JP2022037607A5 - - Google Patents
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Description
磁気ヘッド１１０は、記録部６０を含む。後述するように、磁気ヘッド１１０は、再生部を含んでも良い。記録部６０は、第１磁極３１と、第２磁極３２と、積層体２０Ｓと、を含む。積層体２０Ｓは、第１磁極３１と第２磁極３２との間に設けられる。
第１磁性領域２２ａは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉの少なくとも１つを含む第１元素を含む。第２磁性領域２２ｂは、第１元素及び第２元素を含む。第２元素は、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性領域２２ｂがこのような材料を含む場合、例えば、第２磁性領域２２ｂは、負のスピン分極を有する。第１磁性領域２２ａは、第２元素を含まない。または、第１磁性領域２２ａにおける第２元素の濃度は、第２磁性領域２２ｂにおける第２元素の濃度よりも低い。第１磁性領域２２ａがこのような材料を含む場合、第１磁性領域２２ａは、正のスピン分極を有する。
これに対して、実施形態においては、例えば、積層体２０Ｓの少なくとも一部の磁化が第１磁極３１の磁化及び第２磁極３２の磁化に対して反転する。ＭＡＭＲとは異なる動作により、第１磁極３１から出た磁界が磁気記録媒体８０に効率的に印加される。
図５（ａ）に示すように、電流ｊｃ１が積層体２０Ｓに供給されないときは、第１磁性層２１の磁化２１Ｍ、第２磁性層２２の磁化２２Ｍ、及び、第３磁性層２３の磁化は、第１磁極３１及び第２磁極３２の磁化の向き（第１磁極３１から第２磁極３２への向き）と同じである。電子流ｊｅ１の向きは、第２磁極３２から第１磁極３１への向きである。
図５（ｃ）に示すように、第１磁性層２１からの正反射のスピントランスファトルクＳ２により、第２磁性層２２の磁化２２Ｍが反転する。反転した磁化２１Ｍからの負反射のスピントランスファトルクＳ３により、第３磁性層２３の磁化２３Ｍが反転する。このように、例えば、第２磁性層２２の磁化２２Ｍ、及び、第３磁性層２３の磁化２３Ｍが、第１磁極３１及び第２磁極３２の磁化に対して、安定して反転する。これにより、第１磁極３１から出た記録磁界が効果的に磁気記録媒体８０に印加される。記録密度の向上が可能な磁気ヘッドが提供できる。記録性能が向上する。
図７の例において、第４磁性層２４の厚さｔ２４は、例えば、１ｎｍ以上５ｎｍ以下が好ましい。厚さｔ２４が１ｎｍ以上であることで、例えば、磁極３１と第４磁性層２４との間の磁気結合を安定して抑制できる。例えば、磁極３１及び第４磁性層２４との間のＳＴＴの授受を安定して抑制できる。厚さｔ２４が５ｎｍ以下であることで、例えば、ギャップ長が過度に大きくなることが抑制できる。記録磁界の急峻性の低下が抑制できる。例えば、高い記録密度が得易い。
実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする。信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。
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