JP2022021698A - 無電解Ni-Pめっき用触媒液、および該触媒液を用いた無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法 - Google Patents
無電解Ni-Pめっき用触媒液、および該触媒液を用いた無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022021698A JP2022021698A JP2020125459A JP2020125459A JP2022021698A JP 2022021698 A JP2022021698 A JP 2022021698A JP 2020125459 A JP2020125459 A JP 2020125459A JP 2020125459 A JP2020125459 A JP 2020125459A JP 2022021698 A JP2022021698 A JP 2022021698A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- electroless
- catalyst solution
- catalyst
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 139
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 98
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 52
- -1 tungsten ions Chemical class 0.000 claims description 39
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 37
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 21
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 18
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 14
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 9
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910020674 Co—B Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 11
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 150000002816 nickel compounds Chemical class 0.000 description 5
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 4
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 4
- 150000001869 cobalt compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002497 iodine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXSPKSHUSWQAIZ-UHFFFAOYSA-L 36026-88-7 Chemical compound [Ni+2].[O-]P=O.[O-]P=O XXSPKSHUSWQAIZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 2
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 2
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003658 tungsten compounds Chemical class 0.000 description 2
- WAUVRUBPGUOVEI-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,2-n,2-n-tetrahydroxybutane-1,2-diamine Chemical compound CCC(N(O)O)CN(O)O WAUVRUBPGUOVEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDTVZBCTOQDZSH-UHFFFAOYSA-N borane N-ethylethanamine Chemical compound B.CCNCC VDTVZBCTOQDZSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940011182 cobalt acetate Drugs 0.000 description 1
- 229910021446 cobalt carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZOTKGJBKKKVBJZ-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);carbonate Chemical compound [Co+2].[O-]C([O-])=O ZOTKGJBKKKVBJZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L cobalt(II) acetate Chemical compound [Co+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002171 ethylene diamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002496 iodine Chemical class 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- BQZGVMWPHXIKEQ-UHFFFAOYSA-L iron(ii) iodide Chemical compound [Fe+2].