数が少なく、前記第1のピッチよりも広い第2のピッチで配列され、前記複数の実装端子の各々の面積よりも広い面積を有する複数の検査端子と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項13において、
前記複数の検査用配線は、前記薄膜トランジスタのゲートと同一層である第一層配線層にて形成され、
前記複数の実装端子と前記検査回路との間の位置にて前記基板及び前記複数の検査用配線を切断可能であることを特徴とする電気光学装置。
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