[I-].[I-] BQZGVMWPHXIKEQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229940049920 malate Drugs 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000008 nickel(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) carbonate Chemical compound [Ni+2].[O-]C([O-])=O ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ni+2] BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BFSQJYRFLQUZKX-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) iodide Chemical compound I[Ni]I BFSQJYRFLQUZKX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910001380 potassium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- CRGPNLUFHHUKCM-UHFFFAOYSA-M potassium phosphinate Chemical compound [K+].[O-]P=O CRGPNLUFHHUKCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N sodium tungstate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][W]([O-])(=O)=O XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011044 succinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotungsten Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)Cl YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
Description
また本発明の他の目的は本発明の触媒液を用いてCu基材上に無電解Ni-Pめっき皮膜を形成する方法を提供することである。
[1]ニッケルイオン、および/またはとコバルトイオンと;
ジアルキルアミンボランと;
錯化剤と;を含む無電解Ni-Pめっき用触媒液。
[2]前記触媒液中の
前記ニッケルイオン、および/または前記コバルトイオンの濃度(Ni換算)は、0.01g/L以上、10g/L以下;
前記ジメチルアミンボランの濃度は、0.1g/L以上、10g/L以下;
である上記[1]に記載の触媒液。
[3]前記触媒液は更にタングステンイオンを含むものである上記[1]または[2]に記載の無電解Ni-Pめっき用触媒液。
[4]前記触媒液中の前記タングステンイオンの濃度(W換算)は、0.005g/L以上、10g/L以下である上記[3]に記載の無電解Ni-Pめっき用触媒液。
前記触媒化処理されたCu基材を、無電解Ni-Pめっき浴と接触させる無電解めっき処理工程とを含む無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法。
[6]前記無電解Ni-Pめっき浴はヨウ素イオンを含むものである上記[5]に記載の無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法。
[7]前記触媒化処理されたCu基材表面には、Ni-B、Ni-B-W、Co-B、およびCo-B-Wよりなる群から選ばれる少なくとも1種の触媒核が付与されている上記[5]または[6]に記載の無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法。
[8]前記触媒化処理されたCu基材の単位面積当たりのニッケル、および/またはコバルトの析出量は0.2×10-3mg/cm2以上、25×10-3mg/cm2以下である上記[7]に記載の無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法。
また本発明の無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法によればパターン外析出を抑制できると共に、Cu基材との密着性に優れた無電解Ni-Pめっき皮膜を形成できる。
本発明の触媒液を用いてCu基材に触媒化処理を施すと、Cu基材表面にNi-B、Ni-B-W、Co-B、Co-B-Wよりなる群から選ばれる少なくとも1種の触媒核を付与できる。Cu基材との密着性にも優れた無電解Ni-Pめっき皮膜を形成できる。
以下、本発明の触媒液について説明する。
本発明の触媒液は、無電解Ni-Pめっき用の触媒液である。具体的にはCu基材表面に触媒核を付与するための触媒液であり、触媒核を付与した後に無電解Ni-Pめっき処理を行ってCu基材に無電解Ni-Pめっき皮膜を形成する。
したがって本発明の触媒液の適用対象はCu基材である。Cu基材とはCu、またはCu合金である。
また本発明の触媒液により触媒核を付与した後に形成する無電解めっき皮膜は無電解Ni-Pめっき皮膜である。
本発明の触媒液は、Cu基材、及び無電解Ni-Pめっき皮膜との組み合わせにおいて効果を発揮するものであり、その他の基材、及び無電解めっき皮膜は対象外である。
本発明の触媒液はニッケルイオン、コバルトイオンの少なくとも1種を含む。ニッケルイオンとコバルトイオンは触媒成分であり、無電解Ni-Pめっき処理時の触媒として作用する。
ニッケルイオンの供給源は、ニッケルイオンを放出するニッケル化合物であればよく、好ましくは触媒液に可溶性を有するニッケル塩である。ニッケル塩としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、スルファミン酸ニッケル、炭酸ニッケル等の無機の水溶性ニッケル塩;酢酸ニッケル、次亜リン酸ニッケル等の有機の水溶性ニッケル塩が例示される。好ましいニッケル化合物は硫酸ニッケルである。これらのニッケル化合物は1種、あるいは2種以上用いることができる。
コバルトイオンの供給源は、コバルトイオンを放出するコバルト化合物であればよく、好ましくは触媒液に可溶性を有するコバルト塩である。コバルト塩としては、硫酸コバルト、塩化コバルト、炭酸コバルトなどの無機の水溶性コバルト塩;酢酸コバルト等の有機の水溶性コバルト塩が例示される。好ましいコバルト化合物は、硫酸コバルトである。コバルト化合物は1種、あるいは2種以上用いることができる。
触媒液中のニッケルイオン、および/またはコバルトイオン濃度(夫々Ni換算、Co換算)の下限は好ましくは0.01g/L以上、より好ましくは0.05g/L以上、更に好ましくは0.20g/L以上である。ニッケルイオン、コバルトイオン濃度の上限は10g/L以下、7g/L以下、5g/L以下、3g/L以下、2.5g/L以下の順で好ましい。ニッケルイオンとコバルトイオンを併用する場合は合計量であり、いずれか一方のみを使用する場合は単独の量である。
なお、本発明の触媒液の組成分析は、ICP発光分光分析装置を用いて行う。
ニッケルイオンとコバルトイオンを併用する場合、ニッケルイオンとコバルトイオンの合計に対してコバルトイオンの割合は、50質量%以上、60質量%以上、70質量%以上、80質量%以上、90質量%以上の順に高い程、好ましい。
本発明の触媒液は還元剤としてジアルキルアミンボランを含む。ジアルキルアミンボランを含有させると、還元反応によりCu基材上にニッケルやコバルトなどの触媒成分を析出させることができる。本発明の触媒液ではジアルキルアミンボランを使用しないと触媒をCu基材に付与できず、したがって無電解Ni-Pめっき皮膜も形成できない。
ジアルキルアミンボランとしてはジメチルアミンボラン、ジエチルアミンボラン等が例示され、好ましくはジメチルアミンボランである。これらのジアルキルアミンボランは1種、あるいは2種以上用いることができる。
触媒液中のジアルキルアミンボラン濃度の下限は、好ましくは0.1g/L以上、より好ましくは0.5g/L以上、更に好ましくは0.8g/L以上である。ジアルキルアミンボラン濃度の上限は、10g/L以下、8g/L以下、5g/L以下、3g/L以下、2g/L未満、1.5g/L以下、1g/L以下の順で好ましい。なお、2種以上のジアルキルアミンボランを使用する場合は合計濃度である。
錯化剤は触媒成分であるニッケルやコバルトの沈殿を防止すると共に、ニッケルやコバルトなどの触媒成分の析出反応制御に有効である。このような効果を有する錯化剤であれば特に限定されない。錯化剤としては例えばクエン酸、リンゴ酸、コハク酸、酢酸等の有機酸;グリシン、アラニン、アスパラギン酸等のアミノ酸類;エチレンジアミン、トリエタノールアミン、EDTA等のアミン類が挙げられる。錯化剤は1種、または2種以上用いることができる。
触媒液中の錯化剤濃度の下限は好ましくは0.001mol/L以上、より好ましくは0.005mol/L以上、更に好ましくは0.01mol/L以上である。触媒濃度の上限は好ましくは1mol/L以下、より好ましくは0.5mol/L以下、更に好ましくは0.1mol/L以下である。
また本発明は、触媒液に以下の成分を含むことも好ましい実施態様である。
タングステンイオンの供給源は、タングステンイオンを放出するタングステン化合物であればよく、好ましくは触媒液に可溶性を有するタングステン塩である。タングステン塩としては塩化タングステン、タングステン酸、タングステン酸塩などが例示され、タングステン酸塩としては、タングステン酸ナトリウム、タングステン酸カリウム、タングステン酸アンモニウム等が例示される。タングステン化合物は1種、あるいは2種以上用いることができる。
触媒液中のタングステンイオン濃度(W換算)の下限は、好ましくは0.01g/L以上、より好ましくは0.05g/L以上、更に好ましくは0.1g/L以上、より更に好ましくは0.25g/L以上である。タングステンイオン濃度の上限は30g/L以下、20g/L以下、10g/L以下、7g/L以下、5g/L以下、3g/L以下、2.5g/L以下の順で濃度が低い程好ましい。
本発明の触媒液のpHを適切に調整するとCu基材に触媒を付与しやすくなる。pHが低すぎると触媒成分の沈殿が生じやすくなって触媒を十分に付与できなかったり、Cu基材以外の部分にも触媒が付与されることがある。またpHが高すぎると基板の耐久性が低下することがある。
触媒液のpHは、好ましくは7以上、より好ましくは8以上、更に好ましくは9以上であって、好ましくは12以下、より好ましくは11以下、更に好ましくは10以下である。
本発明の触媒液を用いた無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法は、Cu基材を本発明の触媒液と接触させる触媒化処理工程と、
該触媒化処理されたCu基材を、無電解Ni-Pめっき浴と接触させる無電解めっき処理工程とを含む。
本発明の対象とする被めっき物はCu基材である。Cu基材とは純銅、または銅合金である。銅合金の合金成分は限定されず、例えばZn、Sn、Al、Be、Fe、Mnなど各種公知の合金成分が例示される。合金成分は2種以上併用してもよい。
Cu基材は単独で用いてもよく、例えばリードフレームや電極板が挙げられる。またCu基材は他の材料と組み合わされていてもよい。例えば絶縁基体上に形成される導電層にCu基材を用いてもよい。なお、本発明ではCu基材が他の材料と組み合わされている場合も含めて被めっき物ということがあるが、めっき対象はCu基材であり、他の材料はめっき対象ではない。
他の材料である絶縁体基板は、セラミックス、樹脂、ガラス、磁器、加味、布、これらの組み合わせ等の各種公知の材料が例示される。上記導電層には、配線や電極などの回路パターンが含まれる。Cu基材に無電解Ni-Pめっき皮膜を形成した材料の用途としては、例えばプリント基板、半導体チップなどの各種電気部品が挙げられる。
必要に応じて前処理を行なった後、被めっき物を本発明の触媒液に接触させてCu基材表面に触媒を付与する。被めっき物を触媒液に接触させる方法は、特に限定されず、例えば触媒液中に被めっき物を浸漬すればよい。本発明の触媒液を用いれば他の材料に触媒を付与することなく、Cu基材に選択的に触媒を付与できる。
触媒液の温度は、高すぎるとパターン外析出を誘発することがあるため、適切に管理することが好ましい。触媒液の温度は、好ましくは20℃以上、より好ましくは25℃以上であって、好ましくは90℃以下、より好ましくは80℃以下、更に好ましくは75℃以下である。
処理時間は、特に限定されず、触媒を十分に付与できるように調整すればよい。例えば触媒液中に被めっき物を好ましくは5秒以上、より好ましくは15秒以上であって、好ましくは2時間以下、より好ましくは30分以下程度浸漬すればよい。
触媒化処理後の被めっき物には必要に応じて、各種公知の後処理を施してもよい。
例えば、被めっき物に必要に応じて酸洗処理を施し、被めっき物に残存する不要な触媒成分を除去してもよい。酸洗処理には各種公知の酸洗方法、酸洗条件を採用できる。
導電層単位面積当たりのニッケル、および/またはコバルトの析出量の下限は0.2×10-3mg/cm2以上、1.5×10-3mg/cm2以上、2.5×10-3mg/cm2以上の順に高い程好ましい。ニッケル、および/またはコバルトの析出量の上限は25×10-3mg/cm2以下、20×10-3mg/cm2以下、10×10-3mg/cm2以下、8×10-3mg/cm2以下、5×10-3mg/cm2以下、4.5×10-3mg/cm2以下の順に低い程好ましい。
続いて、被めっき物に無電解Ni-Pめっき処理を行なう。めっき処理を行うとCu基材表面に付与された触媒核を中心に反応が進行してニッケルが析出すると共に、リンが共析されてCu基材にNi-Pめっき皮膜を形成する。無電解Ni-Pめっき浴は用途に応じた組成を使用でき、特に限定されない。また無電解Ni-Pめっき処理条件も常法に従えばよい。無電解めっきの膜厚については、被めっき物の用途などに応じて適宜決めればよく、3~10μm程度のめっき厚が例示される。
水溶性ニッケル塩の濃度(Ni換算)の下限は、0.5g/L以上、1g/L以上、2g/L以上、3g/L以上の順に濃度が高い程好ましい。また水溶性ニッケル塩の濃度の上限は20g/L以下、15g/L以下、10g/L以下の順に濃度が低い程好ましい。
還元剤は、公知の無電解ニッケルめっき液用のリン含有還元剤を使用できる。還元剤は例えば、次亜リン酸ナトリウム(次亜リン酸ソーダ)、次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸塩が挙げられる。
例えば次亜リン酸ナトリウムの濃度は、好ましくは10g/L以上であって、好ましくは50g/L以下、より好ましくは40g/L以下である。
錯化剤の濃度は、好ましくは0.001mol/L以上、より好ましくは0.002mol/L以上であって、好ましくは2mol/L以下、より好ましくは1mol/L以下である。
無電解Ni-Pめっき浴は、更にヨウ素イオンを含有してもよい。ヨウ素イオンは、めっき浴の安定性を向上させる効果を有する。本発明者らが検討した結果、Cu基材に触媒核としてPdを付与した場合、ヨウ素イオンを含有するNi-Pめっき浴で無電解めっき処理を施すと、めっきが析出しなかったり、形成した無電解Ni-Pめっき皮膜の密着性が不十分、パターン外析出など欠陥が生じやすかった。ところが、Cu基材に本発明の上記触媒核を付与した場合、ヨウ素イオンを含有するNi-Pめっき浴で無電解めっき処理を施すと、めっきを析出させることができ、また密着性を向上できると共に、パターン外析出も抑制できることがわかった。したがって本発明ではヨウ素イオンを含有するNi-Pめっき浴を使用することも好ましい実施態様である。
めっき浴中のヨウ素濃度(ヨウ素換算)の下限は、10mg/L以上、50mg/L以上、100mg/L以上、150mg/L以上、200mg/L以上、300mg/L以上、400mg/L以上、500mg/L以上の順に濃度が高い程好ましい。またヨウ素濃度の上限は、4000mg/L以下、3000mg/L以下、2000mg/L以下の順に濃度が低い程好ましい。
ポリイミド基板上に厚さ18μmの圧延銅箔を積層させてパターン形成を行ったテストパターン基板を用意した。パターン基板は、ライン(L)とスペース(S)とが交互に形成されたラインアンドスペースパターンを有しており、ライン(L)が幅50μm、スペース(S)が幅50μmである基板を被めっき物とした。なお、ライン(L)とはパターン幅(線幅)を表し、スペース(S)とは隣り合うパターン同士の間隔(スリット幅)を表す。
また密着性評価用の被めっき物としてハルセル銅板(山本鍍金試験器社製B-60-P05)を使用し、該銅板に下記前処理を行ってから無電解Ni-Pめっき処理を施した。
Cu基材上のNi-Pめっきの析出の有無について以下の基準で評価した。
◎:Cu基材上にNi-Pめっきが析出した。
×:Cu基材上にNi-Pめっきが析出しなかった。
Ni-Pめっき皮膜の外観を観察して以下の基準で評価した。
◎:めっき皮膜に膨れやカジリ(膜厚不足)などの外観ムラがなく、皮膜表面は均一な状態である。
〇:めっき皮膜の一部にカジリが認められる。
△:めっき皮膜の一部が不均一な状態である。
×:めっき皮膜の全面に外観ムラがあり、皮膜表面は不均一な状態である。
無電解Ni-Pめっき皮膜とCu基材との密着性について以下の基準で評価した。密着性試験はクロスカット試験(JIS H8504に準拠)で評価した。
◎:Ni-Pめっきの剥離はなかった。
〇:ライン(L)面積100%に対してNi-Pめっき皮膜の剥離面積は30%未満である。
△:ライン(L)面積100%に対してNi-Pめっき皮膜の剥離面積は30%以上、80%未満である。
×:ライン(L)面積100%に対してNi-Pめっき皮膜の剥離面積は80%以上である。
スペース(S)部分のNi-Pめっき析出状態について以下の基準で評価した。
◎:スペース(S)部分にはNi-Pめっきが析出していない。
〇:スペース(S)部分にNiめっきの析出が認められ、析出面積率は全スペース(S)面積100%に対して10%未満である。
△:スペース(S)部分にNiめっきの析出が認められ、析出面積率は全スペース(S)面積100%に対して10%以上、50%未満である。
×:スペース(S)部分にNiめっきの析出が認められ、析出面積率は全スペース(S)面積100%に対して50%以上である。
ライン(L)部分のNi‐Pめっきの析出状態について以下の基準で評価した。
◎:ライン(L)面積100%に対してNi‐Pめっき未着率は0%である。
〇:ライン(L)面積100%に対してNi‐Pめっき未着率は10%未満である。
△:ライン(L)面積100%に対してNi‐Pめっき未着率は10%以上、50%未満である。
×:ライン(L)面積100%に対してNi‐Pめっき未着率は50%以上である。
表2中、No.1-1~1-3は、Pd触媒核を付与した例である。
No.1-1、1-2は被めっき物のCu基材にPdを触媒核として付与した後、ヨウ素イオンを含有する無電解Ni-Pめっき浴と接触させたが、浸漬時間が短いとNi-Pめっきを析出させることができなかった。また浸漬時間を長くするとパターン外析出すると共に、密着性も悪かった。
No.1-3はヨウ素イオンを含有しない無電解Ni-Pめっき浴と接触させた参考例である。
No.1-4、1-5ではCu基材に触媒を付与できず、したがってNi-Pめっきを析出させることができなかった。
これらの例から、ニッケルイオン濃度、またはコバルトイオン濃度の増加に比例してライン(L)単位面積当たりのNi析出量、Co析出量が多くなることがわかる。
またニッケルイオン濃度、コバルトイオン濃度を高めると、ヨウ素イオンを含有する無電解Ni-Pめっき浴に対するめっき皮膜の析出性を向上でき、反応性も向上できることがわかる。
更に、ニッケルイオン濃度、またはコバルトイオン濃度が高くなると基板パターン性が低下する傾向があることがわかる。
またニッケルイオンよりもコバルトイオンの方が、良好な反応性が得られることがわかる。
タングステンイオン濃度が高くなると、ライン(L)単位面積当たりのNi析出量、Co析出量が少なくなることがわかる。
またタングステンイオン濃度を高めると反応性は向上するが、濃度が更に高くなるとめっき皮膜の外観性が低下することがわかる。
浴温度を高くすると、ライン(L)単位面積当たりのNi析出量、Co析出量が多くなるが、浴温度が更に高くなると基板パターン性が低下することがわかる。
ジメチルアミンボラン濃度が高くなると、ライン(L)単位面積当たりのNi析出量、Co析出量が多くなるが、ジメチルアミンボラン濃度が更に高くなると反応性が低下することがわかる。
これらの例では全ての評価項目において優れた効果を奏しており、NiイオンとCoイオンの両方を含有させると、より一層すぐれた効果が得られることがわかる。
触媒液中の錯化剤濃度の下限は好ましくは0.001mol/L以上、より好ましくは0.005mol/L以上、更に好ましくは0.01mol/L以上である。錯化剤濃度の上限は好ましくは1mol/L以下、より好ましくは0.5mol/L以下、更に好ましくは0.1mol/L以下である。
Claims (8)
- ニッケルイオン、および/またはコバルトイオンと;
ジアルキルアミンボランと;
錯化剤と;を含む無電解Ni-Pめっき用触媒液。 - 前記触媒液中の
前記ニッケルイオン、および/または前記コバルトイオンの濃度は、0.01g/L以上、10g/L以下;
前記ジメチルアミンボランの濃度は、0.1g/L以上、10g/L以下;
である請求項1に記載の無電解Ni-Pめっき用触媒液。 - 前記触媒液は更にタングステンイオンを含むものである請求項1または2に記載の無電解Ni-Pめっき用触媒液。
- 前記触媒液中の前記タングステンイオンの濃度(W換算)は、0.005g/L以上、10g/L以下である請求項3に記載の無電解Ni-Pめっき用触媒液。
- Cu基材を、請求項1~4のいずれかに記載の触媒液と接触させる触媒化処理工程と、
前記触媒化処理されたCu基材を、無電解Ni-Pめっき浴と接触させる無電解めっき処理工程とを含む無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法。 - 前記無電解Ni-Pめっき浴はヨウ素イオンを含むものである請求項5に記載の無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法。
- 前記触媒化処理されたCu基材表面には、Ni-B、Ni-B-W、Co-B、およびCo-B-Wよりなる群から選ばれる少なくとも1種の触媒核が付与されている請求項5または6に記載の無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法。
- 前記触媒化処理されたCu基材の単位面積当たりのニッケル、および/またはコバルトの析出量は0.2×10-3mg/cm2以上、25×10-3mg/cm2以下である請求項7に記載の無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020125459A JP6950051B1 (ja) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 無電解Ni−Pめっき用触媒液、および該触媒液を用いた無電解Ni−Pめっき皮膜の形成方法 |
JP2021119059A JP2022022149A (ja) | 2020-07-22 | 2021-07-19 | 無電解Ni-Pめっき用触媒液、および該触媒液を用いた無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020125459A JP6950051B1 (ja) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 無電解Ni−Pめっき用触媒液、および該触媒液を用いた無電解Ni−Pめっき皮膜の形成方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021119059A Division JP2022022149A (ja) | 2020-07-22 | 2021-07-19 | 無電解Ni-Pめっき用触媒液、および該触媒液を用いた無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6950051B1 JP6950051B1 (ja) | 2021-10-13 |
JP2022021698A true JP2022021698A (ja) | 2022-02-03 |
Family
ID=78001392
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020125459A Active JP6950051B1 (ja) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 無電解Ni−Pめっき用触媒液、および該触媒液を用いた無電解Ni−Pめっき皮膜の形成方法 |
JP2021119059A Pending JP2022022149A (ja) | 2020-07-22 | 2021-07-19 | 無電解Ni-Pめっき用触媒液、および該触媒液を用いた無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021119059A Pending JP2022022149A (ja) | 2020-07-22 | 2021-07-19 | 無電解Ni-Pめっき用触媒液、および該触媒液を用いた無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6950051B1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55102297A (en) * | 1979-01-22 | 1980-08-05 | Richardson Chemical Co | Method of controlling to electrolessly plate surface of support and product fabricated thereby |
JPH0293076A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-03 | Sanko Tokushu Kinzoku Kogyo Kk | 無電解メッキに利用される微細な金属体の製造方法 |
JPH05156458A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-06-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解ニッケル−リンめっき液 |
JP2000239852A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-05 | Hideo Honma | 銅パターンの選択的活性化方法およびこれに用いる活性化剤 |
JP2010132949A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解ニッケルめっき浴及び無電解ニッケルめっき方法 |
JP2015030884A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 日本カニゼン株式会社 | 無電解ニッケルめっき液及びそれを用いた無電解ニッケルめっき方法 |
JP2016056421A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 石原ケミカル株式会社 | 無電解ニッケル又はニッケル合金メッキ用のニッケルコロイド触媒液並びに無電解ニッケル又はニッケル合金メッキ方法 |
-
2020
- 2020-07-22 JP JP2020125459A patent/JP6950051B1/ja active Active
-
2021
- 2021-07-19 JP JP2021119059A patent/JP2022022149A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55102297A (en) * | 1979-01-22 | 1980-08-05 | Richardson Chemical Co | Method of controlling to electrolessly plate surface of support and product fabricated thereby |
JPH0293076A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-03 | Sanko Tokushu Kinzoku Kogyo Kk | 無電解メッキに利用される微細な金属体の製造方法 |
JPH05156458A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-06-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解ニッケル−リンめっき液 |
JP2000239852A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-05 | Hideo Honma | 銅パターンの選択的活性化方法およびこれに用いる活性化剤 |
JP2010132949A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解ニッケルめっき浴及び無電解ニッケルめっき方法 |
JP2015030884A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 日本カニゼン株式会社 | 無電解ニッケルめっき液及びそれを用いた無電解ニッケルめっき方法 |
JP2016056421A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 石原ケミカル株式会社 | 無電解ニッケル又はニッケル合金メッキ用のニッケルコロイド触媒液並びに無電解ニッケル又はニッケル合金メッキ方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
渡辺 秀人,五十嵐 靖,本間 英夫: "「DMBA溶液による銅パターンの選択的活性化法」", 回路実装学会誌, vol. 12, no. 1, JPN6020049754, January 1997 (1997-01-01), JP, pages 29 - 33, ISSN: 0004488213 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022022149A (ja) | 2022-02-03 |
JP6950051B1 (ja) | 2021-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6298530B2 (ja) | 無電解ニッケルめっき液、及び無電解ニッケルめっき方法 | |
JP5665136B2 (ja) | 接合可能なウェハ表面のための応力が低減されたNi−P/Pd積層を調製するための方法 | |
EP2875168B1 (en) | Electroless nickel coatings and compositions and methods for forming the coatings | |
CN1896309A (zh) | 压铸铝合金直接化学镀镍工艺 | |
JP6099678B2 (ja) | コバルト合金無電解めっき用アルカリ性めっき浴 | |
JP3482402B2 (ja) | 置換金メッキ液 | |
KR101314035B1 (ko) | 자기 촉매적 무전해 공정들의 안정성 및 수행 | |
US20160108254A1 (en) | Zinc immersion coating solutions, double-zincate method, method of forming a metal plating film, and semiconductor device | |
JP6950051B1 (ja) | 無電解Ni−Pめっき用触媒液、および該触媒液を用いた無電解Ni−Pめっき皮膜の形成方法 | |
TWI767101B (zh) | 聚醯亞胺樹脂上的金屬皮膜形成方法 | |
CN105051254B (zh) | 供无电电镀的铜表面活化的方法 | |
JP6719437B2 (ja) | 無電解ニッケルめっき浴 | |
WO2012052832A2 (en) | Electroless nickel plating bath and electroless nickel plating method using same | |
JP2023008204A (ja) | 無電解Ni-Pめっき用Ni触媒液、該触媒液を用いた無電解Ni-Pめっき皮膜の形成方法 | |
JP4842620B2 (ja) | 高密度銅パターンを有したプリント配線板の製造方法 | |
CN110983309B (zh) | 2-硫代海因类化合物或其盐的应用 | |
JP7441263B2 (ja) | 無電解Co-Wめっき皮膜、および無電解Co-Wめっき液 | |
JP2013144835A (ja) | 無電解Ni−P−Snめっき液 | |
JPH02104671A (ja) | パラジウム活性化剤及びセラミック基板の無電解めっき方法 | |
JPH06256964A (ja) | 無電解Ni−Sn系合金めっき液 | |
JPH06256962A (ja) | 無電解Ni−Sn−P合金めっき液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201027 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201027 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20201027 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20201029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210205 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210719 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210719 |
|
C876 | Explanation why request for accelerated appeal examination is justified |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C876 Effective date: 20210719 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20210721 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210831 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210907 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210914 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210922 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6950051 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |